CN102780457A - 低噪声放大器 - Google Patents

低噪声放大器 Download PDF

Info

Publication number
CN102780457A
CN102780457A CN2011101204708A CN201110120470A CN102780457A CN 102780457 A CN102780457 A CN 102780457A CN 2011101204708 A CN2011101204708 A CN 2011101204708A CN 201110120470 A CN201110120470 A CN 201110120470A CN 102780457 A CN102780457 A CN 102780457A
Authority
CN
China
Prior art keywords
capacitor
amplifier
electric capacity
inductance
low noise
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011101204708A
Other languages
English (en)
Inventor
马和良
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huahong Integrated Circuit Co Ltd
Original Assignee
Shanghai Huahong Integrated Circuit Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huahong Integrated Circuit Co Ltd filed Critical Shanghai Huahong Integrated Circuit Co Ltd
Priority to CN2011101204708A priority Critical patent/CN102780457A/zh
Publication of CN102780457A publication Critical patent/CN102780457A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

本发明公开了一种低噪声放大器,包括:第一NMOS管,其源极与第一电容的一端和第一电感的一端相连接,第一电容另一端作为所述放大器的射频输入端;其漏极与第二电感一端和第三电容一端相连接,所述第二电感另一端与第二NMOS管的源极和第二电容一端相连接;所述第一电感的另一端和第二电容另一端接地;所述第二NMOS管的栅极连接第三电感一端,所述第三电感另一端与所述第三电容另一端、电阻一端、第四电容一端相连接;其漏极与第五电容一端、第一PMOS管的源极和电阻另一端相连接,第五电容另一端作为所述放大器的射频输出端;所述第一PMOS管的栅极与所述第四电容的另一端相连接,其漏极连接电源。本发明提供的放大器能降低功耗,提高性能。

