CN103817591B - 一种抛光机碎片处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种抛光机碎片处理装置,包括基座,该基座上设有数个凹槽,该凹槽由两个向下倾斜的引导槽构成,在每个凹槽的底端分别设有对应的碾碎槽,每个碾碎槽中安装有一对碾碎轴,该对碾碎轴上具有相互咬合的碾碎齿。本发明可以有效的缩短晶片抛光时破碎片的处理时间,提高生产效率,在晶片加工领域的商业价值。本发明可以由现有的抛光装置改造而成,改造成本低,使用方便。

Description

一种抛光机碎片处理装置
技术领域
本发明涉及晶片加工装置,具体涉及一种能缩短晶片抛光过程中碎片处理时间的抛光机碎片处理装置。
背景技术
抛光是晶片加工技术中必要的基本工序。化学机械抛光(CMP)被公认为是晶片处理工艺中最好的材料全局平坦化方法,该方法既可以获得较完美的表面,又可以得到较高的抛光速率,已经基本取代了传统的多种技术。化学机械抛光的主要目的是为了降低晶片表面的损伤层、表面划伤等,以获得较好的表面平坦度以及表面形貌,同时得到比较好的表面粗糙度。
抛光过程中碎片的处理是耗时费力的一项工作,极大的影响了生产效率。在日臻激烈的市场竞争环境下,如何保质保量并快速的完成客户订单成为了企业生存的关键,因而能够提高产能的抛光机必将具有巨大的市场经济价值。
目前针对提高生产效率的问题,国内的研究热点为改进抛光设备,提高同时抛光的片数、缩短抛光时间、优化抛光工艺等,但鲜有研究抛光过程中碎片的处理方法。因此,怎样缩短抛光时碎片的处理时间,使生产无间断的快速进行,就成了迫切需要解决的课题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种抛光机碎片处理装置,对晶片抛光装置进行改进,以有效的缩短晶片碎片处理时间并使处理变得简便快捷,在很大程度上提高生产产能。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种抛光机碎片处理装置,包括基座,该基座上设有数个凹槽,该凹槽由两个向下倾斜的引导槽构成,在每个凹槽的底端分别设有对应的碾碎槽,每个碾碎槽中安装有一对碾碎轴,该对碾碎轴上具有相互咬合的碾碎齿。
所述基座上设有4个凹槽,均匀分布在所述基座上。
所述抛光机碎片处理装置安装在抛光机旋转大盘与抛光机底座之间。
本发明的优点在于:
本发明可以有效的缩短晶片抛光时破碎片的处理时间,提高生产的效率,在晶片加工领域的商业价值。
本发明可以由现有的抛光装置改造而成,改造成本低,使用方便。
附图说明
图1为本发明抛光碎片处理装置的二等角轴测结构示意图。
图2为本发明抛光碎片处理装置的俯视图。
图3为本发明沿A-A的剖视图。
具体实施方式
以下通过具体实施例对本发明做进一步说明,但本发明的保护范围不受这些实施例的限制。
如图1~3所示,本发明的抛光机碎片处理装置设置在抛光机旋转大盘1与抛光机底座(图中未示出)之间,可以由现有的抛光装置改造而成。该装置包括基座2,该基座2上开设四个凹槽3,该些凹槽均匀分布在基座2上,分别由两个向下倾斜的引导槽构成,在每个凹槽3的底端分别设有对应的碾碎槽4,每个碾碎槽4中安装有一对碾碎轴5,该对碾碎轴5上具有相互咬合的碾碎齿。
当抛光机对晶片进行抛光时,用水枪将晶片碎片冲入凹槽内,碎片经引导槽流入碾碎槽内,碾碎轴旋转将碎片碾碎,碎片被碾碎后进入抛光大盘下的底座里并随系统排出。
实施例1
选择直拉法生产的N型、<100>晶向、电阻率为1~3mΩ·cm的12英寸硅抛光片5片,在常规抛光机上进行抛光。当抛光发生破碎时,通常工作人员需要进入抛光机去收集碎片或者借助物体够取抛光碎片,将其取出。若要完全清除干净,一般耗时半小时以上,而且有可能有碎片残留在抛光大盘下的基座上。
采用本发明的碎片处理装置,首先用水枪将硅片碎片冲入引导槽,碎片顺着引导槽流入碾碎槽,通过碾碎轴将碎片碾碎,碾碎后的碎片进入抛光大盘下的底座里并随排水系统排出。通过该碎片处理装置,碎片处理时间可以大为缩短,从而使生产无间断,提高了产能。
实施例2
选择VGF法生产的N型、<100>晶向的6英寸GaAs衬底片5片,在常规抛光机上进行抛光。当抛光发生破碎时,通常工作人员需要进入抛光机去收集碎片或者借助物体够取抛光碎片,将其取出。若要完全清除干净,一般耗时半小时以上,而且有可能有碎片残留在抛光大盘下的基座上。
采用本发明的碎片处理装置,首先用水枪将硅片碎片冲入引导槽,碎片顺着引导槽流入碾碎槽,通过碾碎轴将碎片碾碎,碾碎后的碎片进入抛光大盘下的底座里并随排水系统排出。通过该碎片处理装置,碎片处理时间可以大为缩短,从而使生产无间断,提高了产能。

Claims (3)

1.一种抛光机碎片处理装置,其特征在于,包括基座,该基座上设有数个凹槽,该凹槽由两个向下倾斜的引导槽构成,在每个凹槽的底端分别设有对应的碾碎槽,每个碾碎槽中安装有一对碾碎轴,该对碾碎轴上具有相互咬合的碾碎齿。
2.根据权利要求1所述的抛光机碎片处理装置,其特征在于,所述基座上设有4个凹槽,均匀分布在所述基座上。
3.根据权利要求1所述的抛光机碎片处理装置,其特征在于,所述抛光机碎片处理装置安装在抛光机旋转大盘与抛光机底座之间。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1440321A (zh) * 2000-05-12 2003-09-03 多平面技术公司 具有独立限位环和多区域压力控制结构的气动隔膜式抛光头及其使用方法
CN1545441A (zh) * 2001-08-02 2004-11-10 ��ʽ����Skc 利用激光制造化学机械抛光垫的方法
CN2664836Y (zh) * 2003-08-13 2004-12-22 张祯育 具吸除粉尘功能的研磨机

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3852758B2 (ja) * 2002-03-01 2006-12-06 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション スラリー回収装置及びその方法
KR100469677B1 (ko) * 2004-09-30 2005-02-03 주식회사 서원산업 임목폐기물 파쇄장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1440321A (zh) * 2000-05-12 2003-09-03 多平面技术公司 具有独立限位环和多区域压力控制结构的气动隔膜式抛光头及其使用方法
CN1545441A (zh) * 2001-08-02 2004-11-10 ��ʽ����Skc 利用激光制造化学机械抛光垫的方法
CN2664836Y (zh) * 2003-08-13 2004-12-22 张祯育 具吸除粉尘功能的研磨机

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