CN102674833A - 一种低介电损耗的储能介质陶瓷材料及其制备 - Google Patents

一种低介电损耗的储能介质陶瓷材料及其制备 Download PDF

Info

Publication number
CN102674833A
CN102674833A CN2012101501588A CN201210150158A CN102674833A CN 102674833 A CN102674833 A CN 102674833A CN 2012101501588 A CN2012101501588 A CN 2012101501588A CN 201210150158 A CN201210150158 A CN 201210150158A CN 102674833 A CN102674833 A CN 102674833A
Authority
CN
China
Prior art keywords
dielectric
ball
hours
powder
energy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012101501588A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102674833B (zh
Inventor
刘韩星
雒文博
郝华
余志勇
尧中华
曹明贺
郭丽玲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan University of Technology WUT
Original Assignee
Wuhan University of Technology WUT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan University of Technology WUT filed Critical Wuhan University of Technology WUT
Priority to CN201210150158.8A priority Critical patent/CN102674833B/zh
Publication of CN102674833A publication Critical patent/CN102674833A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102674833B publication Critical patent/CN102674833B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

一种低介电损耗储能介质陶瓷材料及其制备。该陶瓷材料体系的组成为xMgO-(1-x)SrTiO3，x=0~20.0wt%。制备方法为(1)制备SrTiO3陶瓷粉体；(2)按MgO粉体的质量占陶瓷粉体总质量的0~20.0wt%加入到陶瓷粉体中配料。然后用氧化锆球和无水乙醇作为介质球磨22~24小时；将球磨后的陶瓷粉体烘干后加入该烘干粉体质量为1.0wt%~3.5wt%的粘结剂造粒、压制成型，再在600℃保温2~3小时排胶得到生胚料；将生胚料在升温速率1.5~3℃/min，1350~1450℃下保温2小时得到储能介质陶瓷材料。本发明得到的储能介质陶瓷在0~120kv/cm电场范围内介电常数变化率小于4.5%，在20Hz~2MHz频率范围内介电常数变化率小于1.7%，在1kHz频率测试介电常数随x在160<
Figure 773665DEST_PATH_IMAGE002
<300变化，介电损耗tanδ<0.003，击穿场强Eb>174.30kV/cm，储能密度γ>0.36J/cm3。

Description

一种低介电损耗的储能介质陶瓷材料及其制备
技术领域
   本发明涉及脉冲形成线用储能陶瓷电容器技术领域，具体涉及一种低介电损耗储能介质陶瓷材料及其制备。
背景技术
目前脉冲形成线用储能介质陶瓷电容器研究趋势向着高的储能密度、良好的偏压和频率稳定性以及小的尺寸方向发展，以满足日益苛刻的应用要求。因此，作为储能陶瓷电容器的主要工作介质储能电介质陶瓷应满足以下几个性能要求：
(1)优异介电常数偏压稳定性和频率稳定性。储能陶瓷电容器是在一定的电压范围和一定的频率范围内工作，优异的介电常数偏压稳定性和频率稳定性不仅可以保证器件的稳定工作而且可以拓宽器件工作的电场以及频率范围。
(2)低的介电损耗。介质损耗不仅消耗储能的能量，而且由介电损耗引起的器件温度升高会影响器件的正常工作，因此制备储能陶瓷时需要控制介电损耗使其越小越好。
(3)良好的耐压性能。良好的耐压性能的储能电介质可以使脉冲形成线的尺度大大减小，同时良好耐压性能可以拓宽脉冲形成线的工作电压范围。
(4)可调的介电常数。介电常数可以调节保证在不同的应用背景下选用不同的器件满足应用的要求。
根据以上分析可以看出目前应用于脉冲形成线的去离子水介质、铁电陶瓷和反铁电陶瓷存在以下缺陷：(1)介电常数偏压稳定性不佳，介电常数随着偏压提高，介电常数急剧减小；(2)介电常数随频率不稳定；(3)介电损耗在百分之几，甚至更大，介电损耗大，不宜于器件正常工作；(4)耐压性能不佳，有效储能密度也低；(5)有电致伸缩效应，对器件的稳定性要求不利。本发明制备的陶瓷具有介电常数可调、介电常数偏压稳定性能和频率稳定性能优异、介电损耗低、储能密度高的特点；而且这类材料体系涉及的原料价格便宜，样品制备工艺简单，适合做脉冲形成线。
发明内容
本发明的目的是提供一种低介电损耗储能介质陶瓷材料及其制备，该陶瓷材料同时具有介电常数随偏压电场和频率变化的变化率小、介电常数可调、介电损耗低、击穿场强高、储能性能优异的特点。
为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种低介电损耗储能介质陶瓷材料，其特征在于：陶瓷材料体系的组成为x MgO -(1-x)SrTiO3，x=0~20wt%，该储能陶瓷在0~120kv/cm偏压电场范围内介电常数变化率小于4.5%，在20Hz~2MHz频率范围内介电常数变化率小于1.7%，频率为1kHz时介电常数随x在160<                                                
Figure 453579DEST_PATH_IMAGE001
<300变化，介电损耗tanδ<0.003，击穿场强Eb>174.30kV/cm，储能密度γ>0.36J/cm3。远大于用去离子水做介质的脉冲形成线的储能密度。
本发明的低介电损耗储能介质陶瓷材料的制备步骤为：
(1)以纯度大于99%的SrCO3，纯度大于99%的TiO2为起始原料，以SrTiO3的化学式称取SrCO3和TiO2原料，将称取的原料以无水乙醇为球磨介质加入球磨罐中采用湿式球磨法混合球磨22~24小时；然后在烘箱中烘干后再在1100℃预烧2小时得到SrTiO3陶瓷粉体，备用；
(2)按MgO粉体质量分数为0~20wt%的比例，称取SrTiO3陶瓷粉体和纯度大于99%的MgO粉体，将称取的原料以无水乙醇为球磨介质加入球磨罐中采用湿式球磨法混合球磨22~24小时，在烘箱中烘干得到混合粉料；
(3)向步骤(2)所得到的烘干混合粉料中加入为该烘干粉料质量1wt%~3.5wt%的粘结剂造粒、压制成型，再在600℃保温2~3小时排胶得到成型生胚料；将该生胚料置于马沸炉中烧结，得到x MgO-(1-x)SrTiO3，x=0~20.0wt%储能陶瓷。该储能陶瓷具有介电常数可调、介电常数偏压稳定性和频率稳定性优异、介电损耗低、储能密度高的特点。
其中，球磨用氧化锆球。
所述的粘结剂为聚乙烯醇水溶液，浓度为0.5wt%~2.0wt%，添加量为烘干粉料质量的1wt%~3.5wt%。
制备步骤(3)中，烧结工艺为升温速率1.5~4℃/min，烧结温度为1350~1450℃，保温时间为2小时。
   本发明的有益效果是：
   1、介电常数可调的特点可以根据不同应用场景选取不同储能介质电容器；
   2介电常数偏压稳定性以及频率稳定性优异可以保证储能介质电容器在苛刻的应用背景下正常工作；
   3、介电损耗低不仅可以减少储存的能量的损失，而且有利于储能介质电容器的正常工作。
附图说明
图1：实施例1-~6制备的样品的XRD图
图2：实施例1-~6制备的样品随MgO含量不同的介电常数与介电损耗图
图3：实施例1-~6制备的样品的介电常数随偏压电场变化的图
图4：实施例1-~6制备的样品的介电常数随频率变化的图。
具体实施方式
下面结合实施例进一步阐述本发明的内容，但本发明并不限于下面的实施例，任何在本发明的基础上改变或者改进都属于本发明的保护范围。
下述实施例中所用粘结剂为聚乙烯醇水溶液，浓度为0.5wt%~2.0wt%。
实施例1
实施例1的样品制备具体过程如下：
以SrCO3（纯度99%），TiO2（纯度99.5%）为起始原料，按SrTiO3的化学式称取SrCO3和TiO2原料，将称取的原料以无水乙醇为球磨介质加入球磨罐中采用湿式球磨法混合球磨22~24小时；然后烘干后在1100℃预烧2小时得到SrTiO3陶瓷粉体，再次球磨，然后在此粉体中加入其粉体质量3wt%的粘结剂造粒，压制成型，按3℃/min升温速度升温到1350~1370℃烧结2小时，得到实施例1的储能介质陶瓷样品。如图1所示，该陶瓷样品为单相的SrTiO3相。测出如图2所示频率为1KHz时介电常数=298，介电损耗tanδ=0.00272，具有很低的介电损耗。如图3所示储能介质陶瓷的介电常数在0~120kv/cm偏压电场范围变化率为2.6%，在如图4所示在频率20Hz~2MHz范围内介电常数变化率为1.7%，说明实施例1的储能介质陶瓷的介电常数满足良好的偏压稳定性以及频率稳定性。测试的击穿场强177.30kv/cm，相应的储能密度为0.71J/cm3，是去离子水做介质的储能密度的4倍多。
实施例2
实施例2的样品制备具体过程如下：
(1)以纯度大于99%的SrCO3，纯度大于99%的TiO2为起始原料，按SrTiO3的化学式称取SrCO3和TiO2原料，将称取的原料以无水乙醇为球磨介质加入球磨罐中采用湿式球磨法混合球磨22~24小时；然后烘干后在1100℃预烧2小时得到SrTiO3陶瓷粉体，备用；
(2)按MgO粉体含量为0.5wt%的比例，称取SrTiO3陶瓷粉体和纯度大于99%的MgO粉体，将称取的原料以无水乙醇为球磨介质加入球磨罐中采用湿式球磨法混合球磨22~24小时，在烘箱中烘干；
(3)向步骤(2)中所得到的烘干粉料中加入该粉料质量3wt%的粘结剂造粒、压制成型，再在600℃保温2~3小时排胶得到生胚料；将该生胚料置于马沸炉中按3℃/min升温速度升温到1380~1420℃烧结2小时，得到实施例2的储能介质陶瓷样品。
如图2所示，该储能介质陶瓷样品在频率为1KHz时介电常数=271，介电损耗tanδ=0.00226，具有很低的介电损耗。如图3所示该储能介质陶瓷的介电常数在0~120kv/cm偏压电场范围变化率为4.4%，如图4所示在频率20Hz~2MHz范围内介电常数变化率为1.4%，说明实施例2的储能介质陶瓷的介电常数满足良好的偏压稳定性以及频率稳定性。测试的实施例2样品的击穿场强185.00kv/cm，相应的储能密度为0.88J/cm3，是去离子水做介质的储能密度的5倍多。
实施例3
实施例3的样品制备具体过程如下：
(1)以纯度大于99%的SrCO3，纯度大于99%的TiO2为起始原料，按SrTiO3的化学式称取SrCO3和TiO2原料，将称取的原料以无水乙醇为球磨介质加入球磨罐中采用湿式球磨法混合球磨22~24小时；然后烘干后在1100℃预烧2小时得到SrTiO3陶瓷粉体，备用；
(2)按MgO粉体含量为1.0wt%的比例，称取SrTiO3陶瓷粉体和纯度大于99%的MgO粉体，将称取的原料以无水乙醇为球磨介质加入球磨罐中采用湿式球磨法混合球磨22~24小时，在空气气氛中烘干；
(3)向步骤(2)中所得到的烘干粉料中加入该粉料质量3wt%的粘结剂造粒、压制成型，再在600℃保温2~3小时排胶得到生胚料；将生胚料置于马沸炉中按3℃/min升温速度升温到1380~1420℃烧结2小时，得到实施例3的储能介质陶瓷样品。
如图2所示，该储能介质陶瓷样品在频率为1KHz时介电常数
Figure 682304DEST_PATH_IMAGE003
=263，介电损耗tanδ=0.00109，介电损耗低。如图3所示储能介质陶瓷的介电常数在0~120kv/cm偏压电场范围变化率为4.5%，如图4所示在频率20Hz~2MHz范围内介电常数变化率仅为0.6%，说明实施例3的储能介质陶瓷的介电常数满足良好的偏压稳定性以及频率稳定性。测试的实施例3样品击穿场强197.30kv/cm，相应的储能密度为0.89J/cm3，是去离子水做介质的储能密度的5倍多。
