CN103850033A - 氨纶印花双抗双面料及其生产方法 - Google Patents

氨纶印花双抗双面料及其生产方法 Download PDF

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刘桂芬
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Abstract

本发明公开了一种氨纶印花双抗双面料及其生产方法,包括双抗双面料,所述双抗双面料上设有印花,所述氨纶印花双抗双面料由100D/40D的平针线圈和150D/144F的拉长沉降弧的毛圈线圈经过纬编依次串套而成,所述平针线圈的每股纱线中设有1根氨纶单丝,所述单根氨纶单丝被多根涤纶单丝包覆起来,所述氨纶印花双抗双面料上附着有抗静电药剂和吸汗速干药剂。本发明扩张收缩力好,抗静电,吸汗速干。

Description

氨纶印花双抗双面料及其生产方法
技术领域
本发明涉及纺织领域,尤其是一种氨纶印花双抗双面料及其生产方法。
背景技术
随着人们生活水平的提高,人们对穿着的服装也提出了更高的要求,现有的面料由涤纶纱线经过十字编织法编织而成,吸汗速干性差,穿在身上易在纤维上产生静电荷,不合体不能满足人们的需求。
发明内容
本发明针对上述的不足提供了一种氨纶印花双抗双面料及其生产方法。
本发明为实现这一目的,所采用的方法是:一种氨纶印花双抗双面料,包括双抗双面料,所述双抗双面料上设有印花,所述氨纶印花双抗双面料由100D/40D的平针线圈和150D/144F的拉长沉降弧的毛圈线圈经过纬编依次串套而成,所述平针线圈的每股纱线中设有1根氨纶单丝,所述单根氨纶单丝被多根涤纶单丝包覆起来,所述氨纶印花双抗双面料上附着有抗静电药剂和吸汗速干药剂。
一种氨纶印花双抗双面料的生产方法,步骤如下:
将所述平针线圈层和拉长沉降弧的毛圈线圈层经过纬编依次串套成面料然后预定型;
将面料浸入染料和吸汗速干剂溶液中,进布后升温到130度,保温40分钟;
将面料进行印花;
将毛圈线圈的上下面均进行拉毛、刷毛、剪毛、摇粒和定型处理;
将面料在最后定型处理时采用一浸一轧法,浸轧时加入抗静电药剂,带液率为80%,然后将面料在130℃的高温下烘干,在160℃的高温下焙烘2分钟。
本发明的有益效果是:该面料经过拉毛、刷毛、剪毛、摇粒和定型处理,然后浸入药剂,使得面料舒适柔软同时具有抗静电和吸汗速干的功能,穿在身上舒适得体。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
图2是纱线的结构示意图。
如图所示1-平针线圈、2-拉长沉降弧的毛圈线圈、3-氨纶单丝、4-涤纶单丝。
具体实施方式
本说明书中公开的所有特征,或公开的所有方法或过程中的步骤,除了互相排斥的特征和/或步骤以外,均可以以任何方式组合。 
如图1所示一种氨纶印花双抗双面料及其生产方法,包括双抗双面料,所述双抗双面料上设有印花,所述氨纶印花双抗双面料由100D/40D的平针线圈1和150D/144F的拉长沉降弧的毛圈线圈2经过纬编依次串套而成,所述平针线圈1的每股纱线中设有1根氨纶单丝3,所述单根氨纶单丝3被多根涤纶单丝4包覆起来,将所述平针线圈层和拉长沉降弧的毛圈线圈层经过纬编依次串套成面料然后预定型,将面料浸入染料和吸汗速干剂溶液中,进布后升温到130度,保温40分钟,然后在面料上进行印花,将面料的上下面均进行拉毛、刷毛、剪毛、摇粒和定型处理,最后将面料在最后定型处理时采用一浸一轧法,浸轧时加入抗静电药剂,带液率为80%,然后将面料在130℃的高温下烘干,在160℃的高温下焙烘2分钟。
实施例1
所述抗静电剂为日本日华抗静电剂FJ-1,所述吸汗速干为美国亨丝曼的HSD,HSD药剂按布料重量的3%的比例稀释。
本发明并不局限于前述的具体实施方式。本发明扩展到任何在本说明书中披露的新特征或任何新的组合,以及披露的任一新的方法或过程的步骤或任何新的组合。

Claims (2)

1.一种氨纶印花双抗双面料,包括双抗双面料,所述双抗双面料上设有印花,其特征在于:所述氨纶印花双抗双面料由100D/40D的平针线圈(1)和150D/144F的拉长沉降弧的毛圈线圈(2)经过纬编依次串套而成,所述平针线圈(1)的每股纱线中设有1根氨纶单丝(3),所述单根氨纶单丝(3)被多根涤纶单丝(4)包覆起来,所述氨纶印花双抗双面料上附着有抗静电药剂和吸汗速干药剂。
2. 一种氨纶印花双抗双面料的生产方法,其特征在于,所述生产步骤如下:
将所述平针线圈层和拉长沉降弧的毛圈线圈层经过纬编依次串套成面料然后预定型;
将面料浸入染料和吸汗速干剂溶液中,进布后升温到130度,保温40分钟;
将面料进行印花;
将毛圈线圈的上下面均进行拉毛、刷毛、剪毛、摇粒和定型处理;
将面料在最后定型处理时采用一浸一轧法,浸轧时加入抗静电药剂,带液率为80%,然后将面料在130℃的高温下烘干,在160℃的高温下焙烘2分钟。
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PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
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