CN102646778A - 发光器件包及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种能够实现提高发光效率和减小热阻的发光器件包和一种用来制造它的方法。该方法包括：在第一基片中形成安装孔；在第二基片中形成通孔；在通孔中形成金属膜；在第二基片的上下表面上形成至少一对金属层，以至于金属层电气连接到金属膜；把第一基片连结到第二基片；及把至少一个发光器件安装在安装孔中，以至于发光器件电气连接到在第二基片的上表面上形成的金属层上。

Description

发光器件包及其制造方法
本申请是2007年4月30日提交的申请号为200710102325.0，发明名称为“发光器件包及其制造方法”的专利申请的分案申请。
本申请要求在2006年12月21日提交的韩国专利申请No.10-2006-0131732的利益，该专利申请由此通过参考包括在这里，就像在这里完全叙述一样。
技术领域
本发明涉及一种发光器件包和一种用来制造它的方法，并且更具体地说，涉及一种能够实现发光效率提高和热阻减小的发光器件包以及一种用来制造它的方法。
背景技术
众所周知发光二极管(LED)作为把电流转换成光的半导体发光器件以发射光。由于使用GaAsP化合物半导体的红色LED在1962年在市场上可购买到，所以它与GaP:N基绿色LED一起用作在电子设备中的光源用于图像显示。
从这样一种LED发射的光的波长取决于构造LED所使用的半导体材料。这是因为发射光的波长取决于代表在价带电子与导带电子之间的能量差的半导体材料的带隙。
氮化镓(GaN)化合物半导体在大功率电子器件的领域中已经受到重视，因为它呈现较高的热稳定性和0.8至6.2eV的宽带隙。GaN化合物半导体为什么已经得到重视的原因之一是，可以与其它元素例如铟(In)、铝、等等组合地使用GaN来构造能够发射绿色、蓝色或白色光的半导体层。
因而，可以与其它适当元素组合地使用GaN来调节要发射的光的波长。因此，在使用GaN的场合，可以按照LED应用于的设备的特性来适当地确定希望LED的材料。例如，可以构造对于光学记录有用的蓝色LED、或代替辉光灯的白色LED。
另一方面，初始开发的绿色LED使用GaP制造。由于GaP是引起效率降低的间接过渡材料，所以使用这种材料构造的绿色LED实际上不能产生纯绿色的光。然而，由于InGaN薄膜的生长的最近成功，已经可以构造高发光强度的绿色LED。
由于GaN基LED的上述优点和其它优点，GaN基LED市场已经迅速增长。而且，自从GaN基LED在1994年变得可以在市场上购买到，与GaN基电-光器件有关的技术已经迅速发展。
GaN基LED已经发展成呈现出优于辉光灯的发光效率。当前，GaN基LED的效率基本上等于荧光灯的效率。因而，期望GaN基LED市场将显著增长。
由于这样的技术发展，GaN基LED的用途不仅已经扩展到显示器件，而且也扩展到代替用于液晶显示器(LCD)器件的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的LED背光、可用作荧光灯或辉光灯的替代物的白色LED发光器件、及信号灯。
同时，除由直流电源驱动的LED之外，也已经开发了甚至可由一般交流电源驱动的高压交流LED芯片。对于这样一种应用，LED应该在相同电功率下呈现高操作电压、小驱动电流、高发光效率及高亮度。
参照图1，表明的一般LED的结构。如图1中所示，缓冲层2、n型半导体层3、活性层4及p型半导体层5顺序淀积在由例如蓝宝石制成的基片1上。然后进行台式形成图案，从而暴露n型半导体层3。此后，电流扩散层6在p型半导体层5上形成，作为具有高透光率的透明电极。
为了LED到外部电路的电气连接，p型电极7和n型电极8分别顺序地形成在p型半导体层5和n型半导体层3上。因而，完全形成LED结构10。