Description

低噪声放大器
技术领域
[0001] 本发明涉及一种无线通信领域的低噪声放大器,特别是涉及一种电流复用型低噪声放大器。
背景技术
[0002] 近些年随着无线通讯技术的发展,对接收和发射模块的性能提出了更高的要求,更加的关注电路的功耗和成本以及性能指标。低噪声放大器作为无线通讯中的重要模块,其特性也决定着整个接收模块的性能,比如灵敏度等。低噪声放大器要求具有较低噪声系 数的同时又能提供一定的增益,从而来抑制混频器等后续模块的噪声,从而最终提高灵敏度。传统的低噪声放大器中,增益都是固定的,而有些系统则需要增益可调的模式。例如在RFID (无线射频识别)系统应用中,则要求有监听模式和读模式,对于读模式,灵敏度要求相对较低,而对于监听模式,则要求更高的灵敏度。
[0003] 描述低噪声放大器的性能的主要参数有:电压增益、输入损耗、输出损耗、反向隔离度、线性度和噪声。由于这些参数是相互关联、相互制约的,因此采用何种折衷方案来提高低噪声放大器的整体性能成了设计的主要难点。如图I所示,一种现有低噪声放大器是共栅放大器,具有较好的输入匹配,构成了放大器的第一级,第二级采用反相器,提高了整体的增益和降低了噪声系数,但是功耗相对较大。
发明内容
[0004] 本发明要解决的技术问题是提供一种电流复用型低噪声放大器,能够降低放大器的功耗,提闻放大器的性能。
[0005] 为解决上述技术问题,本发明的低噪声放大器,包括:
[0006] 第一 NMOS (N沟道金属氧化物半导体)场效应晶体管,其源极与第一电容的一端和第一电感的一端相连接,第一电容的另一端作为所述放大器的射频输入端;其漏极与第二电感的一端和第三电容的一端相连接,所述第二电感的另一端与第二 NMOS管的源极和第二电容的一端相连接;所述第一电感的另一端和第二电容的另一端接地;
[0007] 所述第二 NMOS管的栅极连接第三电感的一端,所述第三电感的另一端与所述第三电容的另一端、电阻的一端、第四电容的一端相连接;其漏极与第五电容的一端、第一PMOS(P沟道金属氧化物半导体)场效应晶体管的源极和电阻的另一端相连接,第五电容的另一端作为所述放大器的射频输出端;
[0008] 所述第一 PMOS管的栅极与所述第四电容的另一端相连接,其漏极连接电源。
[0009] 本发明的低噪声放大器在电路最顶端形成了一个反向电路,在不消耗电流的情况下增加等效总跨导,降低了放大器的功耗,提高了放大器的性能。
附图说明
[0010] 下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明:[0011] 图I是一种现有的低噪声放大器示意图。
[0012] 图2是本发明一实施例的示意图。
[0013] 图中标记说明
[0014] RFin是输入端 RFwt是输出端
[0015] Cin是第一电容 C2是第二电容
[0016] C3是第三电容 C4是第四电容
[0017] Cwt是第五电容
[0018] M1 第一 NMOS 管 M2 是第二 NMOS 管 [0019] M3 第一 PMOS 管
[0020] Ls是第一电感 Ld是第二电感
[0021] Lg是第三电感
[0022] VDD是电源电压 R1是电阻。
具体实施方式
[0023] 如图2所示,在一实施例中所述低噪声放大器,包括:
[0024] 第一 NMOS管M1,其源极连接第一电容Cin的一端,该第一电容Cin的另一端作为所述放大器的射频输入端RFin ;其漏极连接第二电感Ld的一端,第二电感Ld的另一端连接第二匪05管仏的源极。第一匪05管乂的栅极接一偏置电压,保证晶体管正常在饱和状态。
[0025] 第二 NMOS管M2,其源极连接第二电容C2的一端,该第二电容C2的另一端接地;其栅极连接第三电感Lg的一端;其漏极连接第五电容Ctjut的一端,第五电容Crat的另一端作为所述放大器的射频输出端RF-。
[0026] 第一 PMOS管M3,其源极所述第二 NMOS管M2的漏极相连接,其栅极连接第四电容C4的一端,其漏极连接电源VDD,所述第四电容C4的另一端与所述第三电感C3的另一端、电阻R1的一端和第三电容C3的一端相连接。所述电阻R1的另一端连接第五电容Cwt。所述第三电容C3的另一端连接所述第一 NMOS管M1的漏极。
[0027] 第一电感Lg,其一端连接第一 NMOS管M1的源极,另一端接地。
[0028] 在上述低噪声放大器中,第一 NMOS管M1构成第一级放大器;第一电感Ls和第一电容Cin构成输入匹配电路,实现较好的输入匹配。第二 NMOS管M2和第一 PMOS管M3构成放大器的第二级,提高电路的等效输入跨导,实现了高增益和低噪声系数。电阻R1为反馈电阻,提供更好的宽带特性。第一电感Ls为源极负反馈电感,有利于匹配和降低噪声系数。第二电感Ld为负载电感,使直流电流顺利流过第一级放大器,阻止交流信号通过此电感直接进入第二级放大器。第三电容C3为耦合电容,使得第一级放大器的交流信号通过此电容进入第二级放大器。第三电感Lg和第四电容C4并联后与第二级放大器的输入串联,使高频处的增益更加平坦。本发明在电路最顶端形成了一个反向电路,在不消耗电流的情况下增加等效总跨导,降低低噪声放大器的功耗。
[0029] 以上通过具体实施方式和实施例对本发明进行了详细的说明,但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下,本领域的技术人员还可做出许多变形和改进,这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (1)

1. 一种低噪声放大器,其特征是,包括: 第一 NMOS管,其源极与第一电容的一端和第一电感的一端相连接,第一电容的另一端作为所述放大器的射频输入端;其漏极与第二电感的一端和第三电容的一端相连接,所述第二电感的另一端与第二 NMOS管的源极和第二电容的一端相连接;所述第一电感的另一端和第二电容的另一端接地; 所述第二 NMOS管的栅极连接第三电感的一端,所述第三电感的另一端与所述第三电容的另一端、电阻的一端、第四电容的一端相连接;其漏极与第五电容的一端、第一 PMOS管的源极和电阻的另一端相连接,第五电容的另一端作为所述放大器的射频输出端; 所述第一 PMOS管的栅极与所述第四电容的另一端相连接,其漏极连接电源。
CN2011101204708A 2011-05-11 2011-05-11 低噪声放大器 Pending CN102780457A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011101204708A CN102780457A (zh) 2011-05-11 2011-05-11 低噪声放大器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011101204708A CN102780457A (zh) 2011-05-11 2011-05-11 低噪声放大器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102780457A true CN102780457A (zh) 2012-11-14

