CN103489502B - 应用于n型晶体硅太阳能电池的背场铝浆及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种应用于N型晶体硅太阳能电池的背场铝浆及其制备方法，由下列重量份数的各组份组成：氮气雾化铝粉65～85份、有机粘结剂15～30份、玻璃粉0.5～3份、助剂0.5～3份，所述氮气雾化铝粉为球形铝粉中位径D50：1.0～2.5μm，D90：2.25～5.0μm，跨度：1.25～1.7，铝粉为含量大于99.9%的球形铝粉。本发明克服了现有P型晶体硅在地面应用中仍然存在衰减的问题，提供了可用于铝背发射极N型太阳电池的背场铝浆，可提高晶体硅的少子寿命，以及减少光致衰减现象。本发明组份配比合理、制备工艺简单、制备的铝浆与N型衬底的附着力强，烧结制备的铝背场具有高掺杂、均匀性好、耐水煮和低翘曲等优点，适于工业化生产。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池的背场铝浆及其制备方法，具体涉及一种N型晶体硅太阳能电池的背场铝浆及其制备方法。
背景技术
目前晶体硅太阳能电池在国际光伏市场上长期占据主导地位，而晶体硅太阳电池按照衬底材料来分主要分为p型衬底和n型衬底，N型晶体硅相比于P型晶体硅具有以下优点：①相同电阻率的N型晶体硅要比P型晶体硅具有更长的少数载流子寿命。②N型晶体硅对金属杂质的容忍度要远高于P型晶体硅。③在地面时N型晶体硅光致衰减现象要比P型晶体硅好。因为在地面时并不存在太空辐射的影响，此时P型晶体硅仍然存在性能衰减，而n型晶体硅的性能则显得更加稳定。
N型晶体硅太阳能电池可以分为铝背发射极、硼前发射极和硼背发射极三种结构。铝背发射极太阳电池的p-n结位于电池背表面，作为电池发射极的p+区域由铝电极和硅衬底之间的铝硅合金过程所形成。铝背发射极n型太阳电池的制作流程也跟传统P型太阳电池相似，具体步骤包括：①制绒清洗；②POCL3扩散前表面场；③PECVD镀SiNx减反射膜；④去背结；⑤丝网印刷电极；⑥烧结。
目前，国内外客户对N型硅太阳电池铝背发射极的性能要求包括：①掺杂浓度高(大于1019cm-3)；②掺杂层较厚（大于4微米）；③均匀；④电池片低翘低。而针对上述要求，未见相关专利报道。
发明内容
发明目的：本发明为了解决现有技术的不足，提供了一种应用于N型晶体硅太阳能电池的背场铝浆及其制备方法。
技术方案：一种应用于N型晶体硅太阳能电池的背场铝浆，由下列重量份数的各组份组成：氮气雾化铝粉65～85份、有机粘结剂15～30份、玻璃粉0.5～3份、助剂0.5～3份，所述氮气雾化铝粉为球形铝粉中位径D50：1.0～2.5μm，D90：2.25～5.0μm，跨度：1.25～1.7，铝粉为含量大于99.9%的球形铝粉。
作为优选，所述的有机粘结剂的组成及重量百分含量为20～40%高分子聚合物和60～80%有机溶剂。
作为优选，所述的高分子聚合物为聚乙烯醇缩醛树脂、聚酰胺树脂和乙基纤维素中的一种或几种；所述的有机溶剂的组成及重量比例：松油醇：丁基卡必醇：卵磷脂=3:2:1。
作为优选，所述助剂有高掺杂添加剂和耐腐蚀添加剂。
作为优选，高掺杂添加剂为硅铝硼三元合金，硅铝硼三元合金由下列重量份数的各组份组成：0.5～3份硅、75～85份铝和10～20份硼。
作为优选，耐腐蚀添加剂为五氧化二钒。
一种应用于N型晶体硅太阳能电池的背场铝浆的制备方法，包括以下步骤：
⑴将铝粉、助剂、玻璃粉与有机粘结剂混合，采用分散机在700-1000rpm转速下，分散30～50min后，，在三辊研磨机上进行12遍的研磨；
⑵加入占原料总量1-5%的有机溶剂，采用高速分散机在1000-2000rpm转速下，分散15-35min,分散均匀，罐装封口待用。
有益效果：本发明克服了现有P型晶体硅在地面应用中仍然存在衰减的问题，提供了可用于铝背发射极N型太阳电池的背场铝浆，可提高晶体硅的少子寿命，以及减少光致衰减现象。本发明组份配比合理、制备工艺简单、制备的铝浆与N型衬底的附着力强，烧结制备的铝背场具有高掺杂、均匀性好、耐水煮和低翘曲等优点，适于工业化生产。
附图说明：附图1为铝背发射极n型太阳电池结构示意图。
具体实施方式
本发明下面将结合实施例作进一步详述：
附图中，1—n型钝化介质膜，2—n型金属电极，3—n型基体，4—n++前表面场，5—铝合金p+发射极，6—铝。
