CN102325294B - 声音传感器 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种声音传感器，能够防止膜片的粘附，并且由传感器落下时的冲击也不易使膜片破损。对音压进行感应的膜片(33)与由板部(39)和固定电极膜(40)构成的背板(34)相对，构成静电电容型的声音传感器(31)。在背板(34)上开设有用于使振动通过的声孔(38)，另外，在与膜片(33)相对的面上突设有多个挡块(42a、42b)。设于背板(34)的外周区域的挡块(42b)的直径小，设于内部区域的挡块(42a)的直径大。

Description

声音传感器

技术领域

本发明涉及声音传感器，具体而言，涉及使用MEMS(Micro ElectroMechanical Systems)技术制造的MEMS方式的声音传感器。

背景技术

作为静电电容方式的声音传感器，具有专利文献1公开的传感器。在专利文献1的声音传感器中，通过使薄膜的膜片和设于背板的固定电极膜隔开微小的气隙而相对，构成电容器。而且，当通过声振动使膜片振动时，因该振动而使膜片与固定电极膜的间隙距离发生变化，因此，通过检测此时的膜片与固定电极膜之间的静电电容的变化，检测声振动。

在这种静电电容方式的声音传感器中，在其制造工序及使用中，往往将膜片固着在固定电极膜上(以下将膜片的一部分或大致整体固着在固定电极膜上消除缝隙的状态、或其现象称作粘附)。当膜片粘附于固定电极膜上时，防碍膜片的振动，因此，存在不能通过声音传感器检测声振动的问题。

在声音传感器上产生粘附的原因如下(专利文献2中详述)。在声音传感器的制造工序、例如保护层蚀刻后的清洗工序中，水分会浸入膜片与固定电极膜之间的气隙。另外，在声音传感器的使用中，会在膜片与固定电极膜之间的气隙因湿气或水润湿而也浸入水分。另一方面，声音传感器的缝隙距离仅为数μm，而且，膜片的膜厚仅为1μm程度，弹性较弱。因此，当水分浸入气隙时，因其毛细管力乃至表面张力而使膜片吸附在固定电极膜上(将其称作粘附的第一阶段)，水分蒸发后，因作用于膜片与固定电极膜之间的分子间力或表面张力、静电力等而保持膜片的粘附状态(将其称作粘附的第二阶段)。

另外，也有大的音压或落下冲击对膜片作用而大幅位移的膜片附着于固定电极膜上、或膜片带上静电而附着于固定电极膜上，引起粘附的第一阶段的情况。

为了防止上述那种膜片的粘附，具有在固定电极膜的与膜片相对的面上设有多个挡块(突起)的声音传感器。这种声音传感器例如公开于专利文献3中。

图1及图2是表示具有挡块的声音传感器的平面图及剖面图。另外，图1及图2中，为了容易进行与本发明实施方式1的比较，作为与实施方式1的声音传感器相同的方式进行表示。在该声音传感器11中，背室15从硅基板12的上表面贯通下表面，并且以覆盖背室15的上表面的方式在硅基板12的上表面配置有由多晶硅构成的薄膜状的膜片13。另外，在硅基板12的上表面，以覆盖膜片13的方式固定有顶盖状的背板14。背板14为在由SiN构成的板部19的下表面设有由多晶硅构成的固定电极膜20的结构。在膜片13与固定电极膜20之间形成有微小的气隙，通过膜片13和固定电极膜20构成电容器。在背板14整体上开设有多个用于使声振动通过的声孔18。另外，在背板14中与膜片13相对的区域的整个下表面大致等间隔地设有形成同一长度且同一直径的突起状的多个挡块22。

根据这种声音传感器11，即使在膜片13大幅位移的情况下，通过挡块22的前端面与膜片13抵接，也能够防止膜片13过于接近背板14，可以防止膜片13的粘附。

专利文献1：日本特许第4338395号公报

专利文献2：日本特开2008-301430号公报

专利文献3：日本特开2006-157863号公报

已知粘附的第二阶段的膜片13与背板14之间的保持力同膜片13与背板14的接触面积相关。即，即使在背板14上设置挡块22，当挡块22的直径大时，膜片13和挡块22的接触面积也会增大，膜片13的保持力也增大。因此，即使在背板14上设置挡块22，在挡块22的直径大的情况下，也难以引起粘附。