当来自电路的电压施加在LED中的p型电极7与n型电极8之间时，空穴和电子分别进入p型电极7和n型电极8。空穴和电子在活性层4中重新耦合，从而剩余能量转换成光，该光又穿过透明电极和基片向外部发射。
在这时，静电和冲击电压可能施加到电气连接到外部电路上的p型电极7和n型电极8上，从而过流可能流过LED结构10。在这种情况下，半导体损坏，从而LED不能再用。
为了解决这个问题，电压调节器电气连接到LED上。当产生过流时，电压调节器旁路流过产生的电流，由此防止LED芯片的损坏。
对于这样一种电压调节器，主要使用一种使用齐纳击穿的齐纳二极管。当二极管构造成具有非常高的杂质浓度时，它具有空间电荷区宽度。在这种情况下，即使在较小反向电压下也产生强电场。
如上产生的强电场释放晶格的共价键，由此产生多个自由电子和多个自由空穴。结果，突然反向电流在其中有很小电压变化的条件下流动。根据这样一种齐纳二极管功能，可以防止LED芯片的损坏。
在使用这样一种齐纳二极管的传统包中，杯状弯曲部分形成在引线框处，并且LED连结到引线框的弯曲部分。在这种情况下，诸如齐纳二极管之类的电压调节器连结到包的另一个引线框上。引线框然后导线连结以便将电压调节器和LED并联连接。
在上述传统方法中，可能有电气特性和光学特性的退化及成本的增加，因为必须形成杯状弯曲部分和使用芯片外(off chip)方法连接分开制备的电压调节器。
发明内容
本发明的目标是一种发光器件包和一种用来制造它的方法，该器件包和方法充分消除由现有技术的限制和缺点造成的一个或多个问题。
本发明的目的是提供一种发光器件包，该发光器件包能够：实现反射膜的容易形成，该反射膜适于向前反射从发光器件横向发射的光；实现电压耐受特性的提高；及通过呈现优越导热性的陶瓷或硅体实现热量的容易的对外发散。
本发明的另外优点、目的及特征在随后的描述中部分叙述，并且部分对于本领域的技术人员在查看下文后将成为显然的，或者可以从本发明的实践学习。本发明的目的和其它优点可以由在书写的描述和其权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现和获得。
为了实现这些目的和其它优点并且按照本发明的目的，如这里实施和广义描述的那样，一种用来制造发光器件包的方法包括：在第一基片中形成安装孔；在第二基片中形成通孔；在通孔中形成金属膜；在第二基片的上下表面上形成至少一对金属层，以至于金属层电气连接到金属膜；把第一基片连结到第二基片上；及把至少一个发光器件安装在安装孔中，以至于发光器件电气连接到在第二基片的上表面上形成的金属层上。
在本发明的另一个方面，一种发光器件包包括：第一基片，具有至少一对通孔，以及在每个通孔中形成的金属膜或导电膜；第二基片，布置在第一基片上，第二基片具有发光器件安装孔以及在安装孔的侧壁表面上形成的反射膜；第一电极，布置在第一基片与第二基片之间，每个第一电极连接到在通孔的相关一个中形成的金属膜或导电膜；及至少一个发光器件，布置在安装孔中，并且电气连接到第一电极。
在本发明的另一个方面，一种发光器件包包括：第一基片，具有第一表面、第二表面，及分别在第一和第二表面上形成并且彼此连接的第一和第二电极；第二基片，布置在第一基片上，第二基片具有发光器件安装孔和在安装孔的侧壁表面上形成的反射膜；及齐纳二极管，每个电气连接在第一和第二基片的一个与第一电极的相关一个之间。
要理解，本发明的以上一般描述和如下详细描述是示例性的和解释性的，并且如要求的那样意图提供本发明的进一步解释。
附图说明
被包括以提供本发明的进一步理解并且并入和构成本申请一部分的附图，表明本发明的实施例并且与描述一起用来解释本发明的原理。在附图中：
图1是表明一般发光器件的例子的剖视图；
图2是表明根据本发明的第一实施例的一种发光器件包的立体图；
图3至10是表明本发明的第一实施例的剖视图，在这些图中：
