CN103185992B - 一种液晶显示装置的像素结构及液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种液晶显示装置的像素结构，该液晶显示装置采用IPS或FFS驱动模式，该像素结构包括：设置于阵列基板上的公共电极和像素电极；基准电极，所述基准电极设置在所述像素电极的两端并基本垂直于所述像素电极的延伸方向。通过调节基准电极的电压可以控制像素单元边缘的电场，使由基准电极与像素电极之间的电场和基准电极与公共电极之间的电场的叠加电场覆盖所述像素电极和公共电极之间的电场，进而控制像素单元边缘位置的液晶分子，避免由于现有液晶显示装置的像素单元边缘出现的暗域延伸进入像素单元内部区域的现象，进而提高液晶显示装置的显示效果。

Description

一种液晶显示装置的像素结构及液晶显示装置

技术领域

本发明属于液晶显示领域，尤其涉及一种液晶显示装置的像素结构及液晶显示装置。

背景技术

信息化社会越来越需要轻薄便携式的显示设备，而当前最成熟的产品就是液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)了。LCD通常包括用于显示画面的液晶显示面板和用于向液晶显示面板提供信号的电路部份。该液晶显示面板通常包括第一基板和第二基板，它们通过封胶彼此粘接并由间隙隔开，而液晶材料填充在第一基板和第二基板之间的间隙中。

现在广泛使用的液晶显示模式包括扭曲向列型模式(Twist Nematics，TN)、垂直配向型模式(Vertical Alignment，VA)、平面内翻转型模式(In Planeswitching，IPS)和边缘场开关模式(Fringe Field Switching，FFS)。其中，TN模式和VA模式中，第一基板上设置有像素电极，第二基板上设置有公共电极，公共电极和像素电极在第一基板和第二基板之间形成垂直的电场驱动液晶分子的转动。FFS和IPS模式的液晶显示装置因其广阔的视角越来越受到市场的青睐，在FFS和IPS模式中，像素电极和公共电极都设置在第一基板上，像素电极和公共电极形成平行于第一基板和第二基板的水平电场驱动液晶分子的转动。

具体的，如图1和图2所示，现有的一种FFS型模式液晶显示装置包括：

玻璃底板1；

设置在所述玻璃底板1上的薄膜晶体管层2，所述薄膜晶体管层2内包括多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管对应着一个像素单元；

设置在所述薄膜晶体管层2表面上的第一绝缘层3；

公共电极层4设置在所述第一绝缘层3表面上；

在公共电极层4表面上覆盖有第二绝缘层5；

像素电极6设置在所述第二绝缘层5表面上，在一个像素单元内，所述像素电极6为条状的电极。如图2所示，条状的像素电极6之间露出位于下层的公共电极4，像素电极6和公共电极4之间可形成平行电场。

但是，在现有的IPS型或者FFS型液晶显示装置工作的时候，在像素单元的边缘位置的显示效果与预设的不同步，因为在公共电极4和像素电极6的边缘处电场非常紊乱出现乱畴，会导致液晶分子的转动方向和预期的不一致，因此在像素单元的边缘位置会出现暗域，影响液晶显示装置的显示效果。

图3为现有技术中一FFS型液晶显示装置进行光电模拟的效果图，所述模拟实验的条件为像素电极的工作电压为0～5V、公共电极的工作电压为0V，结果如图3所示，在像素单元的边缘位置会出现暗域7。

进一步，所述暗域还会由像素单元的边缘位置延伸到像素单元的内部区域，致使整个液晶显示装置的显示效果降低。具体的，请参考图4，图4中曲线Y1示意出现有技术中的FFS型液晶显示的电压-穿透率曲线，其中横轴为像素电极电压和公共电极电压的电压差，纵轴为穿透率，从图中可以看当像素电极和公共电极之间的电压差增大到3.5V以后，随着电压差的进一步增加，穿透率随之降低，当电压差增加至5V时，穿透率降低了接近1％只有4％左右。所述穿透率的降低是因为电压差的增大，暗域进一步延伸至像素单元的内部区域造成的。以上所述的缺陷严重影响了IPS型/FFS型液晶显示装置的显示效果。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种液晶显示装置的像素结构及液晶显示装置，以解决现有的液晶显示装置工作的时候，在像素单元的边缘位置出现紊乱的电场，导致像素单元的边缘区域因不能正常显示而出现暗域或者可称之为乱畴，且所述暗域还会由像素单元的边缘位置延伸到像素单元的内部区域，致使整个液晶显示装置的显示效果进一步恶化。

该液晶显示装置采用IPS或FFS驱动模式，该液晶显示装置的像素结构，包括：

设置于阵列基板上的公共电极和像素电极；

基准电极，所述基准电极设置在所述像素电极的两端并基本垂直于所述像素电极的延伸方向。

优选的，所述基准电极的工作电压高于所述公共电极和像素电极的工作电压，或低于所述公共电极和像素电极的工作电压。

优选的，所述像素电极的工作电压为0V～+5V或者-5V～+5V。

优选的，所述公共电极的工作电压为0V或者-5V～+5V。

优选的，所述基准电极的工作电压为-15V～0V或者5V～15V。

优选的，所述基准电极通过直流电驱动。

优选的，所述基准电极的制作材料为氧化铟锡。

优选的，所述基准电极和公共电极位于同一层。

优选的，所述基准电极和像素电极位于同一层。

优选的，所述像素电极呈条状、折线状或者曲线状。

优选的，在一个像素区域内，所述公共电极设置在所述阵列基板上，在所述公共电极表面上设置有绝缘层，在所述绝缘层的上方设置有像素电极，所述像素电极间隔设置，并且所述像素电极之间露出公共电极。

优选的，在一个像素区域内，所述公共电极是整面设置在所述阵列基板上的。

优选的，在一个像素区域内，所述公共电极是呈条状设置在所述阵列基板上的，且所述公共电极与像素电极交错设置。

优选的，所述公共电极和像素电极位于同一层，并且所述公共电极和像素电极间隔设置，且所述公共电极为条状。

优选的，在一个像素区域内，所述像素电极设置在所述阵列基板上，在所述像素电极表面上设置有绝缘层，在所述绝缘层的上方设置有公共电极，所述公共电极呈条状，且与所述像素电极交错设置。

一种液晶显示装置，该液晶显示装置具有上述任一项所述的像素结构的像素单元。

优选的，所述像素单元呈行列排布，同一行像素单元或者同一列像素单元的基准电极连接在一起形成基准电极线，由同一信号驱动。

优选的，相邻的像素单元行或者相邻的像素单元列之间共用同一根基准电极线。

由于该液晶显示装置的像素结构包括：设置于阵列基板上的公共电极和像素电极；基准电极，所述基准电极设置在所述像素电极的两端并基本垂直于所述像素电极的延伸方向。所以可以通过调节基准电极的电压来控制像素单元边缘的电场，使由基准电极与像素电极之间的电场和基准电极与公共电极之间的电场的叠加电场覆盖所述像素电极和公共电极之间的电场，进而控制像素单元边缘位置的液晶分子的指向，避免由于现有液晶显示装置的像素单元边缘出现的暗域甚至进一步延伸进入像素单元的内部区域的现象，进而提高液晶显示装置的显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术液晶显示装置像素结构的剖面图；

图2是现有技术液晶显示装置像素结构的俯视图；

图3为现有技术中一FFS型液晶显示装置进行光电模拟的效果图；

图4分别示意出现有技术中的FFS型液晶显示装置和本发明实施例提供的液晶显示装置的电压-穿透率曲线；

图5是本发明第一实施例所提供的液晶显示装置像素结构的俯视图；

图6是本发明第一实施例所提供的液晶显示装置像素结构的剖面图；

图7为本发明第一实施例所提供的液晶显示装置的光电模拟效果图；

图8为本发明另一实施方式的示意图；

图9为本发明又一实施方式的示意图；

图10为本发明再一实施方式的示意图：

图11为本实施例第二实施例所提供的液晶显示装置的示意图；

图12为本实施例第三实施例所提供的液晶显示装置的示意图；

图13为本实施例第三实施例所提供的一种优选液晶显示装置的示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

正如背景技术所述，现有FFS型或者IPS型液晶显示装置工作的时候，在像素单元的边缘位置的显示效果与预设的不一致，具体的为，在像素单元的边缘位置出现暗域，且所述暗域还会由像素单元的边缘位置延伸到像素单元的内部区域，致使整个液晶显示装置的显示效果降低。

发明人经研究发现，由于在IPS和FFS模式中，一个像素单元内的像素电极一般为条状，在像素单元的内部区域的像素电极和公共电极之间可以产生可控、均匀的电场，而在像素单元的边缘位置，由于属于像素电极或者公共电极的两端，边缘电场与内部区域的电场情况不同，边缘电场会发生紊乱，进而导致液晶分子排列的紊乱，所以在像素单元的边缘位置出现暗域或者称之为乱畴，并且随着像素电极和公共电极之间的电场的强度的增加，暗域还会延伸到像素单元的内部区域，进而导致整个液晶显示装置的显示效果的下降。

本发明公开了一种液晶显示装置的像素结构，该液晶显示装置采用IPS或FFS驱动模式，该液晶显示装置的像素结构，包括：

设置于阵列基板上的公共电极和像素电极；

基准电极，所述基准电极设置在所述像素电极的两端并基本垂直于所述像素电极的延伸方向。

由上述方案可以看出，由于基准电极的存在，所以可以通过调节基准电极的电压来控制像素单元边缘的电场，使由基准电极与像素电极之间的电场和基准电极与公共电极之间的电场的叠加电场覆盖所述像素电极和公共电极之间的电场，进而控制像素单元边缘位置的液晶分子的排列，进而形成均匀可控的显示效果。

以上是本申请的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

实施例一：

本实施例公开了一种液晶显示装置的像素结构，该液晶显示装置采用IPS或FFS驱动模式，如图5和图6所示，该像素结构包括：

设置于阵列基板上的公共电极C11和像素电极P11，在一个像素单元内，所述公共电极C11是整面设置在所述阵列基板上的，所述像素电极P11呈条状；

基准电极V11，所述基准电极V11的制作材料为氧化铟锡，且所述基准电极V11设置在所述像素电极P11的上下两端并基本垂直于所述像素电极P11的延伸方向。

图6为图5所示的液晶显示装置的沿AA’线的剖面图，如图所示，所述液晶显示装置包括一阵列基板，所述阵列基板包括：基板101，所述基板101表面上设置有薄膜晶体管层102，所述薄膜晶体管层102包括多条沿第一方向设置的扫描线、多条沿第二方向设置的数据线和多个薄膜晶体管，所述多条扫描线和数据线交叉限定多个像素单元，一个像素单元对应由一个薄膜晶体管控制，所述薄膜晶体管包括有栅极、半导体层、源极和漏极，所述漏极与所述像素电极电连接。

所述薄膜晶体管层102表面上设置有钝化层103，所述公共电极C11设置在所述阵列基板的钝化层103表面上，在所述公共电极C11表面上设置有绝缘层104，在所述绝缘层104的表面上设置有像素电极P11，在一个像素单元内，所述像素电极P11呈条状间隔设置，并且如图5和图6所示，所述像素电极P11之间露出公共电极C11。所述公共电极C11和像素电极P11的制作材料优选为氧化铟锡，所述基准电极V11和像素电极P11位于同一层并且由同一材料在同一工艺步骤中形成。

所述液晶显示装置在工作的时候，所述基准电极V11的工作电压高于所述公共电极C11和像素电极P11的工作电压，或低于所述公共电极C11和像素电极P11的工作电压。

例如，所述像素电极P11的工作电压为0V～+5V或者-5V～+5V，所述公共电极C11的工作电压为0V或者-5V～+5V，则所述基准电极V11的工作电压为-15V～+0V或者5V～+15V。以上所述像素电极P11和公共电极C11的工作电压的范围由液晶显示装置的反转模式决定的，通常地，比如当液晶显示装置为点反转模式时，像素电极P11的工作电压在-5V～+5V之间，公共电极C11的工作电压保持0V不变；当液晶显示装置为行反转或者列反转模式时，像素电极P11的工作电压在0V～+5V之间，公共电极C11的工作电压在0V～+5V之间。所述基准电极V11的工作电压在像素电极P11和公共电极C11的工作电压确定后，只要设置高于或者低于所述像素电极和公共电极的工作电压即可，因此基准电极V11的工作电压的范围并不受以上公开范围的限制，在其他实施方式中所述基准电极V11的工作电压的范围也可以为不同值，并且所述基准电极V11可以通过直流电驱动，使电压供应更为稳定。

在本实施例提供的液晶显示装置中，当所述像素电极P11的工作电压在0V～+5V之间变化，公共电极C11的工作电压始终保持0V，基准电极V11的工作电压为10V时，所述基准电极V11的工作电压高于公共电极C11和像素电极P11的工作电压。此时，在一个像素单元的边缘处，基准电极V11与像素电极P11间的电场、基准电极V11与公共电极C11间的电场以及像素电极P11与公共电极C11间的电场相互耦合，并且所述基准电极V11的工作电压高于所述公共电极C11和像素电极P11的工作电压，所以在像素单元边缘处电场的影响因素以基准电极V11的工作电压为主，可以通过基准电极V11的工作电压来控制像素单元边缘的电场，进而控制像素单元边缘位置的液晶分子的指向统一，从而避免了暗域的出现。

本发明的发明人对本发明第一实施例提供的液晶显示装置进行了光电模拟，模拟结果如图7所示，图7为本发明第一实施例提供的液晶显示装置的光电模拟的效果图，和现有技术的液晶显示装置的光电模拟的效果图(图3)相比，本发明第一实施例提供的模拟实验并未改变像素电极和公共电极的结构及工作电压，只是又设置了基准电极并向其提供10V的工作电压。

如图7所示，在像素电极P11上提供工作电压0～5V、公共电极C11的工作电压为0V、基准电极V11的工作电压为10V的情况下，在像素单元的边缘处并未出现暗域，即在像素单元的边缘的液晶分子都拥有较为统一的指向，可以形成均匀良好的显示效果。

接着请参考图4，图4中曲线Y2示意出本发明提供的FFS型液晶显示装置的电压-穿透率曲线，如图所示，横坐标为所述像素电极和公共电极之间的电压差，纵坐标为所述液晶显示装置的穿透率，通过现有技术曲线Y1和本发明曲线Y2的对比可以看出，随着像素电极的电压和公共电极的电压之间的差的增加，本发明所述液晶显示装置的穿透率并没有明显的下降。即从图7和图4中可看出，模拟结果和多组测试数据显示本发明提供的液晶显示装置不但可抑制像素单元边缘区域的暗域即乱畴的出现，并且随着压差的进一步增加，所述液晶显示装置也能进行均匀良好的显示。

需要说明的是以上只是本发明的一具体的实施方式，并不是对本发明的限制，本发明所提供的液晶显示装置还可以有多种实现模式。具体地：

如图8所示为本发明另一实施方式像素结构的示意图，所述像素电极P12还可以为折线状，或者像素电极为曲线状或者其他形状，基准电极V12设置在所述像素电极P12的两端并基本垂直于所述像素电极P12的延伸方向；

如图9所示为本发明又一实施方式像素结构的示意图，所述像素电极P13设置在所述钝化层303表面上，且在所述像素电极P13表面上设置有绝缘层304，在所述绝缘层304的表面上设置有公共电极C13，所述公共电极C13呈条状，所述像素电极P13也呈条状，且与所述像素电极P13和公共电极C13呈交错设置；

如图10所示为本发明再一实施方式的示意图，所述公共电极C14和像素电极P14还可以位于同一层，且均设置在钝化层203表面上，此时，所述公共电极C14为条状，并且所述公共电极C14和像素电极P14交错设置。

在其他的实施方式中，所述像素电极和公共电极还可以有其他多种设置形式，只要驱动模式为IPS型或者FFS型，即像素电极和公共电极形成的是平行电场即可。

在其他实施方式中，本发明提供的液晶显示装置中，所述基准电极是由不同于像素电极或者公共电极的导电层单独形成的；或者所述基准电极和公共电极位于同一层并且由同一材料在同一工艺步骤中形成。

在其他实施方式中，本发明提供的液晶显示装置中，还可以设置像素电极的工作电压为-5V～+5V，所述公共电极的工作电压为-5V～+5V，所述基准电极的工作电压小于像素电极和公共电极的工作电压，比如说-10V。此时，在一个像素单元的边缘处，基准电极与像素电极间的电场、基准电极与公共电极间的电场以及像素电极与公共电极间的电场相互耦合，并且所述基准电极的工作电压小于所述公共电极和像素电极的工作电压，所以在像素单元边缘处电场的影响因素以基准电极的工作电压为主，可以通过基准电极的工作电压来控制像素单元边缘的电场，进而控制像素单元边缘位置的液晶分子的指向统一，从而避免了暗域的出现。

本领域技术人员在本发明公开内容的基础上做出的同等变形或者替换都没有超出本发明的保护范围，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受以上公开的具体实施例的限制。

本发明提供的液晶显示装置由于避免了现有技术中液晶显示装置的像素单元边缘像素电极和公共电极之间的电场紊乱导致的暗域，甚至暗域进一步延伸进入像素区域内部的现象产生，在像素单元的边缘区域可产生如同像素单元内部区域一样的均匀稳定的电场，进而提高液晶显示装置的显示效果。

实施例二：

本发明实施提供了另一种液晶显示装置的像素结构，所述液晶显示装置采用第二代FFS技术(Ultra FFS)，所述液晶显示装置的像素电极为弯折状的条形电极，采用双畴结构，重点改善了色偏。

具体的，如图11所示，该像素结构包括：

设置于阵列基板上的公共电极C15和像素电极P15，在一个像素单元内，所述公共电极C15是整面设置在所述阵列基板上的，所述像素电极P15为弯折状的条形电极，并且所述多条呈弯折状的像素电极P15电连接在一起并连接至像素单元薄膜晶体管的漏极；

基准电极V15，所述基准电极V15设置在所述像素电极P11的左右两端并基本垂直于所述像素电极P15的延伸方向。

所述液晶显示装置在工作的时候，所述基准电极V15的工作电压高于所述公共电极C15和像素电极P15的工作电压，或低于所述公共电极C15和像素电极P15的工作电压。

本实施例提供的液晶显示装置的像素结构的工作原理和第一实施例基本相同，本领域技术人员参考第一实施例公开的内容可理解，此处不再赘述。

本实施例提供的液晶显示装置的像素结构也可以有多种变形或者替换模式，在本实施例公开的基础上，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受以上公开的具体实施例的限制。

实施例三：

本实施例公开了又一种液晶显示装置的像素结构，如图12所示为本实施例第三实施例所提供的液晶显示装置的示意图，所述液晶显示装置为IPS型或者FFS型液晶显示装置，该液晶显示装置包括多个像素单元。

如图12所示，所述多个像素单元呈行列排布，每个像素单元中设置有公共电极C11和像素电极P11，所述像素电极P11为条状电极，所述公共电极C11和像素电极P11之间形成平行电场驱动液晶分子的转动；像素单元中还设置有基准电极，所述基准电极设置在所述像素电极P11的两端并基本垂直于所述像素电极P11的延伸方向。同一行像素单元的基准电极连接在一起形成基准电极线V12。如图13所示，优选地，相邻的像素单元行之间还可共用同一根基准电极线V12。

所述基准电极线V12的电压的工作电压高于所述公共电极C11和像素电极P11的工作电压，或低于所述公共电极C11和像素电极P11的工作电压。

由于本实施例公开的液晶显示装置设置有基准电极并且同一行所述基准电极连接在一起形成基准电极线，所以可以通过调节基准电极线的电压来控制每个像素单元边缘的电场，避免由于现有液晶显示装置的像素单元边缘出现暗域甚至延伸进入像素单元内部的现象，进而提高液晶显示装置的显示效果。

实施例四：

本实施例公开了一种实施例一所公开的液晶显示装置的像素结构的制作方法，该方法包括：

步骤S1、提供基板，在所述基板表面上形成薄膜晶体管层。

具体的，在所述基板表面上形成薄膜晶体管层的过程需要多个光刻和刻蚀步骤，其详细过程与现有技术一致，在此不再赘述。

步骤S2、在所述薄膜晶体管层表面上形成钝化层。

具体的，在所述薄膜晶体管层表面上采用化学气相淀积方式形成钝化层，即首先将表面设置有薄膜晶体管层的基板放入反应腔中，气体先驱物传输到基板表面进行吸附作用和反应，然后将反应的副产物移除，得到钝化层。但是钝化层的形成并不仅限于化学气相淀积方式，还可以利用其他的物理气相淀积等方式形成，在此不做详细描述，所述钝化层的材料为SiNx或者SiOx等。

步骤S3、在所述钝化层表面上形成公共电极。

具体的，采用化学气相淀积工艺在所述钝化层表面上形成氧化铟锡层，之后，采用光刻工艺在所述氧化铟锡层内形成公共电极。所述公共电极是整面设置在所述钝化层表面上的，或者所述公共电极还可以是呈条状设置在所述钝化层表面上的。

步骤S4、在所述公共电极表面上形成绝缘层。

具体的，采用化学气相淀积工艺在所述公共电极表面上形成绝缘层。

步骤S5、在所述绝缘层表面上形成像素电极和基准电极。

具体的，采用化学气相淀积工艺在所述绝缘层表面上形成氧化铟锡层，之后，采用光刻工艺在所述氧化铟锡层内形成像素电极和基准电极。所述像素电极呈条状或者根据具体情况设置为折线状或者曲线状或其他的形状，所述基准电极设置在所述像素电极的两端并基本垂直于所述像素电极的延伸方向。

由于本实施例公开的液晶显示装置的像素结构的制作方法所制作的液晶显示装置的像素结构设置有基准电极，所以可以通过调节基准电极的电压来控制像素单元边缘的电场，使由基准电极与像素电极之间的电场和基准电极与公共电极之间的电场的叠加电场覆盖所述像素电极和公共电极之间的电场，进而控制像素单元边缘位置的液晶分子，避免由于现有液晶显示装置的像素单元边缘出现暗域延伸进入显示区域现象，进而提高液晶显示装置的显示效果。

另外，根据实施例一所公开的液晶显示装置，所述液晶显示装置的像素结构的制作方法还可以针对各种具体的液晶显示装置的像素结构做相应的调整，并且所述基准电极与公共电极在同一光刻过程中形成或所述基准电极与所述像素电极在同一光刻过程中形成，且所述基准电极设置在所述像素电极的两端并基本垂直于所述像素电极的延伸方向。

可见，所述基准电极的形成并没有增加制作液晶显示装置的像素结构额外的步骤，所以本发明所公开的液晶显示装置的像素结构并没有增加制作成本。

需要说明的是，还可以在现有的液晶显示装置的像素结构之上单独的做出一层额外绝缘层，并在所述额外绝缘层表面上通过光刻工艺形成所述基准电极，但是此种制作基准电极的方法会增加液晶显示装置的像素结构的制作成本。

本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (17)

1.一种液晶显示装置的像素结构，该液晶显示装置采用IPS或FFS型驱动模式，其特征在于，该像素结构包括:

设置于阵列基板上的公共电极和像素电极；

基准电极，所述基准电极设置在所述像素电极的两端并基本垂直于所述像素电极的延伸方向；

所述基准电极的工作电压高于所述公共电极和像素电极的工作电压，或低于所述公共电极和像素电极的工作电压。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极的工作电压为0V～+5V或者-5V～+5V。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述公共电极的工作电压为0V或者-5V～+5V。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述基准电极的工作电压为-15V～0V或者5V～15V。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述基准电极通过直流电驱动。

6.根据权利要求1所述像素结构，其特征在于，所述基准电极的制作材料为氧化铟锡。

7.根据权利要求1所述像素结构，其特征在于，所述基准电极和公共电极位于同一层。

8.根据权利要求1所述像素结构，其特征在于，所述基准电极和像素电极位于同一层。

9.根据权利要求1所述像素结构，其特征在于，所述像素电极呈条状、折线状或者曲线状。

10.根据权利要求9所述像素结构，其特征在于，在一个像素单元内，所述公共电极设置在所述阵列基板上，在所述公共电极表面上设置有绝缘层，在所述绝缘层的表面上设置有像素电极，所述像素电极间隔设置，并且所述像素电极之间露出公共电极。

11.根据权利要求10所述像素结构，其特征在于，在一个像素单元内，所述公共电极是整面设置在所述阵列基板上的。

12.根据权利要求10所述像素结构，其特征在于，在一个像素单元内，所述公共电极是呈条状设置在所述阵列基板上的，且所述公共电极与像素电极交错设置。

13.根据权利要求9所述像素结构，其特征在于，在一个像素单元内，所述公共电极和像素电极位于同一层，且所述公共电极为条状，并且所述公共电极和像素电极间隔设置。

14.根据权利要求9所述像素结构，其特征在于，在一个像素单元内，所述像素电极设置在所述阵列基板上，在所述像素电极表面上设置有绝缘层，在所述绝缘层的表面上设置有公共电极，所述公共电极呈条状，且与所述像素电极交错设置。

15.一种液晶显示装置，其特征在于，该液晶显示装置具有多个如权利要求1至14任一所述像素结构的像素单元。

16.根据权利要求15所述的液晶显示装置，其特征在于，所述多个像素单元呈行列排布，同一行像素单元的基准电极连接在一起形成基准电极线，由同一信号驱动。

17.根据权利要求16所述的液晶显示装置，其特征在于，相邻的像素单元行之间共用同一根基准电极线。