CN102810399A - 多层陶瓷电容器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种多层陶瓷电容器。所述电容器包括:多层体,具有介电层;第一内部电极和第二内部电极,设置在多层体中,介电层介于第一内部电极和第二内部电极之间,其中,在沿着多层体的宽度-厚度方向截取的截面中,平移部分被限定为相邻的第一内部电极和第二内部电极彼此不叠置的部分,其中,平移部分的宽度t1与介电层的厚度td的比率t1/td为1至10。
Description
本申请要求于2011年5月31日在韩国知识产权局提交的第10-2011-0052509号韩国专利申请的优先权,该申请的内容通过引用结合于此。
技术领域
本发明涉及一种多层陶瓷电容器,更具体地讲,涉及一种可靠性优异并且即使在高压情况下也能够经受住绝缘击穿的大容量多层陶瓷电容器。
背景技术
通常,使用陶瓷材料制成的电子组件,例如,电容器、感应器、压电装置、变阻器、热敏电阻等通常具有:陶瓷体,由陶瓷材料制成;内部电极,设置在陶瓷体中;外部电极(即,端子电极(termination el ectrode)),放置在陶瓷体的表面上,以连接到对应的内部电极。
在陶瓷电子组件中,多层陶瓷电容器具有有利的特点,例如,尺寸小但容量大、易于安装等,因此,被广泛用作移动通信设备(例如,计算机、PDA、移动电话等)的组件。
近年来,随着朝着小尺寸多功能的电子产品发展的趋势,电子部件朝着具有更小的尺寸和更好的性能的趋势发展。相应地,需要具有大容量且尺寸小的大容量多层陶瓷电容器。因此,目前正在制造这样的多层陶瓷电容器,其中,内部电极和介电层的厚度减小,从而介电层和内部电极被高度多层化。
然而,随着介电层的厚度减小以及多层的介电层的数量增加,内部电极形成在其上的有效容量部分与内部电极不形成在其上的边缘部分之间的密度差明显增加。结果,边缘部分会被分层或者裂开,使得镀覆溶液(platingsolution)渗入边缘部分中,从而会使得多层陶瓷电容器的可靠性降低。
同时,在介电层的厚度减小从而每单位厚度的电压增加的情况下,即使当将低电压施加给介电层,也可能使介电层发生介电击穿。
具体地讲,由于内部电极在压缩期间延伸,所以当沿着宽度和厚度方向观看电容器的截面时,内部电极的沿着宽度方向的两端可具有楔形形状,从而在所述两端的电场强度会由于切口效应(notch effect)而显著增加。此外,在相邻的内部电极的所述端部,高的电场强度沿着层压方向叠加,从而容易发生介电击穿。因此,大容量多层陶瓷电容器在开发及小型化方面受到限制。
发明内容
本发明一方面提供一种可靠性高的多层陶瓷电容器,所述多层陶瓷电容器能够实现小型化,并且容量增加,此外,即使在高压情况下,所述多层陶瓷电容器也能够不发生绝缘击穿。
根据本发明的一方面,提供一种多层陶瓷电容器,所述电容器包括:多层体,具有介电层;第一内部电极和第二内部电极,设置在多层体中,介电层介于第一内部电极和第二内部电极之间,其中,在沿着多层体的宽度-厚度方向截取的截面中,第一内部电极和第二内部电极沿着宽度方向平移,平移部分被限定为相邻的第一内部电极和第二内部电极彼此不叠置的部分,其中,平移部分的宽度t1与介电层的厚度td的比率t1/td为1至10。
宽度t1可被限定为平移部分的最小宽度,介电层的厚度td被限定为介电层的平均厚度。
介电层的厚度td可以为0.65μm或者更小。
第二内部电极相对于第一内部电极可沿着宽度方向向左和向右交替地平移。
最小宽度t1的范围可以为0.8μm至5.8μm。
多层陶瓷电容器长度和宽度可分别为0.6±0.09mm和0.3±0.09mm。
200个或者更多个介电层可被层压。
根据本发明的另一方面,提供一种多层陶瓷电容器,所述电容器包括:多层体,具有第一侧和第二侧;第一内部电极和第二内部电极,设置在多层体中,第一内部电极和第二内部电极分别具有暴露到第一侧和第二侧的端部;介电层,设置在第一内部电极和第二内部电极之间,并且介电层的厚度td为0.65μm或者更小,其中,在多层体的宽度-厚度的截面中,平移部分的最小宽度t1与介电层的平均厚度td的比率t1/td为1至10,其中,平移部分被限定为相邻的第一内部电极和第二内部电极彼此不叠置而平移的部分。
介电层的厚度td可以是被设置为彼此相邻的第一内部电极和第二内部电极之间的距离。
第二内部电极相对于第一内部电极可沿着宽度方向向左和向右交替地平移。
最小宽度t1的范围可以为0.8μm至5.8μm。
多层陶瓷电容器长度和宽度可分别为0.6±0.09mm和0.3±0.09mm。
200个或者更多个介电层可被层压。
根据本发明的另一方面,提供一种多层陶瓷电容器,所述电容器包括:多层体,具有第一侧和第二侧;第一内部电极和第二内部电极,设置在多层体中,第一内部电极和第二内部电极分别具有暴露到第一侧和第二侧的端部,其中,在多层体的基本上垂直于多层体的第一方向的截面中,平移部分的宽度t1与被设置为彼此相邻的第一内部电极和第二内部电极之间的距离td的比率t1/td为1至10,其中,平移部分为被设置为彼此相邻的第一内部电极和第二内部电极沿着基本上垂直于第一方向的第二方向彼此平移的部分。
被设置为彼此相邻的第一内部电极和第二内部电极之间的距离td可以为0.65μm或者更小。
第二内部电极相对于第一内部电极可沿着宽度方向向左和向右交替地平移。
平移部分的宽度t1的范围可以为0.8μm至5.8μm。
宽度t1可被限定为平移部分的最小宽度。
多层陶瓷电容器长度和宽度可分别为0.6±0.09mm和0.3±0.09mm。
200个或者更多个介电层可被层压。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述,本发明的上述和其他方面、特点和其他优点将会被更清楚地理解,其中:
图1是示出根据本发明的实施例的多层陶瓷电容器的外部的透视图;
图2是在图1中示出的根据本发明的实施例的多层陶瓷电容器沿着A-A′方向截取的截面图;
图3是在图1中示出的根据本发明的实施例的多层陶瓷电容器沿着B-B′方向截取的截面图;
图4是在图3中示出的C部分的放大图。
具体实施方式
以下,将参照附图详细地描述本发明的优选实施例。然而,可对上述实施例进行各种变型,并且本发明的范围不限于下面描述的实施例。为了充分解释本发明,提供这些实施例以使本领域普通技术人员更清楚地理解本发明。
此外,为了清楚起见,在附图中示出的各个元件的形状和/或尺寸可被放大,并且在所有附图中,相同的标号指示基本上具有相同的构造或者执行相似功能和作用的元件。
图1是示出根据本发明的实施例的多层陶瓷电容器的外部的透视图。图2是在图1中示出的根据本发明的实施例的多层陶瓷电容器沿着A-A′方向截取的截面图。图3是在图1中示出的根据本发明的实施例的多层陶瓷电容器沿着B-B′方向截取的截面图。图4是在图3中示出的C部分的放大图。
参照图1至图3,根据本实施例的多层陶瓷电容器100可包括多层体110和外部电极130。
多层体110可具有矩形平行六面体形状。在本发明的实施例中,沿着层压方向的表面分别被限定为顶面Tf和底面Bf,沿着长度方向的表面分别被限定为第一短面Sf1和第二短面Sf2,沿着宽度方向的表面分别被限定为第一长面Lf1和第二长面Lf2。
同时,针对本发明的实施例中的多层陶瓷电容器,‘长度方向’可被限定为在图1中示出的‘L’方向,类似地,‘宽度方向’可被限定为‘W’方向,‘厚度方向’可被限定为‘T’方向。这里,‘厚度方向’可具有与层叠的介电层的方向(即,‘层压方向’)的概念相同的概念。然而,在内部电极沿着水平方向被层压的情况下,上面描述的‘宽度方向’和‘厚度方向’可被彼此颠倒。此外,上面描述的‘长度方向’、‘宽度方向’和‘厚度方向’也可被限定为相互垂直的第一方向、第二方向和第三方向,而与它们的顺序无关。
可通过沿着厚度方向T层压多个介电层而形成多层体110。组成多层体110的多个介电层可被烧制,并且一体地一起形成,使得相邻的介电层之间的边界不可区分。
每个介电层可由具有高的介电常数的陶瓷粉末形成,这里使用的陶瓷粉末可包括,但不限于,钛酸钡(BaTiO3)粉末、钛酸锶(SrTiO3)粉末等。
在本发明的实施例中,在烧制陶瓷粉末以形成介电层之后,多个介电层中的一个可具有0.65μm或者更小的平均厚度。
在本发明的实施例中,每个介电层的厚度可指设置在内部电极121和122之间的介电层的平均厚度。如图4所示,可通过利用扫描电子显微镜(SEM)沿着多层体110的长度方向对截面进行图像扫描来测量介电层的平均厚度。例如,可通过从通过利用SEM(放大10000倍)对在多层体110的沿着长度方向的中部在宽度-厚度方向(W-T)上截取的截面进行扫描而获得的介电层的提取的图像在沿着介电层的宽度W方向的30个位置测量介电层的厚度,然后对测量的厚度值取平均值而获得平均厚度,所述30个位置按照等间隔布置。所述等间隔布置的30个位置可基于容量形成部分而被确定,所述容量形成部分指第一内部电极121和第二内部电极122叠置的区域。此外,在针对10个或者更多个介电层进行平均值的测量的情况下,每个介电层的平均厚度可更加具有普适性。
此外,介电层的厚度可被限定为相邻的内部电极121和122的之间的平均距离。例如,可从通过扫描内部电极121和122的中部获得的图像,在沿着内部电极的宽度方向按照等间隔布置的30个位置测量相邻的内部电极121和122之间的距离,从而可计算相邻的内部电极121和122之间的平均距离。此外,当针对10对或者更多对内部电极进行平均距离的测量时,相邻的内部电极之间的平均距离可更加具有普适性。
在多层体110中可设置多个内部电极120。内部电极120可置于介电层上并被布置成在介电层的层压方向上彼此面对,同时介电层通过烧制而设置在内部电极之间。
多个内部电极120可由导电金属,例如,镍或者镍合金形成。镍合金除包含镍之外,还可包含锰、铬、钴或者铝。可通过将含有金属粉末(例如,镍等)的导电膏按照预定图案印制在生陶瓷片(ceramic green sheet)的表面上而制造内部电极120。每个内部电极120的厚度可以是0.7μm或者更小,但是并不特别局限于此。
根据本发明的实施例,可层压200个或者更多个介电层,或者500个或者更多个介电层,在每个介电层上设置有内部电极。
多个内部电极120可包括极性相反的多个第一内部电极121和多个第二内部电极122。每个第一内部电极121和每个第二内部电极122可被层压成在层压方向上彼此面对,同时使得介电层设置在第一内部电极121和第二内部电极122之间。
多个第一内部电极121可具有暴露到多层体110的第一短面Sf1的一端,而多个第二内部电极122可具有在长度方向上与第一内部电极121的暴露端相对的一端,并暴露到第二短面Sf2。
暴露到第一短面Sf1的多个第一内部电极121的一端可连接到第一外部电极131,而暴露到第二短面Sf2的多个第二内部电极122的一端可连接到第二外部电极132。
如图3和图4中所示,当从沿着根据本发明的实施例的多层体110的宽度-厚度方向(W-T)的截面观看时,多个第一内部电极121和多个第二内部电极122可沿着宽度方向平移。即,相邻的第一内部电极121和第二内部电极122的一部分彼此叠置,而相邻的第一内部电极121和第二内部电极122的其它部分彼此不叠置。以下,叠置部分被限定为相邻的第一内部电极121和第二内部电极122彼此叠置的部分,平移部分被限定为相邻的第一内部电极121和第二内部电极122彼此不叠置的部分(即,相邻的第一内部电极121和第二内部电极122彼此平移的部分)。
具体地讲,参照图4,在宽度-厚度方向(W-T)的截面中,限定了如图4所示的介电层的厚度td、第一内部电极121和第二内部电极122的叠置部分的宽度t2以及平移部分的宽度t1,如图4所示。介电层的厚度td可被限定为介电层的平均厚度。
根据本发明的实施例,沿着宽度-厚度方向(W-T)的截面可指在多层体110的沿着长度方向(L)的中部基本上垂直地截取的截面。沿着宽度-厚度方向(W-T)的截面可基本上垂直于多层体110的长度方向。
第一内部电极121可包括第一平移部分121a和第二平移部分121b,第一平移部分121a相对于与第一内部电极121相邻的第二内部电极122沿着宽度方向平移,同时,介电层设置在第一内部电极121和第二内部电极122之间,第一叠置部分121b与第二内部电极122叠置。类似地,第二内部电极122可包括第二平移部分122a和第二叠置部分122b,第二平移部分122a相对于与第二内部电极122相邻的第一内部电极121沿着宽度方向平移,同时,介电层设置在第一内部电极121和第二内部电极122之间,第二叠置部分122b与第一内部电极121叠置。
根据本发明的实施例,第一平移部分121a和第二平移部分122a的宽度t1可被设置为0.8μm至5.8μm,因此,改善了击穿电压(BDV)特性,并防止高温加速(high temperature acceleration)以及防潮性能变差。根据本发明的实施,平移部分的宽度t1可以是通过平移相邻的第一内部电极121和第二内部电极122而形成的平移部分的最小宽度t1。
为此,在厚度方向上彼此相邻的第一内部电极121和第二内部电极122具有沿着内部电极的长度方向延伸的横侧部,所述横侧部彼此不叠置,其中,介电层设置在第一内部电极121和第二内部电极122之间。结果,会抑制横侧部的电场集中。即,对于第一内部电极121和第二内部电极122的沿着宽度方向的叠置部分,第一内部电极121的横侧部可沿着宽度方向在一个边缘与第二内部电极122的一个面叠置,而第二内部电极122的横侧部可沿着宽度方向在另一个边缘与第一内部电极121的一个面叠置。
根据实施例,第一内部电极121固定在适当的位置,而第二内部电极122可相对于第一内部电极121沿着宽度方向交替地左右平移。然而,本发明不具体局限于此,根据设计条件,第一内部电极和第二内部电极可按照多种平移方式被布置。例如,(1)第一内部电极固定在适当的位置,而第二内部电极可沿着第一内部电极在向右方向或者向左方向上平移;(2)在将第一内部电极和第二内部电极层叠成层压组之后,第一组沿着层压方向从顶侧到底侧朝着左侧平移,而第二组沿着层压方向从顶侧到底侧朝着右侧平移;(3)内部电极每两个相邻的电极在左侧和右侧上交替地平移,或者也可应用其他各种变型。
第一平移部分121a和第二平移部分122a的最小宽度t1与介电层的平均厚度td的比率(t1/td)的范围可以在1至10之间。如果t1/td小于1,则当从沿着宽度-厚度方向(W-T)的截面观看时,第一内部电极和第二内部电极沿着宽度方向的端部之间的距离会相对较小。结果,电场强度会增加,导致BDV特性变差,从而在高温加速测试中NG率增加。此外,由于边缘部分(边缘部分中不存在内部电极)和叠置部分之间的密度差大,所以在防潮性能测试中NG率会增加。
另一方面,当t1/td超过10时,第一内部电极和第二内部电极之间的叠置部分的面积减小,从而使得容量减小。此外,平移部分的宽度增加,导致边缘部分的宽度减小,最终使得切割故障率增加。
外部电极130可包括形成在多层体110的相对的两侧的第一外部电极131和第二外部电极132。如图1中所示,第一外部电极131可被设置成覆盖多层体110的第一短面Sf1,而第二外部电极132可被设置成覆盖第二短面Sf2。
根据实施例,虽然第一外部电极131和第二外部电极132可形成为覆盖多层体110的两个短面,但是本发明不限于此。可选地,第一外部电极131和第二外部电极132可被设置成覆盖多层体110的两个长面Lf1和Lf2。
第一外部电极131和第二外部电极132可彼此电绝缘。第一外部电极131可电连接到第一内部电极121的暴露到多层体110的第一短面Sf1的一端,而第二外部电极132可电连接到第二内部电极122的暴露到第二短面Sf2的一端,所述第二短面Sf2在长度方向上与多层体110的第一短面Sf1相对。如上所述制造的外部电极130可用作外部端子。
可使用铜(Cu)或者铜合金等来形成外部电极130。
以下,将参照下面的发明的示例和对比示例来详细描述本发明,然而,本发明的范围不限于此。
[示例]
根据本发明的实施例的多层陶瓷电容器按照以下方法被制造。
在包含粉末(例如,钛酸钡(BaTiO3))的浆被施加到载体膜上并且干燥以制备出多个生陶瓷片之后,使用这些片形成介电层,其中,每个生陶瓷片的厚度为1.25μm、1.1μm和0.95μm。
接着,制备用于内部电极的包含平均尺寸为0.05μm至0.2μm的镍颗粒的导电膏。通过利用丝网印刷将制备的用于内部电极的导电膏施加在每个生陶瓷片而形成内部电极。层叠230层(这是个示例)的内部电极以制造层压陶瓷(ceramic laminate)。在层压期间,为了改变内部电极的平移程度,平移部分的宽度在0μm至10μm范围内被变化,接着,进行层压。
在压强条件为1000kgf/cm2温度为85°C的情况下,使得制备的层压陶瓷均衡受压。
在对层压陶瓷进行压缩之后,将其切割成单独的片。被切割的片在大气中按照230°C保持60个小时,以进行脱脂(debinding)。之后,在还原气氛中以及氧分压(oxygen partial pressure)为10-11atm至10-10atm的情况下按照1200°C执行烧制,以防止内部电极氧化,其中,所述氧分压低于Ni/NiO均衡氧分压。在烧制之后,介电层的平均厚度分别为0.85μm、0.65μm和0.55μm,而内部电极的平均厚度为0.65μm。每个烧制的片的尺寸满足下面的尺寸:(0.6±0.09mm)×(0.3±0.09mm)×(0.3±0.09mm),即(L×W×T)。
接着,上述制备的片经历外部电极的设置,镀覆等,从而制造成多层陶瓷电容器。
根据内部电极中平移部分的宽度,多种多层陶瓷电容器样本被制造。
下面的表1示出了根据内部电极中平移部分的宽度的多种多层陶瓷电容器的电特性比较结果,具体地讲,所述电特性指BDV特性、静电容量、切割故障率、高温加速测试中的NG率和防潮性能测试中的NG率。
[表1]
(*)指示对比示例。
t1:内部电极中平移部分的最小宽度,td:一个介电层的平均厚度。
从表1可以看出,切割故障率被表示为在切割部分测试(cut sectiontest)完成之后,每个测试范例的1000个样本中的样本的百分比。通过施加10V/sec的比率的DC电压来评估绝缘击穿电压(BDV)特性。高温加速测试中的NG率被表示为在每个测试范例的400个样本中的在135°C的条件下施加9.45V DC电压之后在48小时内呈现出绝缘电阻降低到104Ω或者更小的样本的百分比。类似地,防潮性能测试中的NG率被表示为在每个测试范例的400个样本中的在40°C的条件下施加6.3V DC电压之后在100小时内呈现出绝缘电阻降低到104Ω或者更小的样本的百分比。
从表1可以看出,第1至第8个样本中每个样本的介电层的平均厚度td为0.85μm,第9至第16个样本中每个样本的介电层的平均厚度td为0.65μm。此外,对于第17至第24个样本,介电层的(平均)厚度td为0.55μm。
参照表1,在介电层的平均厚度td超过0.65μm的情况下,可以看出,BDV特性、高温加速特性和防潮性能良好,而与内部电极的平移部分的最小宽度t1与介电层的平均厚度td的比率(t1/td)无关。
另一方面,如果介电层的平均厚度td为0.65μm或者更小,则证实取决于内部电极的平移部分的最小宽度t1与介电层的平均厚度td的比率(t1/td)的BDV特性、高温加速特性和防潮性能变差。
简言之,可被理解为t1/td为1至10的第11至第13以及第19至第21个样本展示出良好的BDV特性,并且高温加速特性和防潮性能没有变差。可以认为出现上述情况的可能的原因是:由于上内部电极和下内部电极被层压,并且在上内部电极和下内部电极之间在上述范围内形成有平移部分,所以上内部电极的边缘和下内部电极的边缘之间的距离相对增加,从而有利地影响了上述特性,同时,边缘部分和叠置部分之间的密度差减小,从而带来了有益的效果。
此外,对于t1/td小于1的第9、第10和第17个样本,当观看电容器的宽度-厚度方向的截面时,由于上内部电极的边缘和下内部电极的边缘之间在宽度方向上的距离相对较小,所以电场强度增加,因此,导致BDV特性变差,从而显示出高温加速测试中的NG率高。另外,边缘部分和叠置部分之间的密度差大,从而显示出呈现为由于结构缺陷导致防潮性能测试中的NG率高。
此外,对于t1/td大于10的第14、第16以及第23至第25个样本,由于平移部分的宽度增加,所以边缘部分的宽度减小。结果,由于镀覆溶液的渗入,裂开情况增加,导致防潮性能变差。
因此,根据本发明的示例,可以认为其特征是可获得可靠性高并具有各种优点(例如改善的BDV特性、高容量、高温加速测试和防潮性能测试没有变差)的多层陶瓷电容器。
如上所述,根据本发明的多层陶瓷电容器可实现尺寸减小,容量增加,同时即使电压高也不会出现绝缘击穿,从而能够使可靠性提高。
虽然已结合实施例示出和描述了本发明,但本领域技术人员应该清楚,在不脱离由权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下,可以进行修改和变化。
Claims (20)
1.一种多层陶瓷电容器,包括:
多层体,具有介电层;
第一内部电极和第二内部电极,设置在多层体中,介电层介于第一内部电极和第二内部电极之间,
其中,在沿着多层体的宽度-厚度方向截取的截面中,第一内部电极和第二内部电极沿着宽度方向平移,平移部分被限定为相邻的第一内部电极和第二内部电极彼此不叠置的部分,
其中,平移部分的宽度t1与介电层的厚度td的比率t1/td为1至10。
2.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其中,宽度t1被限定为平移部分的最小宽度,介电层的厚度td被限定为介电层的平均厚度。
3.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其中,介电层的厚度td为0.65μm或者更小。
4.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其中,第二内部电极相对于第一内部电极沿着宽度方向向左和向右交替地平移。
5.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其中,宽度t1的范围为0.8μm至5.8μm。
6.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其中,多层陶瓷电容器长度和宽度分别为0.6±0.09mm和0.3±0.09mm。
7.如权利要求6所述的多层陶瓷电容器,其中,200个或者更多个介电层被层压。
8.一种多层陶瓷电容器,包括:
多层体,具有第一侧和第二侧;
第一内部电极和第二内部电极,设置在多层体中,第一内部电极和第二内部电极分别具有暴露到第一侧和第二侧的端部;
介电层,设置在第一内部电极和第二内部电极之间,并且介电层的厚度td为0.65μm或者更小,
其中,在多层体的宽度-厚度的截面中,平移部分的最小宽度t1与介电层的平均厚度td的比率t1/td为1至10,
其中,平移部分被限定为相邻的第一内部电极和第二内部电极彼此不叠置而平移的部分。
9.如权利要求8所述的多层陶瓷电容器,其中,介电层的厚度td是被设置为彼此相邻的第一内部电极和第二内部电极之间的距离。
10.如权利要求8所述的多层陶瓷电容器,其中,第二内部电极相对于第一内部电极沿着宽度方向向左和向右交替地平移。
11.如权利要求8所述的多层陶瓷电容器,其中,最小宽度t1的范围为0.8μm至5.8μm。
12.如权利要求8所述的多层陶瓷电容器,其中,多层陶瓷电容器长度和宽度分别为0.6±0.09mm和0.3±0.09mm。
13.如权利要求12所述的多层陶瓷电容器,其中,200个或者更多个介电层被层压。
14.一种多层陶瓷电容器,包括:
多层体,具有第一侧和第二侧;
第一内部电极和第二内部电极,设置在多层体中,第一内部电极和第二内部电极分别具有暴露到第一侧和第二侧的端部,
其中,在多层体的基本上垂直于多层体的第一方向的截面中,平移部分的宽度t1与被设置为彼此相邻的第一内部电极和第二内部电极之间的距离td的比率t1/td为1至10,其中,平移部分为被设置为彼此相邻的第一内部电极和第二内部电极沿着基本上垂直于第一方向的第二方向彼此平移的部分。
15.如权利要求14所述的多层陶瓷电容器,其中,被设置为彼此相邻的第一内部电极和第二内部电极之间的距离td为0.65μm或者更小。
16.如权利要求14所述的多层陶瓷电容器,其中,第二内部电极相对于第一内部电极沿着宽度方向向左和向右交替地平移。
17.如权利要求14所述的多层陶瓷电容器,其中,平移部分的宽度t1的范围为0.8μm至5.8μm。
18.如权利要求14所述的多层陶瓷电容器,其中,宽度t1被限定为平移部分的最小宽度。
19.如权利要求14所述的多层陶瓷电容器,其中,多层陶瓷电容器长度和宽度分别为0.6±0.09mm和0.3±0.09mm。
20.如权利要求19所述的多层陶瓷电容器,其中,200个或者更多个介电层被层压。
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