CN102447045A - 发光二极管及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及高效发光二极管装置及其制造方法。依据一个或多个实施例，发光二极管装置包含一基板，其具有一个或多个凹陷特征形成于上述基板的表面上，以及形成一个或多个全方位反射器以覆盖在一个或多个上述凹陷特征上方。一发光二极管层形成于基板的表面上以盖在全方位反射器上方。一个或多个全方位反射器适于有效率地反射光线。本发明通过增进发光效率来产生更强的发光亮度。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管装置，尤其是高效发光二极管装置及其制造方法。
背景技术
当施加电压通过P/N结时，发光二极管(LEDs)即会发光。LED的传统制造包含在具有一生长基板的晶片上生长半导体材料的外延层并将其图案化。
过去，在一图案化表面生长LED结构可增进LED的发光效率。然而，由于产生的光子会被传送到基板内、被基板材料捕捉、然后被基板材料本身吸收，故光子捕捉效率仍然不佳。
因此，需要不会发生光子传输衰退的LED及其制造方法，以增进发光效率来产生更强的发光亮度。
发明内容
为克服现有技术的缺陷，依照本发明一实施例的发光二极管装置，包含：一基板，具有一表面；一凹陷特征，位于该基板的表面上；一全方位反射器，位于该凹陷特征之上，该全方位反射器适于有效率地反射光线；及一发光二极管层，位于该基板的表面上方，包含在该全方位反射器上方。
依照本发明另一实施例的发光二极管装置，包含：一基板，具有一表面；多个凹陷特征，形成于该基板的表面上；多个全方位反射器，位于对应的凹陷特征上方，该全方位反射器适于有效率地反射光线；以及一发光二极管层，位于该基板的表面上方，包含在该全方位反射器上方，其中各凹陷特征皆包含一底部部分及侧壁部分，该侧壁部分以一倾斜角自底部部分延伸至该基板的表面，该底部部分位于该基板中的一特定深度处，且其中各全方位反射器位于对应的凹陷特征的侧壁部分及底部部分上。
依照本发明一实施例的发光二极管的制造方法包含：提供一具有一表面的基板；形成多个凹陷特征于该基板的表面上；形成一全方位反射器于该凹陷特征之上，该全方位反射器适于有效率地反射光线；及形成一发光二极管层于该基板的表面上且在该全方位反射器上方。
为让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。
附图说明
图1A至图1D为依据本发明的一实施例中，形成高效发光二极管(LED)的工艺。
图2A至图2E为依据本发明的一实施例中，另一个形成高效发光二极管(LED)的工艺。
图3为依据本发明的一实施例中，全方位反射器的不同材料的交替层。
图4为依据本发明的一实施例中，全方位反射器对目标波长的反射率的样品模拟结果。
其中，附图标记说明如下：
100～基板 102～第一表面
110～凹陷特征 120～全方位反射器
130～侧向生长条件 132～侧向生长条件
134～侧向生长条件 140～发光二极管结构
200～夹层 202～第一表面
210～凹陷特征 220～全方位反射器
230～侧向生长条件 232～侧向生长条件
234～侧向生长条件 240～发光二极管结构
θ～凹陷特征的侧壁倾斜角度
具体实施方式
本发明接下来将会提供许多不同的形式及实施例，且特定的实施例仅作为范例参考之用。此外，本发明的权利要求仅由附属项定义的。在附图中，实施例的大小或是相对尺寸及范围皆可扩大，以简化或是方便标示。当一元件或膜层被描述为“上”或“接合至”另一元件时，其可以直接在上面、与其他元件或膜层结合、或与元件或膜层交错配置的方式呈现。
在相对空间关系的描述上，例如“之下”、“下面”、“较低”、“上面”、“较高”、以及其他类似用语，可用于此处以简化对于附图中一元件或特征与另一元件或特征之间的关系的叙述。举例来说，若翻转附图中的装置，原先被描述在其他元件或特征“下面”或“之下”的元件或特征，其方向就会变成在其他元件或特征“上面”。因此，当描述“下面”时可涵盖的方向包含“上面”及“下面”两者。上述元件可另有其他导向方式(旋转90度或朝其他方向)，此时的空间相对关系也可依上述方式解读。