图3是表明在上基片上的掩模层的形成的剖视图；
图4是表明安装孔的形成的剖视图；
图5是表明扩散层的形成的剖视图；
图6是表明反射膜的形成的剖视图；
图7是表明在下基片中的通孔的形成的剖视图；
图8是表明在每个通孔中的金属膜的形成的剖视图；
图9是表明金属层的形成的剖视图；
图10是表明根据本发明第一实施例的发光器件包的剖视图；
图11是表明用来安装发光器件的方法的例子的剖视图；
图12是表明其中多个发光器件安装在根据本发明的第一实施例的包中的状态的剖视图；
图13是表明根据本发明的第二实施例的一种发光器件包的立体图；
图14是表明根据本发明的第二实施例的发光器件包的剖视图；
图15是表明其中多个发光器件安装在根据本发明的第二实施例的包中的状态的剖视图；及
图16是表明根据本发明的第三实施例的一种发光器件包的剖视图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的优选实施例，其例子在附图中示出。
然而，本发明可以以多种另外形式实施，并且不应该理解为限于这里叙述的实施例。因此，尽管本发明允许各种修改和可选择形式，但其特定实施例在附图中通过例子表示，并且将在这里详细地描述。然而，应该理解，不意图把本发明限于公开的具体形式，而是相反，本发明要覆盖落在由权利要求书所限定的本发明的精神和范围内的所有修改、等效物及变更。
在附图的全部描述中相同附图标记表示相同元件。在附图中，为了清楚起见夸大了层的厚度和区域。
将理解，当诸如层、区域或基片之类的元件称作在另一个元件“上”时，它可能直接在其它元件上，或者也可能存在插入元件。也将理解，如果诸如表面之类的元件的部分称作“内部”，则它比元件的其它部分距离器件的外侧更远。
另外，相对术语，如“下面”和“叠置”，在这里用来描述在图中所表明的一个层或区域对于另一个层或区域的关系。
将理解，这些术语意图包容除在图中描绘的方位之外的器件的不同方位。最后，术语“直接”是指没有插入元件。如这里使用那样，术语“和/或”包括有关的列出项目的一个或多个的任一个和所有组合。
将理解，尽管术语第一、第二等等在这里可能用来描述各种元素、元件、区域、层和/或部分，但这些元素、元件、区域、层和/或部分应该不受这些术语限制。
这些术语仅用来把一个区域、层或部分与另一个区域、层或部分分开。因而，下面讨论的第一区域、层或部分可称作第二区域、层或部分，并且类似地，第二区域、层或部分可以称作第一区域、层或部分，而不脱离本发明的讲授。
<第一实施例>
参照图2，表明根据本发明的第一实施例的一种发光器件包。发光器件包包括上部基片100和下部基片200。发光器件300安装在下部基片200上。下部基片200由具有热传导系数的材料制成。上部基片100连结到下部基片200上，并且设有用来向前反射从发光器件300发射的光的反射膜。
下部基片200的材料可以是诸如SiC、AlN之类的陶瓷；或具有热传导系数的石墨。这里，陶瓷是指诸如包含矿物元件作为主要成分的氧化物、氮化物或碳化物之类的的材料。这样一种材料，即氧化物、氮化物或碳化物，可以用于下部基片200。
另外，可以使用PCB、BeO、SiO、Si、Al、AlOx、PSG、诸如环氧树脂之类的合成树脂(塑料)、陶瓷或Al2O3。
应该使用具有高热传导系数的材料的原因是，把从发光器件300产生的热量迅速传递到散热器、PCB或金属芯PCB(MCPCB)。优选的是，使用具有100W/mk或更大热传导系数的材料。
上部基片100可以由诸如硅(Si)之类的半导体制成。在由这样的半导体制成的上部基片100中，可以形成齐纳二极管，以便实现电压耐受特性的改进。
在下文中，将描述用来制造根据本发明的第一实施例的发光器件包的过程。
首先，形成用于蚀刻过程的掩模层110，以在上部基片100中形成安装孔。
例如，如图3中所示，湿式蚀刻掩模形成在由硅制成的上部基片100上，从而对于上部基片100可实施各向异性湿式蚀刻。此后，从将形成安装孔120(图4)的区域除去湿式蚀刻掩模，以暴露上部基片100的对应部分。然后形成掩模层110，如图3中所示。
其次，如图4中所示，使用能够各向异性地湿式蚀刻硅的蚀刻溶液，执行湿式蚀刻过程，从而穿过上部基片100形成通孔。从而，形成安装孔120。在形成安装孔120之后，完全除去剩余的掩模层110。
在按照各向异性湿式蚀刻形成安装孔120的地方，可以这样执行安装孔120的形成，以至于安装孔具有倾斜边缘表面，该倾斜边缘表面具有一定倾斜角θ，如图4中所示。
倾斜角θ是在安装孔120的倾斜表面与布置在安装孔120下面没有形成安装孔120的底部表面之间限定的角。倾斜角θ的范围可以从35°到70°。
倾斜表面将形成用于提取从稍后将安装的发光器件横向发射的光的反射表面。因而，考虑到从发光器件水平发射的光的分布和方向，理论上最优选的是倾斜角θ是54.7°。然而，实际上，倾斜角θ的范围可以从50°到60°。
同时，发光器件可以具有倾斜侧表面。考虑到这样的条件，安装孔120的倾斜角θ可以确定在35°到70°的范围内。
齐纳二极管可以形成在形成有安装孔120的上部基片100中，以便补偿发光器件的弱电压耐受特性。在下文中，将描述用来形成这样的齐纳二极管的方法。
在上部基片100的、按适当浓度掺杂有杂质的一定区域中，扩散与在上部基片100中掺杂的杂质具有相反传导性的杂质，以形成扩散层131。从而，形成齐纳二极管130(图5)。
为了这样一种选择性杂质扩散，如图5中所示，扩散掩模132首先淀积在上部基片100上。此后，对扩散掩模132形成图案，以便使与上部基片100中掺杂的杂质具有相反传导性类型的杂质能够透入上部基片100中。
在使得通过扩散掩模132在上部基片100中能够实现杂质的选择性扩散的图案形成之后，在杂质扩散炉中执行扩散过程，以形成扩散层131。
在扩散过程完成之后，除去扩散掩模132，并且在上部基片100上淀积绝缘层。此后，可以执行热开口过程(未表示)，以把齐纳二极管130连接到外部电路上。
在用来形成齐纳二极管130的扩散层131形成之后，使用Ag、Al、Mo或Cr，把在可见光线范围、紫外线范围及红外线范围中的波长下呈现70％或更大的高反射率的反射膜140形成在安装孔120的内部侧壁表面(倾斜表面)上，以便提高内部侧壁表面的反射率。
一般地，金属薄膜与其它材料相比呈现高反射率，因为它们具有独特的金属光泽。然而，有利的是，形成具有一定值或更大的反射率的反射膜，以便有效地向外部引导从发光器件发射的光。
反射膜140在可见光线范围、紫外线范围及红外线范围中的波长下的反射率可能取决于反射膜140的材料和用于反射膜140的形成方法。然而，通过使用如上所述的诸如Ag、Al、Mo或Cr之类的材料和下文将描述的形成方法，可以形成具有70％或更大反射率的反射膜140。
使用诸如溅射过程或蒸发过程的半导体过程通过淀积金属薄膜，和按照光刻过程对金属薄膜形成图案以至于金属薄膜仅保留在希望区域中，可以形成反射膜140。
可选择地，光刻过程可以首先执行以淀积反射膜140。在这种情况下，以后可以执行剥离(lift-off)过程。按照另一种方法，淀积种子金属，并且然后按照光刻过程对其形成图案。然后对于形成图案的种子金属执行金属镀过程，以形成反射膜140。
此后，如图7中所示，使用打孔技术或激光加工技术，穿过下部基片200形成通孔210，该下部基片200是具有高热传导系数和优异绝缘性能的陶瓷基片。
关于具有高热传导系数和优异绝缘性能的陶瓷材料，可以使用AlN、SiC、石墨等等。优选使用具有100W/mk或更大热传导系数的陶瓷材料。
在其中上部基片100和下部基片200在对准状态下彼此连结的条件下，可以在其中不定位上部基片100的安装孔120的区域中形成通孔210。
可选择地，通孔210可以形成在布置在安装到上部基片100上的发光器件将连结到下部基片200的区域之外的区域中，但布置在与安装孔120相对应的区域内。
当通孔210形成在安装孔120外侧时，如上所述，它们可以定位成使得切割线延伸通过通孔210，包结构沿着该切割线分离成单元包。可选择地，包分割可以这样执行，以至于通孔210位于切割线内。
通孔210可以具有垂直结构，该垂直结构具有均匀横截面(即，在下部基片200的上表面处的通孔尺寸与在下部基片200的下表面处的通孔尺寸相同)。可选择地，通孔210可以具有这样的垂直结构，该垂直结构具有变化的横截面，以至于在下部基片200的上表面处的通孔尺寸大于或小于在下部基片200的下表面处的通孔尺寸。
然后，如图8中所示，按照丝网印刷方法等执行用来在通孔210上形成由金属其它导电材料制成的金属膜220的过程。金属膜220可以完全填满每个通孔210，或者可以以涂敷的形式覆盖每个通孔210的内表面。
此后，如图9中所示，在其上将安装发光器件的下部基片200的表面上形成金属层，作为第一和第二电极230和240，并且然后对将分别电气连接到外部电路(未表示)的下部基片200的部分形成图案。为了描述方便起见，连接到发光器件的每个金属层将被称作“第一电极230”，而电气连接到外部电路的每个金属层将称作“第二电极240”。
在其上连结有发光器件的基片部分上形成的每个第一电极230由在可见光线范围、紫外线范围及红外线范围中的波长下呈现高反射率的金属制成，即由诸如Al、Ag、Cr或Mo之类的金属制成。从而，从发光器件向下发射的光和从布置在发光器件上方的各种介质向下反射的光可向上重新反射。因而，可得到进一步提高的光提取效率。
在完成用于上部基片100和下部基片200的上述过程之后，上部基片100和下部基片200在对准状态下彼此连结。此后，发光器件300连结到上部基片100的安装孔120上，从而发光器件300电气连接到第一电极230。
在发光器件300具有垂直结构的场合，即在p型电极310和n型电极320布置在相对表面上的场合，如图11中所示，发光器件300的连结通过以下来实现：使用导电环氧树脂250把发光器件300的下部电极(例如，p型电极310)的一个表面附着到在下部基片200上形成的一个第一电极230上，以及根据使用导线260的导线连结过程把发光器件300的上部电极(例如，n型电极320)电气连接到下部基片200的另一个第一电极230。
另一方面，在发光器件300具有水平结构时，发光器件300的连结通过按照倒装芯片连结方法把发光器件300的绝缘基片部分连结到下部基片200的第一电极230上或连结到陶瓷基片上、和把在发光器件300的上部表面上布置的p型电极和n型电极电气连接到下部基片200的第一电极230上(未表示)而实现。
在把发光器件300电气连接到下部基片200的第一电极230上之后，诸如透明环氧树脂或硅胶之类的填充物400可以填充在安装孔120中，以便实现光提取效率的提高。
另一方面，当希望改变从发光器件300发射的光的波长时，磷可以包含在可以是透明环氧树脂或硅胶的填充物400中。
例如，在对于发光器件300使用蓝色光发射器件时，可以通过把黄磷添加到填充物400中而实现白色光的发射，并因而能够实现蓝色光和黄色光的混合的产生。
尽管一个发光器件300可以安装在安装孔120中，但发射同一颜色光的多个发光器件300可以安装在安装孔120中，如图12中所示。可选择地，分别发射红色(R)光、绿色(G)光及蓝色(B)光的发光器件可以安装在安装孔120中，以实现白色光源。
在安装多个发光器件300的地方，如上所述，可以形成多个第一电极230，用于发光器件300的安装，。多个第一电极230的部分可以共同连结到发光器件300的至少两个上。
此后，由彼此连结的上部基片100和下部基片200形成的包结构，如上所述，分离成各个包。因而，完全形成发光器件包。
同时，通过按照用于基片100和200的机械分离的分割过程把包括基片100和200的包结构分离成各个包、并且然后把发光器件300分别连结到分离包上，可以构造发光包。
<第二实施例>
参照图13和14，表明根据本发明的第二实施例的一种发光器件包。发光器件包包括上部基片500和下部基片600。发光器件300安装在下部基片600上。上部基片500连结到下部基片600上，并且设有用来向前反射从发光器件300发射的光的反射膜510。
在可以是硅基片的下部基片600中，形成齐纳二极管610，以实现发光器件300的电压耐受特性的改进。
模制环氧树脂可以用于上部基片500。
上部基片500或下部基片600可以由从PCB、BeO、SiO、Si、Al、AlOx、PSG、诸如环氧树脂之类的合成树脂(塑料)、陶瓷及Al2O3选择的材料制成。
使用批量微加工技术或干式蚀刻方法，贯穿下部基片600可以形成通孔620。图14表明其中使用湿式蚀刻过程形成通孔620的实施例。
当下部基片600在下部基片600的相对侧处经受湿式蚀刻过程时，具有倾斜度的通孔620形成在下部基片600的相对侧处，如图14中所示。
当用于第一电极230和第二电极240的形成的金属层形成在通孔620的上下端部处时，金属膜220形成在每个通孔620中。因而，第一电极230和第二电极240由金属膜220电气连接。
在其中连结发光器件300的区域中形成的每个第一电极230，由在可见光线范围、紫外线范围及红外线范围中的波长下呈现高反射率的金属制成，例如，由诸如Al、Ag、Cr或Mo之类的金属制成。由此，可以有效地反射从发光器件300发射的光，并因而，实现光提取效率的提高。
下部基片600具有约140W/mk的优异热传导特性。而且，可经受半导体过程的下部基片600可具有减小的高度。因此，有可能实现热阻的减小。
当在每个通孔620中形成的金属膜220不能呈现希望传导性时，可以使用电镀方法减小金属膜220的电阻。
用来在下部基片600中形成齐纳二极管610的过程可以与在第一实施例中用来在上部基片100中形成齐纳二极管130的过程相同。与下部基片600具有相反传导性的杂质掺杂在下部基片600中，以形成扩散层611。
如上所述，上部基片500可以使用模制环氧树脂形成。当安装孔520在模制过程中成型时，安装孔520的边缘表面的倾斜度设置成使得从发光器件300横向发射的光可向前反射。具有高反射率的金属膜，作为反射膜510形成在安装孔520的内部侧壁表面(边缘表面)上，以便实现最大反射效率。
在上述过程完成之后，上部基片500和下部基片600在对准状态下彼此连结。
此后，发光器件300和第一电极230电气连接。使用透明环氧树脂或硅胶，填充物700然后可以填充在安装孔520中，发光器件300连结到该安装孔520上。当然，磷可以包含在填充物700中，如在第一实施例中那样。
如图15中所示，可以安装发射同一颜色光的多个发光器件300，以便实现光功率的提高。可选择地，可以安装分别发射红色(R)光、绿色(G)光及蓝色(B)光的发光器件，以实现白色光源。
第二实施例的剩余构造可以与第一实施例的那些相同，并因此将不给出对其的描述。
<第三实施例>
参照图16，表明根据本发明的第三实施例的一种发光器件包。发光器件包包括上部基片500和下部基片600。下部基片600由诸如硅之类的半导体制成，并且形成有每个在一个方向上具有倾斜度的通孔620。上部基片500形成有用来安装发光器件300的安装孔520。
上部基片500或下部基片600可以由从PCB、BeO、SiO、Si、Al、AlOx、PSG、诸如环氧树脂之类的合成树脂(塑料)、陶瓷及Al2O3选择的材料制成。
反射膜511绕发光器件300形成。反射膜511可以沿安装孔520的内侧壁表面和其处安装有发光器件300的安装孔520的表面延伸。
按照在一定方向上执行的湿式蚀刻过程，下部基片600的每个通孔620形成为在该方向上具有倾斜度。金属膜220形成在每个通孔620中。
图16表明其中发光器件300具有垂直结构的情形。如上所述，经由下部电极310和上部电极320把电流施加到具有垂直结构的发光器件300上。
发光器件300可以包括支撑层330。在这种情况下，支撑层330使用导电环氧树脂250可以附加到第一电极230的一个上。
在发光器件300形成在支撑层330上时，发光器件300的下部电极310可以包括欧姆电极和布置在欧姆电极下面的反射电极。如有必要，可以使用具有欧姆特性的反射电极(NiAg或NiAu基反射电极)。
第三实施例的剩余构造可以与第一和第二实施例的那些相同，并因此将不给出对其的描述。
对于本领域的技术人员显然，在本发明中不脱离本发明的精神或范围可进行各种修改和变更。因而，本发明意图覆盖这个发明的修改和变更，只要它们进入附属权利要求书和其等效物的范围内。

Claims (18)

1.一种发光器件包，包括：
基片，所述基片包括第一表面、第二表面，和至少一个通孔；
第一电极，所述第一电极在所述第一表面上，所述第一电极电连接到发光器件，其中所述第一电极具有一对部分；
发光器件，所述发光器件在所述第一表面上，其中所述发光器件布置在所述一对部分上；
第二电极，所述第二电极在所述第二表面上，所述第二电极电连接到所述第一电极；
齐纳二极管，所述齐纳二极管在所述第一表面上，所述齐纳二极管电连接到所述第一电极，其中所述齐纳二极管相对于所述发光器件横向布置，并且其中所述发光器件和所述齐纳二极管布置在所述第一电极的相同侧；以及
封装，所述封装在所述发光器件上。
2.根据权利要求1所述的发光器件包，其中所述基片包括PCB、BeO、SiO、Si、Al、AlOx、PSG、合成树脂材料、陶瓷、AlN、SiC、石墨及Al2O3中的至少一种材料。
3.根据权利要求1所述的发光器件包，其中所述齐纳二极管的一部分被配置为提供反射表面。
4.根据权利要求1所述的发光器件包，其中所述发光器件和所述齐纳二极管位于基本上相同的平面。
5.根据权利要求1所述的发光器件包，进一步包括布置在所述发光器件上的磷材料。
6.根据权利要求1所述的发光器件包，其中所述封装包含磷材料。
7.根据权利要求6所述的发光器件包，其中所述磷材料包括黄磷材料。
8.根据权利要求1所述的发光器件包，其中所述基片具有100W/mK或更大的导热系数。
9.根据权利要求1所述的发光器件包，其中所述第二电极经由布置在所述通孔中的金属或传导材料电连接到所述第一电极。
10.根据权利要求1所述的发光器件包，其中所述齐纳二极管包括：
半导体层；以及
扩散区，所述扩散区在所述半导体层上。
11.根据权利要求10所述的发光器件包，其中所述半导体层具有第一传导性，并且所述扩散区具有与所述第一传导性相反的第二传导性。
12.根据权利要求10所述的发光器件包，其中所述半导体层包括在第二基片中，所述第二基片布置在所述基片上。
13.根据权利要求1所述的发光器件包，其中所述第一电极包括Al、Ag、Cr、和Mo中的至少一种。
14.根据权利要求1所述的发光器件包，其中所述封装包括环氧树脂或硅树脂。
15.根据权利要求1所述的发光器件包，其中所述第二电极和所述通孔中的至少一个包括一对部分。
16.根据权利要求1所述的发光器件包，其中所述发光器件位于所述第一电极的第一部分，并且所述齐纳二极管位于所述第一电极的第二部分。
17.根据权利要求1所述的发光器件包，其中在所述第一表面处的通孔的尺寸与在所述第二表面处的通孔的尺寸基本上相同。
18.根据权利要求1所述的发光器件包，其中所述发光器件和所述第一表面之间的最短距离与所述齐纳二极管和所述第一表面之间的最短距离基本上相同。
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