本发明中，氮气雾化铝粉为球形铝粉中位径D50：1.0～2.5μm，D90：2.25～5.0μm，跨度：1.25～1.7，铝粉为含量大于99.9%的球形铝粉。高分子聚合物为聚乙烯醇缩醛树脂、聚酰胺树脂和乙基纤维素中的一种或几种。耐腐蚀添加剂为市售五氧化二钒。
本发明中玻璃粉的制备：按质量份称取55份的B2O3、1份的SiO2、25份的Bi2O3、9份的PbO和10份的ZnO，用混料机混合均匀，装入瓷坩埚，放入马弗炉，于1000℃，保温时间：50分钟，将熔化后的玻璃粉末颗粒使用离子水淬火后，球磨4小时，经200目筛取得到粒径D90小于1微米的玻璃粘结剂。玻璃粉的熔点控制在400～450℃,是一种低热膨胀系数玻璃粉。
实施例1
一种应用于N型晶体硅太阳能电池的背场铝浆，由下列重量份数的各组份组成：氮气雾化铝粉65份、有机粘结剂15份、玻璃粉0.5份、助剂0.5份，有机粘结剂的组成及重量百分含量为20%高分子聚合物和80%有机溶剂。有机溶剂的组成及重量比例：松油醇：丁基卡必醇：卵磷脂=3:2:1。助剂有高掺杂添加剂和耐腐蚀添加剂。其中，高掺杂添加剂为硅铝硼三元合金，硅铝硼三元合金由下列重量份数的各组份组成：0.5份硅、75份铝和10份硼。
一种应用于N型晶体硅太阳能电池的背场铝浆的制备方法，包括以下步骤：
⑴将铝粉、助剂、玻璃粉与有机粘结剂混合，采用分散机在700-1000rpm转速下，分散30～50min后，，在三辊研磨机上进行12遍的研磨；
⑵加入占原料总量1-5%的有机溶剂，采用高速分散机在1000-2000rpm转速下，分散15-35min,分散均匀，罐装封口待用。
本发明制备的样品N型铝背电场浆料，通过250目丝网印刷在规格125mm×125mm两面制绒的单晶硅片上形成电极膜，进马弗炉220℃烘干。烘干以后铝电极膜层无脱落，然后换另一面印刷正面银浆，进马弗炉烧结，峰值温度780℃。烧结后测试其电性数据为：平均光电转换效率18.5%，测试其弯曲度为0.65mm。
实施例2：
一种应用于N型晶体硅太阳能电池的背场铝浆，由下列重量份数的各组份组成：氮气雾化铝粉85份、有机粘结剂30份、玻璃粉3份、助剂3份，有机粘结剂的组成及重量百分含量为40%高分子聚合物和80%有机溶剂。
高分子聚合物为聚乙烯醇缩醛树脂、聚酰胺树脂和乙基纤维素中的一种或几种；所述的有机溶剂的组成及重量比例：松油醇：丁基卡必醇：卵磷脂=3:2:1。助剂有高掺杂添加剂和耐腐蚀添加剂。高掺杂添加剂为硅铝硼三元合金，硅铝硼三元合金由下列重量份数的各组份组成：3份硅、85份铝和20份硼。
一种应用于N型晶体硅太阳能电池的背场铝浆的制备方法，包括以下步骤：
⑴将铝粉、助剂、玻璃粉与有机粘结剂混合，采用分散机在700rpm转速下，分散30min后，，在三辊研磨机上进行12遍的研磨；
⑵加入占原料总量1%的有机溶剂，采用高速分散机在1000rpm转速下，分散15min,分散均匀，罐装封口待用。
本发明制备的样品N型铝背电场浆料，通过250目丝网印刷在规格125mm×125mm两面制绒的单晶硅片上形成电极膜，进马弗炉220℃烘干。烘干以后铝电极膜层无脱落，然后换另一面印刷正面银浆，进马弗炉烧结，峰值温度800℃。烧结后测试其电性数据为：平均光电转换效率19.0%，测试其弯曲度为1.25mm。
实施例3：
一种应用于N型晶体硅太阳能电池的背场铝浆，由下列重量份数的各组份组成：氮气雾化铝粉80份、有机粘结剂20份、玻璃粉2份、助剂2份，有机粘结剂的组成及重量百分含量为30%高分子聚合物和70%有机溶剂。高分子聚合物为聚乙烯醇缩醛树脂、聚酰胺树脂和乙基纤维素中的一种或几种；有机溶剂的组成及重量比例：松油醇：丁基卡必醇：卵磷脂=3:2:1，助剂有高掺杂添加剂和耐腐蚀添加剂，高掺杂添加剂为硅铝硼三元合金，硅铝硼三元合金由下列重量份数的各组份组成：1份硅、80份铝和15份硼。
一种应用于N型晶体硅太阳能电池的背场铝浆的制备方法，包括以下步骤：
⑴将铝粉、助剂、玻璃粉与有机粘结剂混合，采用分散机在800rpm转速下，分散40min后，，在三辊研磨机上进行12遍的研磨；
⑵加入占原料总量2%的有机溶剂，采用高速分散机在1500rpm转速下，分散30min,分散均匀，罐装封口待用。
本发明制备的样品N型铝背电场浆料，通过250目丝网印刷在规格125mm×125mm两面制绒的单晶硅片上形成电极膜，进马弗炉220℃烘干。烘干以后铝电极膜层无脱落，然后换另一面印刷正面银浆，进马弗炉烧结，峰值温度790℃。烧结后测试其电性数据为：平均光电转换效率19.2%，测试其弯曲度为1.05mm。
实施例4：
一种应用于N型晶体硅太阳能电池的背场铝浆，由下列重量份数的各组份组成：氮气雾化铝粉60份、有机粘结剂16份、玻璃粉2份、助剂2份。所述的有机粘结剂的组成及重量百分含量为20～40%高分子聚合物和60～80%有机溶剂。
高分子聚合物为聚乙烯醇缩醛树脂，所述的有机溶剂的组成及重量比例：松油醇：丁基卡必醇：卵磷脂=3:2:1。助剂有高掺杂添加剂和耐腐蚀添加剂。
高掺杂添加剂为硅铝硼三元合金，硅铝硼三元合金由下列重量份数的各组份组成：23份硅、81份铝和13份硼。
一种应用于N型晶体硅太阳能电池的背场铝浆的制备方法，包括以下步骤：
⑴将铝粉、助剂、玻璃粉与有机粘结剂混合，采用分散机在900rpm转速下，分散45min后，，在三辊研磨机上进行12遍的研磨；
⑵加入占原料总量4.5%的有机溶剂，采用高速分散机在1900rpm转速下，分散30min,分散均匀，罐装封口待用。
本发明制备的样品N型铝背电场浆料，通过250目丝网印刷在规格125mm×125mm两面制绒的单晶硅片上形成电极膜，进马弗炉220℃烘干。烘干以后铝电极膜层无脱落，然后换另一面印刷正面银浆，进马弗炉烧结，峰值温度820℃。烧结后测试其电性数据为：平均光电转换效率19.5%，测试其弯曲度为1.35mm。
Claims (2)
1.一种应用于N型晶体硅太阳能电池的背场铝浆，其特征在于：由下列重量份数的各组份组成：氮气雾化铝粉65～85份、有机粘结剂15～30份、玻璃粉0.5～3份、助剂0.5～3份，所述氮气雾化铝粉为球形铝粉中位径D50：1.0～2.5μm，D90：2.25～5.0μm，跨度：1.25～1.7，铝粉为含量大于99.9％的球形铝粉；
所述的有机粘结剂的组成及重量百分含量为20～40％高分子聚合物和60～80％有机溶剂；所述的高分子聚合物为聚乙烯醇缩醛树脂、聚酰胺树脂和乙基纤维素中的一种或几种；所述的有机溶剂的组成及重量比例：松油醇：丁基卡必醇：卵磷脂＝3:2:1；
所述助剂有高掺杂添加剂和耐腐蚀添加剂；高掺杂添加剂为硅铝硼三元合金，硅铝硼三元合金由下列重量份数的各组份组成：0.5～3份硅、75～85份铝和10～20份硼；耐腐蚀添加剂为五氧化二钒；
所述玻璃粉的制备：按质量份称取55份的B2O3、1份的SiO2、25份的Bi2O3、9份的PbO和10份的ZnO，用混料机混合均匀，装入瓷坩埚，放入马弗炉，于1000℃，保温时间：50分钟，将熔化后的玻璃粉末颗粒使用离子水淬火后，球磨4小时，经200目筛取得到粒径D90小于1微米的玻璃粘结剂，玻璃粉的熔点控制在400～450℃,是一种低热膨胀系数玻璃粉。
2.一种权利要求1所述的应用于N型晶体硅太阳能电池的背场铝浆的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
⑴将铝粉、助剂、玻璃粉与有机粘结剂混合，采用分散机在700-1000rpm转速下，分散30～50min后，在三辊研磨机上进行12遍的研磨；
⑵加入占原料总量1-5％的有机溶剂，采用高速分散机在1000-2000rpm转速下，分散15-35min,分散均匀，罐装封口待用。
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Patent Citations (7)
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|---|---|---|---|---|
| CN101952903A (zh) * | 2008-03-13 | 2011-01-19 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 铝浆及其在硅太阳能电池生产中的用途 |
| CN101582462A (zh) * | 2009-06-29 | 2009-11-18 | 广州市儒兴科技股份有限公司 | 晶体硅太阳能电池用无铅铝背场浆料及其制备方法 |
| CN101789456A (zh) * | 2010-03-05 | 2010-07-28 | 西安宏星电子浆料科技有限责任公司 | 一种太阳能电池用无铅铝浆 |
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