实施例4
实施例4的样品制备具体过程如下：
(1)以纯度大于99%的SrCO3，纯度大于99%的TiO2为起始原料，按SrTiO3的化学式称取SrCO3和TiO2原料，将称取的原料以无水乙醇为球磨介质加入球磨罐中采用湿式球磨法混合球磨22~24小时；然后烘干后在1100℃预烧2小时得到SrTiO3陶瓷粉体，备用；
(2)按MgO粉体含量为4.0wt%的比例，称取SrTiO3陶瓷粉体和纯度大于99%的MgO粉体，将称取的原料以无水乙醇为球磨介质加入球磨罐中采用湿式球磨法混合球磨22~24小时，在烘箱中烘干；
(3)向步骤(2)中所得到的烘干粉料中加入该粉料质量3wt%的粘结剂造粒、压制成型，再在600℃保温2~3小时排胶得到生胚料；将生胚料片置于马沸炉中按3℃/min升温速度升温到1380~1420℃烧结2小时，得到实施例4的储能介质陶瓷样品。
如图1的XRD所示，该储能陶瓷为SrTiO3相和MgO相组成复合陶瓷。如图2所示，该储能陶瓷在频率为1kHz时介电常数
Figure 462041DEST_PATH_IMAGE001
=244，介电损耗tanδ=0.00133，介电损耗低。如图3所示储能介质陶瓷的介电常数在0~120kv/cm偏压电场范围变化率为3.9%，如图4所示在频率20Hz~2MHz范围内介电常数变化率仅为0.4%，说明实施例4的储能介质陶瓷的介电常数满足良好的偏压稳定性以及频率稳定性。测试的击穿场强185.00kv/cm，相应的储能密度为0.78J/cm3。
实施例5
实施例5的样品制备具体过程如下：
(1)以纯度大于99%的SrCO3，纯度大于99%的TiO2为起始原料，按SrTiO3的化学式称取SrCO3和TiO2原料，将称取的原料以无水乙醇为球磨介质加入球磨罐中采用湿式球磨法混合球磨22~24小时；然后烘干后在1100℃预烧2小时得到SrTiO3陶瓷粉体，备用；
(2)按MgO粉体含量为10.0wt%的比例，称取SrTiO3陶瓷粉体和纯度大于99%的MgO粉体，将称取的原料以无水乙醇为球磨介质加入球磨罐中采用湿式球磨法混合球磨22~24小时，在烘箱中烘干；
(3)向步骤(2)中所得到的烘干粉料中加入该粉料质量3wt%的粘结剂造粒、压制成型，再在600℃保温2~3小时排胶得到生胚料；将生胚料置于马沸炉中按3℃/min升温速度升温到1410~1450℃烧结2小时，得到实施例5的储能介质陶瓷样品。
如图1的XRD所示，储能陶瓷为SrTiO3相和MgO相组成复合陶瓷。如图2所示，该储能陶瓷在频率为1kHz时介电常数
Figure 857250DEST_PATH_IMAGE001
=226，介电损耗tanδ=0.00099，有很低的介电损耗。如图3所示，该储能介质陶瓷的介电常数在0~120kv/cm偏压电场范围变化率为3.8%，如图4所示，在频率20~2MHz范围内介电常数变化率仅为0.5%，说明实施例5的储能介质陶瓷的介电常数满足良好的偏压稳定性以及频率稳定性。满足了更苛刻的应用要求。测试的击穿场强176.30kv/cm，相应的储能密度为0.53J/cm3。
实施例6
实施例6的样品制备具体过程如下：
(1)以纯度大于99%的SrCO3，纯度大于99%的TiO2为起始原料，以SrTiO3的化学式称取SrCO3和TiO2原料，将称取的原料以无水乙醇为球磨介质加入球磨罐中采用湿式球磨法混合球磨22~24小时；然后烘干后在1100℃预烧2小时得到SrTiO3陶瓷粉体，备用；
(2)按MgO粉体含量为20.0wt%的比例，称取SrTiO3陶瓷粉体和纯度大于99%的MgO粉体，将称取的原料以无水乙醇为球磨介质加入球磨罐中采用湿式球磨法混合球磨22~24小时，在烘箱中烘干；
(3)向步骤(2)中所得到的烘干粉料中加入该粉料质量3wt%的粘结剂造粒、压制成型，再在600℃保温2~3小时排胶得到生胚料；将生胚料置于马沸炉中按3℃/min升温速度升温到1410~1450℃烧结2小时，得到实施例6的储能介质陶瓷样品。
如图1的XRD所示，该储能陶瓷为SrTiO3相和MgO相组成复合陶瓷。如图2所示，该储能陶瓷在频率为1kHz时介电常数=165，介电损耗tanδ=0.00095，有很低的介电损耗。如图3所示，该储能介质陶瓷的介电常数在0~120kv/cm偏压电场范围变化率为3.5%。如图4所示，该储能陶瓷在频率20Hz~2MHz范围内介电常数变化率仅为1%，说明实施例6的储能介质陶瓷的介电常数满足良好的偏压稳定性以及频率稳定性。测试的实施例6击穿场强174.30kv/cm，相应的储能密度为0.36J/cm3。
以上实施例说明MgO粉体加入陶瓷中可以调节陶瓷的介电常数满足不同的应用背景，所有实施例的介电损耗tanδ<0.003，低介电损耗为器件的稳定工作提供了更多的保障；如图3所示，所有实施例的储能介质陶瓷的介电常数在偏压电场为0~120kv/cm范围内变化率小于4.5%，满足了良好的稳定性，可以使器件在0~120kv/cm电场范围内稳定工作；如图4所示，所有实施例的储能介质陶瓷的介电常数在频率20Hz~2MHz范围内变化了小于1.7%，具有良好的稳定性，这可以使器件在很宽的频率范围内稳定工作；所有实施例的击穿场强Eb均大于174.30kV/cm，这可以使脉冲形成线的尺度大大减小，而且可以满足在苛刻的电压工作的要求，储能密度γ>0.36J/cm3，远大于用去离子水做介质的脉冲形成线的储能密度。
本发明所列举的各种原材料均能实现本发明以及各种原材料的上、下线取值、区间值都能实现本发明，本发明的工艺参数（如温度）的上、下线取值、区间值都能实现本发明，在此不再一一列举实施例。

Claims (4)

1. 一种低介电损耗储能介质陶瓷材料，其特征在于：陶瓷材料体系的组成为x MgO -(1-x)SrTiO3，x=0~20.0wt%，该储能陶瓷在0~120kv/cm电场范围内介电常数变化率小于4.5%，在20Hz~2MHz频率范围内介电常数变化率小于1.7%，在1kHz频率测试介电常数随x在160<                                                
Figure 4450DEST_PATH_IMAGE002
<300变化，介电损耗tanδ<0.003，击穿场强Eb>174.30kV/cm，储能密度γ>0.36J/cm3。
2.权利要求1所述的低介电损耗储能介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于制备步骤为：
(1)以纯度大于99%的SrCO3，纯度大于99%的TiO2为起始原料，以SrTiO3的化学式称取SrCO3和TiO2原料，将称取的原料以无水乙醇为球磨介质加入球磨罐中采用湿式球磨法混合球磨22~24小时；然后在烘箱中烘干后再在1100℃预烧2小时得到SrTiO3陶瓷粉体备用；
(2)按MgO粉体质量分数为0~20.0wt%的比例，称取SrTiO3陶瓷粉体和纯度大于99%的MgO粉体，将称取的原料以无水乙醇为球磨介质加入球磨罐中采用湿式球磨法混合球磨22~24小时，在烘箱中烘干得到混合粉料；
(3)向步骤(2)所得到的混合粉料中加入为该粉料质量1wt%~3.5wt%的粘结剂造粒、压制成型，再在600℃保温2~3小时排胶得到成型生胚料；将该生胚料置于马沸炉中烧结，得到x MgO-(1-x)SrTiO3，x=0~20.0wt%储能陶瓷。
3.根据权利要求2所述的低介电损耗储能介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述的粘结剂为聚乙烯醇水溶液，浓度为0.5wt%~2.0wt%。
4.根据权利要求2所述的低介电损耗储能介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤(3)中的烧结升温速率为1.5~4℃/min，烧结温度为1350~1450℃，保温时间为2小时。
CN201210150158.8A 2012-05-16 2012-05-16 一种低介电损耗的储能介质陶瓷材料及其制备 Active CN102674833B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210150158.8A CN102674833B (zh) 2012-05-16 2012-05-16 一种低介电损耗的储能介质陶瓷材料及其制备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210150158.8A CN102674833B (zh) 2012-05-16 2012-05-16 一种低介电损耗的储能介质陶瓷材料及其制备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102674833A true CN102674833A (zh) 2012-09-19
