CN103402324A - 一种提高盲捞深度精度的生产工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种提高盲捞深度精度的生产工艺，具体的说是用于提高印刷电路板上需要盲捞区域的深度精度，满足客户对盲捞区域高深度精度的要求，属电子技术领域。其第一基板、第二基板、第三基板均采用双面铜箔基板；包括如下步骤：第一基板蚀刻、第二、三基板蚀刻、压胶；将经进行钻孔的第二基板、第三基板覆盖在第一基板上下面上，进行定位压合。本发明节省设备成本，工艺简单，操作简便，深度精度高，制程稳定。
Description
技术领域
本发明涉及一种提高盲捞深度精度的生产工艺，具体的说是用于提高印刷电路板上需要盲捞区域的深度精度，满足客户对盲捞区域高深度精度的要求，属电子技术领域。
背景技术
随着消费电子产品轻薄化、一体化、多功能化的发展趋势，其中对印刷电路板的生产工艺要求越来越高。顺应这种趋势，采用盲捞加工的印刷电路板逐渐成为各种消费电子印刷电路板的重要部分。盲捞加工简单来说就是在电路板成型加工后，利用铣刀于电路板上进行盲槽底面或其表面粗糙度平整化加工。
目前，普通成型设备无法满足盲捞加工的深度精度要求，需要特殊设备控制制作，增加了设备成本和生产成本，并且盲捞深度精度基本只能控制在≥0.05mm或≤-0.05mm，并且制程能力较不稳定，检测方式困难。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足之处，从而提供一种适合印刷电路板流程的提高盲捞深度精度的生产工艺，采用基板预钻孔压合后形成的盲捞孔，其深度精度高，制程稳定，生产成本低，盲捞深度精度可控制在≤±0.025mm
按照本发明提供的技术方案，一种提高盲捞深度精度的生产工艺包括如下步骤：
（1）.第一基板蚀刻：在第一基板上钻第一定位孔后进行双铜箔面的图形蚀刻，使用酸性蚀刻药水进行喷淋，蚀刻温度45~55℃，喷淋压力为1.4~3kg/c㎡，速度为3m/min；
（2）.第二、三基板蚀刻：对第二基板、第三基板的一面铜箔进行蚀刻，去除掉第二基板、第三基板的一面铜箔，使用酸性蚀刻药水喷淋，蚀刻温度45~55℃，喷淋压力为1.4~3kg/c㎡，速度为3m/min；
（3）. 预压纯胶层：在蚀刻后的第二基板、第三基板的蚀刻面上分别预压上一张同等大小的纯胶层6，预压温度为70~100℃，预压时间为20~50秒，预压压力为10~20kg：
(4). 钻孔：在上述已经预压纯胶层的第二基板和第三基板上，依据已经蚀刻图形的第一基板的涨缩进行成型分别钻第二定位孔和第三定位孔，同时在第二基板和第三基板上钻出第一盲捞孔和第二盲捞孔，所钻的第一定位孔、第二定位孔和第三定位孔的圆心处于同一直线上，第一定位孔、第二定位孔和第三定位孔的大小相等；第一盲捞孔和第二盲捞孔的圆心处于同一直线上，第一盲捞孔和第二盲捞孔的大小相等；
(5). 压合：将所述已经进行钻孔的第二基板、第三基板，分别按所钻定位孔位置将已预压纯胶层的面覆盖在第一基板上下面上，并将覆盖在一起的第一基板、第二基板、第三基板进行定位压合，即得到深度精度≤±0.025mm的第一盲捞孔和第二盲捞孔；压合压力为70~350psi，压合温度为140~200℃, 压合时间为5~65min。
第一基板、第二基板、第三基板均采用双面铜箔基板。
进一步的，第一基板、第二基板、第三基板大小厚度相等。
进一步的，纯胶层为BT25纯胶层，厚度为0.025mm。
进一步的，酸性蚀刻药水组成为：HC1浓度为1.2~2.0mol/l、NaCIO3浓度为15~50g/l、CU 2+浓度为95-140g/l，酸性蚀刻药水溶剂为水。
本发明与已有技术相比具有以下优点：
本发明使用印刷电路板普通的设备物料以及制作流程，无需特殊制作设备，节省设备成本；工艺简单，生产成本低，操作简便；使用基板预钻孔压合后形成的盲捞孔，深度精度高，制程稳定。
附图说明
图1为第一基板结构示意图。
图2为第二基板结构示意图。
图3为第三基板结构示意图。
图4为第一基板、第二基板、第三基板连接示意图。
附图标记说明：1-第一基板、2-第二基板、3-第三基板、4-第一定位孔、5-第一盲捞孔、6-纯胶层、7-蚀刻图形、8-第二定位孔、9-第三定位孔、10-第二盲捞孔。
具体实施方式
下面本发明将结合附图中的实施例作进一步描述：
本发明主要包括如下步骤：如图1~4所示，实施例一，包括如下步骤：
（1）.第一基板蚀刻：在厚度1mm的第一基板1上钻3.175mm的第一定位孔4后进行双铜箔面的蚀刻图形7，使用酸性蚀刻药水进行喷淋，酸性蚀刻药水采购自友缘化学有限公司，型号为cc-28，酸性蚀刻药水组成为：HC1浓度为1.2mol/l、NaCIO3浓度为15g/l、CU 2+浓度为95g/l，酸性蚀刻药水溶剂为水，蚀刻温度45℃，喷淋压力为1.4kg/c㎡，速度为3m/min；
（2）.第二、三基板蚀刻：对第二基板2、第三基板3的一面铜箔进行蚀刻，去除掉第二基板2、第三基板3的一面铜箔，使用酸性蚀刻药水喷淋，酸性蚀刻药水成为：HC1浓度为1.2mol/l、NaCIO3浓度为15g/l、CU 2+浓度为95g/l，酸性蚀刻药水其余溶剂为水，蚀刻温度45℃，喷淋压力为1.4kg/c㎡，速度为3m/min；
（3）. 预压纯胶层：在蚀刻后的第二基板2、第三基板3的蚀刻面上分别预压上一张同等大小的型号为BT25的纯胶层6，纯胶层6厚度为0.025mm；预压温度为70℃，预压时间为20秒，预压压力为10kg：
(4). 钻孔：在上述已经预压纯胶层6的第二基板2和第三基板3上，依据已经蚀刻图形的第一基板1的涨缩进行成型分别钻直径为3.175mm的第二定位孔8和第三定位孔9，同时在第二基板2和第三基板3上钻出直径为0.8mm的第一盲捞孔5和第二盲捞孔10，所钻的第一定位孔4、第二定位孔8和第三定位孔9的圆心处于同一直线上，第一定位孔4、第二定位孔8和第三定位孔9的大小相等；第一盲捞孔5和第二盲捞孔10的圆心处于同一直线上，第一盲捞孔5和第二盲捞孔10的大小相等；
(5). 压合：将所述已经进行钻孔的第二基板2、第三基板3，分别按所钻定位孔位置将已预压BT25纯胶层6的面覆盖在第一基板1上下面上，并将覆盖在一起的第一基板1、第二基板2、第三基板3进行定位压合，即得到深度精度≤±0.025mm的第一盲捞孔5和第二盲捞孔10；压合压力为70 psi，压合温度为140℃, 压合时间为5min。
所述第一基板1、第二基板2、第三基板3大小厚度相等。
第一基板1、第二基板2、第三基板3均采用双面铜箔基板。
实施例二，包括如下步骤：
