CN102498860A - 一种人工种植石斛的低成本高产栽培方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种人工种植石斛的低成本高产栽培方法，包括种植环境营造、种植畦设置、种植畦整理、石斛苗栽植，具体为：建造可人工影响栽培环境的全封闭遮阴大棚，在棚内设置管理路梗和灌溉排水沟；在全封闭遮阴大棚内平行设置种植畦，相邻种植畦之间设置畦沟，畦沟连通灌溉排水沟；畦面做平整，并铺设垫板作为栽培苗床垫层，上面铺设边皮板，边皮板上铺一层遮阴网，在遮阴网上铺设栽培基质；在整理好的种植畦上按10×10cm的株距依次将石斛成苗或组培苗栽培在苗床上，并按常规生产流程进行生产管理。本发明采用特殊结构的种植畦，用石棉瓦将栽培基质和土层分开，取得了突出的技术效果，更加符合石斛对栽培条件的要求，提高了石斛的产量。
Description
技术领域
本发明属于石斛人工栽培技术领域，具体涉及一种人工种植石斛的低成本高产栽培方法。
背景技术
石斛（Dendrobium）属兰科，我国的云南、广西、广东、贵州、台湾为国产本属植物的分布中心。石斛属植物喜阴，生活环境独特，对小气候环境要求十分严格。多生于温凉高湿的阴坡、半阴坡微酸性岩层峭壁上，群聚分布，上有林木侧方遮阴，下有溪沟水源，冬春季节稍耐干旱，但严重缺水时常叶片落尽，裸茎渡过不良环境，到温暖季节重新萌发枝叶。常与地衣、苔藓植物以及抱石莲、伏石蕨、卷柏、石豆兰等混生。石斛以其密集的须根系附着于石壁砂砾上吸收岩层水分和养料，裸露空中的须根则从空气中的雾气、露水吸收水分，依靠自身叶绿素进行光合作用。因此，人工栽培石斛一般采用泥炭苔藓、蕨根、树皮块和木炭等轻型、排水好、透气的栽培基质，底部多垫入瓦片或碎砖屑，以利于根系发育。
目前，人工栽培石斛普遍多采用遮阴大棚，大棚内搭建平面苗床进行栽培。苗床一般采用钢结构、木结构或砖石结构的支架式苗床，在农业生产中，建设这类苗床的成本过高，而且易损坏，更换或维护困难，给石斛的人工栽培带来很多的困难。为此，经本发明潜心研究，开发出一种人工种植石斛的低成本高产栽培方法，试验证明，效果良好。
发明内容
本发明的在于针对现有技术的不足，提供一种制作成本低廉、维护方便的人工种植石斛的低成本高产栽培方法。
本发明的目的是这样实现的，包括种植环境营造、种植畦设置、种植畦整理、石斛苗栽植，具体为下列步骤：
A、种植环境营造：建造可人工影响栽培环境的全封闭遮阴大棚，在棚内设置管理路梗和灌溉排水沟；
B、种植畦设置：在全封闭遮阴大棚内平行设置种植畦，相邻种植畦之间设置畦沟，畦沟连通灌溉排水沟；
C、种植畦整理：畦面做平整，并铺设垫板作为栽培苗床垫层，上面铺设边皮板，边皮板上铺一层遮阴网，在遮阴网上铺设栽培基质；
D、石斛苗栽植：在整理好的种植畦上按10×10cm的株距依次将石斛成苗或组培苗栽培在苗床上，并按常规生产流程进行生产管理。
本发明采用土基作为种植畦的基础，大大降低了生产成本；用石棉瓦作为垫板将栽培基质和土层分开，更加符合石斛对人工栽培条件的要求，从而提高了石斛的产量，取得了突出的技术效果。本发明工艺简便，制作种植畦的材料成本低廉，维护方便，更长期使用。
附图说明
图1为本发明种植环境结构示意图；
图中：1-全封闭遮阴大棚；2-种植畦；3-畦沟；4-灌溉排水沟；5-垫板；6-边皮板；7-遮阴网；8-栽培基质。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的说明，但不以任何方式对本发明加以限制，基于本发明教导所作的任何变更或改进，均属于本发明的保护范围。
如图1所示，本发明包括种植环境营造、种植畦设置、种植畦整理、石斛苗栽植，具体为下列步骤：
A、种植环境营造：建造可人工影响栽培环境的全封闭遮阴大棚1，在棚内设置管理路梗和灌溉排水沟4；
B、种植畦设置：在全封闭遮阴大棚1内平行设置种植畦2，相邻种植畦2之间设置畦沟3，畦沟3连通灌溉排水沟4；
C、种植畦整理：畦面做平整，并铺设垫板5作为栽培苗床垫层，上面铺设边皮板6，边皮板6上铺一层遮阴网7，在遮阴网7上铺设栽培基质8；
D、石斛苗栽植：在整理好的种植畦2上按10×10cm的株距依次将石斛成苗或组培苗栽培在苗床上，并按常规生产流程进行生产管理。
所述的全封闭遮阴大棚1高度为2.5~3m。
所述种植畦2底部宽150~170cm、畦高50~60cm，畦沟3宽50~60cm。
所述的畦沟3连接灌溉排水沟4的一端低于另一端8~12cm。
所述的遮阴网7对阳光的遮除率为75~85%。
所述的垫板5为石棉瓦拼接组合而成，也可以采用其他不透水材料制作，如砖、瓦片或玻璃钢片等，同样可以实现本发明的目的。
所述的栽培基质8包括沤制熟化后的锯末和/或碎树皮、树叶。
所述的栽培基质8中锯末和/或碎树皮、树叶的为重量比1：0~3，栽培基质8，厚度为5~8cm。
所述的栽培基质8使用前要经杀虫和消毒处理。
所述的杀虫处理是使用氯氰菊酯类、杀螺胺类、溴氰菊酯类杀虫剂中的一种或一种以上；所述的消毒处理是使用阿维菌素、多菌灵、百菌清中的一种或一种以上。
本发明的工作原理：
本发明根据石斛生长特点，采用全封闭遮阴大棚1和特殊结构的土基栽培床，栽培床的垫板5采用不透水的材料（如石棉瓦），水份过多时不会透过垫板5向下直接渗入土壤层中，而是沿着边皮板6渗流入畦沟3中，经畦沟3导流至灌溉排水沟4中排出。
实施例1
建造高度2.5m的全封闭遮阴大棚1，在棚内设置管理路梗和灌溉排水沟4；平行设置种植畦2，畦底宽150cm、畦高50cm，畦沟3宽50cm，畦沟3一端较连通灌溉排水沟4一端高8cm；将畦面做平整，并铺设石棉瓦作为栽培床的垫板5，石棉瓦上铺边皮板6，边皮板6上铺一层遮阴网7，在遮阴网7上铺设5cm由锯末和树皮、树叶按重量比1:3混合的栽培基质8，栽培基质8用前要经杀虫和消毒处理。所述的杀虫处理是使用氯氰菊酯类杀虫剂，所述的消毒处理是使用阿维菌素。按株行距10×10cm依次将石斛成苗或组培苗栽培在苗床上，按常规生产流程进行生产管理。
实施例2
建造高度3.0m的全封闭遮阴大棚1，在棚内设置管理路梗和灌溉排水沟4；平行设置种植畦2，畦底宽170cm、畦高60cm，畦沟3宽60cm，畦沟3一端较连通灌溉排水沟4一端高12cm；将畦面做平整，并铺设石棉瓦作为栽培床的垫板5，石棉瓦上铺边皮板6，边皮板6上铺一层遮阴网7，在遮阴网7上铺设8cm由锯末和树皮、树叶按重量比1:2混合的栽培基质8，栽培基质8用前要经杀虫和消毒处理。所述的杀虫处理是使用杀螺胺类和溴氰菊酯类杀虫剂混合使用；所述的消毒处理是使用多菌灵和百菌清混合使用。按株行距10×10cm依次将石斛成苗或组培苗栽培在苗床上，按常规生产流程进行生产管理。
实施例3
建造高度2.8m的全封闭遮阴大棚1，在棚内设置管理路梗和灌溉排水沟4；平行设置种植畦2，畦底宽160cm、畦高55cm，畦沟3宽60cm，畦沟3一端较连通灌溉排水沟4一端高10cm；将畦面做平整，并铺设石棉瓦作为栽培床的垫板5，石棉瓦上铺边皮板6，边皮板6上铺一层遮阴网7，在遮阴网7上铺设6cm由锯末组成的栽培基质8，栽培基质8用前要经杀虫和消毒处理。所述的杀虫处理是使用氯氰菊酯类和溴氰菊酯类杀虫剂混合使用，所述的消毒处理是使用阿维菌素和百菌清混合使用。按株行距10×10cm依次将石斛成苗或组培苗栽培在苗床上，按常规生产流程进行生产管理。
实施例4
建造高度2.9m的全封闭遮阴大棚1，在棚内设置管理路梗和灌溉排水沟4；平行设置种植畦2，畦底宽160cm、畦高60cm，畦沟3宽55cm，畦沟3一端较连通灌溉排水沟4一端高9cm；将畦面做平整，并铺设石棉瓦作为栽培床的垫板5，石棉瓦上铺边皮板6，边皮板6上铺一层遮阴网7，在遮阴网7上铺设7cm由锯末和树皮、树叶按重量比1:1混合的栽培基质8，栽培基质8用前要经杀虫和消毒处理。所述的杀虫处理是使用氯氰菊酯类、杀螺胺类和溴氰菊酯类杀虫剂混合使用；所述的消毒处理是使用阿维菌素、多菌灵和百菌清中混合使用。按株行距10×10cm依次将石斛成苗或组培苗栽培在苗床上，按常规生产流程进行生产管理。
Claims (10)
1.一种人工种植石斛的低成本高产栽培方法，其特征在于包括种植环境营造、种植畦设置、种植畦整理、石斛苗栽植，具体为下列步骤：
A、种植环境营造：建造可人工影响栽培环境的全封闭遮阴大棚（1），在棚内设置管理路梗和灌溉排水沟（4）；
B、种植畦设置：在全封闭遮阴大棚（1）内平行设置种植畦（2），相邻种植畦（2）之间设置畦沟（3），畦沟（3）连通灌溉排水沟（4）；
C、种植畦整理：畦面做平整，并铺设垫板（5）作为栽培苗床垫层，上面铺设边皮板（6），边皮板（6）上铺一层遮阴网（7），在遮阴网（7）上铺设栽培基质（8）；
D、石斛苗栽植：在整理好的种植畦（2）上按10×10cm的株距依次将石斛成苗或组培苗栽培在苗床上，并按常规生产流程进行生产管理。
2.根据权利要求1所述的人工种植石斛的低成本高产栽培方法，其特征是：所述的全封闭遮阴大棚（1）高度为2.5~3m。
3.根据权利要求1所述的人工种植石斛的低成本高产栽培方法，其特征是：所述种植畦（2）底部宽150~170cm、畦高50~60cm，畦沟（3）宽50~60cm。
4.根据权利要求1所述的人工种植石斛的低成本高产栽培方法，其特征是：所述的畦沟（3）连接灌溉排水沟（4）的一端低于另一端8~12cm。
5.根据权利要求1所述的人工种植石斛的低成本高产栽培方法，其特征是：所述的遮阴网（7）对阳光的遮除率为75~85%。
6.根据权利要求1所述的人工种植石斛的低成本高产栽培方法，其特征是：所述的垫板（5）为石棉瓦拼接组合而成。
7.根据权利要求1所述的人工种植石斛的低成本高产栽培方法，其特征是：所述的栽培基质（8）包括沤制熟化后的锯末和/或碎树皮、树叶。
8.根据权利要求1或7所述的人工种植石斛的低成本高产栽培方法，其特征是：所述的栽培基质（8）中锯末和/或碎树皮、树叶的为重量比1：0~3，栽培基质（8），厚度为5~8cm。
9.根据权利要求1或7所述的人工种植石斛的低成本高产栽培方法，其特征是：所述的栽培基质（8）使用前要经杀虫和消毒处理。
10.根据权利要求9所述的人工种植石斛的低成本高产栽培方法，其特征是：所述的杀虫处理是使用氯氰菊酯类、杀螺胺类、溴氰菊酯类杀虫剂中的一种或一种以上；所述的消毒处理是使用阿维菌素、多菌灵、百菌清中的一种或一种以上。
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 666300, Xishuangbanna Dai Autonomous Prefecture, Yunnan province Mengla County town of Mengla Village Patentee after: Xishuangbanna thousand pine Dendrobium planting Co., Ltd. Address before: 666300, Xishuangbanna Dai Autonomous Prefecture, Yunnan province Mengla County town of Mengla Village Patentee before: Mengla Qiansong Dendrobium Planting Co., Ltd. |
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