CN102776560A - 多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 239
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims abstract description 85
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 89
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 89
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 87
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 17
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 7
- 239000012634 fragment Substances 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 2
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- TVZRAEYQIKYCPH-UHFFFAOYSA-N 3-(trimethylsilyl)propane-1-sulfonic acid Chemical compound C[Si](C)(C)CCCS(O)(=O)=O TVZRAEYQIKYCPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了多晶硅锭的制备方法，该制备方法包括在坩埚底部随机铺设籽晶，形成籽晶层，籽晶的晶向不限；在籽晶层上方设置熔融状态的硅料，控制坩埚底部温度低于籽晶的熔点，使得籽晶层不被完全熔化；控制坩埚内的温度沿垂直与坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得熔融状态的硅料在籽晶上继承籽晶的晶向结构进行生长，制得高质量的多晶硅锭。该制备方法能够有效抑制位错的增殖，并且所使用的籽晶来源广泛，成本低，适于大规模生产。本发明同时提供了通过该制备方法获得的高质量的多晶硅锭，以及利用所述多晶硅锭制备获得的多晶硅片。
Description
技术领域
本发明涉及多晶硅铸锭领域，尤其涉及多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片。
背景技术
目前，多晶硅锭的制备方法主要为采用GT Solar所提供的定向凝固系统法(简称DSS)炉晶体生长技术，该方法通常包括加热、熔化、凝固长晶、退火和冷却等步骤。在凝固长晶过程中，伴随着坩埚底部的持续冷却，熔融状态的硅料自发形成随机形核并且随机形核逐渐生长。但由于初始形核没有得到控制，形核过程中容易产生位错，导致晶向杂乱，晶粒不均匀，因此通过该方法制备得到的多晶硅锭质量较低。
针对上述制备方法中容易产生位错的问题，研究人员报道了一种通过在多晶硅锭生长炉内的容器底部铺设籽晶来生长类单晶的方法，该方法制备得到的硅锭晶体相对于使用DSS方法制得的硅锭晶体提高了质量。然而，该方法具有以下缺点：(1)铺设了大量的连续的大尺寸的单晶作为籽晶，而所述的大尺寸的单晶需要从单晶主体上切割获得且保持形状完整，因此，籽晶的来源范围窄且成本高昂，不适于大规模生产；(2)所述籽晶内部没有晶界，因此容易引入新的位错，且位错容易增殖，从而降低多晶硅锭的质量。
发明内容
为解决上述问题，本发明旨在提供多晶硅锭的制备方法，该制备方法能够有效抑制位错的增殖从而获得高质量的多晶硅锭，并且所使用的籽晶来源广泛，成本低，适于大规模生产。本发明同时提供了通过该制备方法获得的高质量的多晶硅锭，以及利用所述多晶硅锭制备获得的多晶硅片。
第一方面，本发明提供了多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤：
(1)在坩埚底部随意铺设籽晶，形成籽晶层，所述籽晶的晶向不限；
(2)在籽晶层上方设置熔融状态的硅料，控制坩埚底部温度低于籽晶的熔点，使得籽晶层不被完全熔化；
(3)控制坩埚内的温度沿垂直与坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得熔融状态的硅料在籽晶上继承籽晶的晶向结构进行生长，制得多晶硅锭。
其中，步骤(1)籽晶的铺设方式为随意铺设，无需人为地进行排布，所述籽晶的晶向不限。此外籽晶的来源、种类、形状、最大边长度和位错密度均不限。
优选地，籽晶为头尾料、边皮料、残次硅料、单晶碎片或细碎硅料。头尾料和边皮料为硅锭晶体的制备方法中产生的常见废料。残次硅料和单晶碎片为硅锭晶体切割过程中产生的残次品和碎片。细碎硅料为硅锭晶体废料经过破碎后得到。
籽晶可以为单晶或多晶。熔融状态的硅料将在籽晶上继承晶格的结构继续生长。
籽晶可以为片状、块状、条状或粒状。当籽晶为不规则形状时，各籽晶的晶向随机分布，晶界为原子错排区。当籽晶为切割形成的规则的形状时，由于晶体为多面体结构，因此随意铺设后，各籽晶的晶向杂乱，晶界亦为原子错排区。
优选地，籽晶的最大边长度为1～100mm。籽晶的最大边长度越小，大量的籽晶铺设后的晶向越不一致，易形成为原子错排区的晶界。更优选地，籽晶的最大边长度为1～50mm。
籽晶的位错密度越低，越有利于生长出位错密度低的多晶硅锭。优选地，籽晶的位错密度≤103个/cm2。
籽晶层的厚度不限。优选地，籽晶层的厚度为5～50mm。
因此，本发明所使铺设的籽晶层的籽晶来源非常广泛，取材方便，并且相比现有技术中所使用的连续的大尺寸的籽晶具有明显的价格优势，大大降低了多晶硅锭的生产成本。此外，籽晶随意的无规则的铺设在坩埚底部，无需人为地进行排布，因此步骤(1)简单方便，易于操作。
本发明所述的坩埚指容置多晶硅锭生长的容器，其形状和种类不限。
步骤(2)中，在籽晶层上方设置熔融状态的硅料的方式不限。优选地，在籽晶层上方设置熔融状态的硅料为：在籽晶层上方装载固体硅料，对坩埚进行加热使得硅料熔融，此时，熔融状态的硅料设置于籽晶层表面。还优选地，在籽晶层上方设置熔融状态的硅料为：在另外一个坩埚内加热固体硅料，制得熔融状态的硅料，将该熔融状态的硅料浇铸至铺设有籽晶层的坩埚内，此时，熔融状态的硅料设置于籽晶层表面。固体硅料的纯度和来源不限。
籽晶层不被完全熔化是指部分籽晶层熔化，同时保持部分籽晶层不熔化。优选地，未熔化的籽晶层占步骤(1)中铺设的籽晶层的5％～95％。通常，硅料熔化的温度为1500～1560℃。而坩埚底部铺设的籽晶层的温度低于籽晶的熔点。
(3)控制坩埚内的温度沿垂直与坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得熔融状态的硅料在籽晶上继承籽晶的晶向结构进行生长，制得多晶硅锭。
由于本发明中在坩埚底部随意铺设了籽晶且籽晶的晶向不限，所以能够制得高质量的多晶硅锭。这是因为：随意铺设的籽晶提供提供适量的晶界，该晶界为原子错排区，位错滑移到晶界处会被吸收，因此能够阻止位错的增殖扩展，使得多晶硅锭的整体位错减少，提高了多晶硅锭的转换效率，从而能够提高多晶硅锭的质量。
第二方面，本发明提供了多晶硅锭，所述多晶硅锭按照前述多晶硅锭的制备方法制得。所述多晶硅锭具有均匀晶格，位错密度≤105个/cm2。
第三方面，本发明提供了多晶硅片，所述多晶硅片为以前述多晶硅锭为原料进行开方-切片-清洗后制得。
本发明提供的多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片，具有以下有益效果：
(1)本发明提供的多晶硅锭的位错密度低，质量高；
(2)本发明提供的多晶硅锭的制备方法可制备获得位错密度低、质量高的多晶硅锭，且籽晶来源非常广泛，取材方便，并且相比现有技术中所使用的连续的大尺寸的籽晶具有明显的价格优势，大大降低了多晶硅锭的生产成本；此外，籽晶随意的无规则的铺设在坩埚底部，无需人为地进行排布，因此简单方便，易于操作，适于大规模生产；
(3)本发明提供的多晶硅片适用于制备太阳能电池，制得的太阳能电池转换效率高。
附图说明
图1为本发明实施例一制备过程的示意图；
图2为本发明实施例一制得的多晶硅锭通过光致发光硅片检测系统观测晶界对位错的阻止作用的照片；
图3为本发明实施例一制得的多晶硅锭的少子寿命图；
图4为对比试验1制得的类单晶的少子寿命图；
图5为对比试验2制得的多晶硅锭的少子寿命图。
具体实施方式
以下所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
实施例一
多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤：
(1)在坩埚底部随意铺设籽晶，形成籽晶层，所述籽晶的晶向不限；
其中，籽晶为半导体制备方法中产生的单晶碎片，籽晶为片状单晶，其最大边长度为20mm，位错密度≤103个/cm2，籽晶层的厚度为50mm。
(2)在籽晶层上方设置熔融状态的硅料，控制坩埚底部温度低于籽晶的熔点，使得籽晶层不被完全熔化；
图1为本发明实施例一制备过程的示意图，其中，1为坩埚，2为籽晶层，3为硅料。其中，在籽晶层上方设置熔融状态的硅料为：在籽晶层上方装载固体硅料，对坩埚进行加热至1530℃使得硅料熔融，此时，熔融状态的硅料设置于籽晶层表面。坩埚底部温度为1412℃。未熔化的籽晶层占步骤(1)中铺设的籽晶层的60％。
(3)控制坩埚内的温度沿垂直与坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得熔融状态的硅料在籽晶上继承籽晶的晶向结构进行生长，制得多晶硅锭。
图2为实施例一制得的多晶硅锭通过光致发光硅片检测系统观测晶界对位错的阻止作用的照片。如图2所示，1为晶界，2为无位错区，3为位错区，在晶界1处位错滑移被明显的抑制住，在晶界1两边形成明显的无位错区2和位错区3。
本实施例所制得的多晶硅锭位错密度为1.5×103～1.8×103个/cm2，少子寿命为25微秒(us)。
利用本实施例制得的多晶硅锭制得的多晶硅片适用于制备太阳能电池，制得的太阳能电池转换效率为17.8％。
实施例二
多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤：
(1)在坩埚底部随意铺设籽晶，形成籽晶层，所述籽晶的晶向不限；
其中，籽晶为单晶制备方法中产生的边皮料，籽晶为块状单晶，其最大边长度为100mm，位错密度≤103个/cm2，籽晶层的厚度为50mm。
(2)在籽晶层上方设置熔融状态的硅料，控制坩埚底部温度低于籽晶的熔点，使得籽晶层不被完全熔化；
其中，在籽晶层上方设置熔融状态的硅料为：在籽晶层上方装载固体硅料，对坩埚进行加热至1560℃使得硅料熔融，此时，熔融状态的硅料设置于籽晶层表面。坩埚底部温度为1412℃。未熔化的籽晶层占步骤(1)中铺设的籽晶层的95％。
(3)控制坩埚内的温度沿垂直与坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得熔融状态的硅料在籽晶上继承籽晶的晶向结构进行生长，制得多晶硅锭。
本实施例所制得的多晶硅锭位错密度为7.5×103～8.0×103个/cm2，少子寿命为18微秒(us)。
利用本实施例制得的多晶硅锭制得的多晶硅片适用于制备太阳能电池，制得的太阳能电池转换效率为17.8％。
实施例三
多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤：
(1)在坩埚底部随意铺设籽晶，形成籽晶层，所述籽晶的晶向不限；
其中，籽晶为单晶制备方法中产生的细碎硅料，籽晶为粒状单晶，其最大边长度为1mm，位错密度≤103个/cm2，籽晶层的厚度为5mm。
(2)在籽晶层上方设置熔融状态的硅料，控制坩埚底部温度低于籽晶的熔点，使得籽晶层不被完全熔化；
其中，在籽晶层上方设置熔融状态的硅料为：在籽晶层上方装载固体硅料，对坩埚进行加热至1500℃使得硅料熔融，此时，熔融状态的硅料设置于籽晶层表面。坩埚底部温度为1412℃。未熔化的籽晶层占步骤(1)中铺设的籽晶层的5％。
(3)控制坩埚内的温度沿垂直与坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得熔融状态的硅料在籽晶上继承籽晶的晶向结构进行生长，制得多晶硅锭。
本实施例所制得的多晶硅锭位错密度为3.5×104～4.8×104个/cm2，少子寿命为10微秒(us)。
利用本实施例制得的多晶硅锭制得的多晶硅片适用于制备太阳能电池，制得的太阳能电池转换效率为17.1％。
实施例四
多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤：
(1)在坩埚底部随意铺设籽晶，形成籽晶层，所述籽晶的晶向不限；
其中，籽晶为多晶制备方法中产生的残次硅料，籽晶为粒状残次硅料，其最大边长度为50mm，位错密度≤103个/cm2，籽晶层的厚度为50mm。
(2)在籽晶层上方设置熔融状态的硅料，控制坩埚底部温度低于籽晶的熔点，使得籽晶层不被完全熔化；
其中，在籽晶层上方设置熔融状态的硅料为：在另外一个坩埚内加热固体硅料，制得熔融状态的硅料，将该熔融状态的硅料浇铸至铺设有籽晶层的坩埚内，此时，熔融状态的硅料设置于籽晶层表面。坩埚底部温度为1413℃。未熔化的籽晶层占步骤(1)中铺设的籽晶层的95％。
(3)控制坩埚内的温度沿垂直与坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得熔融状态的硅料在籽晶上继承籽晶的晶向结构进行生长，制得多晶硅锭。
本实施例所制得的多晶硅锭位错密度为3.2×104～3.8×104个/cm2，少子寿命为15微秒(us)。
利用本实施例制得的多晶硅锭制得的多晶硅片适用于制备太阳能电池，制得的太阳能电池转换效率为17.5％。
实施例五
多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤：
(1)在坩埚底部随意铺设籽晶，形成籽晶层，所述籽晶的晶向不限；
其中，籽晶为多晶制备方法中产生的细碎硅料，籽晶为粒状多晶，其最大边长度为1mm，位错密度≤103个/cm2，籽晶层的厚度为5mm。
(2)在籽晶层上方设置熔融状态的硅料，控制坩埚底部温度低于籽晶的熔点，使得籽晶层不被完全熔化；
其中，在籽晶层上方设置熔融状态的硅料为：在籽晶层上方装载固体硅料，对坩埚进行加热至1500℃使得硅料熔融，此时，熔融状态的硅料设置于籽晶层表面。坩埚底部温度为1412℃。未熔化的籽晶层占步骤(1)中铺设的籽晶层的60％。
(3)控制坩埚内的温度沿垂直与坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得熔融状态的硅料在籽晶上继承籽晶的晶向结构进行生长，制得多晶硅锭。
本实施例所制得的多晶硅锭位错密度为1.2×104～1.8×104个/cm2，少子寿命为10微秒(us)。
利用本实施例制得的多晶硅锭制得的多晶硅片适用于制备太阳能电池，制得的太阳能电池转换效率为17.2％。
实施例六
多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤：
(1)在坩埚底部随意铺设籽晶，形成籽晶层，所述籽晶的晶向不限；
其中，籽晶为多晶制备方法中产生的残次硅料，籽晶为块状残次硅料，其最大边长度为40mm，位错密度≤103个/cm2，籽晶层的厚度为40mm。
(2)在籽晶层上方设置熔融状态的硅料，控制坩埚底部温度低于籽晶的熔点，使得籽晶层不被完全熔化；
其中，在籽晶层上方设置熔融状态的硅料为：在另外一个坩埚内加热固体硅料，制得熔融状态的硅料，将该熔融状态的硅料浇铸至铺设有籽晶层的坩埚内，此时，熔融状态的硅料设置于籽晶层表面。坩埚底部温度为1413℃。未熔化的籽晶层占步骤(1)中铺设的籽晶层的5％。
(3)控制坩埚内的温度沿垂直与坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得熔融状态的硅料在籽晶上继承籽晶的晶向结构进行生长，制得多晶硅锭。
本实施例所制得的多晶硅锭位错密度为5.0×103～5.6×103个/cm2，少子寿命为12微秒(us)。
利用本实施例制得的多晶硅锭制得的多晶硅片适用于制备太阳能电池，制得的太阳能电池转换效率为17.4％。
效果实施例
为有力支持本发明的有益效果，特提供对比试验数据如下。
对比试验1：采用完整的单晶棒，经过去头尾边皮，切割得到方形籽晶块，块的大小为156mm*156mm；在坩埚底部依次规则铺设上述单晶方块，直到全部铺满坩埚底部，再在籽晶上铺设硅料，高温熔化后，控制底部籽晶不完全熔化。控制温度梯度，使得底部先冷却，硅熔液从籽晶表面开长晶，得到具有单晶结构的类单晶硅锭。
对比试验2：普通多晶硅锭的生长过程，包括在坩埚内装载硅料，对坩埚进行加热使得硅料熔融，制坩埚内控的热场，使得熔融状态的硅料在坩埚底部生长，得到多晶硅锭。
本发明实施例一、实施例二、对比试验1和对比试验2的对比如下：
表1.实施例一、实施例二、对比试验1和对比试验2的对比
图3为本发明实施例一制得的多晶硅锭的少子寿命图；图4为对比试验1制得的类单晶的少子寿命图；图5为对比试验2制得的多晶硅锭的少子寿命图。从图3～图5中可以看出，本发明实施例一制得的多晶硅锭少子寿命高，中部低少子区域(一定程度代表位错密度高的区域)少，对比试验1制得的类单晶中部低少子区域呈发散状，(表示位错容易扩展)，对比试验2制得的多晶硅锭少子寿命低，中部少子低的区域大，位错高。
综上，本发明制得的多晶硅锭位错密度低于105个/cm2，少子寿命为10～25us。而传统方法得到的硅锭产品位错密度为105～106个/cm2，少子寿命为5～10us。
本发明提供的多晶硅片适用于制备太阳能电池，制得的太阳能电池转换效率为17.1％～17.8％，而普通的多晶硅片制得的太阳能电池的转换效率为16.5～16.9％。类单晶的效率为17.2％～18.5％％。
Claims (12)
1.多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在坩埚底部随机铺设籽晶，形成籽晶层，所述籽晶的晶向不限；
(2)在所述籽晶层上方设置熔融状态的硅料，控制所述坩埚底部温度低于所述籽晶的熔点，使得所述籽晶层不被完全熔化；
(3)控制所述坩埚内的温度沿垂直与所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得所述熔融状态的硅料在所述籽晶上继承籽晶的晶向结构进行生长，制得多晶硅锭。
2.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述籽晶为头尾料、边皮料、残次硅料、单晶碎片或细碎硅料。
3.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述籽晶为单晶或多晶。
4.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述籽晶为片状、块状、条状或粒状。
5.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述籽晶的最大边长度为1～100mm。
6.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述籽晶的位错密度≤103个/cm2。
7.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述籽晶层的厚度为5～50mm。
8.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中所述在籽晶层上方设置熔融状态的硅料为：在所述籽晶层上方装载固体硅料，对所述坩埚进行加热使得所述硅料熔融，此时，所述熔融状态的硅料设置于所述籽晶层表面。
9.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中所述在籽晶层上方设置熔融状态的硅料为：在另外一个坩埚内加热固体硅料，制得熔融状态的硅料，将所述熔融状态的硅料浇铸至所述铺设有籽晶层的坩埚内，此时，所述熔融状态的硅料设置于所述籽晶层表面。
10.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中所述籽晶层不被完全熔化为：未熔化的籽晶层占步骤(1)中铺设的所述籽晶层的5％～95％。
11.多晶硅锭，其特征在于，所述多晶硅锭按照如权利要求1～10中任一权利要求所述的制备方法制得。
12.多晶硅片，其特征在于，所述多晶硅片为以如权利要求11所述的多晶硅锭为原料进行开方-切片-清洗后制得。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210096188.5A CN102776560B (zh) | 2012-04-01 | 2012-04-01 | 多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片 |
| KR1020147030926A KR101656596B1 (ko) | 2012-04-01 | 2013-03-28 | 다결정 실리콘 잉곳, 이의 제조 방법 및 다결정 실리콘 웨이퍼 |
| PCT/CN2013/073364 WO2013149560A1 (zh) | 2012-04-01 | 2013-03-28 | 一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片 |
| US14/389,452 US9562304B2 (en) | 2012-04-01 | 2013-03-28 | Polycrystalline silicon ingot, preparation method thereof, and polycrystalline silicon wafer |
| US15/357,707 US10227711B2 (en) | 2012-04-01 | 2016-11-21 | Method for preparing polycrystalline silicon ingot |
| US15/360,472 US10253430B2 (en) | 2012-04-01 | 2016-11-23 | Method for preparing polycrystalline silicon ingot |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210096188.5A CN102776560B (zh) | 2012-04-01 | 2012-04-01 | 多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102776560A true CN102776560A (zh) | 2012-11-14 |
| CN102776560B CN102776560B (zh) | 2017-12-15 |
Family
ID=47121659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210096188.5A Expired - Fee Related CN102776560B (zh) | 2012-04-01 | 2012-04-01 | 多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102776560B (zh) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103074669A (zh) * | 2013-01-29 | 2013-05-01 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片 |
| WO2013149560A1 (zh) * | 2012-04-01 | 2013-10-10 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片 |
| CN103361724A (zh) * | 2013-06-21 | 2013-10-23 | 东海晶澳太阳能科技有限公司 | 硼-镓共掺高效多晶硅及其制备方法 |
| CN103834994A (zh) * | 2014-03-13 | 2014-06-04 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片 |
| CN103924294A (zh) * | 2014-04-29 | 2014-07-16 | 南通综艺新材料有限公司 | 一种多晶硅及其制备方法 |
| CN105369351A (zh) * | 2015-12-17 | 2016-03-02 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片 |
| CN106087042A (zh) * | 2016-06-22 | 2016-11-09 | 晶科能源有限公司 | 一种多晶铸锭用籽晶的制作方法 |
| CN106245113A (zh) * | 2016-09-18 | 2016-12-21 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片 |
| CN107825606A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-03-23 | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 | 多晶硅片及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11236291A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-08-31 | Mitsubishi Materials Corp | 一方向凝固多結晶組織を有するシリコンインゴット製造用ルツボ |
| JP2007022815A (ja) * | 2003-07-17 | 2007-02-01 | Tohoku Univ | Ｓｉ系結晶の成長方法、Ｓｉ系結晶、Ｓｉ系結晶基板及び太陽電池 |
| CN101370969A (zh) * | 2006-01-20 | 2009-02-18 | Bp北美公司 | 制造几何多晶铸硅的方法和装置及用于光电池的几何多晶铸硅实体 |
| CN102337582A (zh) * | 2010-07-14 | 2012-02-01 | 中美硅晶制品股份有限公司 | 制造硅晶铸锭的方法 |
-
2012
- 2012-04-01 CN CN201210096188.5A patent/CN102776560B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11236291A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-08-31 | Mitsubishi Materials Corp | 一方向凝固多結晶組織を有するシリコンインゴット製造用ルツボ |
| JP2007022815A (ja) * | 2003-07-17 | 2007-02-01 | Tohoku Univ | Ｓｉ系結晶の成長方法、Ｓｉ系結晶、Ｓｉ系結晶基板及び太陽電池 |
| CN101370969A (zh) * | 2006-01-20 | 2009-02-18 | Bp北美公司 | 制造几何多晶铸硅的方法和装置及用于光电池的几何多晶铸硅实体 |
| CN102337582A (zh) * | 2010-07-14 | 2012-02-01 | 中美硅晶制品股份有限公司 | 制造硅晶铸锭的方法 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013149560A1 (zh) * | 2012-04-01 | 2013-10-10 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片 |
| US10227711B2 (en) | 2012-04-01 | 2019-03-12 | Jiang Xi Sai Wei Ldk Solar Hi-Tech Co., Ltd. | Method for preparing polycrystalline silicon ingot |
| US10253430B2 (en) | 2012-04-01 | 2019-04-09 | Jiang Xi Sai Wei Ldk Solar Hi-Tech Co., Ltd. | Method for preparing polycrystalline silicon ingot |
| CN103074669A (zh) * | 2013-01-29 | 2013-05-01 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片 |
| CN103074669B (zh) * | 2013-01-29 | 2015-05-13 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片 |
| CN103361724A (zh) * | 2013-06-21 | 2013-10-23 | 东海晶澳太阳能科技有限公司 | 硼-镓共掺高效多晶硅及其制备方法 |
| CN103834994A (zh) * | 2014-03-13 | 2014-06-04 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片 |
| CN103924294A (zh) * | 2014-04-29 | 2014-07-16 | 南通综艺新材料有限公司 | 一种多晶硅及其制备方法 |
| CN105369351A (zh) * | 2015-12-17 | 2016-03-02 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片 |
| CN106087042A (zh) * | 2016-06-22 | 2016-11-09 | 晶科能源有限公司 | 一种多晶铸锭用籽晶的制作方法 |
| CN106245113A (zh) * | 2016-09-18 | 2016-12-21 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片 |
| CN107825606A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-03-23 | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 | 多晶硅片及其制备方法 |
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| Publication number | Publication date |
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| CN102776560B (zh) | 2017-12-15 |
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| PB01 | Publication | ||
| C53 | Correction of patent of invention or patent application | ||
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|
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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