本发明虽然已以较佳实施例揭示如下图的详细描述，但须强调依照本产业的标准做法，各种特征并未按照比例绘制。事实上，各种特征的尺寸为了清楚的讨论而可被任意放大或缩小。在一个或多个附图中，相似的元件使用相同的元件符号。
在下文中，以实施例并配合附图详细说明本发明。
图1A至图1D为依据本发明的一实施例中，形成高效发光二极管(LED)的工艺。
图1A为一具有第一表面102的基板100的一实施例。在不同的实施例中，基板100可包含一蓝宝石基板、硅(Si)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化镓(GaN)基板，或各种复合基板。
图1B说明一实施例，其利用将基板100的第一表面102图案化以形成凹陷特征(recessed features)110。在一实施例中，一个或多个凹陷特征110可利用蚀刻技术，如包含湿式或干式蚀刻技术，其也包含感应耦合等离子体(ICP)干式蚀刻技术。在一方面，每一个凹陷特征110皆可被蚀刻成为在基板100的第一表面102中的一个凹槽，其包含具有倾斜角(θ)的侧壁，可通过调整蚀刻技术来控制此倾斜角(θ)，以形成45度至90度的倾斜角(θ)，且其深度从100纳米至2.5微米。
图1C为一实施例，其在每个凹陷特征110的一个或多个表面上形成全方位反射器120。一实施例中，在每一个全方位反射器(omni-directionalreflectors)120的沉积过程中，基板110的第一表面102未被蚀刻的部分会受到保护，其中全方位反射器120位于各个凹陷特征110的侧壁表面及下表面，如图1C中的范例所示。可利用热蒸镀器(thermal evaporator)或热气枪蒸镀器(heat gun evaporator)技术来放置全方位反射器120。
一实施例中，每一个全方位反射器120皆可包含一具有多膜层的层状结构以反射目标发射波长。例如，在不同实施例中，层状结构可包含一个或多个介电材料层的组合，上述介电材料层包含氧化钛层(TiO2)、氧化硅层(SiO2)、及氧化钽(Ta2O5)层，且各介电材料层的厚度与LED的目标发射波长有关。其他实施例中，可利用一些其他材料作为全方位反射器220的介电材料层，例如，全方位反射器120可包含一层或多层的氧化钛(TiO2)、氧化铪(HfO2)、氧化铌(Nb2O5)、氧化铈(CeO2)、氧化锆(ZrO2)、氟化钙(CaF2)、及氮化硅(Si3N4)。一方面，可采交替方式来沉积多重介电层对，以增加层状结构的反射率。
一实施例中，可利用蚀刻技术来控制在基板100的第一表面102上的凹陷特征110的图案排列，以及控制凹陷特征110的侧壁倾斜角度(θ)，因此可调整凹陷特征110以修饰LED装置的发射形态。例如，可利用ICP功率的流速来控制凹陷特征侧壁的倾斜角度(θ)。
依照本发明的实施例，由不同材料(例如SiOx、Ta2O5、TiO2)的多种组合形成的全方位反射器120，可至少反射超过80％的光线，且在一些情况中，至少反射超过95％具有任意入射角度的光。在各方面，皆可调整蚀刻凹陷特征的形态来得到远场发射图案(far-field emission pattern)。
图1D为在图案化基板100上形成LED结构140的一实施例。一实施例中，在各个全方位反射器120沉积后，移除保护材料，且LED结构140形成于图案化基板100上，如图1D所示。
一实施例中，LED结构140可包含一层状结构，其具有由GaN材料形成的多重外延层。可通过沉积工艺来形成上述外延层，例如有机金属化学气相沉积(MOCVD)、物理气相沉积(PVD)、原子层沉积(ALD)、或其他沉积工艺。此外延层可包含一n掺杂GaN层(n-GaN)或其他n型半导体材料层、一具有GaN及氮化镓铟(InGaN)的交替(或周期)层的多重量子阱(multiplequantum well，MQW)发光层(active layer)、一p掺杂GaN层(p-GaN)或其他p型半导体材料层、以及一p接触金属层。LED结构可具有不同构造及不同工艺步骤，其取决于如何电性连接(accessed)n掺杂层。在面朝上的GaN LED中，p-GaN层及n-GaN层的接触金属层皆在LED的顶面，蚀刻部分的p-GaN层及MQW发光层，使n-GaN层暴露出来形成一n接触金属层。
一方面，当外延层沉积时，生长基板作为一籽晶，且n掺杂GaN层、MQW发光层(active layer)、以及p掺杂GaN层可呈现一晶格结构，且其晶格方向与生长基板方向大致上相似。完成外延生长后，当MQW发光层沉积于n掺杂GaN层及p掺杂GaN层之间时，会形成一P/N结(或一P/N二极管)。当施加电压(或电荷)给n掺杂GaN层及p掺杂GaN层时，电流会通过LED，使MQW发光层发光。由MQW发光层发出的光的颜色与光的波长有关，可通过改变形成MQW发光层的材料的组成与结构来调整光的波长。
一方面，参阅图1D，考虑LED结构140的侧向生长条件，可观察到三种条件130、132、134。例如，第一条件130可能关于一可高于GaN/基板界面高度的接合边界(coalesce boundary)。另一实施例中，第二条件132可能关于一可与GaN/基板界面几乎等高的接合边界。另一实施例中，第三种条件134可能关于一可低于GaN/基板界面高度的接合边界。这些在GaN材料及全方位反射器120之间的条件130、132、134可能有气孔(air void)存在。因为介于GaN及空气之间的临界角可能很小，例如约24°，大量的光子可在界面处被反射，且透射光可被沉积的各个全方位反射器120反射。
依据本发明的实施例，在凹陷特征110的侧壁上沉积的全方位反射器120可抑制在蚀刻表面上GaN的生长，且可明显地影响在基板100及LED结构140的GaN材料中间界面处的侧向接合(coalescence)，其中此GaN材料有助于在界面处产生较好的结晶品质。一方面，图案化基板可增加光提取率(lightextraction)及反射率。另一方面，图案化基板可改善结晶品质、侧向生长、以及接合(coalescence)。
传统在图案化表面上生长LED结构的方法已被证实可改善LED发光效率。然而，既使外延层生长于图案化基板上，但由于产生的光子可透射穿过基板，被上述材料捕捉，最后被材料本身吸收，故提取率仍然不够好。
因此，本发明的实施例适于从装置提取出较多的光子并反射至上面，促使发光强度更强。这样一来，提取的光子越多则被材料本身吸收的光子越少，并减少废热的产生。
一实施例中，通过在图案化基板上沉积多重介电材料层来将全方位反射器120图案化，以便有效率地反射大量的向下光子回至上层，进而改善装置的发光效率。因为GaN材料不容易在介电薄膜上生长，沉积的介电层可显著抑制侧壁GaN的生长，并伴随侧向生长产生一材料。通过良好地控制图案化结构，可调控远场发光图案(the light emission far-field pattern)。
如此一来，依据本发明的实施例，在侧壁上沉积的全方位反射器120抑制了在蚀刻表面及侧向接合面上GaN的生长，其中侧向接合可提高结晶品质。同时，由不同介电层的结合所形成的全方位反射器可反射大量(例如，至少80％至超过95％)具有任意入射角的光线。
图2A至图2E为依据本发明的一实施例中，另一个形成高效发光二极管(LED)的工艺。
图2A为一实施例，其中基板100具有平坦的第一表面102。在不同实施例中，例如参阅图1A中的描述，基板100可包含蓝宝石基板、硅(Si)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化镓(GaN)基板，或各种复合基板。
图2B为一实施例，其中夹层(interlayer)200形成于基板100的第一表面102上，其中夹层200具有第一表面202。在各种实施例中，夹层200可包含非氮化镓(non-GaN)材料，例如、硅(Si)材料、碳化硅(SiC)材料，或各种复合材料。一方面，夹层200的厚度可从约100纳米至约2.5微米。另一方面，夹层200的厚度可大于100纳米或大于2.5微米。
图2C为利用凹陷特征210将夹层200的第一表面202图案化的一实施例。在一实施例中，可利用蚀刻技术，例如湿式或包含ICP干式蚀刻的干式蚀刻技术，在夹层200的第一表面202上定义一个或多个凹陷特征210。一方面，各凹陷特征210可在夹层200的第一表面202中被蚀刻为一凹槽，以包含具有倾斜角度(θ)的侧壁，其可通过调整蚀刻技术来控制倾斜角度(θ)以形成介于45°至90°的倾斜角度及100纳米至2.5微米的深度。另一方面，本领域普通技术人员应了解的是，可通过蚀刻条件来控制凹陷特征210的几何结构，且凹陷特征210的深度可超过夹层200的厚度，也可不超过。
图2D为形成全方位反射器220于各个凹陷特征210的一个或多个表面上的一实施例。一实施例中，在各个全方位反射器220沉积期间，夹层200的第一表面202的未蚀刻部分会受到保护，其中全方位反射器220被沉积在各个凹陷特征210的侧壁表面及下表面上，如图2D所示。
一实施例中，各个全方位反射器220皆可包含具有反射一特定波长的多层的层状结构。例如，在各种实施例中，层状结构可包含一个或多个介电材料层的结合，其包含TiO2、SiO2、Ta2O5层，且各层的厚度可能与从LED装置发出的目标发射波长有关。在各种实施例中，可利用一些其他材料，包含一层或多层的HfO2、Nb2O5、CeO2、ZrO2、CaF2、及Si3N4，作为全方位反射器220的介电材料层。在各种方面，可采用交替方式来沉积多重介电层对，以增加层状结构的反射率。
一实施例中，可通过利用蚀刻技术来控制凹陷特征210在基板100的第一表面102的图案排列以及凹陷特征210的倾斜角度(θ)，因此，可改变凹陷特征210以调整LED装置的发射形态。例如，可利用ICP功率流速来控制凹陷特征的侧壁倾斜角度(θ)。
依据本发明的一实施例，由不同材料(例如，SiOx、Ta2O5、TiO2)的多重组合来形成的全方位反射器220可至少反射超过80％的光线，且在一些情况中，至少反射超过95％具有任意入射角度的光。在各种方面，可调整被蚀刻的凹陷特征形态以提供远场发射图案(far-field emission pattern)。
图2E为在图案化夹层200上形成LED结构240的一实施例。一实施例中，在各全方位反射器220沉积后，移除保护材料，且LED结构240形成于图案化夹层200上，如图2E所示。
一实施例中，LED结构240可包含一层状结构，其具有由GaN材料形成的多重外延层。可通过沉积工艺来形成上述外延层，例如有机金属化学气相沉积(MOCVD)、物理气相沉积(PVD)、原子层沉积(ALD)、或其他沉积工艺。此外延层可包含一n掺杂GaN层(n-GaN)或其他n型半导体材料层、一具有GaN及氮化镓铟(InGaN)的交替(或周期)层的MQW发光层(active layer)、一p掺杂GaN层(p-GaN)或其他p型半导体材料层、以及一p接触金属层。LED结构可具有不同构造及不同工艺步骤，其取决于如何电性接近(accessed)n掺杂层。在面朝上的GaN LED中，其中p-GaN层及n-GaN层的接触金属层皆位于LED的顶面，蚀刻部分的p-GaN层及MQW发光层，以暴露出n-GaN层来形成一n接触金属层。
一方面，参阅图2E，考虑LED结构240的侧向生长条件，可观察到三种条件230、232、234。例如，第一条件230可能关于一可高于GaN/基板界面高度的接合边界。另一实施例中，第二条件232可能关于一可与GaN/基板界面几乎等高的接合边界。另一实施例中，第三种条件234可能关于一可低于GaN/基板界面高度的接合边界。这些在GaN材料及全方位反射器220之间的条件230、232、234可能有气孔存在。因为介于GaN及空气之间的临界角可能很小，例如约24°，大量的光子可在界面处被反射，且透射光可被沉积的各个全方位反射器220反射。
依据本发明的实施例，在凹陷特征110的侧壁上沉积的全方位反射器220可抑制在蚀刻表面上GaN的生长，且可明显地影响在基板100及LED结构240的GaN材料中间界面处的侧向接合(coalescence)，其中GaN材料有助于在界面处产生较好的结晶品质。
传统在图案化表面上生长LED结构的方法已被证实可改善LED发光效率。然而，既使外延层生长于图案化基板上，但由于产生的光子可透射穿过基板，被上述材料捕捉，最后被材料本身吸收，故提取率仍然不够好。
因此，本发明的实施例适于从装置提取出较多的光子并反射至上面，促使发光强度更强。这样一来，提取的光子越多则被材料本身吸收的光子越少，并减少废热的产生。
一实施例中，通过在图案化基板上沉积多重介电材料层来将全方位反射器220图案化，以便有效率地反射大量的向下光子回至上层，进而改善装置的发光效率。因为GaN材料不容易在介电薄膜上生长，沉积的介电层可显著抑制侧壁GaN的生长，并伴随侧向生长产生一材料。通过良好地控制图案化结构，可调控远场发光图案。
如此一来，依据本发明的实施例，在侧壁上沉积的全方位反射器220抑制了在蚀刻表面及侧向接合面上GaN的生长，其中侧向接合可提高结晶品质。同时，由不同介电层的结合所形成的全方位反射器可反射大量(例如，至少80％至超过95％)具有任意入射角的光线。
图3为依据本发明的一实施例中，全方位反射器的不同材料的交替层。图4为依据本发明的一实施例中，全方位反射器对目标波长的反射率的样品模拟结果。
各种实施例中，全方位反射器120、220可包含一多层结构，其具有不同厚度的不同材料层以反射一目标发射波长。例如，一实施例中，全方位反射器120、220的多层结构可包含一个或多个不同材料层的组合，包含氧化硅(SiO2)及氧化钽(Ta2O5)，其中各材料层的厚度可能与LED装置的目标发射波长有关。各种范例中，SiO2层的厚度范围可介于58纳米及98纳米之间(例如约78.7纳米)，而Ta2O5层的厚度范围可介于32纳米及72纳米之间(例如约52.2纳米)。
参阅图3，SiO2层和Ta2O5层可成对并采用交替模式重复。一实施例中，可以3.5、5.5或8.5对来重复SiO2及Ta2O5层对以反射一目标发射波长的蓝光，其具有例如约460纳米的波长。其他实施例中，可以3.5、5.5或8.5对来重复一对SiO2及Ta2O5层以反射一目标发射波长范围的光线，根据所欲的功能参数，其波长范围可介于例如约300纳米至650纳米。在各种方面，可采用交替模式来沉积多膜层的配对以增加层状结构的反射率。
一实施例中，参阅图4，具有3.5对的SiO2及Ta2O5的交替配对层的全方位反射器120、220，对于介于400纳米和550纳米之间，包含约460纳米，的目标波长可具有超过80％的反射率。另一实施例中，具有5.5对的SiO2及Ta2O5的交替配对层的全方位反射器120、220，对于介于400纳米和550纳米之间，包含约460纳米，的目标波长可具有超过95％的反射率。尚有另一实施例，其中具有8.5对的SiO2及Ta2O5的交替配对层的全方位反射器120、220，对于介于400纳米和550纳米之间，包含约460纳米，的目标波长可具有高达100％的反射率。在各种方面，参阅图4，在不悖离本发明的范围下，包含揭示于此处的实施例，目标波长可包含一个或多个范围从约300纳米至约650纳米的波长。
各种实施例中，可利用一些其他材料作为全方位反射器120、220的多层结构，其中全方位反射器120可包含一层或多层的氧化钛(TiO2)、氧化铪(HfO2)、氧化铌(Nb2O5)、氧化铈(CeO2)、氧化锆(ZrO2)、氟化钙(CaF2)、及氮化硅(Si3N4)。一方面，可由相异甚大的反射率来选择多重材料，如此可增加全方位反射器的全反射率。
以下图表提供在约460纳米处揭示的材料范例及其个别的反射率。
| 材料 | 反射率(波长近460纳米) |
| 氧化钛(Ta2O5) | 2.2 |
| 氧化硅(SiO2) | 1.46 |
| 氧化钛(TiO2) | 2.48 |
| 氧化铪(HfO2) | 1.95 |
| 氧化铌(Nb2O5) | 2.4 |
| 氧化铈(CeO2) | 2.36 |
| 氧化锆(ZrO2) | 2.19 |
| 氟化钙(CaF2) | 1.43 |
| 氮化硅(Si3N4) | 2.06 |
一实施例中，提供一LED装置包含一基板，此基板具有一凹陷特征形成于第一表面，并形成一全方位反射器覆盖(overlie)至凹陷特征上方。此全方位反射器适于有效率地反射光线。上述LED装置包含一形成于基板的第一表面上的发光二极管层，用以覆盖在全方位反射器上方。
在各种实施例中，基板可至少包含蓝宝石、硅(Si)、碳化硅(SiC)、及氮化镓(GaN)的其中之一。可在此基板的第一表面将凹陷特征蚀刻成一凹槽，以包含具有倾斜角度的侧壁部分，及具有一第一深度的下部。全方位反射器可形成于凹陷特征的侧壁部分及下部上。侧壁部分的倾斜角度可为至少45°或更大，及至少90°或更小。可蚀刻下部达一深度至少为100纳米或更深，及至少2.5微米或更浅。
在各种实施例中，全方位反射器可包含多个材料层，结合这些材料层使其在一特定发射波长达到至少80％或更高的反射率。全方位反射器包含多个材料层的结合以有效率的反射特定发射波长的光，其至少包含一介于400纳米及550纳米之间的波长。全方位反射器可包含多个材料层，其包含一个或多个氧化硅(SiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化钛(TiO2)、氧化铪(HfO2)、氧化铌(Nb2O5)、氧化铈(CeO2)、氧化锆(ZrO2)、氟化钙(CaF2)、及氮化硅(Si3N4)的其中之一。
各种实施方式中，发光二极管层可至少包含一与基板的第一表面相接触的氮化镓(GaN)层。发光二极管层可包含一个或多个外延层，其中至少包含一n掺杂层、一量子阱发光层、及一p掺杂层。
各种实施例中，LED装置可包含一形成于基板的第一表面的夹层，其中全方位反射器形成于此夹层的第一表面上，且此夹层包含一非氮化镓材料，其至少包含硅(Si)及碳化硅(SiC)的其中之一。
另一实施例中，提供一包含一基板的LED装置，此基板具有多个凹陷特征形成于第一表面，以及形成多个全方位反射器以覆盖在对应的凹陷特征上。此全方位反射器适于有效率地反射光线。上述LED装置包含一发光二极管层形成于基板的第一表面上以覆盖在全方位反射器上。
尚有另一实施例，提供一种LED的制造方法，包含形成一个或多个凹陷特征于基板的第一表面上，以及形成一个或多个全方位反射器以覆盖在对应的凹陷特征上方。此全方位反射器适于有效率地反射光线。上述方法包含形成一发光二极管层于基板的第一表面上以覆盖在全方位反射器上。
虽然本发明已以多个较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作任意的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种发光二极管装置，包含：
一基板，具有一表面；
一凹陷特征，位于该基板的表面上；
一全方位反射器，位于该凹陷特征之上，该全方位反射器适于有效率地反射光线；及
一发光二极管层，位于该基板的表面上方，包含在该全方位反射器上方。
2.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中：
该凹陷特征包含一底部部分及侧壁部分，该侧壁部分以一倾斜角自该底部部分延伸至该基板的表面，该底部部分位于该基板中的一特定深度处；及
该全方位反射器位于该凹陷特征的该侧壁部分及该底部部分上。
3.如权利要求2所述的发光二极管装置，其中：
该侧壁部分的倾斜角度约45°至约90°，
该底部部分的深度约100纳米至约2.5微米。
4.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该全方位反射器包含多个材料层的结合而在一特定发射波长具有至少80％或更高的反射率。
5.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该全方位反射器包含多个材料层的结合以有效率的反射一特定发射波长的光，其至少包含一介于400纳米及550纳米之间的波长。
6.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中更包含一形成于该基板表面上的夹层，其中该凹陷特征位于该夹层中，且该夹层包含一非氮化镓材料，其至少包含硅及碳化硅的其中之一。
7.一种发光二极管的制造方法，包含：
提供一具有一表面的基板；
形成多个凹陷特征于该基板的表面上；
形成一全方位反射器于该凹陷特征之上，该全方位反射器适于有效率地反射光线；及
形成一发光二极管层于该基板的表面上且在该全方位反射器上方。
8.如权利要求7所述的方法，其中：
该基板至少包含蓝宝石基板、硅基板、碳化硅基板、及氮化镓基板的其中之一，
该凹陷特征的形成包含蚀刻一凹槽，该凹槽从该基板表面延伸进入该基板中，通过一底部部分及侧壁部分定义出该凹槽，该侧壁部分以一倾斜角自底部部分延伸至该基板的表面，且该底部部分位于该基板中的一特定深度处，以及
该全方位反射器形成于对该凹陷特征的侧壁部分及底部部分上。
9.如权利要求8所述的方法，其中：
该侧壁部分的倾斜角度约45°至约90°，且
该底部部分的深度约100纳米至约2.5微米。
10.如权利要求7所述的方法，其中：
该全方位反射器的形成包含多个材料层的结合而在一特定发射波长具有至少80％或更高的反射率，
各材料层皆包含一介电材料，其至少包含氧化硅、氧化钽、氧化钛、氧化铪、氧化铌、氧化铈、氧化锆、氟化钙、及氮化硅的其中之一。
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