Family

ID=47125243

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011101204708A Pending CN102780457A (zh) 2011-05-11 2011-05-11 低噪声放大器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102780457A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103051291A (zh) * 2012-12-31 2013-04-17 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 级间匹配可调的cmos超宽带低噪声放大器电路
CN104734642A (zh) * 2013-12-18 2015-06-24 上海华虹宏力半导体制造有限公司 电流复用低噪声放大器
CN105680802A (zh) * 2015-11-30 2016-06-15 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种低功耗单片集成宽带低噪声放大器

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020084855A1 (en) * 2000-12-28 2002-07-04 Kwon Ick Jin Low power low noise amplifier
US20100295619A1 (en) * 2007-11-12 2010-11-25 Arctic Silicon Devices As Low Noise Amplifier

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020084855A1 (en) * 2000-12-28 2002-07-04 Kwon Ick Jin Low power low noise amplifier
US20100295619A1 (en) * 2007-11-12 2010-11-25 Arctic Silicon Devices As Low Noise Amplifier

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
罗文远等: "2~12GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计", 《微电子学》, vol. 40, no. 2, 30 April 2010 (2010-04-30) *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103051291A (zh) * 2012-12-31 2013-04-17 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 级间匹配可调的cmos超宽带低噪声放大器电路
CN103051291B (zh) * 2012-12-31 2015-10-07 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 级间匹配可调的cmos超宽带低噪声放大器电路
CN104734642A (zh) * 2013-12-18 2015-06-24 上海华虹宏力半导体制造有限公司 电流复用低噪声放大器
CN104734642B (zh) * 2013-12-18 2017-10-24 上海华虹宏力半导体制造有限公司 电流复用低噪声放大器
CN105680802A (zh) * 2015-11-30 2016-06-15 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种低功耗单片集成宽带低噪声放大器
CN105680802B (zh) * 2015-11-30 2018-10-16 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种低功耗单片集成宽带低噪声放大器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103117711B (zh) 一种单片集成的射频高增益低噪声放大器
CN102497167B (zh) 一种基于电感补偿的射频超宽带低噪声放大器
CN102332868A (zh) 一种低功耗宽带低噪声放大器
CN103117712B (zh) 一种cmos高增益宽带低噪声放大器
US9899968B2 (en) Low noise amplifier circuit
CN103746660A (zh) 一种宽带cmos巴伦低噪声放大器
CN101888210A (zh) 可变增益低噪声放大器
CN103095224A (zh) 一种采用噪声抵消技术的cmos宽带低噪声放大器
CN102969984A (zh) 一种电流复用噪声抵消低噪声放大器
CN102655404B (zh) 一种差分的射频开关电路
CN102394572A (zh) 高线性度的低噪声放大器及其设计方法
CN102780457A (zh) 低噪声放大器
CN104065346B (zh) 一种基于交叉耦合反馈的宽频带低噪声放大器电路
CN102868377B (zh) 一种基于可控有源电感的全3g cmos差分低噪声放大器
CN202772848U (zh) 一种基于可控有源电感的全3g cmos差分低噪声放大器
CN204425279U (zh) 一种高增益低噪声放大器
CN104660185B (zh) 一种低功耗超宽带低噪声放大器
CN204697010U (zh) 宽带低噪声放大器
CN102332877B (zh) 一种带有片上有源Balun的差分CMOS多模低噪声放大器
CN106026928A (zh) 一种低电压单平衡电流复用无源混频器
CN203180852U (zh) 一种集成功率放大器级间信号耦合电路
CN102594288A (zh) 射频功率放大器的级间匹配电路
CN203466780U (zh) 一种低噪声放大器
CN106130489B (zh) 一种低噪声放大器
CN202282762U (zh) 一种低功耗宽带低噪声放大器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
C06 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C10 Entry into substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20121114

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication