CN103397352A - 一种生产大于等于210um甚低轮廓超厚电解铜箔的工艺 - Google Patents

一种生产大于等于210um甚低轮廓超厚电解铜箔的工艺 Download PDF

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周启伦
郑惠军
万新领
邓烨
朱各桂
黄国平
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Huizhou Lianhe copper foil Electronic Material Co., Ltd.
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UNITED COPPER FOILS (HUIZHOU) Ltd
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Abstract

一种生产大于等于210um甚低轮廓超厚电解铜箔的工艺,该工艺为:将阴极辊在盛放有硫酸铜电解液的电解槽中旋转,接通电流强度为20000A~30000A的电解电流,在阴极辊表面即形成铜箔,该硫酸铜电解液中包含浓度为10~100g/L氯离子、浓度为50~110g/L的铜离子以及浓度为40~120g/L的硫酸根,电解时温度为50摄氏度~60摄氏度,该工艺采用一个阴极辊,该阴极辊线速度为0.01~0.2m/min。本发明获得的铜箔厚度大于等于210um,毛面粗糙度Rz≤5.1um并且只采用了一个阴极辊配合较低的线速度一次性电解形成,与现有的采用三个阴极辊、分三次电解才能形成铜箔的技术相比,铜箔内不会出现断层,铜箔的质量好。

Description

一种生产大于等于210um甚低轮廓超厚电解铜箔的工艺
技术领域
本发明属于电解方式生产铜箔的工艺改进。
背景技术
铜箔是一种较常用的屏蔽材料和印制线路板用的原材料,一般采用电解的方法获得。现有铜箔厚度一般在10um~200um之间,而对于大于等于210um这种超厚的甚低轮廓铜箔来说很难制作。
发明内容
有鉴于此,本发明的要解决的技术问题是提供一种铜箔无分层、厚度超薄的生产大于等于210um超厚的甚低轮廓电解铜箔的工艺。
为了解决上述技术问题,该技术问题采用如下方案解决:
一种生产大于等于210um甚低轮廓超厚电解铜箔的工艺,该工艺为:
将阴极辊在盛放有硫酸铜电解液的电解槽中旋转,接通电流强度为20000A~30000A的电解电流,在阴极辊表面即形成铜箔,该硫酸铜电解液中包含浓度为10~100g/L氯离子、浓度为50~110g/L的铜离子以及浓度为40~120g/L的硫酸根,电解时温度为50摄氏度~60摄氏度,该工艺采用一个阴极辊,该阴极辊线速度为0.01~0.2m/min。
本发明获得的铜箔厚度大于等于210um超厚的甚低轮廓,并且只采用了一个阴极辊配合较低的线速度一次性电解形成,与现有的采用三个阴极辊、分三次电解才能形成铜箔的技术相比,铜箔内不会出现断层,铜箔的质量,铜箔毛面粗糙度Rz≤5.1um。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员理解,下面将结合实施例对本发明作进一步详细描述:
实施例1:
一种生产大于等于210um超厚的甚低轮廓电解铜箔的工艺,该工艺为:将阴极辊在盛放有硫酸铜电解液的电解槽中旋转,接通电流强度为20000A的电解电流,在阴极辊表面即形成铜箔,该硫酸铜电解液中包含浓度为10g/L氯离子、浓度为50g/L的铜离子以及浓度为40g/L的硫酸根,电解时温度为50摄氏度,该工艺采用一个阴极辊,该阴极辊线速度为0.18m/min。
经过检验,通过上述方法获得的铜箔厚度厚度为210um,无针孔及渗透点,延伸率好,毛面粗糙度Rz≤5.1um,无氧化变色,并且铜箔内无断层,铜箔的质量好,物理性能达到设计要求。
实施例2:
一种生产大于等于210um超厚的甚低轮廓电解铜箔的工艺,该工艺为:将阴极辊在盛放有硫酸铜电解液的电解槽中旋转,接通电流强度为25000A的电解电流,在阴极辊表面即形成铜箔,该硫酸铜电解液中包含浓度为30g/L氯离子、浓度为110g/L的铜离子以及浓度为120g/L的硫酸根,电解时温度为60摄氏度,该工艺采用一个阴极辊,该阴极辊线速度为0.12m/min。
经过检验,通过上述方法获得的铜箔厚度厚度为350um,无针孔及渗透点,延伸率好,毛面粗糙度Rz≤5.1um,无氧化变色,并且铜箔内无断层,铜箔的质量好,物理性能达到设计要求。
实施例3:
一种生产大于等于210um超厚的甚低轮廓电解铜箔的工艺,该工艺为:将阴极辊在盛放有硫酸铜电解液的电解槽中旋转,接通电流强度为30000A的电解电流,在阴极辊表面即形成铜箔,该硫酸铜电解液中包含浓度为50g/L氯离子、浓度为70g/L的铜离子以及浓度为50g/L的硫酸根,电解时温度为55摄氏度,该工艺采用一个阴极辊,该阴极辊线速度为0.06/min。
经过检验,通过上述方法获得的铜箔厚度厚度为420um,无针孔及渗透点,延伸率好,毛面粗糙度Rz≤5.1um,无氧化变色,并且铜箔内无断层,铜箔的质量好,物理性能达到设计要求。
除上述实施例所采用的具体参数可达到本发明设计目的之外,其他的参数如电流强度可为20000A~30000A之间任意值,如23000A或27000A等;氯离子浓度可为10~100g/L之间任意值,如20g/L或60g/L或80g/L等;铜离子浓度可为50~110g/L 之间任意值,如60g/L或80g/L或100g/L等;硫酸根浓度可为40~120g/L之间任意值,如60g/L或80g/L或110g/L等;电解时温度可为50摄氏度~60摄氏度之间任意值,如54摄氏度或58摄氏度等;阴极辊线速度可为0.01~0.2m/min之间任意值,如0.03m/min或0.07m/min或0.15m/min或0.2m/min等,上述各取值均可达到本发明设计要求。
上述实施例仅为本发明的其中具体实现方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些显而易见的替换形式均属于本发明的保护范围。

Claims (1)

1.一种生产大于等于210um甚低轮廓超厚电解铜箔的工艺,其特征在于,该工艺为:
将阴极辊在盛放有硫酸铜电解液的电解槽中旋转,接通电流强度为20000A~30000A的电解电流,在阴极辊表面即形成铜箔,该硫酸铜电解液中包含浓度为10~100g/L氯离子、浓度为50~110g/L的铜离子以及浓度为40~120g/L的硫酸根,电解时温度为50摄氏度~60摄氏度,该工艺采用一个阴极辊,该阴极辊线速度为0.01~0.2m/min。
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