CN102674833B CN102674833B (zh) 2014-12-03

Family

ID=46807462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210150158.8A Active CN102674833B (zh) 2012-05-16 2012-05-16 一种低介电损耗的储能介质陶瓷材料及其制备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102674833B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103755339A (zh) * 2014-01-21 2014-04-30 武汉理工大学 一种巨介电常数低介电损耗SrTiO3陶瓷材料的制备方法
CN105565780A (zh) * 2015-12-23 2016-05-11 桂林理工大学 高品质因数低介电常数微波介电陶瓷Sr3MgGe4O12及其制备方法
CN106587997A (zh) * 2016-12-08 2017-04-26 陕西科技大学 一种SrTiO3基无铅高储能密度陶瓷材料及其制备方法
CN106699170A (zh) * 2017-02-21 2017-05-24 陕西科技大学 一种钛酸锶基无铅高储能密度高储能效率陶瓷材料及其制备方法
CN107140974A (zh) * 2017-04-11 2017-09-08 陕西科技大学 一种微波烧结的无铅高储能密度st‑nbt陶瓷材料及其制备方法
CN107935586A (zh) * 2017-11-13 2018-04-20 陕西科技大学 一种铌酸钾改性的bt‑kbt基储能陶瓷及其制备方法
CN109734440A (zh) * 2019-03-11 2019-05-10 西南科技大学 具有异质层状结构的SrTiO3基储能介质陶瓷及其制备方法
CN111908897A (zh) * 2020-06-28 2020-11-10 杭州电子科技大学 MgO基微波陶瓷介质材料及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101844919A (zh) * 2010-06-03 2010-09-29 西北工业大学 一种复合钛酸锶钡陶瓷及其制备方法
CN102030524A (zh) * 2009-09-25 2011-04-27 北京有色金属研究总院 一种固态脉冲形成线储能介质材料及其制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102030524A (zh) * 2009-09-25 2011-04-27 北京有色金属研究总院 一种固态脉冲形成线储能介质材料及其制备方法
CN101844919A (zh) * 2010-06-03 2010-09-29 西北工业大学 一种复合钛酸锶钡陶瓷及其制备方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103755339A (zh) * 2014-01-21 2014-04-30 武汉理工大学 一种巨介电常数低介电损耗SrTiO3陶瓷材料的制备方法
CN103755339B (zh) * 2014-01-21 2015-07-22 武汉理工大学 一种巨介电常数低介电损耗SrTiO3陶瓷材料的制备方法
CN105565780A (zh) * 2015-12-23 2016-05-11 桂林理工大学 高品质因数低介电常数微波介电陶瓷Sr3MgGe4O12及其制备方法
