CN102502652A - 一种多晶硅料的清洗工艺 - Google Patents
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Abstract
一种多晶硅料的清洗工艺，包括将多晶硅料用纯水洗净，然后置入硝酸和氢氟酸的混合液中清洗，硝酸和氢氟酸的混合液比例为4.5-9L:1-5L，时间30s—50s；捞出浸入纯水中；再置入第二道混合液中清洗，硝酸和氢氟酸的混合液比例为9-15L:1-5L，时间8s—20s；捞出浸入纯水中；超声清洗；离心甩干与烘干炉干燥去水；分选；包装入库即可。解决了多晶硅料清洗成本偏高和清洗质量偏低的问题。具有成本低、质量好的特点，且操作简单、方便。
Description
技术领域
本发明涉及一种多晶硅料的清洗工艺，特别是一种用于拉制单晶用的多晶硅料的清洗工艺。
背景技术
单晶硅太阳能电池比多晶硅太阳能电池发电效率高1-2%，所以单晶硅电池很受欢迎。拉制单晶硅棒和多晶硅锭一样都使用多晶硅原料，而其所用原料都需清洗，去除硅料表面杂质。
单晶拉制用多晶硅料，目前采用手动和机动清洗方式，存在用酸成本偏高和清洗质量偏低问题。
发明内容
本发明其目的就在于提供一种多晶硅料的清洗工艺，解决了多晶硅料清洗成本偏高和清洗质量偏低的问题。具有成本低、质量好的特点，且操作简单、方便。本发明工艺路线为：多晶硅料装入花篮，浸入纯水，捞取滤干，置入第一道混合酸液，浸入纯水，置入第二道混合酸，浸入纯水，三级溢流清洗，超声清洗，硅料甩干脱水，干燥，冷却，挑选包装入库。
实现上述目的而采取的技术方案，包括
(1) 将多晶硅料用纯水洗净，然后置入硝酸和氢氟酸的混合液中清洗，硝酸和氢氟酸的混合液比例为4.5-9L:1-5L，时间30s—50s；
(2) 捞出浸入纯水中；
(3) 再置入第二道混合液中清洗，硝酸和氢氟酸的混合液比例为9-15L:1-5L，时间8s—20s；
(4) 捞出浸入纯水中；
(5) 超声清洗；
(6) 离心甩干与烘干炉干燥去水；
(7) 分选；
(8) 包装入库即可。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于，两种不同配比的酸洗液循环交替使用，直至酸液变成淡绿色才排放。酸洗液的多次使用，降低了酸的消耗量，同时提高了单晶用多晶硅料的品质，可降低生产成本。解决了多晶硅料清洗成本偏高和清洗质量偏低的问题。具有成本低、质量好的特点，且操作简单、方便。
具体实施方式
本发明包括：
(1) 将多晶硅料用纯水洗净，然后置入硝酸和氢氟酸的混合液中清洗，硝酸和氢氟酸的混合液比例为4.5-9L:1-5L，时间30s—50s；
(2) 捞出浸入纯水中；
(3) 再置入第二道混合液中清洗，硝酸和氢氟酸的混合液比例为9-15L:1-5L，时间8s—20s；
(4) 捞出浸入纯水中；
(5) 超声清洗；
(6) 离心甩干与烘干炉干燥去水；
(7) 分选；
(8) 包装入库即可。
所述的超声清洗设有三级溢流工序。
所述的硝酸浓度为65%—68%，氢氟酸浓度为49%纯度为EL级。
实施例
方案为：将多晶硅料置入硝酸和氢氟酸的混合液中清洗，硝酸和氢氟酸的混合液重量比为4.5-9L:1-5L，时间30s—50s捞出浸入纯水中；再置入第二道混合液（比例为9-15L:1-5L）中清洗，时间8s—20s捞出浸入纯水中，继而用硅料清洗机中的超声清洗、再经过硅料清洗机中的三级溢流段，然后转入离心甩干与烘干炉干燥去水、分选、包装入库即可。清洗合格的多晶硅料最显著的特点是：有银色光亮的光泽。
回收利用方法，第一道酸洗液因长时间清洗，氢氟酸（HF）量会减少，相应与SIO2反应能力会减弱，这时应陆续补充加入氢氟酸（HF），达到清洗效果。补充了氢氟酸（HF）量的第一道酸洗液比例已和原来的第二道酸洗液相似，将其转为以后酸洗硅料的第一道酸洗液使用；而第二道混合液也随着时间变长，慢慢减弱其腐蚀硅料的作用，所以酸洗后的硅料光亮会减弱。此时，第二道酸可转为第一道酸洗液使用。
一开始将多晶硅料置入纯水中浸湿，使水渗透至多晶硅料的空隙中，会形成一种水膜保护硅料；如一开始将多晶硅料放入酸液中，酸会渗透到其空隙中易形成酸斑而不易洗干净。所以硅料一开始浸入纯水中，除上述效果外可洗去硅料表面的粉尘。
混合酸是硝酸和氢氟酸配置，溶液为体积比，硝酸浓度为65%—68%，氢氟酸浓度为49%纯度为EL级。
用本清洗方法清洗的多晶硅单晶用料，表面光亮、无酸斑、无水渍，清洗效果好。清洗成本底操作简单，易于控制清洗质量，提高了清洗收益率。
Claims (3)
1. 一种多晶硅料的清洗工艺，其特征在于，包括：
（1）将多晶硅料用纯水洗净，然后置入硝酸和氢氟酸的混合液中清洗，硝酸和氢氟酸的混合液比例为4.5-9L:1-5L，时间30s—50s；
（2）捞出浸入纯水中；
（3）再置入第二道混合液中清洗，硝酸和氢氟酸的混合液比例为9-15L:1-5L，时间8s—20s；
（4）捞出浸入纯水中；
（5）超声清洗；
（6）离心甩干与烘干炉干燥去水；
（7）分选；
（8）包装入库即可。
2.根椐权利要求1所述的一种多晶硅料的清洗工艺，其特征在于，所述的超声清洗设有三级溢流工序。
3.根椐权利要求1所述的一种多晶硅料的清洗工艺，其特征在于，所述的硝酸浓度为65%—68%，氢氟酸浓度为49%纯度为EL级。
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