（1）.第一基板蚀刻：在厚度2mm的第一基板1上钻3.175mm的第一定位孔4后进行双铜箔面的图形蚀刻，使用酸性蚀刻药水进行喷淋，酸性蚀刻药水采购自友缘化学有限公司，型号为cc-28，酸性蚀刻药水组成为：HC1浓度为1.6mol/l、NaCIO3浓度为33g/l、CU 2+浓度为118g/l，酸性蚀刻药水溶剂为水，蚀刻温度50℃，喷淋压力为2.2kg/c㎡，速度为3m/min；
（2）.第二、三基板蚀刻：对第二基板2、第三基板3的一面铜箔进行蚀刻，去除掉第二基板2、第三基板3的一面铜箔，使用酸性蚀刻药水喷淋，酸性蚀刻药水成为：HC1浓度为1.6mol/l、NaCIO3浓度为33g/l、CU 2+浓度为118g/l，酸性蚀刻药水其余溶剂为水，蚀刻温度50℃，喷淋压力为2.2kg/c㎡，速度为3m/min；
（3）. 预压纯胶层：在蚀刻后的第二基板2、第三基板3的蚀刻面上分别预压上一张同等大小的型号为BT25的纯胶层6，纯胶层6厚度为0.025mm；预压温度为85℃，预压时间为35秒，预压压力为15kg：
(4). 钻孔：在上述已经预压纯胶层6的第二基板2和第三基板3上，依据已经蚀刻图形的第一基板1的涨缩进行成型分别钻直径为3.175mm的第二定位孔8和第三定位孔9，同时在第二基板2和第三基板3上钻出直径为0.8mm的第一盲捞孔5和第二盲捞孔10，所钻的第一定位孔4、第二定位孔8和第三定位孔9的圆心处于同一直线上，第一定位孔4、第二定位孔8和第三定位孔9的大小相等；第一盲捞孔5和第二盲捞孔10的圆心处于同一直线上，第一盲捞孔5和第二盲捞孔10的大小相等；
(5). 压合：将所述已经进行钻孔的第二基板2、第三基板3，分别按所钻定位孔位置将已预压BT25纯胶层6的面覆盖在第一基板1上下面上，并将覆盖在一起的第一基板1、第二基板2、第三基板3进行定位压合，即得到深度精度≤±0.025mm的第一盲捞孔5和第二盲捞孔10；压合压力为210 psi，压合温度为170℃, 压合时间为35min。
所述第一基板、第二基板、第三基板大小厚度相等。
第一基板1、第二基板2、第三基板3均采用双面铜箔基板。
实施例三，包括如下步骤：
（1）.第一基板蚀刻：在厚度1.5mm的第一基板1上钻3.175mm的第一定位孔4后进行双铜箔面的图形蚀刻，使用酸性蚀刻药水进行喷淋，酸性蚀刻药水采购自友缘化学有限公司，型号为cc-28，酸性蚀刻药水组成为：HC1浓度为2mol/l、NaCIO3浓度为50g/l、CU 2+浓度为140g/l，酸性蚀刻药水其余溶剂为水，蚀刻温度55℃，喷淋压力为3kg/c㎡，速度为3m/min；
（2）.第二、三基板蚀刻：对第二基板2、第三基板3的一面铜箔进行蚀刻，去除掉第二基板2、第三基板3的一面铜箔，使用酸性蚀刻药水喷淋，酸性蚀刻药水成为：HC1浓度为2mol/l、NaCIO3浓度为50g/l、CU 2+浓度为140g/l，酸性蚀刻药水溶剂为水，蚀刻温度55℃，喷淋压力为3kg/c㎡，速度为3m/min；
（3）. 预压纯胶层：在蚀刻后的第二基板2、第三基板3的蚀刻面上分别预压上一张同等大小的型号为BT25的纯胶层6，纯胶层6厚度为0.025mm；预压温度为100℃，预压时间为50秒，预压压力为20kg：
(4). 钻孔：在上述已经预压纯胶层6的第二基板2和第三基板3上，依据已经蚀刻图形的第一基板1的涨缩进行成型分别钻直径为3.175mm的第二定位孔8和第三定位孔9，同时在第二基板2和第三基板3上钻出直径为0.8mm的第一盲捞孔5和第二盲捞孔10，所钻的第一定位孔4、第二定位孔8和第三定位孔9的圆心处于同一直线上，第一定位孔4、第二定位孔8和第三定位孔9的大小相等；第一盲捞孔5和第二盲捞孔10的圆心处于同一直线上，第一盲捞孔5和第二盲捞孔10的大小相等；
(5). 压合：将所述已经进行钻孔的第二基板2、第三基板3，分别按所钻定位孔位置将已预压BT25纯胶层6的面覆盖在第一基板1上下面上，并将覆盖在一起的第一基板1、第二基板2、第三基板3进行定位压合，即得到深度精度≤±0.025mm的第一盲捞孔5和第二盲捞孔10；压合压力为350 psi，压合温度为200℃, 压合时间为65min。
所述第一基板、第二基板、第三基板大小厚度相等。
第一基板1、第二基板2、第三基板3均采用双面铜箔基板。
Claims (5)
1.一种提高盲捞深度精度的生产工艺，其特征是：包括如下步骤：
（1）.第一基板蚀刻：在第一基板（1）上钻第一定位孔（4）后进行双铜箔面的蚀刻图形（7），使用酸性蚀刻药水进行喷淋，蚀刻温度45~55℃，喷淋压力为1.4~3kg/c㎡，速度为3m/min；
（2）.第二、三基板蚀刻：对第二基板(2)、第三基板(3)的一面铜箔进行蚀刻，去除掉第二基板(2)、第三基板(3)的一面铜箔，使用酸性蚀刻药水喷淋，蚀刻温度45~55℃，喷淋压力为1.4~3kg/c㎡，速度为3m/min；
预压纯胶层：在蚀刻后的第二基板(2)、第三基板(3)的蚀刻面上分别预压上一张同等大小的纯胶层(6)，预压温度为70~100℃，预压时间为20~50秒，预压压力为10~20kg：
钻孔：在上述已经预压纯胶层（6）的第二基板（2）和第三基板（3）上，依据已经蚀刻图形的第一基板（1）的涨缩进行成型分别钻第二定位孔（8）和第三定位孔（9），同时在第二基板（2）和第三基板（3）上钻出第一盲捞孔（5）和第二盲捞孔（10），所钻的第一定位孔（4）、第二定位孔(8)和第三定位孔(9)的圆心处于同一直线上，第一定位孔(4)、第二定位孔(8)和第三定位孔(9)的大小相等；第一盲捞孔(5)和第二盲捞孔(10)的圆心处于同一直线上，第一盲捞孔(5)和第二盲捞孔(10)的大小相等；
压合：将所述已经进行钻孔的第二基板(2)、第三基板(3)，分别按所钻定位孔位置将已预压纯胶层(6)的面覆盖在第一基板(1)上下面上，并将覆盖在一起的第一基板(1)、第二基板（2）、第三基板（3）进行定位压合，即得到深度精度≤±0.025mm的第一盲捞孔(5)和第二盲捞孔(10)；压合压力为70~350psi，压合温度为140~200℃, 压合时间为5~65min。
2.如权利要求1所述的一种提高盲捞深度精度的生产工艺，其特征是：所述第一基板(1)、第二基板(2)、第三基板(3)均采用双面铜箔基板。
3.如权利要求1所述的一种提高盲捞深度精度的生产工艺，其特征是：所述第一基板(1)、第二基板(2)、第三基板(3)大小厚度相等。
4.如权利要求1所述的一种提高盲捞深度精度的生产工艺，其特征是：所述纯胶层（6）为BT25纯胶层，厚度为0.025mm。
5.如权利要求1所述的一种提高盲捞深度精度的生产工艺，其特征是：所述酸性蚀刻药水组成为：HC1浓度为1.2~2.0mol/l、NaCIO3浓度为15~50g/l、CU 2+浓度为95-140g/l，酸性蚀刻药水溶剂为水。
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