CN103059738A - 用于yag晶体抛光的抛光液 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于YAG晶体抛光的抛光液,以重量百分比计,包括硝酸5%~15%、水70%~80%、乳化刚玉5%~10%。YAG晶体抛光的抛光液还包括十二醇硫酸钠3%~5%。本发明的优点在于,在抛光加工过程中,可加快溶解作用,浸蚀整平,消除磨痕的一种方法,使用方面,快捷提高加工生产进度,日产量可提高:20%-30%。

Description

用于YAG晶体抛光的抛光液
技术领域
本发明涉及一种抛光液,尤其是用于YAG晶体抛光的抛光液。
背景技术
YAG晶体,化学式为ND:Y3Al5O12,是由Y2O3和Al2O3反应生成的一种复合氧化物,属立方晶系,具有石榴石结构,YAG晶体是一种激光晶体材料,是Nd:YAG激光器的激光工作物质,为固态的Nd:YAG棒,可激发脉冲激光或连续式激光,发射之激光为红外线波长 1.064μm。
YAG晶体的抛光液,传统的仅采用去离子乳化刚玉,效果不佳,市场采购的几种晶体抛光液,效果不理想,在抛光去研磨层沙坑速度慢时间长。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种用于YAG晶体抛光的抛光液,能够加快加工速度,提高效率。
本发明是通过以下技术方案来实现的。
一种用于YAG晶体抛光的抛光液,以重量百分比计,包括硝酸5%~15%、水70%~80%、乳化刚玉5%~10%。
进一步地,以重量百分比计,上述YAG晶体抛光的抛光液还包括十二醇硫酸钠3%~5%。
进一步地,上述水为去离子水。
硝酸,作为是一种有强氧化性、强腐蚀性的无机酸,可以起到将YAG晶体表面浸蚀整平的作用,同时5%~15%的重量百分比使得硝酸在此浓度下不会对YAG晶体本身产生强腐蚀和氧化;十二醇硫酸钠系阴离子表面活性剂,具有良好的润湿、浮化、去污发泡性能,能够有效配合抛光液中其他成分,起到较好的辅助作用。
本发明的有益效果:
本发明的抛光液,在抛光加工过程中,可加快溶解作用,浸蚀整平,消除磨痕的一种方法,使用方面,快捷提高加工生产进度,日产量可提高:20%-30%。
具体实施方式
下面根据实施例对本发明作进一步详细说明。
实施案例1:
用于YAG晶体抛光的抛光液:
以重量百分比计,包括硝酸5%、去离子水80%、乳化刚玉10%、十二醇硫酸钠5%。
实施案例2:
用于YAG晶体抛光的抛光液:
以重量百分比计,包括硝酸15%、去离子水70%、乳化刚玉5%、十二醇硫酸钠10%。
实施案例3:
用于YAG晶体抛光的抛光液:
以重量百分比计,包括硝酸10%、去离子水75%、乳化刚玉10%、十二醇硫酸钠5%。
实施案例4:
用于YAG晶体抛光的抛光液:
以重量百分比计,包括硝酸15%、去离子水75%、乳化刚玉7%、十二醇硫酸钠3%。
实施案例5:
将用于YAG晶体抛光液使用吸管点加至正在抛光的YAG晶体,当抛光加工完成后,用水将YAG晶体表面的抛光液冲洗。
本发明,用于YAG晶体抛光的抛光液,在抛光加工过程中,可加快溶解作用,浸蚀整平,消除磨痕的一种方法,使用方面,快捷提高加工生产进度,日产量可提高:20%-30%。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此领域技术的人士能够了解本发明内容并加以实施,并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本发明的保护范围内。

Claims (3)

1.一种用于YAG晶体抛光的抛光液,其特征在于,以重量百分比计,包括硝酸5%~15%、水70%~80%、乳化刚玉5%~10%。
2.根据权利要求1所述的用于YAG晶体抛光的抛光液,其特征在于,以重量百分比计,所述YAG晶体抛光的抛光液还包括十二醇硫酸钠3%~5%。
3.根据权利要求1或2所述的用于YAG晶体抛光的抛光液,其特征在于,所述水为去离子水。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110067025A (zh) * 2018-01-20 2019-07-30 河北胤丞光电科技有限公司 一种高输出功率的yag晶体的制备方法
CN113480942A (zh) * 2021-08-06 2021-10-08 大连理工大学 一种多晶yag陶瓷化学机械抛光液

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PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20130424