CN106587997A (zh) * 2016-12-08 2017-04-26 陕西科技大学 一种SrTiO3基无铅高储能密度陶瓷材料及其制备方法
CN106699170A (zh) * 2017-02-21 2017-05-24 陕西科技大学 一种钛酸锶基无铅高储能密度高储能效率陶瓷材料及其制备方法
CN106699170B (zh) * 2017-02-21 2020-04-07 陕西科技大学 一种钛酸锶基无铅高储能密度高储能效率陶瓷材料及其制备方法
CN107140974A (zh) * 2017-04-11 2017-09-08 陕西科技大学 一种微波烧结的无铅高储能密度st‑nbt陶瓷材料及其制备方法
CN107935586A (zh) * 2017-11-13 2018-04-20 陕西科技大学 一种铌酸钾改性的bt‑kbt基储能陶瓷及其制备方法
CN109734440A (zh) * 2019-03-11 2019-05-10 西南科技大学 具有异质层状结构的SrTiO3基储能介质陶瓷及其制备方法
CN111908897A (zh) * 2020-06-28 2020-11-10 杭州电子科技大学 MgO基微波陶瓷介质材料及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102674833B (zh) 2014-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102674833B (zh) 一种低介电损耗的储能介质陶瓷材料及其制备
CN103508730B (zh) 一种低温烧结的巨介陶瓷电容器介质及其制备方法
CN108546115A (zh) 一种钛酸钡基低损耗巨介电常数电介质材料及其制备方法
CN109553411B (zh) 一种高击穿场强钛酸铜锶钙介电陶瓷材料及其制备方法
CN105272233A (zh) 一种陶瓷电容器用介质材料及其制备方法
CN106145933A (zh) 一种高居里温度（Tc &gt; 190℃）低铅PTCR陶瓷材料制备方法
CN102173789B (zh) 钛酸锶钡基储能介质陶瓷的制备方法
CN103664163B (zh) 一种高介晶界层陶瓷电容器介质及其制备方法
CN103011805B (zh) 一种BaTiO3 基无铅X8R 型陶瓷电容器介质材料及其制备方法
CN107827452B (zh) 一种利用空气淬火降低钛酸铜钙陶瓷损耗的方法
CN102199036A (zh) 一种击穿强度高的储能陶瓷的制备方法
CN108863348A (zh) 一种超宽温度稳定性的介电陶瓷材料及其制备方法
CN106187189B (zh) 一种储能微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN103693957B (zh) 一种微波介质陶瓷的制备方法
CN100424038C (zh) 一种低温烧结高频热稳定介质陶瓷及其制备方法
CN107827451B (zh) 一种利用水淬火降低钛酸铜钙陶瓷损耗的方法
CN104098330B (zh) 采用后退火工艺制备高性能钛酸锶钡热释电陶瓷的方法
CN103524127B (zh) 一种高频晶界层陶瓷电容器介质及其制备方法
CN110577401A (zh) 一种二氧化钛基介质材料的制备方法
CN104803605B (zh) 一种稀土掺杂钛酸锶钡基玻璃陶瓷储能材料及其制备方法
CN101693617A (zh) 一种高电阻率低b值负温度系数热敏电阻材料
CN111217604A (zh) 具有高储能密度和效率的钛酸铋钠基电子陶瓷及制备方法
CN101007737A (zh) 稀土氧化物掺杂改性的锆钛酸钡介电可调陶瓷材料及其制备方法
Chou et al. Preparation and dielectric properties of B2O3–Li2O-doped BaZr0. 35Ti0. 65O3 ceramics sintered at a low temperature
CN105060888A (zh) 一种氧化铝掺杂制备低损耗稳定铌酸钕陶瓷

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant