CN102378442A - 发光二极管模组驱动装置及发光二极管模组 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种发光二极管模组驱动装置及发光二极管模组，此发光二极管模组驱动装置包括电压转换单元、发光二极管模组电压侦测单元及切换信号产生单元。电压转换单元根据切换信号产生驱动电压，以驱动发光二极管模组。发光二极管模组电压侦测单元将驱动电压分压，以产生比较电压。切换信号产生单元利用故障侦测脚位以接收比较电压，并比较参考电压及比较电压以禁能或致能切换信号。并且当切换信号禁能后，切换信号产生单元还可拉高故障侦测脚位上的电压准位至逻辑高准位电压，以产生故障通知信号，以使故障侦测脚位兼具故障通知的功能。

Description

发光二极管模组驱动装置及发光二极管模组

技术领域

本发明涉及一种发光二极管模组驱动装置及发光二极管模组，尤其涉及一种故障侦测脚位兼具故障通知功能的发光二极管模组驱动装置及发光二极管模组。

背景技术

在电子装置多功能化的今天，多种功能的电路被整合在同一个集成电路或系统中成为必要的需求。而为了提供同一集成电路或系统不同功能电路的不同的电源，所谓的直流直流电源转换器(DC DC powerconverter)的设计也因此被提出。常见的直流直流电源转换器包括：升压型(booster)直流直流电源转换器或降压型(buck)直流直流电源转换器。

以驱动发光二极管所构建的背光模组的驱动装置为例，此一类型的背光模组驱动许多的发光二极管串，而每一串发光二极管串包括多个串联的发光二极管。如图1所示，图1是现有的发光二极管模组的电路图。发光二极管模组10包括发光二极管串110及发光二极管串的驱动装置120，而发光二极管串110包括多个发光二极管LED。发光二极管串的驱动装置120中的电压转换单元130于本实施例中为直流直流电压转换器，其接收输入电压V_in，并且根据切换信号驱动单元140的切换信号SSW来产生驱动电压V_DR，以驱动发光二极管串110。

现有的发光二极管模组10的发光二极管串的驱动装置120通常具备故障侦测脚位P_Fault，以便于侦测到发光二极管串110中部分的发光二极管LED故障时，可自动停止驱动发光二极管串110，以避免发光二极管串110或发光二极管串的驱动装置120中的电路因发光二极管串的驱动装置120过热或由于电压转换单元130的持续供电而导致烧毁。换句话说，故障侦测脚位P_Fault上的比较电压V_CP是驱动电压V_DR经发光二极管串110、电阻R1及电阻R2分压而得。在发光二极管串110中的发光二极管LED皆可正常运作且无故障受损时，驱动电压V_DR大部分应消耗于发光二极管LED中，因此比较电压V_CP的电压值小于开关150的临界电压，使得开关150为导通状态。因此，切换信号驱动单元140的PWM脚位可由开关150来接收脉冲宽度调制信号PWM_signal，使切换信号S_SW成为脉冲宽度调制信号PWM_signal，且电压转换单元130便可由脉冲宽度调制信号PWM_signal来持续驱动发光二极管串110。

相对地，当部分发光二极管LED受损或其他原因而导致驱动电压V_DR的电压值过高时，比较电压V_CP的电压值将会高于开关150的临界电压，开关150便由导通状态转换为截止状态。因此，切换信号驱动单元140的PWM脚位便经电阻R3而接收接地电压V_SS，切换信号S_SW便成为直流电压信号(例如切换信号S_SW成为逻辑低准位信号)，电压转换单元130因此而无法继续驱动发光二极管串110，以使发光二极管的驱动装置120具有侦测发光二极管LED故障以及电路保护的功能。

然而，引发发光二极管模组10故障的原因并不只有发光二极管LED损坏，如果发光二极管串的驱动装置120的电路损毁也有可能造成发光二极管模组10故障。因此，修复人员在检验发光二极管模组10何处故障时，便需一一检验发光二极管串110以及发光二极管串的驱动装置120的电路，无法由发光二极管模组10中的除错脚位来了解其受损情形。

