CN103630254A - 一种石墨烯温度传感器及其制备工艺 - Google Patents
一种石墨烯温度传感器及其制备工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103630254A CN103630254A CN201310586376.0A CN201310586376A CN103630254A CN 103630254 A CN103630254 A CN 103630254A CN 201310586376 A CN201310586376 A CN 201310586376A CN 103630254 A CN103630254 A CN 103630254A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- sio
- double
- electrode
- graphite alkene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 32
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229920003209 poly(hydridosilsesquioxane) Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 26
- -1 graphite alkene Chemical class 0.000 claims description 22
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 11
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 10
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 4
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 claims description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 30
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052904 quartz Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000002355 dual-layer Substances 0.000 abstract 2
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract 1
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical class [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 210000004940 Nucleus Anatomy 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000001808 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical Effects 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral Effects 0.000 description 1
- 230000005676 thermoelectric effect Effects 0.000 description 1
Images
Abstract
本发明公开了一种石墨烯温度传感器及其制备工艺，其结构从上到下依次为：顶栅电极、镍铬合金膜、上SiO2层、氢倍半硅氧烷、双层石墨烯与源漏电极、下SiO2层、Si衬底、背栅电极。采用将由机械剥离得到的双层石墨烯淀积在一个带有300nm厚的SiO2层的Si衬底上，使用电子束光刻技术在源端和漏端制造电极，热蒸发5nmCr/100nmAu。本发明的石墨烯温度传感器相较于现有的传感器，该温度传感器有很高的敏感度，较低的本征噪声以及很高的探测速度。这在航天领域有很好的应用前景。
Description
技术领域：
本发明属于半导体器件与半导体工艺领域，涉及一种温度传感器器件及其制备工艺，尤其是一种双栅双层石墨烯热电子温度传感器器件及其制备工艺。
背景技术：
温度传感器是指能感受温度并转换成可用输出信号的传感器。温度传感器是最早开发，应用最广的一类传感器。按测量方式可分为接触式和非接触式两大类，按照传感器材料及电子元件特性分为热电阻和热电偶两类。在半导体技术的支持下，人们相继开发了半导体热电偶传感器、PN结温度传感器和集成温度传感器。与之相应，根据波与物质的相互作用规律，相继开发了声学温度传感器、红外传感器和微波传感器。但是这些传感器的敏感度还有待提高，并且它们的本征噪声较高，探测速度较低。
石墨烯是一种二维的六方晶格结构，它具有优异的电学、热学和机械特性。石墨烯在远红外到紫外波段内有很强、几乎与频率无关的光学作用，在宽波段的光电应用中很有前景。此外，石墨烯的电子-声子耦合很弱，这就意味着在相对较高的温度下，可以利用热电子效应制作快速，高敏感度的探测器。石墨烯独特的带间结构导致了其载流子遵循二维无质量的狄拉克方程，并且在从红外到紫外的一个很宽的频谱范围内，与频率无关的吸收系数是可以量化的。之前对于石墨烯光电探测器的研究主要利用了p-n结、石墨烯/金属结以及单层石墨烯/双层石墨烯界面来产生光伏效应，从而产生电信号。但是在以上应用中主要利用了一维石墨烯界面，并没有利用到二维石墨烯的性质。
发明内容：
本发明提出了一种新型的石墨烯温度传感器器件，并介绍了其制备工艺。当有光照射到该器件上时，该器件利用了热电效应来产生电信号。由于电子的比热很小，电子很快被加热，而晶格中的碳原子核保持低温，从而产生了两个具有不同电气特性的区域。正是由于石墨烯内部的温差，从而产生了可测的电信号。通过分析电信号的改变与温度之间的函数关系，我们可以得到辐射的温度。
本发明提供了一种石墨烯温度传感器，其结构从上到下依次为：顶栅电极、镍铬合金膜、上SiO2层、氢倍半硅氧烷、双层石墨烯与源漏电极、下SiO2层、Si衬底、背栅电极。
本发明还提供了一种石墨烯温度传感器的制备工艺，将由机械剥离得到的双层石墨烯淀积在一个带有300nm厚的SiO2层的Si衬底上，使用电子束光刻技术在源端和漏端制造电极，热蒸发5nmCr/100nmAu。
所述制备工艺按照如下步骤：
(1)制备SiO2/Si衬底：在Si衬底上采用干法氧化工艺生长300nm的SiO2薄膜；
(2)制备双层石墨烯：采用机械剥离自然石墨的方法获得双层石墨烯；
(3)淀积双层石墨烯：将双层石墨烯淀积在下SiO2层上；
(4)制作源漏电极：在双层石墨烯两端的源漏区域制作电极，其方式为先采用电子束光刻的方法制作通孔，再热蒸发5nmCr和100nmAu作为电极；
(5)淀积倍半硅氧烷：先旋涂一层50nm厚的倍半硅氧烷，然后经电子束曝光使其固化；
(6)制作顶栅介质：在氢倍半硅氧烷层上方溅射250nm的SiO2薄膜作为顶栅介质；
(7)制作顶栅：在上SiO2层上方使用镍铬合金膜作为半透明顶栅，所使用的镍铬合金膜薄片电阻为200Ω；
(8)制作顶栅和背栅电极：在顶栅和背栅上分别制作顶栅电极和背栅电极，其方式为先采用电子束光刻的方法制作通孔，再热蒸发5nmCr和100nmAu作为电极。
本发明使用了载流子密度和带隙可调的双层石墨烯结构，并在该器件中使用了顶栅与背栅双栅结构。本发明将由机械剥离得到的双层石墨烯淀积在一个带有300nm厚的SiO2层的Si衬底上，使用电子束光刻技术在源端和漏端制造电极，热蒸发5nmCr/100nmAu。为了保护石墨烯不在SiO2制备工艺中受到损伤，先旋涂一层50nm厚的倍半硅氧烷（HSQ），然后经电子束曝光使其固化，随后溅射250nm的SiO2薄膜作为顶栅介质。在SiO2层上方使用镍铬合金膜(NiCr)（20nm，薄片电阻为200Ω）作为半透明顶栅。在顶栅和背栅上分别制作顶栅电极和背栅电极，使用电子束光刻技术制造电极，热蒸发5nmCr/100nmAu。在该装置中安装一个固定频率和固定强度的光源，在器件工作时，将该光源打开，对器件施加照射。当器件在工作状态时，在顶栅和背栅上同时施加直流和交流信号进行偏置，在进行光照时，可以得到器件两端的电信号变化，根据电信号变化与环境温度之间的函数关系，我们可以得到当前的环境温度。相较于现有的传感器，该温度传感器有很高的敏感度，较低的本征噪声以及很高的探测速度。这在航天领域有很好的应用前景。
附图说明：
图1为石墨烯温度传感器的器件结构图。
图2为电阻R与电流Idc和温度T的关系曲线。
图3为二次谐波信号与电流Idc和温度T的关系曲线。
具体实施方式：
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明，但本发明并不限于以下实施例。
实施例：制作石墨烯温度传感器
在制作石墨烯温度传感器时，本发明采取以下技术方案：
1、制备SiO2/Si衬底：在Si衬底上采用干法氧化工艺生长300nm的SiO2薄膜。
2、制备双层石墨烯：采用机械剥离自然石墨的方法获得双层石墨烯。
3、淀积双层石墨烯：将双层石墨烯淀积在下SiO2层上。
4、制作源漏电极：在双层石墨烯两端的源漏区域制作电极，其方法为先采用电子束光刻的方法制作通孔，再热蒸发5nmCr和100nmAu作为电极。
5、淀积倍半硅氧烷（HSQ）：为了保护石墨烯不在SiO2制备工艺中受到损伤，先旋涂一层50nm厚的倍半硅氧烷（HSQ），然后经电子束曝光使其固化。
6、制作顶栅介质：在氢倍半硅氧烷（HSQ）层上方溅射250nm的SiO2薄膜作为顶栅介质。
7、制作顶栅：在上SiO2层上方使用镍铬合金膜（NiCr）（20nm）作为半透明顶栅，所使用的镍铬合金膜薄片电阻为200Ω。
8、制作顶栅和背栅电极：在顶栅和背栅上分别制作顶栅电极和背栅电极，其方法为先采用电子束光刻的方法制作通孔，再热蒸发5nmCr和100nmAu作为电极。
该器件的结构示意图如图1所示。我们同时使用直流和交流信号来偏置该器件，直流偏置由一个Keithley2400源表提供，交流激励由一个StanfordSR830lock-in放大器提供。当使用光照射该器件时，我们测试了两端电阻R以及相应电压变化ΔV的值（使用一个lock-in放大器测量），它们的大小与顶栅电压Vtg和背栅电压Vbg有关。当施加直流和交流偏置
时，根据一次谐波信号得到电阻R与电流Idc和温度T的关系，如图2所示；二次谐波信号为我们可以得到ΔV(2ω)与电流Idc和温度T的关系，如图3所示。由以上关系，我们得到与电阻R的关系，如图4所示。当Idc确定时，我们可以求出
的值，从而根据所得到的R值计算出温度T。
该石墨烯温度传感器的本征速率非常高，在温度为10K时可以达到1GHz以上。该器件具有很低的等效噪声功率，在温度为5K为33fW/Hz1/2，这与现在商用的硅温度传感器的等效噪声功率（200-2000fW/Hz1/2）相比是非常小的。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施方式仅限于此，对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单的推演或替换，都应当视为属于本发明由所提交的权利要求书确定专利保护范围。
Claims (3)
1.一种石墨烯温度传感器，其特征在于，其结构从上到下依次为：顶栅电极、镍铬合金膜、上SiO2层、氢倍半硅氧烷、双层石墨烯与源漏电极、下SiO2层、Si衬底、背栅电极。
2.一种石墨烯温度传感器的制备工艺，其特征在于：将由机械剥离得到的双层石墨烯淀积在一个带有300nm厚的SiO2层的Si衬底上，使用电子束光刻技术在源端和漏端制造电极，热蒸发5nmCr/100nmAu。
3.如权利要求2所述的制备工艺，其特征在于，按照如下步骤：
(1)制备SiO2/Si衬底：在Si衬底上采用干法氧化工艺生长300nm的SiO2薄膜；
(2)制备双层石墨烯：采用机械剥离自然石墨的方法获得双层石墨烯；
(3)淀积双层石墨烯：将双层石墨烯淀积在下SiO2层上；
(4)制作源漏电极：在双层石墨烯两端的源漏区域制作电极，其方式为先采用电子束光刻的方法制作通孔，再热蒸发5nmCr和100nmAu作为电极；
(5)淀积倍半硅氧烷：先旋涂一层50nm厚的倍半硅氧烷，然后经电子束曝光使其固化；
(6)制作顶栅介质：在氢倍半硅氧烷层上方溅射250nm的SiO2薄膜作为顶栅介质；
(7)制作顶栅：在上SiO2层上方使用镍铬合金膜作为半透明顶栅，所使用的镍铬合金膜薄片电阻为200Ω；
(8)制作顶栅和背栅电极：在顶栅和背栅上分别制作顶栅电极和背栅电极，其方式为先采用电子束光刻的方法制作通孔，再热蒸发5nmCr和100nmAu作为电极。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310586376.0A CN103630254B (zh) | 2013-11-18 | 2013-11-18 | 一种石墨烯温度传感器及其制备工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310586376.0A CN103630254B (zh) | 2013-11-18 | 2013-11-18 | 一种石墨烯温度传感器及其制备工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103630254A true CN103630254A (zh) | 2014-03-12 |
| CN103630254B CN103630254B (zh) | 2015-12-02 |
Family
ID=50211537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310586376.0A Expired - Fee Related CN103630254B (zh) | 2013-11-18 | 2013-11-18 | 一种石墨烯温度传感器及其制备工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103630254B (zh) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104979464A (zh) * | 2015-06-11 | 2015-10-14 | 上海电力学院 | 一种基于石墨烯异质结的柔性热电转换器件 |
| CN105136326A (zh) * | 2015-08-19 | 2015-12-09 | 东南大学 | 一种可实现多点测量的柔性温度传感器及其制备方法 |
| CN105136325A (zh) * | 2015-08-19 | 2015-12-09 | 东南大学 | 一种具有自封装的柔性温度传感器及其制备方法 |
| CN105241571A (zh) * | 2015-09-21 | 2016-01-13 | 长安大学 | N和Mo用于提高氧化石墨烯温敏特性的应用 |
| CN105698953A (zh) * | 2014-11-27 | 2016-06-22 | 北京大学 | 一种基于石墨烯无源热电偶的温度探测方法 |
| CN105841836A (zh) * | 2016-03-18 | 2016-08-10 | 南京邮电大学 | 一种新型瞬态温度传感器 |
| CN108757740A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-11-06 | 河南科技大学 | 一种基于复合膜系结构的温度型自感知轴承 |
| CN110657898A (zh) * | 2019-10-10 | 2020-01-07 | 南京大学 | 一种基于双层石墨烯的温度传感器及制备方法 |
| CN110702248A (zh) * | 2019-09-17 | 2020-01-17 | 江苏大学 | 一种基于石墨烯材料的热电传感器及其制备方法 |
| CN110823396A (zh) * | 2018-08-08 | 2020-02-21 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 基于还原氧化石墨烯的温度传感器及其制备方法与应用 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6232662B1 (en) * | 1998-07-14 | 2001-05-15 | Texas Instruments Incorporated | System and method for bonding over active integrated circuits |
| DE10135805A1 (de) * | 2001-07-23 | 2003-02-13 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Erfassung einer Zuverlässigkeit von integrierten Halbleiterbauelementen bei hohen Temperaturen |
| US7544545B2 (en) * | 2005-12-28 | 2009-06-09 | Vishay-Siliconix | Trench polysilicon diode |
| CN101834206B (zh) * | 2010-04-12 | 2012-10-10 | 清华大学 | 半导体器件结构及其形成方法 |
| CN102420288B (zh) * | 2011-11-21 | 2013-07-03 | 北京科技大学 | 一种带介电修饰层的有机场效应晶体管及制备方法 |
| CN103208524B (zh) * | 2013-04-25 | 2016-06-29 | 西安电子科技大学 | 一种多层双栅石墨烯场效应的晶体管及其制备方法 |
| CN203258849U (zh) * | 2013-05-16 | 2013-10-30 | 中国石油集团工程设计有限责任公司 | 水浴式电加热器橇 |
| CN103318874B (zh) * | 2013-05-21 | 2014-12-24 | 宁夏大学 | 具有温度敏感特性的氧化石墨烯及元件的制备方法 |
-
2013
- 2013-11-18 CN CN201310586376.0A patent/CN103630254B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105698953A (zh) * | 2014-11-27 | 2016-06-22 | 北京大学 | 一种基于石墨烯无源热电偶的温度探测方法 |
| CN105698953B (zh) * | 2014-11-27 | 2018-08-28 | 北京大学 | 一种基于石墨烯无源热电偶的温度探测方法 |
| CN104979464A (zh) * | 2015-06-11 | 2015-10-14 | 上海电力学院 | 一种基于石墨烯异质结的柔性热电转换器件 |
| CN104979464B (zh) * | 2015-06-11 | 2017-09-29 | 上海电力学院 | 一种基于石墨烯异质结的柔性热电转换器件 |
| CN105136326B (zh) * | 2015-08-19 | 2018-06-15 | 东南大学 | 一种温度传感器及其制备方法 |
| CN105136325B (zh) * | 2015-08-19 | 2017-09-15 | 东南大学 | 一种自封装温度传感器及其制备方法 |
| CN105136325A (zh) * | 2015-08-19 | 2015-12-09 | 东南大学 | 一种具有自封装的柔性温度传感器及其制备方法 |
| CN105136326A (zh) * | 2015-08-19 | 2015-12-09 | 东南大学 | 一种可实现多点测量的柔性温度传感器及其制备方法 |
| CN105241571A (zh) * | 2015-09-21 | 2016-01-13 | 长安大学 | N和Mo用于提高氧化石墨烯温敏特性的应用 |
| CN105841836A (zh) * | 2016-03-18 | 2016-08-10 | 南京邮电大学 | 一种新型瞬态温度传感器 |
| CN105841836B (zh) * | 2016-03-18 | 2019-12-27 | 南京邮电大学 | 一种新型瞬态温度传感器 |
| CN108757740A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-11-06 | 河南科技大学 | 一种基于复合膜系结构的温度型自感知轴承 |
| CN108757740B (zh) * | 2018-05-29 | 2019-09-06 | 河南科技大学 | 一种基于复合膜系结构的温度型自感知轴承 |
| CN110823396A (zh) * | 2018-08-08 | 2020-02-21 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 基于还原氧化石墨烯的温度传感器及其制备方法与应用 |
| CN110702248A (zh) * | 2019-09-17 | 2020-01-17 | 江苏大学 | 一种基于石墨烯材料的热电传感器及其制备方法 |
| CN110702248B (zh) * | 2019-09-17 | 2020-12-18 | 江苏大学 | 一种基于石墨烯材料的热电传感器及其制备方法 |
| CN110657898A (zh) * | 2019-10-10 | 2020-01-07 | 南京大学 | 一种基于双层石墨烯的温度传感器及制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103630254B (zh) | 2015-12-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103630254B (zh) | 一种石墨烯温度传感器及其制备工艺 | |
| Wang et al. | Ferroelectric localized field–enhanced ZnO nanosheet ultraviolet photodetector with high sensitivity and low dark current | |
| Lu et al. | Ultrahigh speed and broadband few‐layer MoTe2/Si 2D–3D heterojunction‐based photodiodes fabricated by pulsed laser deposition | |
| Li et al. | High detectivity graphene‐silicon heterojunction photodetector | |
| Zheng et al. | High‐performance ferroelectric polymer side‐gated CdS nanowire ultraviolet photodetectors | |
| Zhang et al. | Enhanced photoresponse of ZnO nanorods-based self-powered photodetector by piezotronic interface engineering | |
| Hu et al. | Investigation of electrically-active defects in Sb2Se3 thin-film solar cells with up to 5.91% efficiency via admittance spectroscopy | |
| CN105702776B (zh) | 一种自驱动光探测器及其制作方法 | |
| Li et al. | Optimization of Si/ZnO/PEDOT: PSS tri-layer heterojunction photodetector by piezo-phototronic effect using both positive and negative piezoelectric charges | |
| Zhu et al. | High performance room temperature rectenna IR detectors using graphene geometric diodes | |
| Khan et al. | Electrical and photo-electrical properties of MoS2 nanosheets with and without an Al2O3 capping layer under various environmental conditions | |
| Grillo et al. | Coexistence of negative and positive photoconductivity in few‐layer PtSe2 field‐effect transistors | |
| Nakagomi et al. | β‐Ga2O3/p‐type 4H‐SiC heterojunction diodes and applications to deep‐UV photodiodes | |
| Zheng et al. | Cd (OH) 2@ ZnO nanowires thin-film transistor and UV photodetector with a floating ionic gate tuned by a triboelectric nanogenerator | |
| Müller et al. | Effect of localized states on the reciprocity between quantum efficiency and electroluminescence in Cu (In, Ga) Se2 and Si thin-film solar cells | |
| CN103500798A (zh) | 基于场效应晶体管结构的气体传感器及其制备方法 | |
| CN207529954U (zh) | 一种二维范德华异质结光电探测器 | |
| CN110431672A (zh) | 光伏场效应晶体管 | |
| Bayhan et al. | Study of CdS/Cu (In, Ga) Se2 heterojunction interface using admittance and impedance spectroscopy | |
| Voitsekhovskii et al. | Electrical characterizations of MIS structures based on variable-gap n (p)-HgCdTe grown by MBE on Si (0 1 3) substrates | |
| Scagliotti et al. | Influence of the contact geometry on single-walled carbon nanotube/Si photodetector response | |
| CN110148643A (zh) | 表面光伏性能良好的半导体量子点/石墨烯范德瓦尔斯结薄膜柔性器件的构筑方法 | |
| Tan et al. | Fourfold Polarization‐Sensitive Photodetector Based on GaTe/MoS2 van der Waals Heterojunction | |
| CN108963065A (zh) | 一种激光烧蚀制备单层多层石墨烯热电探测器的方法 | |
| Cai et al. | Conductive SnO2: Sb nanobelts as electrodes for detection of NO2 in ppb level with ultrahigh sensitivity |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20151202 Termination date: 20201118 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |