CN102837370B - 用于制作化学气相沉积生长多晶硅的硅芯专用切割设备及加工方法 - Google Patents

用于制作化学气相沉积生长多晶硅的硅芯专用切割设备及加工方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102837370B
CN102837370B CN201210271510.3A CN201210271510A CN102837370B CN 102837370 B CN102837370 B CN 102837370B CN 201210271510 A CN201210271510 A CN 201210271510A CN 102837370 B CN102837370 B CN 102837370B
Authority
CN
China
Prior art keywords
cutting
silicon
silicon rod
diamond
core
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201210271510.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102837370A (zh
Inventor
李昆
亢若谷
马启坤
王云坤
史冰川
和金生
吕维基
罗以顺
段鑫
黄磊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yunnan metallurgical cloud core silicon material Limited by Share Ltd
Original Assignee
KUNMING YEYAN NEW MATERIAL CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KUNMING YEYAN NEW MATERIAL CO Ltd filed Critical KUNMING YEYAN NEW MATERIAL CO Ltd
Priority to CN201210271510.3A priority Critical patent/CN102837370B/zh
Publication of CN102837370A publication Critical patent/CN102837370A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102837370B publication Critical patent/CN102837370B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

本发明涉及的一种用于制作化学气相反应沉积生长多晶硅的硅芯专用金刚石外圆切割机及其加工方法。属新能源及新材料技术领域。本发明将多晶硅棒料安装固定在金刚石外圆切割机中,同时对多根多晶硅棒料进行切割制取硅芯,先将多晶硅棒料切割成多晶硅片料,再将多晶硅片料切割成条状硅芯,切割完毕,可以同时得到多根硅芯。采用本发明提供的硅芯制备方法其生产效率明显高于其它制备方法,且在整个切割过程中,所用切割冷却液为自来水或脱盐水,不需要专门配制切割浆料,将切割冷却液经简单处理后进行循环使用,整个生产过程产生的废物仅为硅渣,不会对环境产生不利影响。

Description

用于制作化学气相沉积生长多晶枯的枯芯专用切割设备及 加工方法
技术领域
[0001] 本发明涉及的一种用于制作化学气相反应沉积生长多晶娃的娃芯专用切割设备 及其加工方法。属新能源及新材料技术领域。
背景技术
[0002] 娃材料是从娃石中冶炼金属娃开始,一般由工业娃粉氯化,经过一系列的物理或 化学方法提纯生产出的高纯度多晶娃产品后,向半导体单晶娃、娃抛光片,外延片,W及制 成集成电路芯片或者分立器件和太阳能电池、太阳能电池组件的纵向延伸。
[0003] 高纯娃材料产品主要包括;多晶娃、单晶娃等,多晶娃是金属娃经过一系列的化学 和物理反应提纯后达到一定纯度(99. 999999%至99. 999999999%)的材料,按纯度分类可W 分为太阳能级、电子级。单晶娃W高纯度多晶娃为原料,在单晶炉中被烙化为液态,在单 晶种(巧晶)上结晶而成。
[0004] 多晶娃材料是娃产品产业链中一个极为重要的中间产品,是制造半导体器件、集 成电路及太阳能电池的最重要的基础材料,是发展电子信息产业和光伏产业的根基。多晶 娃的工业化规模生产是集冶金、化工、自动化控制、电子学、环保工程等学科为一体的生产 体系,属技术密集型及资金密集型产业。目前世界上多晶娃工业化生产的主要工艺流程有 改良西口子法和新娃焼法两种。
[0005] 改良西口子法是W肥1和工业娃粉为原料,在高温下合成为Si肥L3,然后对 Si肥L3进行化学提纯,使其纯度达到99. 999999% W上,金属杂质总含量降到0. 1卵ba W下, 最后在还原炉中105(TC的娃芯上用超高纯的氨气与Si肥L3进行化学气相沉积反应而生成 高纯多晶娃棒。而新娃焼法是W氣娃酸、轴、铅、氨气为主要原辅材料、制取娃焼、SiH4热分 解生产多晶娃的工艺。
[0006] 在多晶娃生产工艺中,娃芯棒作为还原炉沉积生长多晶娃棒所需要的沉积核也棒 及提供反应温度的电阻发热体,其制备方法关键是在满足工艺质量的前提下,低成本规模 化生产。
[0007] 传统娃芯棒制备方法是基座区烙法,则用小型区烙炉将原料娃棒拉制成娃芯棒, 平均每3小时拉制5根娃芯棒,生产效率较为低下,而且整个娃芯棒拉制过程中易出现娃芯 棒拉断现象,故对操作人员的熟练程度要求较高。
[0008] 随着多晶娃行业向规模化方向的快速发展,区烙法制备娃芯的方法已不能满足工 业需求。为了解决制备工艺和生产设备发展需求之间的矛盾,近切需要开发一种高效率的 娃芯制备方法。《GXB2500-4娃芯切割机床》(中国集成电路2008年6期)报道了北京京联 发数控科技有限公司于2007年3月推出了第一台娃芯切割机床,它是将单晶娃(多晶娃)切 割为片状,再将切好的娃片切为8 X 8 X 2500mm的娃芯,其平均12小时可切割20-30根娃 芯,一台娃芯切割机可代替4台娃芯拉制炉,该机床生产效率较传统区烙法有了一定提高, 但是生产效率仍然较低,但文中未公开具体的娃芯切割方法。
[0009] 中国专利CN101514488A报道《一种用于生长多晶娃棒的娃芯及其制备方法》,它 采用的是横向切割线和纵向切割线的多线切割一根娃棒制取娃芯方法,虽然该方法平均10 小时可W制取180根娃芯,生产效率有所提高,但是多线切割方式存在切割浆料回收、分离 和净化成本高、污染环境的问题,如果不带切割浆料切割则切割线价格昂贵,娃芯制备成本 较高。
[0010] 中国专利CN202155964U同样采用两根金刚砂线的对进行娃棒同时往复运动,线 切割制备娃芯,但该专利还是采用线切割方式。但是使用多线切割制备娃芯存在切割浆料 回收、分离和净化成本高、污染环境的问题,如果不带切割浆料切割则切割线价格昂贵,娃 芯制备成本较高。
发明内容
[0011] 本发明的目的在于上述现有技术的不足,发明一种用于制作化学气相沉积生长多 晶娃的娃芯专用切割设备及加工方法,它可同时对2-4根相同长度或不同长度的多晶娃棒 料进行加工生产,其生产效率高,不会对环境产生污染。
[0012] 实现本发明的技术方案是;用于制作化学气相沉积生长多晶娃的娃芯专用切割设 备,其特征在于专用切割设备的加工物件平台底部开有排水口( 1 ),加工物件平台上部一端 装有两组四个金刚石刀架(12、13、14、15)及一个放置于四个金刚石刀架的上部且能随刀架 移动而自由伸缩的伸缩防护罩(16),每个金刚石刀架(12、13、14、15)上各装一组9-11片金 刚石外圆切割片,其中第一组两个金刚石刀架(12、13)安装的两组金刚石外圆切割片由第 1号切割电机(17)提供动力,第二组两个金刚石刀架(14、15)安装的两组金刚石外圆切割 片由第2号切割电机(18)提供动力,二组金刚石刀架均由一台传动电机(21)实现前进和后 退功能,每个金刚石刀架(12、13、14、15)配装一个冷却液喷淋管(19),整根待切割加工娃 棒料放置在由固定挡板(20 )、1-3个娃棒支撑块(7 )及一个可移动挡板组成的娃棒支座上, 排水口( 1)及冷却液喷淋管(19 )通过管道与废液循环处理器连接。
[0013] 所用的金刚石外圆切割片为钢基材料带金刚石刀头,可是烧结金刚石切割片、焊 接金刚石切割片或电锻金刚石切割片任意一种金刚石切割片。
[0014] 所述的娃棒料是通过任何一种方法制备而成的任意一种多晶娃原料棒,包括多晶 直拉棒、单晶直拉棒或多晶沉积棒。
[0015] 所述的可移动挡板(2、3、4、5)及娃棒支撑块(7)安装在专用切割设备的加工物件 平台上,每个可移动挡板(2、3、4、5)及娃棒支撑块(7)能沿导轨移动位置左右移动固定,固 定挡板(20)安装在专用切割设备的加工物件平台上,位置固定不变,冷却液喷淋管(19)的 出水口安装在金刚石外圆切割片上方,每个金刚石外圆切割片对应1个出水口。
[0016] 制作化学气相沉积生长多晶娃的娃芯加工制作娃芯的加工步骤是:
[0017] 1)将拟切割加工的2〜4根娃棒料,各自分别安装固定在由固定挡板(20)、1〜 3个娃棒支撑块(7)及可移动挡板组成的娃棒支座上,每根娃棒料的一端放置在固定挡板 (20)处,该根娃棒料的中部由1-3个娃棒支撑块(7)支撑,该根娃棒料另一端端头由一个可 移动挡板(2、3、4、5)挡住;调整娃棒支撑块(7)和可移动挡板的位置,让固定在娃棒支座上 的整根娃棒料受力均匀,不会左右前后移动;
[001引 2)开动切割电机(17、18)和传动电机(21),金刚石刀架带动金刚石外圆切割片沿 专用切割设备的加工物件平台内中的导轨移动,高速转动的金刚石外圆切割片将预先固定 在娃棒支座上的每根娃棒料从纵向方向自动切割为数块娃片料;
[0019] 3)再将切割好的娃片料,手动旋转90度后,再次按步骤1方式,安装固定在专用切 割设备的娃棒支座上;
[0020] 4)再次开动切割电机(17、18)和传动电机(21),娃片料再次从纵向方向自动切 害Ij,形成条状娃棒;
[0021] 5)切割完毕,从专用切割设备中取出条状娃棒,则制得多根娃芯;
[0022] 制得的多根娃芯,其横截面为4mm〜20mm的正方形,长度为60mm〜3000mm。
[0023] 整个切割过程是自动进行,切割时所用的切割冷却液为自来水或脱盐水,不需要 专口配制切割浆料,且切割冷却液经废液循环处理器简单处理后,可循环使用。
[0024] 采用本发明提供的娃芯制备方法其生产效率明显高于其它制备方法,且在整个切 割过程中,所用切割冷却液为自来水或脱盐水,不需要专口配制切割浆料,将切割冷却液经 简单处理后进行循环使用,整个生产过程产生的废物仅为娃渣,不会对环境产生不利影响。
附图说明
[00巧]图1为本发明用于制作化学气相沉积生长多晶娃的娃芯专用切割设备结构示意 图(俯视方向)。
[002引图中;1、排水口;2、第1条可移动挡板;3、第2条可移动挡板;4、第3条可移动挡 板;5、第4条可移动挡板;6、废液循环处理器;7、娃棒支撑块(根据娃棒长度和根数自由调 整位置及数量);8、第1个娃棒;9、第2个娃棒;10、第3个娃棒;11、第4个娃棒;12、第 1号金刚石刀架;13、第2号金刚石刀架;14、第3号金刚石刀架;15、第4号金刚石刀架;16、 伸缩防护罩;17、第1号切割电机;18、第2号切割电机;19、冷却液喷淋管;20、固定挡板; 21、传动电机。
[0027] 下面结合附图所示实施例,对结构作进一步说明,但本发明保护范围不限于此实 施例。
具体实施方式
[0028] 本发明专用切割设备的加工物件平台上部一端装有两组四个金刚石刀架12、13、 14、15及一个放置于四个金刚石刀架12、13、14、15的上部且能自由伸缩的伸缩防护罩16。 切割加工时,当金刚石刀架12、13、14、15沿着加工物件平台两侧的导轨移动,整个伸缩防 护罩16随着金刚石刀架移动,金刚石刀架保持被伸缩防护罩16罩住状态,防止切割加工产 生的粉末/粉尘扩散四周,减少对环境的影响。
[0029] 每个金刚石刀架12、13、14、15上各装一组共有9-11片金刚石外圆切割片,其中第 一组两个金刚石刀架12、13安装的两组金刚石外圆切割片由第1号切割电机17提供动力, 第二组两个金刚石刀架(14、15)安装的两组金刚石外圆切割片由第2号切割电机18提供 动力,该样切割加工时,操作者可根据待切割加工娃棒料数量选择是开启一台切割电机,还 是两台切割电机同时开启。
[0030] 待切割加工整根娃棒料放置在由固定挡板20、1〜3个娃棒支撑块7及一个可移 动挡板组成的娃棒支座上。待切割加工整根娃棒料一端放置在固定挡板20,另一端根据整 根娃棒料的长度被第一条可移动挡板2挡住,待切割加工整根娃棒料中部被I〜3个娃棒 支撑块7支撑,娃棒支撑块7的数量由待切割加工整根娃棒料长度决定,只要保证切割加工 时,待切割加工整根娃棒料受力均匀,不会断裂即可。每个娃棒支撑块7可活动安装在专用 切割设备的加工物件平台上,方便位置调节。
[0031] 每个金刚石刀架12、13、14、15配装一个冷却液喷淋管19,冷却液喷淋管19出水 口位于金刚石外圆切割片侧边上部,切割加工时,冷却液喷淋管19向金刚石外圆切割片喷 水,W减少切割加工产生的粉末/粉尘扩散和降低金刚石外圆切割片表面的工作温度。冷 却水从加工物件平台底部开有排水口 1排出,通过管道与废液循环处理器连接,经过滤处 理后再次循规环使用。
[00础实施例1 ;制备规格为5X5X200mm的娃芯。
[0033] 用经过金刚石外圆切割多晶直拉棒获得娃芯,其娃芯横截面为边长5mm的正方 形,长度为200mm。
[0034] 采用金刚石外圆切割方法同时对四根多晶娃棒料进行切割制取一种用于化学气 相沉积生长多晶娃的娃芯,加工步骤如下:
[0035] 1)将拟切割加工的四根长度为200mm娃棒料,各自分别安装固定在由固定挡板20 及可移动挡板组成的娃棒支座上,每根娃棒料的一端放置在固定挡板处,每根娃棒料另一 端端头分别由一个可移动挡板2、3、4、5挡住,调整可移动挡板位置,让固定在娃棒支座上 的整根娃棒料受力均匀,不会左右前后移动;该样四根娃棒料各自放置在四组娃棒支座上, 构成四条加工切割工段。
[0036] 2)同时开动两台切割电机17、18和一台传动电机21,四组金刚石刀架带动金刚石 外圆切割片沿专用切割设备的加工物件平台内中的导轨同时移动,高速转动的金刚石外圆 切割片将预先固定在娃棒支座上的每根娃棒料从纵向方向切割,每次切割前根据娃芯横截 面尺寸要求,选择金刚石切割片的数量和调节金刚石切割片间距,最后将整根娃棒料切割 为数块娃片料;
[0037] 3)再将切割好的数块娃片料,整体同时手动旋转90度后,再按步骤1方式,安装固 定在娃芯切割专用设备中;
[003引 4)再次同时开动两台切割电机17、18和一台传动电机21,娃片料再次从纵向方向 被切割,构成数个条状娃棒;
[0039] 5)切割完毕,从娃芯切割专用设备中取出条状娃棒,每根条状娃棒则是一根 5X5X200mm 的娃芯,。
[0040] 整个切割过程是自动进行,所用切割冷却液为自来水,且切割冷却液经简单处理 后循环使用。
[00川 实施例2 ;制备规格为8X8X2000mm的娃芯。
[004引用经过金刚石外圆切割多晶沉积棒制作娃芯,其娃芯横截面为边长8mm的正方 形,长度为2000mm。
[0043] 采用金刚石外圆切割方法同时对两根多晶娃棒料进行切割制取一种用于化学气 相沉积生长多晶娃的娃芯,步骤如下:
[0044] 1)将拟切割加工的两根长度为2000mm娃棒料,各自分别安装固定在由固定挡板 20、1〜3个娃棒支撑块7及可移动挡板组成的娃棒支座上,每根娃棒料的一端放置在固定 挡板处,每根娃棒料的中部由1-3个娃棒支撑块7支撑,每根娃棒料另一端端头各别由一个 可移动挡板2、3挡住,调整可移动挡板及娃棒支撑块7位置,让固定在娃棒支座上的整根娃 棒料受力均匀,不会左右前后移动;该样两根娃棒料各自放置在两条娃棒支座上,构成两条 加工切割工段。
[004引 2)同时开动一台切割电机17和传动电机21,两组金刚石刀架带动金刚石外圆切 割片沿专用切割设备的加工物件平台内中的导轨同时移动,高速转动的金刚石外圆切割片 将预先固定在娃棒支座上的每根娃棒料从纵向方向切割,每次切割前根据娃芯横截面尺寸 要求,调节金刚石切割片间距,最后将整根娃棒料切割为数块娃片料;
[0046] 3)再将切割好的数块娃片料,整体同时手动旋转90度后,再按步骤1方式,安装固 定在娃芯专用切割设备中;
[0047] 4)再次同时开动一台切割电机17和传动电机21,娃片料再次被从纵向方向切割, 形成数个条状娃棒;
[0048] 5)切割完毕,从娃芯专用切割设备中取出条状娃棒,每根条状娃棒则是一根 8X8X2000mm 的娃芯。
[0049] 整个切割过程是自动进行的,所用切割冷却液为脱盐水,且切割冷却液经简单处 理后循环使用。
[0050] 实施例3 ;制备规格为8X8X2800mm的娃芯。
[005。 1.用经过金刚石外圆切割单晶直拉棒制得到娃芯,其娃芯横截面为边长8mm的正 方形,长度为2800mm。
[0052] 2.采用金刚石外圆切割方法同时对H根多晶娃棒料进行切割制取一种用于化学 气相沉积生长多晶娃的娃芯,步骤如下:
[0053] 1)将拟切割加工的H根长度为2800mm娃棒料,各自分别安装固定在由固定挡板 20、1〜3个娃棒支撑块7及可移动挡板组成的娃棒支座上,每根娃棒料的一端放置在固定 挡板处,每根娃棒料的中部由1-3个娃棒支撑块7支撑,每根娃棒料另一端端头各别由一个 可移动挡板2、3、4挡住,调整可移动挡板及娃棒支撑块7位置,让固定在娃棒支座上的整根 娃棒料受力均匀,不会左右前后移动;该样四根娃棒料各自放置在H条娃棒支座上,构成H 条加工切割工段。
[0054] 2)同时开动两台切割电机17、18和传动电机21,四组金刚石刀架带动金刚石外圆 切割片沿专用切割设备的加工物件平台内中的导轨同时移动,高速转动的金刚石外圆切割 片将预先固定在娃棒支座上的每根娃棒料从纵向方向切割,每次切割前根据娃芯横截面尺 寸要求,调节金刚石切割片间距,最后将整根娃棒料切割为数块娃片料;
[00巧]3)再将切割好的数块娃片料,整体同时手动旋转90度后,再按步骤1方式,安装固 定在娃芯专用设备中;
[0056] 4)再次同时开动两台切割电机17、18和传动电机21,娃片料再次被从纵向方向切 害IJ,形成数个条状娃棒;
[0057] 5)切割完毕,从娃芯专用切割设备中取出条状娃棒,每根条状娃棒则是一根 8X8X2800mm 的娃芯。
[005引整个切割过程是自动进行,所用切割冷却液为自来水,且切割冷却液经简单处理 后循环使用。
[0059] 实施例4 ;同时制备规格为8X8X2400mm和规格为8X8X2800mm的娃芯。
[0060] 1.用多晶娃棒料经过金刚石外圆切割得到一种用于化学气相沉积生长多晶娃的 娃芯,其娃芯横截面为边长8mm的正方形,长度分别为2400mm和2800mm。
[006。 2.采用金刚石外圆切割方法同时对2根长度为2400mm多晶娃棒料和2根长度为 2800mm多晶娃棒料进行切割制取一种用于化学气相沉积生长多晶娃的娃芯,步骤如下:
[0062] 1)将拟切割加工的两根长度为2400mm娃棒料,各自分别安装固定在由固定挡板 20、1〜3个娃棒支撑块7及可移动挡板组成的娃棒支座上,每根娃棒料的一端放置在固定 挡板处,每根娃棒料的中部由1-3个娃棒支撑块7支撑,每根娃棒料另一端端头各别由一个 可移动挡板2、3挡住;将拟切割加工的两根长度为2800mm娃棒料,各自分别安装固定在由 固定挡板20、1〜3个娃棒支撑块7及可移动挡板组成的娃棒支座上,每根娃棒料的一端放 置在固定挡板处,每根娃棒料的中部由1-3个娃棒支撑块7支撑,每根娃棒料另一端端头各 别由一个可移动挡板4、5挡住;调整可移动挡板及娃棒支撑块7位置,让固定在娃棒支座上 的整根娃棒料受力均匀,不会左右前后移动;该样四根娃棒料各自放置在四条娃棒支座上, 构成四条加工切割工段。
[006引 2)同时开动二台切割电机17和传动电机21,四组金刚石刀架带动金刚石外圆切 割片沿专用切割设备的加工物件平台内中的导轨同时移动,高速转动的金刚石外圆切割片 将预先固定在娃棒支座上的每根娃棒料从纵向方向切割,每次切割前根据娃芯横截面尺寸 要求,调节金刚石切割片间距,最后将整根娃棒料切割为数块娃片料;
[0064] 3)再将切割好的数块娃片料,整体同时手动旋转90度后,再按步骤1方式,安装固 定在娃芯专用切割设备中;
[0065] 4)再次同时开动二台切割电机17和传动电机21,娃片料再次被从纵向方向切割, 形成数个条状娃棒;
[0066] 5)切割完毕,从娃芯专用切割设备中取出条状娃棒,每根条状娃棒则是一根娃芯。
[0067] 整个切割过程是自动进行的,所用切割冷却液为脱盐水,且切割冷却液经简单处 理后循环使用。
[0068] 本发明提供的方法与其它娃芯制备方法比较表
[0069]
Figure CN102837370BD00091

Claims (4)

1. 一种用于制作化学气相沉积生长多晶硅的硅芯专用切割设备,其特征在于专用切割 设备的加工物件平台底部开有排水口(1),加工物件平台上部一端装有两组四个金刚石刀 架(12、13、14、15)及一个放置于四个金刚石刀架的上部且能随刀架移动而自由伸缩的伸缩 防护罩(16),每个金刚石刀架(12、13、14、15)上各装一组共9〜11块金刚石外圆切割片, 其中第一组两个金刚石刀架(12、13)安装的两组金刚石外圆切割片由第1号切割电机(17) 提供动力,第二组两个金刚石刀架(14、15)安装的两组金刚石外圆切割片由第2号切割电 机(18)提供动力,二组金刚石刀架均由一台传动电机(21)实现前进和后退功能,每个金刚 石刀架(12、13、14、15)配装一个冷却液喷淋管(19),整根待切割加工硅棒料放置在固定挡 板(20)、1〜3个硅棒支撑块(7)及可移动挡板组成的硅棒支座上,排水口(1)及冷却液喷 淋管(19)通过管道与废液循环处理器(6)连接; 所述的可移动挡板(2、3、4、5)及硅棒支撑块(7)安装在专用切割设备的加工物件平台 上,每个可移动挡板(2、3、4、5)及硅棒支撑块(7)能沿平台上部的导轨移动位置左右移动 固定,固定挡板(20)安装在专用切割设备的加工物件平台上,位置固定不变,冷却液喷淋管 (19)的出水口安装在金刚石外圆切割片上方,每个金刚石外圆切割片对应1个出水口。
2. 根据权利要求1所述的用于制作化学气相沉积生长多晶硅的硅芯专用切割设备,其 特征在于:所用的金刚石外圆切割片为钢基材料带金刚石刀头,是烧结金刚石切割片、焊接 金刚石切割片或电镀金刚石切割片任意一种金刚石切割片。
3. 使用权利要求1所述用于制作化学气相沉积生长多晶硅的硅芯专用切割设备的硅 芯加工方法,其特征在于:制作硅芯的加工步骤是: 1) 将拟切割加工的2〜4根硅棒料,各自分别安装固定在由固定挡板(20)、3〜5个 娃棒支撑块(7)及可移动挡板组成的娃棒支座上,每根娃棒料的一端放置在固定挡板(20) 处,该根娃棒料由1-3个娃棒支撑块(7)支撑,该根娃棒料另一端端头由一个可移动挡板 (2、3、4、5)挡住;调整硅棒支撑块(7)和可移动挡板的位置,让固定在硅棒支座上的整根硅 棒料受力均匀,不会左右前后移动; 2) 开动切割电机(17、18)和传动电机(21),金刚石刀架带动金刚石外圆切割片沿专用 切割设备的加工物件平台内中的导轨移动,高速转动的金刚石外圆切割片将预先固定在硅 棒支座上的每根硅棒料从纵向方向自动切割为数块硅片料; 3) 再将切割好的硅片料,手动旋转90度后,再次按步骤1方式,安装固定在专用切割设 备的硅棒支座上; 4) 再次开动切割电机(17、18)和传动电机(21),硅片料再次从纵向方向自动切割,形 成条状硅棒; 5) 切割完毕,从专用切割设备中取出条状硅棒,则制得多根硅芯; 制得的多根娃芯,其横截面为4mm〜20mm的正方形,长度为60mm〜3000mm。
4. 根据权利要求3所述的制作化学气相沉积生长多晶硅的硅芯加工方法,其特征在 于:整个切割过程是自动进行,切割时所用的切割冷却液为自来水或脱盐水,不需要专门配 制切割浆料,且切割冷却液经废液循环处理器简单处理后,可循环使用。
CN201210271510.3A 2012-07-31 2012-07-31 用于制作化学气相沉积生长多晶硅的硅芯专用切割设备及加工方法 Expired - Fee Related CN102837370B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210271510.3A CN102837370B (zh) 2012-07-31 2012-07-31 用于制作化学气相沉积生长多晶硅的硅芯专用切割设备及加工方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210271510.3A CN102837370B (zh) 2012-07-31 2012-07-31 用于制作化学气相沉积生长多晶硅的硅芯专用切割设备及加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102837370A CN102837370A (zh) 2012-12-26
CN102837370B true CN102837370B (zh) 2015-01-07

Family

ID=47365222

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210271510.3A Expired - Fee Related CN102837370B (zh) 2012-07-31 2012-07-31 用于制作化学气相沉积生长多晶硅的硅芯专用切割设备及加工方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102837370B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103448153B (zh) * 2013-08-23 2016-02-03 蓝思科技股份有限公司 一种蓝宝石晶棒的切割工艺及其加工治具
CN106003443B (zh) * 2016-05-23 2019-03-08 天通日进精密技术有限公司 全硅棒开方机及开方方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH692489A5 (fr) * 1998-01-26 2002-07-15 Hct Shaping Systems Sa Dispositif de sciage par fil pour la découpe de prismes utilisant le croisement d'au moins deux nappes de fils superposées.
JP3993814B2 (ja) * 2002-11-25 2007-10-17 京セラ株式会社 多結晶シリコンインゴットの切断方法
CN101514488A (zh) * 2009-03-04 2009-08-26 江西赛维Ldk光伏硅科技有限公司 一种用于生长多晶硅棒的硅芯及其制备方法
WO2010022531A1 (en) * 2008-08-29 2010-03-04 Meyer Burger Ag Device for holding columnar workpieces and use of the device
CN201525090U (zh) * 2009-06-26 2010-07-14 张新忠 数控多晶硅硅芯多线切割机床
CN101829942A (zh) * 2010-05-27 2010-09-15 北京京联发数控科技有限公司 方棒抛磨加工中心
CN201941086U (zh) * 2010-12-31 2011-08-24 浙江昱辉阳光能源有限公司 切断装置
CN202155964U (zh) * 2011-07-20 2012-03-07 洛阳佑东光电设备有限公司 晶体硅芯切割装置
CN202192692U (zh) * 2011-07-18 2012-04-18 东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司 硅芯切割机工件固定装置
CN202781470U (zh) * 2012-07-31 2013-03-13 昆明冶研新材料股份有限公司 用于制作化学气相沉积生长多晶硅的硅芯专用切割设备

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH692489A5 (fr) * 1998-01-26 2002-07-15 Hct Shaping Systems Sa Dispositif de sciage par fil pour la découpe de prismes utilisant le croisement d'au moins deux nappes de fils superposées.
JP3993814B2 (ja) * 2002-11-25 2007-10-17 京セラ株式会社 多結晶シリコンインゴットの切断方法
WO2010022531A1 (en) * 2008-08-29 2010-03-04 Meyer Burger Ag Device for holding columnar workpieces and use of the device
CN101514488A (zh) * 2009-03-04 2009-08-26 江西赛维Ldk光伏硅科技有限公司 一种用于生长多晶硅棒的硅芯及其制备方法
CN201525090U (zh) * 2009-06-26 2010-07-14 张新忠 数控多晶硅硅芯多线切割机床
CN101829942A (zh) * 2010-05-27 2010-09-15 北京京联发数控科技有限公司 方棒抛磨加工中心
CN201941086U (zh) * 2010-12-31 2011-08-24 浙江昱辉阳光能源有限公司 切断装置
CN202192692U (zh) * 2011-07-18 2012-04-18 东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司 硅芯切割机工件固定装置
CN202155964U (zh) * 2011-07-20 2012-03-07 洛阳佑东光电设备有限公司 晶体硅芯切割装置
CN202781470U (zh) * 2012-07-31 2013-03-13 昆明冶研新材料股份有限公司 用于制作化学气相沉积生长多晶硅的硅芯专用切割设备

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"GXB2500-4硅芯切割机床";北京京联发数控科技有限公司;《中国集成电路》;20080630(第109期);第25页第1-2段及附图1 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN102837370A (zh) 2012-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Müller et al. Silicon for photovoltaic applications
EP1699737B1 (en) Method for making silicon feedstock for solar cells
US20170101319A1 (en) Recovery of silicon value from kerf silicon waste
CN102219219B (zh) 一种定向凝固及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法及设备
EP1772429A1 (en) Method for producing polycrystalline silicon and polycrystalline silicon for solar cell produced by the method
US7811356B2 (en) Method of purifying metal
CN102145894B (zh) 一种电子束及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法及设备
CN1873062A (zh) 一种太阳能电池用高纯多晶硅的制备方法和装置
UA86295C2 (uk) Спосіб виготовлення полікристалічного зливка еремнію, одержуваного шляхом направленої кристалізації за методом чохральського, методом зонної плавки
CN102126725A (zh) 一种电子束浅熔池熔炼提纯多晶硅的方法及设备
CN102837370B (zh) 用于制作化学气相沉积生长多晶硅的硅芯专用切割设备及加工方法
CN101698481B (zh) 太阳能级多晶硅提纯装置与提纯方法
WO2011011184A2 (en) System and method for making a photovoltaic unit
Satpathy et al. Solar PV Power: Design, Manufacturing and Applications from Sand to Systems
CN101798705A (zh) 一种从低温熔体中连续拉晶提纯多晶硅的方法及专用装置
CN202781470U (zh) 用于制作化学气相沉积生长多晶硅的硅芯专用切割设备
US20160348271A1 (en) Integrated System of Silicon Casting and Float Zone Crystallization
CN101597787A (zh) 在氮气下铸造氮浓度可控的掺氮单晶硅的方法
CN202063730U (zh) 一种电子束及渣滤熔炼提纯多晶硅的设备
CN202226676U (zh) 一种定向凝固及渣滤熔炼提纯多晶硅的设备
CN108789887A (zh) 一种整体十字型硅芯切割方法
CN102408112A (zh) 一种高纯硅衬底下电子束熔炼提纯多晶硅的方法及设备
CN102107874B (zh) 一种低温去除硅中硼磷的方法
Geerligs et al. solar-grade silicon by a direct route based on carbothermic reduction of silica: requirements and production technology.
JP2006036628A (ja) 多結晶シリコンの製造方法およびその製造方法によって製造される太陽光発電用多結晶シリコン

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: 655011 Sanjiang Avenue, Qujing economic and Technological Development Zone, Yunnan 9

Patentee after: Yunnan metallurgical cloud core silicon material Limited by Share Ltd

Address before: 655011 Yunnan Qujing economic and Technological Development Zone Nanhai New Area

Patentee before: Kunming Yeyan New Material Co., Ltd.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20150107

Termination date: 20190731