发明内容

本发明提供一种发光二极管模组驱动装置，此发光二极管模组驱动装置具备一故障侦测脚位，此故障侦测脚位可根据比较电压来侦测发光二极管模组是否故障，并于发光二极管模组故障时兼具故障通知的功能。

另一方面，本发明提供一种发光二极管模组，此发光二极管模组将多个发光二极管驱动装置的故障侦测脚位整合为一个多重故障侦测脚位，当部分的发光二极管受损时，发光二极管模组便可立即进行故障通知。

本发明提出一种发光二极管模组驱动装置，此发光二极管模组驱动装置包括电压转换单元、发光二极管模组电压侦测单元以及切换信号产生单元。电压转换单元连接至发光二极管模组，其可接收切换信号，并且根据此切换信号来产生驱动电压，以驱动发光二极管模组。发光二极管模组电压侦测单元也连接至发光二极管模组，发光二极管模组电压侦测单元可侦测发光二极管模组上的驱动电压，并且将驱动电压分压，以产生比较电压。切换信号产生单元连接至电压转换单元及发光二极管模组电压侦测单元。切换信号产生单元具有故障侦测脚位以接收上述的比较电压，并且切换信号产生单元可比较参考电压及比较电压的电压值大小，以禁能或致能切换信号。当切换信号禁能后，切换信号产生单元还可拉高故障侦测脚位上的电压准位至逻辑高准位电压，以产生故障通知信号。

在本发明的一实施例中，上述的切换信号在致能时为脉冲宽度调制信号，而当切换信号在禁能时则为直流电压信号。

在本发明的一实施例中，上述的切换信号产生单元包括切换信号控制单元及切换信号驱动单元。切换信号控制单元连接至故障侦测脚位以接收比较电压，并且切换信号控制单元由比较参考电压及比较电压来产生控制信号。切换信号驱动单元连接至切换信号控制单元，并且切换信号驱动单元可根据上述的控制信号来致能或禁能切换信号。当切换信号禁能后，切换信号控制单元还可拉高故障侦测脚位上的电压准位至逻辑高准位电压，以产生故障通知信号。

从另一角度来看，本发明提出一种发光二极管模组，此发光二极管模组包括多个发光二极管串、多个发光二极管驱动装置及多个二极管，并且每一个发光二极管驱动装置皆对应连接并驱动一个发光二极管串。每一个发光二极管驱动装置皆包括电压转换单元、发光二极管模组电压侦测单元以及切换信号产生单元。电压转换单元连接至对应的发光二极管串，而电压转换单元接收并且根据切换信号来产生驱动电压，以驱动对应的发光二极管串。发光二极管模组电压侦测单元连接至对应的发光二极管串，发光二极管模组电压侦测单元可侦测发光二极管模组上的驱动电压，并可根据驱动电压而分压产生比较电压。切换信号产生单元连接至电压转换单元及发光二极管模组电压侦测单元。切换信号产生单元具有故障侦测脚位以接收比较电压，并且切换信号产生单元比较参考电压以及比较电压的电压值大小，以禁能或致能切换信号。当切换信号禁能后，切换信号产生单元还拉高故障侦测脚位上的电压准位至逻辑高准位电压，以产生故障通知信号。每个二极管的一端连接至对应的故障侦测脚位，这些二极管的另一端则共同连接至多重故障侦测脚，此多重故障侦测脚可以产生多重故障侦测信号。

基于上述，本发明的实施例提供一种发光二极管模组驱动装置，此发光二极管模组驱动装置具备一故障侦测脚位，其比较参考电压及比较电压的电压准位，以侦测发光二极管模组是否故障。并于发光二极管模组故障时，将故障侦测脚位的电压准位拉高至逻辑高准位电压，以产生故障通知信号以兼具故障通知的功能。

此外，另一实施例的发光二极管模组具备多个发光二极管驱动装置，而每一发光二极管驱动装置皆具备故障通知的故障侦测脚位。发光二极管模组将多个发光二极管驱动装置的故障侦测脚位整合为一个多重故障侦测脚，当部分的发光二极管受损时，发光二极管模组便可立即进行故障通知。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1是现有的发光二极管模组的电路图。

图2是本发明第一实施例的发光二极管模组驱动装置的方块图。

图3是本发明第一实施例的发光二极管模组驱动装置的详细方块图。

图4是本发明第一实施例的发光二极管模组驱动装置的电路架构图。

图5是本发明第一实施例的信号波形图。

图6是本发明第二实施例的发光二极管模组驱动装置的电路架构图。

图7是本发明第三实施例的发光二极管模组的电路架构图。

主要附图标记说明：

10、70：发光二极管模组；

20、60、60_1～60_3：发光二极管模组驱动装置；

230：发光二极管模组电压侦测单元；

110、110_1～110_3：发光二极管串；

120：发光二极管串的驱动装置；

P_MFault：多重故障侦测脚位；       V_SS：接地电压；

130：电压转换单元；               140、320：切换信号驱动单元；

150、350、380：开关；             R1～R4：电阻；

240：切换信号产生单元；           310：切换信号控制单元；

330：比较单元；                   335、615：迟滞比较器；

340：主动式拉高电路；             360：逻辑运算单元；

370：与非门；                     610：过流保护单元；

LED：发光二极管；                 C1：电容；

D1、DF1～DF3：二极管；            L1：电感；

MP1：PMOS晶体管；                 MN1：NMOS晶体管；

S_RST：重置信号；                  S_CTL：控制信号；

S_SW：切换信号；                   T1～T3：期间；

V_in：输入电压；                   V_CP：比较电压；

V_dd：逻辑高准位电压；             V_DR：驱动电压；

PWM_signal：脉冲宽度调制信号；

P_Fault、P_{Fault_1}～P_{Fault_3}：故障侦测脚位；

V_REF：参考电压。

具体实施方式

现将详细参考本发明的实施例，并在附图中说明所述实施例。另外，凡可能之处，在附图及实施方式中使用相同标号的元件/构件/符号代表相同或类似部分。

请参照图2，图2是本发明第一实施例的发光二极管模组驱动装置的方块图。如图2所示，发光二极管模组驱动装置20用以驱动发光二极管串110，且发光二极管模组驱动装置20包括电压转换单元130、发光二极管模组电压侦测单元230以及切换信号产生单元240。

请继续参考图2，电压转换单元130于本实施例中为直流直流电压转换器(DC DC power converter)，电压转换单元130接收输入电压V_in，并根据切换信号产生单元240的切换信号S_SW来产生驱动电压V_DR，以驱动发光二极管串110。于本实施例中，当切换信号S_SW为一脉冲宽度调制信号时，电压转换单元130便产生驱动电压V_DR以驱动发光二极管串110。相对的，当切换信号S_SW为直流电压信号时(例如切换信号S_SW为逻辑低准位信号时)，电压转换单元130停止进行电压转换的动作。在此请注意，本领域技术人员可根据其设计需求来改变电压转换单元130的种类，因此本发明不应以此为限。

发光二极管模组电压侦测单元230也连接至发光二极管串110。发光二极管模组电压侦测单元230可侦测发光二极管串110上的驱动电压V_DR，并根据驱动电压V_DR以分压产生比较电压V_CP。切换信号产生单元240连接至电压转换单元130及发光二极管模组电压侦测单元230。切换信号产生单元240具有故障侦测脚位P_Fault以接收比较电压V_CP，并且切换信号产生单元240可比较参考电压V_REF及比较电压V_CP的电压值大小，以禁能或致能切换信号S_SW。于本实施例中，切换信号S_SW在致能时为脉冲宽度调制(Pulse WidthModulation，PWM)信号，而切换信号S_SW在禁能时则为直流电压信号(例如切换信号S_SW为逻辑低准位信号)。接着，如果当切换信号S_SW禁能之后，切换信号产生单元240还可拉高故障侦测脚位P_Fault上的电压准位至逻辑高准位电压以产生故障通知信号。

在此说明发光二极管模组电压侦测单元230及切换信号产生单元240的功能架构，请参照图3，图3是本发明第一实施例的发光二极管模组驱动装置的详细方块图。发光二极管模组电压侦测单元230于本实施例中包括由电阻R1及电阻R2串联形成的分压电路，并根据驱动电压V_DR进行分压以产生比较电压V_CP。具体一点来说明，发光二极管模组电压侦测单元230侦测发光二极管串110上的驱动电压V_DR(其中，驱动电压V_DR等于输入电压V_in减去发光二极管模组电压侦测单元230所接收的电压)，并针对发光二极管模组电压侦测单元230所接收的电压进行分压以产生比较电压V_CP。

此外，于本实施例中，切换信号产生单元240包括切换信号控制单元310及切换信号驱动单元320。切换信号控制单元310连接至故障侦测脚位P_Fault以接收比较电压V_CP，并且切换信号控制单元310根据比较参考电压V_REF及比较电压V_CP来产生控制信号S_CTL。切换信号驱动单元320则连接至切换信号控制单元310，并且切换信号驱动单元320可根据控制信号S_CTL来致能或禁能切换信号S_SW。

为了使本领域技术人员能更加了解本发明，以下将针对发光二极管模组驱动装置20的电路架构与致动流程进行详细说明，请参照图4，图4是本发明第一实施例的发光二极管模组驱动装置的电路架构图。如图4所示，切换信号控制单元310包括比较单元330以及主动式拉高电路340。于本实施例中，在此以迟滞比较器335作为比较单元330的实例，但本发明不应以此为限。比较单元330的第一输入端(例如迟滞比较器335的反相输入端)接收参考电压V_REF，而比较单元330的第二输入端(例如迟滞比较器335的非反相输入端)连接至故障侦测脚位P_Fault以接收比较电压V_CP，而比较单元330便可比较参考电压V_REF及比较电压V_CP的电压准位大小，以于比较单元330的输出端产生控制信号SCTL。

请继续参照图4，主动式拉高电路340于本实施例中包括开关350以及逻辑运算单元360。开关350在此以PMOS晶体管(positive channel Metal OxideSemiconductor，即P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)MP1为例，开关350的第一端(例如PMOS晶体管MP1的源极端)连接至逻辑高准位电压V_dd，而开关350的第二端(例如PMOS晶体管MP1的漏极端)则连接至故障侦测脚位P_Fault。逻辑运算单元360于本实施例中则以与非门(NAND门)370为例，逻辑运算单元360的第一输入端(例如与非门370的一输入端)接收控制信号S_CTL，逻辑运算单元360的第二输入端(例如与非门370的另一输入端)则可接收重置信号S_RST，而逻辑运算单元360的输出端(例如与非门370的输出端)连接至开关350的控制端(例如PMOS晶体管MP1的栅极端)。并且，重置信号S_RST是维修人员已将受损的发光二极管串110换新以后，让发光二极管模组驱动装置20得以重新恢复运作的信号。

在此说明重置信号S_RST、故障侦测脚位P_Fault上的电压准位、及主动式拉高电路340的致动方式，请同时参照图4与图5，图5是本发明第一实施例的信号波形图。如图5所示，于期间T1时，也就是发光二极管模组驱动装置20正常运作时，驱动电压V_DR大部分消耗于发光二极管串110，此时的比较电压V_CP的电压值便小于参考电压V_REF。因此，在比较电压V_CP的电压值小于参考电压V_REF时，切换信号控制单元310所产生的控制信号S_CTL为致能信号(例如此时的控制信号S_CTL为逻辑低准位信号)，切换信号驱动单元320便将切换信号S_SW致能，也即切换信号驱动单元320让切换信号S_SW承载脉冲宽度调制信号。此时的开关350截止，且重置信号S_RST为禁能状态(本实施例中重置信号S_RST的禁能信号为逻辑高准位状态)。

相对地，当发光二极管串110中部分发光二极管LED已损坏而被击穿或者其他因素而使得发光二极管模组电压侦测单元230所接收的电压过高时，此时的比较电压V_CP的电压值应大于参考电压V_REF。因此，当切换信号控制单元310的比较单元330侦测到故障侦测脚位P_Fault上的电压准位大于参考电压V_REF的时候，便进入期间T2。切换信号控制单元310所产生的控制信号S_CTL于此时由致能信号转换为禁能信号(例如此时的控制信号S_CTL由逻辑低准位信号转换为逻辑高准位信号)，切换信号驱动单元320便依此将切换信号S_SW禁能，也即使切换信号驱动单元320所产生的切换信号S_SW为一直流电压信号(例如切换信号S_SW为逻辑低准位信号)。并且，当切换信号S_SW禁能后，NMOS晶体管(N-Mental-Oxide-Semiconductor，即N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)MN1停止导通并使电压转换单元130停止电源转换的动作。而在此之后，切换信号控制单元310中的开关350将会根据比较单元330的输出(逻辑高准位信号)通过逻辑运算单元360的逻辑运算结果(逻辑低准位信号)而导通，以将故障侦测脚位P_Fault上的电压准位拉高至逻辑高准位电压V_dd，进而产生故障通知信号。设计者则可利用此故障通知信号来通知维护人员或其他负责人员，使其了解发光二极管串110中部分的发光二极管LED已受损，或者由于其他因素而使得发光二极管模组驱动装置20故障。

如果维修人员已将受损的发光二极管串110换新、或已排除其他因素而将发光二极管模组驱动装置20修复以后，便可将重置信号S_RST由禁能信号(逻辑高准位信号)转换至致能状态(逻辑低准位信号)，以进入期间T3。之后，由期间T3进入期间T1，此时重置信号S_RST也转变回禁能信号(逻辑高准位信号)，切换信号产生单元240便可继续比较参考电压V_REF以及比较电压V_CP的电压值大小，以继续禁能或致能切换信号S_SW。其他致动方式及流程已描述于上述各实施例中，故在此不再赘述。

以下描述提供符合本实施例的直流直流电压转换器，以作为电压转换单元130的实例。请参照图4，直流直流电压转换器130包括二极管D1、电容C1、电感L1、转换开关380及转换电阻R4。二极管D1的阴极接收输入电压V_in并连接至发光二极管串110的第一端。电容C1的第一端接收输入电压V_in，而电容C1的第二端则连接至发光二极管串110的第二端。电感L1的第一端连接至二极管D1的阳极，而电感L1的第二端则连接至电容C1的第二端。转换开关380于本实施例中以NMOS晶体管MN1为例，转换开关380的控制端(例如NMOS晶体管MN1的栅极端)接收切换信号S_SW，转换开关380的第一端(例如NMOS晶体管MN1的漏极端)连接至二极管D1的阳极及电感L1的第一端，转换开关380的第二端(例如NMOS晶体管MN1的源极端)连接至转换电阻R4的一端，且转换电阻R4的另一端接收接地电压V_SS。本领域技术人员可自行推知直流直流电压转换器130的致动方式，故在此不多加赘述。

在符合本发明的其他实施例中，发光二极管模组驱动装置可以还包括一过流保护单元，请参照图6，图6是本发明第二实施例的发光二极管模组驱动装置的电路架构图。本实施例与上述实施例相似，因此相同动作方式的说明不再赘述。其不同之处在于图6的发光二极管模组驱动装置60中的切换信号产生单元640还包括过流保护单元610。于本实施例中，过流保护单元610的第一接收端接收过流参考电压V_CSREF，而过流保护单元610的第二接收端所接收的过流比较电压V_CS则利用输入电压V_in经二极管D1、NMOS晶体管MN1及转换电阻R4的串联电路分压而得。过流保护单元610可比较过流比较电压V_CS以及过流参考电压V_CSREF的电压值大小，以使切换信号产生单元640禁能或致能切换信号S_SW。换言之，当过流保护单元610侦测到过流比较电压V_CS的电压值大于过流参考电压V_CSREF的电压值时，表示电压转换单元130所流经的电流过大而有烧毁的可能，因此切换信号产生单元640便可将切换信号S_SW禁能以使电压转换单元130停止进行电压转换的动作。于本实施例中，过流保护单元610以迟滞比较器615作为实例，但本发明不应以此为限。

对于本实施例的另一实例而言，本发明另外提出一种发光二极管模组70，请参照图7，图7是本发明第三实施例的发光二极管模组的电路架构图。如图7所示，发光二极管模组70包括发光二极管串110_1～110_N、发光二极管驱动装置60_1～60_N及二极管DF1～DFN。每一个发光二极管驱动装置60_1～60_N皆对应一个发光二极管串110_1～110_N，N为正整数，于本实施例中将N设定为3以简化描述。每一个发光二极管驱动装置60_1～60_3的电路架构与致动方式皆与图6的第二实施例的发光二极管模组驱动装置60相同，在此不再赘述。

本实施例与上述实施例的不同之处在于，每个二极管DF1～DF3的一端与对应的故障侦测脚位P_{FAULT_1}～P_{FAULT_3}相连接，而二极管DF1～DF3的另一端则共同连接至多重故障侦测脚P_MFAULT，维修人员可以由多重故障侦测脚P_MFAULT所产生的多重故障侦测信号来得知发光二极管串110_1～110_3是否受损或是发光二极管驱动装置60_1～60_3是否故障。换言之，发光二极管模组70可由多重故障侦测脚P_MFAULT来接收故障通知脚位P_{FAULT_1}～P_{FAULT_3}所产生的故障通知信号，以产生多重故障侦测信号。此外，本实施例的其他详细流程已包含在上述各实施例中，故在此不予赘述。

综上所述，本发明的实施例提供一种发光二极管模组驱动装置，此发光二极管模组驱动装置具备一故障侦测脚位，其比较参考电压及比较电压的电压准位，以侦测发光二极管模组是否故障。并于发光二极管模组故障时，将故障侦测脚位的电压准位拉高至逻辑高准位电压，以产生故障通知信号以兼具故障通知的功能。

此外，另一实例的发光二极管模组具备多个发光二极管驱动装置，而每一发光二极管驱动装置皆具备可通知发光二极管是否故障的故障侦测脚位。此外，发光二极管模组将多个发光二极管驱动装置的故障侦测脚位整合为一个多重故障侦测脚，当部分的发光二极管受损时，发光二极管模组便可立即进行故障通知。

虽然本发明已以实施例揭示如上，但其并非用以限定本发明，任何所属技术领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作任意修改或等同替换，故本发明的保护范围当以本申请权利要求所界定的范围为准。

Claims (14)

1.一种发光二极管模组驱动装置，包括：

一电压转换单元，连接至该发光二极管模组，用以接收并根据一切换信号来产生一驱动电压以驱动该发光二极管模组；

一发光二极管模组电压侦测单元，连接至该发光二极管模组，用以侦测该发光二极管模组上的该驱动电压，并根据分压该驱动电压以产生一比较电压；

以及

一切换信号产生单元，连接该电压转换单元以及该发光二极管模组电压侦测单元，具有一故障侦测脚位以接收该比较电压，该切换信号产生单元比较该比较电压以及一参考电压以禁能或致能该切换信号，并且，在当该切换信号禁能后，该切换信号产生单元还拉高该故障侦测脚位上的电压准位至一逻辑高准位电压，以产生一故障通知信号。

2.根据权利要求1所述的发光二极管模组驱动装置，其中该切换信号致能时为脉冲宽度调制信号，当该切换信号禁能时为直流电压信号。

3.根据权利要求1所述的发光二极管模组驱动装置，其中该切换信号产生单元包括：

一切换信号控制单元，连接该故障侦测脚位以接收该比较电压，该切换信号控制单元比较该比较电压及该参考电压以产生一控制信号；

以及

一切换信号驱动单元，连接该切换信号控制单元，用以根据该控制信号来致能或禁能该切换信号，并且，当该切换信号禁能后，该切换信号控制单元还拉高该故障侦测脚位上的电压准位至该逻辑高准位电压，以产生该故障通知信号。

4.根据权利要求3所述的发光二极管模组驱动装置，其中该切换信号控制单元包括：

一比较单元，其第一输入端接收该参考电压，该比较单元的第二输入端连接该故障侦测脚位以接收该比较电压，该比较单元用以比较该比较电压及该参考电压以产生该控制信号；

以及

一主动式拉高电路，连接该比较单元，并当该切换信号禁能后，该主动式拉高电路拉高该故障侦测脚位上的电压准位至该逻辑高准位电压。

5.根据权利要求4所述的发光二极管模组驱动装置，其中该主动式拉高电路包括一开关，其第一端连接该逻辑高准位电压，该开关的第二端连接该故障侦测脚位，当该切换信号禁能后，该开关导通以拉高该故障侦测脚位上的电压准位至该逻辑高准位电压。

6.根据权利要求5所述的发光二极管模组驱动装置，其中该主动式拉高电路还包括一逻辑运算单元，其第一输入端接收该控制信号，该逻辑运算单元的第二输入端接收一重置信号，该逻辑运算单元的输出端连接至该开关的控制端，当该重置信号禁能且该切换信号禁能后，该开关导通，并且，当该重置信号致能时，该开关截止，以使该切换信号产生单元比较该比较电压以及该参考电压以禁能或致能该切换信号。

7.根据权利要求6所述的发光二极管模组驱动装置，其中该开关为一PMOS晶体管，该比较单元为一迟滞比较器，且该逻辑运算单元为一与非门。

8.根据权利要求1所述的发光二极管模组驱动装置，其中该电压转换单元包括：

一二极管，其阴极接收一输入电压并连接至该发光二极管模组的第一端；

一电容，其第一端接收该输入电压，该电容的第二端连接至该发光二极管模组的第二端；

一电感，其第一端连接至该二极管的阳极，该电感的第二端连接至该电容的第二端；

以及

一转换开关，其控制端接收该切换信号，该转换开关的第一端连接至该二极管的阳极及该电感的第一端，该转换开关的第二端连接至一转换电阻的一端，且该转换电阻的另一端接收一接地电压。

9.根据权利要求8所述的发光二极管模组驱动装置，其中该切换信号产生单元还包括：

一过流保护单元，该过流保护单元的第一接收端接收一过流参考电压，该过流保护单元的第二接收端连接该转换电阻的一端以取得经该驱动电压分压的一过流比较电压，且该过流保护单元比较该过流比较电压以及该过流参考电压以使该切换信号产生单元禁能或致能该切换信号。

10.根据权利要求1所述的发光二极管模组驱动装置，其中该发光二极管模组为一发光二极管串，且该发光二极管串包括至少一发光二极管。

11.一种发光二极管模组，包括：

多个发光二极管串；

多个发光二极管驱动装置，每一发光二极管驱动装置对应连接并驱动所述多个发光二极管串其中之一，且每一发光二极管驱动装置包括：

一电压转换单元，连接至对应的该发光二极管串，用以接收并根据一切换信号来产生一驱动电压以驱动对应的该发光二极管串；

一发光二极管模组电压侦测单元，连接至对应的该发光二极管串，用以侦测该发光二极管模组上的该驱动电压，并根据分压该驱动电压以产生一比较电压；以及

一切换信号产生单元，连接该电压转换单元以及该发光二极管模组电压侦测单元，具有一故障侦测脚位以接收该比较电压，该切换信号产生单元比较该比较电压以及一参考电压以禁能或致能该切换信号，并且，在当该切换信号禁能后，该切换信号产生单元还拉高该故障侦测脚位上的电压准位至一逻辑高准位电压，以产生一故障通知信号；

以及

多个二极管，每一二极管的一端连接至对应的每一故障侦测脚位，所述多个二极管的另一端共同连接至一多重故障侦测脚，该多重故障侦测脚产生一多重故障侦测信号。

12.根据权利要求11所述的发光二极管模组，其中该切换信号致能时为脉冲宽度调制信号，当该切换信号禁能时为直流电压信号。

13.根据权利要求11所述的发光二极管模组，其中该切换信号产生单元包括：

一切换信号控制单元，连接该故障侦测脚位以接收该比较电压，该切换信号控制单元比较该比较电压及该参考电压以产生一控制信号；

以及

一切换信号驱动单元，连接该切换信号控制单元，用以根据该控制信号来致能或禁能该切换信号，并且，当该切换信号禁能后，该切换信号控制单元还拉高该故障侦测脚位上的电压准位至该逻辑高准位电压，以产生该故障通知信号。

14.根据权利要求13所述的发光二极管模组，其中该切换信号控制单元包括：

一比较单元，其第一输入端接收该参考电压，该比较单元的第二输入端连接该故障侦测脚位以接收该比较电压，该比较单元用以比较该比较电压及该参考电压以产生该控制信号；

以及

一主动式拉高电路，连接该比较单元，并当该切换信号禁能后，该主动式拉高电路拉高该故障侦测脚位上的电压准位至该逻辑高准位电压。

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