CN102810458A - Wsi线性颗粒的解决方法 - Google Patents

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吕淑瑞
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Abstract

本发明提供一种消除WSI线形颗粒的解决方法,首先将圆片放入酸槽的酸液中,酸液的成份为HF∶H2O=1∶50并且酸液处于循环状态;其次,每隔20s提起圆片一次,让循环的酸液充分带走颗粒;然后,再次将圆片放入酸液内,这样N个循环(N>1)后将圆片冲水且甩干。本方法能完全消除WSI线形颗粒,从而防止多晶硅蚀刻后残留产生。

Description

WSI线性颗粒的解决方法
技术领域
[0001] 本发明涉及半导体生产工艺技术领域,尤其涉及一种WSI (硅化钨)线性颗粒的解决方法。
背景技术
[0002] 目前使用的WSI-DEP (硅化钨蚀刻)前的湿法清洗菜单,会带来线性颗粒,导致WSI-DEP后出现线性WSI鼓包,进而在多晶硅蚀刻后出现多晶硅残留现象。现有工艺为圆片在酸槽(酸液成份为HF : H20 = I : 50)中清洗1800S,然后冲水并甩干,但WSI淀积后发现圆片出现严重的线性颗粒问题。
[0003] 若将原来的清洗时间降低到60S,同时将清洗前一步的等待时间限制在6小时以内,其他条件不变,同样能达到工艺要求,并且发现线形颗粒问题有所改善,但该问题未能彻底解决,因为仍然有程度较轻的线形颗粒出现。
[0004] 为了解决上述问题,很有必要提供一种改进的WSI线性颗粒的解决方法。
发明内容
[0005] 针对现有技术的不足,本发明的目的是提供一种能消除WSI线形颗粒的解决方法。
[0006] 本发明的目的通过提供以下技术方案实现:一种消除WSI线形颗粒的解决方法,其特征在于:首先将圆片放入酸槽的酸液中,酸液的成份为HF : H20 = I : 50并且酸液处于循环状态;其次,每隔20S提起圆片一次,让循环的酸液充分带走颗粒;然后,再次将圆片放入酸液内,这样N个循环(N> I)后将圆片冲水且甩干。
[0007] 进一步地,N = 3时工艺效果最佳。
[0008] 再进一步地,每次提起圆片时可以加入冲水及甩干流程。
[0009] 再进一步地,整个流程为自动完成。
[0010] 与现有技术相比,本发明的有益效果是:本方法能完全消除WSI线形颗粒,从而防止多晶娃蚀刻后残留广生。
具体实施方式
[0011] 以下用优选实施方式来说明本发明的实现过程和本质内容所在。
[0012] 为了消除WSI线形颗粒,首先保证酸槽中的酸液成份为HF : H20 = I : 50,并且酸液处于循环状态。其次将圆片放入酸槽的酸液内,每隔20S圆片被提起一次,使酸液循环更加充分地带走颗粒;圆片再次放入酸液内,这样N个循环(N> I)后圆片冲水且甩干,圆片既可以达到蚀刻的工艺目的,又能减少颗粒黏附在圆片上。经过多次实验后发现,当N =3时,工艺效果最佳且能完全消除WSI线形颗粒,从而防止多晶硅蚀刻后残留产生。为了更好地提高生产效率,在目前的清洗设备中可以增加自动作业功能,让整个流程自动完成。
[0013] 当然,圆片每次被提起的时候也可以马上进行冲水和甩干流程,同样可以达到消除WSI线形颗粒的效果。
[0014] 尽管为示例目的,已经公开了本发明的优选实施方式,但是本领域的普通技术人员将意识到,在不脱离由所附的权利要求书公开的本发明的范围和精神的情况下,各种改进、增加以及取代是可能的。

Claims (4)

1. 一种消除WSI线形颗粒的解决方法,其特征在于:首先将圆片放入酸槽的酸液中,酸液的成份为HF : H20 = I : 50并且酸液处于循环状态;其次,每隔20S提起圆片一次,让循环的酸液充分带走颗粒;然后,再次将圆片放入酸液内,这样N个循环(N> I)后将圆片冲水且甩干。
2.如权利要求I所述的消除WSI线形颗粒的解决方法,其特征在于:N = 3时工艺效果最佳。
3.如权利要求I所述的消除WSI线形颗粒的解决方法,其特征在于:每次提起圆片时可以加入冲水及甩干流程。
4.如权利要求I至3中任一项所述的消除WSI线形颗粒的解决方法,其特征在于:整个流程为自动完成。
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