因此，为了防止膜片13的粘附，优选在背板14上设置挡块22，同时尽可能地减小挡块22的直径，减小膜片13与背板14的接触面积。

但是，在实际使用时的落下事故或落下试验中，在声音传感器11落下时，膜片13与挡块22发生冲突，对膜片13施加机械的负荷。因此，当挡块22的直径细时，声音传感器11落下而膜片13与挡块22发生冲突时，会对膜片13施加大的机械负荷，膜片13容易破损。

因此，在现有的声音传感器中，防止粘附的性能和落下耐性为彼此相反的关系，不能制作满足两个特性的装置。另外，专利文献2中公开有一种使挡块的间隔根据设置挡块的区域的不同而不同的方法，但这种方法中不能得到同时满足防止粘附的性能和落下耐性的装置。

发明内容

本发明是鉴于上述的技术课题而作出的，其目的在于提供一种可防止膜片的粘附，因传感器的落下时的冲击也不易使膜片破损的声音传感器。

本发明的声音传感器，具备：背板，其由配设于半导体基板的上方的固定膜和设于所述固定膜上的固定电极膜构成；振动电极膜，其以经由空隙与所述背板相对的方式配设在所述半导体基板的上方，将声振动变换为所述振动电极膜与所述固定电极膜之间的静电电容量的变化，其特征在于，在所述背板或所述振动电极膜的至少一方的所述空隙侧的面设有多个突起，根据所述背板或所述振动电极膜的至少一方的突起形成区域使所述突起的截面面积不同。

另外，在所述声音传感器中，也可以形成为：所述半导体基板从其上表面朝向下方形成有空洞部，所述振动电极膜配设于所述半导体基板的上表面，所述背板以覆盖所述振动电极膜的方式被固定在所述半导体基板的上表面，在所述背板上开设有多个声孔。或者，可以形成为：所述背板固定在所述半导体基板的上表面，所述振动电极膜被配设在所述背板的上方。

本发明的声音传感器中，由于具有截面面积不同的多种突起，使不易引起粘附的截面面积较小的突起的形成区域和可减小对振动电极膜施加的冲击的截面面积较大的突起的形成区域不同，因此，通过将截面面积不同的突起的形成区域最佳化，可以防止振动电极膜的粘附，并且，不易因传感器落下时的冲击而引起振动电极膜的破损。

本发明的声音传感器的一方面，具有截面面积不同的三种以上的所述突起，所述突起从所述背板或所述振动电极膜的至少一方的中心朝向外周侧依次减小其截面面积。在该方面，由于振动电极膜成为自由端，在背板上粘附时的弹性恢复力弱的外周区域减小突起的截面面积，因此，可以减小振动电极膜粘附时的外周区域的保持力，不易引起振动电极膜的粘附。另外，由于在受到冲击等时最初振动电极膜容易与背板发生冲突的中央部，突起截面面积大，因此，可以缓和对振动电极膜施加的冲击。因此，根据该方面，可防止振动电极膜的粘附，并且可以防止传感器落下时的冲击导致的振动电极膜的破损。

本发明的声音传感器的另一方面，在所述背板或所述振动电极膜的至少一方的外周区域设有截面面积较小的所述突起，在所述背板或所述振动电极膜的至少一方的内部区域设有截面面积较大的所述突起。该方面中，由于振动电极膜成为自由端，在粘附于背板上时的弹性恢复力弱的外周区域，减小突起的截面面积，因此，可以减小振动电极膜粘附时的外周区域的保持力，不易引起粘附。另外，由于在受到冲击等时最初振动电极膜容易与背板发生冲突的内部区域，突起截面面积增大，因此，可以缓和对振动电极膜施加的冲击。因此，根据该方面，可防止振动电极膜的粘附，并且可以防止传感器落下时的冲击导致的振动电极膜的破损。

另外，在该方面中，理想的是，设有截面面积较小的所述突起的所述外周区域的宽度为所述背板或所述振动电极膜的宽度的1/4以下。当外周区域的宽度比其大时，在施加冲击时，振动电极膜与截面面积小的突起接触而可能破损，可能损害耐冲击性。

另外，在半导体基板的上表面设置振动电极膜，以覆盖振动电极膜的方式在半导体基板的上表面设置背板的方式中，可以形成为：在所述振动电极膜的下表面中与所述半导体基板的上表面相对的区域设有多个凸部，设于所述区域的外周部的所述凸部的截面面积比设于所述区域的内周部的所述凸部的截面面积小。根据该方面，可以防止振动电极膜粘附在半导体基板的上表面，并且可以防止振动电极膜因冲击等而与半导体基板发生冲突导致破损

另外，用于解决本发明的所述课题的方式具有适当组合以上说明的构成要素的特征，本发明可以通过这种构成要素的组合进行多种变更。

附图说明

图1是现有例的声音传感器的平面图；

图2是图1所示的声音传感器的剖面图；

图3是表示本发明实施方式1的声音传感器的平面图；

图4是表示实施方式1的声音传感器的剖面图；

图5是实施方式1的声音传感器的背板的仰视图；

图6是表示在实施例1的声音传感器中除去了背板后的状态的平面图；

图7是表示实施方式1的挡块的配置的背板的仰视图；

图8是用于说明实施方式1的声音传感器的作用效果的概略剖面图；

图9是用于说明实施方式1的声音传感器的作用效果的概略剖面图；

图10是用于说明实施方式1的声音传感器的作用效果的概略剖面图；

图11是表示本发明实施方式2的声音传感器的概略剖面图；

图12是表示本发明实施方式3的声音传感器的概略剖面图；

图13是表示本发明实施方式4的声音传感器的概略剖面图；

图14是表示本发明实施方式5的声音传感器的概略剖面图；

图15是表示本发明实施方式6的声音传感器的概略剖面图；

图16是表示本发明实施方式7的声音传感器的平面图；

图17是实施方式7的声音传感器中除去了板部后的状态的平面图；

图18是表示实施方式7的挡块的配置的背板的仰视图。

标记说明

31、61、62、63、64、65、66：声音传感器

32：硅基板

33：膜片

34：背板

38：声孔

39：板部

40：固定电极膜

42a、42b、42c、42d、42e：挡块

54：支承部

55：衬垫

56a、56b：凸部

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的优选实施方式进行说明。但是，本发明不限于以下的实施方式，在不脱离本发明宗旨的范围内可进行各种设计变更。

(第一实施方式)

参照图3～图7对本发明实施方式1的声音传感器31的构造进行说明。图3是表示实施方式1的声音传感器31的平面图。图4是声音传感器31的剖面图。另外，图5是背板14的仰视图。图6是从声音传感器31取下了背板14后的状态的平面图。图7是省略声孔38仅表示挡块42a、42b的背板14的仰视图。

该声音传感器31为利用MEMS技术制造的静电电容型元件，如图4所示，在硅基板32(半导体基板)的上表面经由固定器(アンカ一)37设有膜片33(振动电极膜)，且在其上经由微小的气隙(空隙)固定背板34。

在由单晶硅构成的硅基板32上开设有从表面贯通至背面的背室35(空洞部)。背室35的内周面可以为垂直面，也可以锥状地倾斜。

在硅基板32的上表面设有用于支承膜片33的梁部36的多个固定器37。另外，如图6所示，在硅基板32的上表面，以包围膜片33的方式形成有基台部41。另外，硅基板32的上表面的比基台部41更外侧的区域由比基台部41薄的紧密贴合层47覆盖。固定器37及基台部41由SiO₂形成。紧密贴合层47由SiO₂或多晶硅形成。

如图6所示，膜片33由具有导电性的大致圆板状的多晶硅薄膜形成。从膜片33的外周缘延伸多个梁部36，梁部36被等间隔地配置。另外，从膜片33朝向外侧延伸带板状的引出配线43。

膜片33以覆盖背室35的上表面的方式配置在硅基板32的上表面，梁部36的下表面固定在固定器37上。由此，膜片33被悬空支承，同时，在膜片33的外周部下表面与硅基板32的上表面之间形成有用于使声振动通过的窄的通风孔57。

背板34为在由SiN构成的板部39(固定膜)的下表面设有由多晶硅构成的固定电极膜40的结构。背板34形成为圆顶状，在其下具有空洞部分，由该空洞部分覆盖膜片33。背板34之下的空洞部分的高度(从硅基板32的上表面到固定电极膜40的下表面的高度)从制造上的理由出发，与形成于硅基板32的上表面的基台部41的厚度相等。在背板34的下表面(即固定电极膜40的下表面)与膜片33的上表面之间形成有微小的气隙(空隙)。固定电极膜40与膜片33彼此相对，构成电容器。

在背板34的大致整体，以从上表面贯通至下表面的方式穿设有多个用于使声振动通过的声孔38(声孔)。如图3及图5所示，声孔38有规则地排列。图示例中，声孔38以沿彼此构成120°的角度的三个方向三角形状地排列，但也可以配置成矩形状或同心圆状等。

另外，如图4及图5所示，在背板34的下表面突出有形成圆柱状的两种微小的挡块42a、42b(突起)。挡块42a、42b从板部39的下表面一体突出，通过固定电极膜40突出到背板34的下表面。挡块42a、42b与板部39相同，由SiN构成，因此具有绝缘性，挡块42a和挡块42b具有相等的突出长度，各挡块42a、42b的下端面在同一平面上一致，但挡块42a具有比挡块42b大的直径。

如图7(省略声孔38)所示，细的挡块42b设于背板34的外周区域，粗的挡块42b设于背板34的内部区域(比外周区域更内侧的区域)。特别是，在实施方式1的图示例中，膜片33具有比固定电极膜40大的面积，在固定电极膜40的外侧且与膜片33相对的区域设有细的挡块42b。另外，在设有固定电极膜40的区域设有粗的挡块42a。

另外，挡块42a及42b作为整体有规则地配置。挡块42a、42b可以配置在被声孔38包围的区域的中央，或者也可以设于与某一声孔38接近的位置。

从形成顶盖状的板部39的外周缘遍及整周连续地延伸保护膜53。保护膜53的内周部构成形成截面倒槽状的基台被覆部51，保护膜53的外周部构成平坦部52。板部39被固定在硅基板32的上表面，基台被覆部51覆盖基台部41，平坦部52覆盖紧密贴合层47的上表面。

引出配线43固定在基台部41，从固定电极膜40延伸出的引出配线44也固定在基台部41的上表面。另一方面，在基台被覆部51上开设有开口，通过该开口在引出配线43的上表面形成可动侧电极焊盘46，可动侧电极焊盘46与引出配线43(因此与膜片33)导通。另外，设于板部39的上表面的固定侧电极焊盘45经由通孔等与引出配线44(因此与固定电极膜40)导通。

这样，在该声音传感器31中，当声振动通过声孔38进入背板34与膜片33之间的空间时，薄膜即膜片33被声振动激励而进行振动。当膜片33振动而使膜片33与固定电极膜40之间的间隙距离发生变化时，膜片33与固定电极膜40之间的静电电容也发生变化。其结果，在该声音传感器31中，膜片33感应的声振动(音压的变化)成为膜片33与固定电极膜40之间的静电电容的变化，可作为电信号输出。

另外，该声音传感器31具有良好的耐冲击性。膜片33通过梁部36保持外周部，因此，在声音传感器31落下时，如图8所示，膜片33的中央部首先与挡块发生冲突。但是，在该声音传感器31中，由于内部区域的挡块42a的直径大，所以膜片33与挡块42a发生冲突时的接触面积增大，对膜片33作用的冲击被缓和。因此，膜片33不易破损，声音传感器31的落下耐性提高

另外，除声音传感器31落下时以外，在从背室35向膜片33施加风压的情况、及对声音传感器31施加加速度的情况等时，膜片33可能与挡块发生冲突。这些情况下，由于膜片33的中央部与粗的挡块42a发生冲突，所以冲击被缓和，膜片33不易破损。因此，根据该声音传感器31，不限于落下耐性，还可提高膜片33的耐冲击性。

另外，该声音传感器31中，耐粘附性也提高。如图9所示，即使膜片33整体粘附在挡块42a、42b的下表面，膜片33的中央部相比外周部要返回本来位置的弹性恢复力也强，因此，即使挡块42a的直径大，膜片33的中央部如图10所示也容易从挡块42a剥离而还原。另外，由于膜片33的外周部(外周部中未由梁部36固定的部分)为自由端，因此，膜片33的外周部相比中央部，弹性恢复力弱。但是，该声音传感器31中，由于挡块42b的直径小，所以膜片33的外周部与挡块42b的接触面积小，因此，即使为较小的弹性恢复力，膜片33的外周部也容易从挡块42b剥离而返回本来的位置，不易引起粘附。

这样根据声音传感器31，通过增大设于背板34的内部区域的挡块42a的直径，减小设于外周区域的挡块42b的直径，可以实现声音传感器31的耐冲击性提高和防止粘附这样的相反的作用效果。

接着，对可以将本发明的作用效果最优化的挡块42a、42b的尺寸等进行说明。设于中央区域的挡块42a为了缓和落下试验时等的冲击而优选将其直径设为1μm以上。如果直径小于1μm，则与膜片33的接触面积过小，膜片33冲突时的冲击性的缓和不充分。

设于外周区域的挡块42b为防止膜片33的粘附而优选其直径为5μm以下(但必须比挡块42a的直径小。)。如果直径大于5μm，则与膜片33的接触面积过大，挡块42b的保持力过大，不能可靠地防止膜片33的粘附。

另外，如图4所示，在将设置直径小的挡块42b的外周区域的宽度设为X，将膜片33的变形区域的宽度设为W时，优选外周区域的宽度X为膜片33的变形区域の宽度W的1/4以下(即X≤W/4)。如果外周区域的宽度X比其大，则设置直径小的挡块42b的区域变宽，因此，在对声音传感器31施加冲击时，膜片33的中央部附近会与直径小的挡块42b接触，有损害耐冲击性的可能性。

对于内部区域的挡块42a和外周区域的挡块42b，如果其面积比(与长度方向垂直的截面面积之比)过近，则在各区域不能充分发挥挡块42a、42b的效果。因此，挡块42b的截面面积相对于挡块42a的截面面积之比优选为0.75以下，由此容易兼得耐冲击性和耐粘附性。

挡块42a、42b的直径及配置根据膜片3的强度、膜片33的弹簧常数、膜片33与背板34之间的距离(间隙距离)、施加的负荷等决定。例如膜片33为一边的长度为720μm的大致正方形、其膜厚为1μm以下的情况下，膜片33的强度弱，因此，如果考虑内部区域的耐冲击性，则优选内部区域的挡块42a的直径为3μm以上(例如直径5μm)。另外，由于在外周区域，膜片33的恢复力小，因此，如果考虑膜片33的耐粘附性，则外周区域的挡块42b的直径优选为挡块42a的截面面积的一半左右的直径(例如，若挡块42a的直径设为5μm，则挡块42b的直径为3.5μm程度。)。另外，该情况下，优选外周区域的宽度X为50μm左右。

接着，对其它实施方式进行说明。实施方式2～6具有与实施方式1的声音传感器31大致相同的构造，因此，详细的构造省略，表示以理解与实施方式1不同的点的方式描绘的概略图。另外，对于与实施方式1相同的构造的部分，在附图中标注相同的符号并省略说明。

(第二实施方式)

图11是表示本发明实施方式2的声音传感器61的概略剖面图。实施方式1的声音传感器31中，将直径不同的两种挡块42a、42b设于背板34的下表面，但也可以设置直径不同的三种挡块。

图11所示的声音传感器61中，在背板34的下表面，在最外周区域E设有直径最小的挡块42e，在比最外周区域E内侧的外周区域D设有直径第二小的挡块42d，在比外周区域D内侧的内部区域C设有直径最大的挡块42c。

(第三实施方式)

图12是表示本发明实施方式3的声音传感器62的概略剖面图。实施方式1的声音传感器31中，在背板34上设有挡块42a、42b，但在实施方式3的声音传感器62中，在膜片33的上表面设有挡块42a、42b。该声音传感器62中，也在膜片33的上表面，在外周区域设有直径小的挡块42b，在内部区域设有直径大的挡块42a。其结果，在该声音传感器62中，可以使声音传感器62的耐冲击性提高，同时可防止膜片33的粘附。另外，图12中，在与挡块42a、42b的前端面相对的部位，在固定电极膜40上设有孔，这是为防止膜片33的上表面与固定电极膜40电气短路而设置的。另外，在固定电极膜40或膜片33的表面赋予非导电性材料的情况下，该孔也可以不需要。

(第四实施方式)

图13是表示本发明实施方式4的声音传感器63的概略剖面图。该声音传感器63中，在硅基板32的上表面设有背板34，与背板34相对而在背板34之上设有膜片33。背板34在板部39的上表面形成有固定电极膜40，其通过衬垫55固定在硅基板32的上表面。膜片33通过固定在硅基板32上的支承部54被支承。挡块42a、42b从背板34的上表面突出，在背板34的内部区域排列直径大的挡块42a，在外周区域排列有直径小的挡块42b。

(第五实施方式)

图14是表示本发明实施方式5的声音传感器64的概略剖面图。该实施方式具有与实施方式4相同的膜片33及背板34的构成。与实施方式4的不同之处是将挡块42a、42b设于膜片33的下表面。

(第六实施方式)

图15是表示本发明实施方式6的声音传感器65的概略剖面图。该声音传感器65中，在通风孔57内、膜片33的下表面设有凸部56a、56b。设于外周区域的凸部56b的直径比设于内周区域的凸部56a的直径小。

该实施方式中，由于在膜片33的下表面设有凸部56a、56b，可以防止膜片33的边缘粘附到硅基板32的上表面而使膜片33与背板34之间的间隙距离发生变化。另外，可防止通风孔57变窄或通风孔57堵塞。

另外，在使声音传感器65落下的情况下，膜片33的内周区域容易强烈地与硅基板32冲突，但由于内周区域的凸部56a的直径大，所以可以缓和膜片33的冲击。另一方面，成为自由端且容易粘附于硅基板32的外周区域的凸部56b的直径小，与硅基板32的接触面积减小，因此可以防止膜片33与硅基板32的粘附。

(第七实施方式)

图16是表示本发明实施方式7的声音传感器66的平面图。图17是将板部39取下后表示固定电极膜40和膜片33的平面图。图18是表示声音传感器66的挡块42a、42b的配置的背板34的仰视图，将局部放大表示。

该声音传感器66也具有与实施方式1的声音传感器31大致相同的构造，但膜片33及背板34为大致矩形状。从大致矩形的膜片33的四角向对角方向延伸出梁部36，梁部36的下表面被固定器37支承。背板34为在形成大致矩形状的板部39的下表面形成有八边形的固定电极膜40的部件。

该声音传感器66中，在背板34的下表面的外周区域突出有直径小的挡块42b，在内部区域突出有直径大的挡块42a。因此，该声音传感器66中，可以提高膜片33的耐冲击性而防止膜片33的破损，并且膜片33也不易引起粘附。

Claims (7)

1.一种声音传感器，其具备：

背板，其由配设于半导体基板的上方的固定膜和设于所述固定膜上的固定电极膜构成；

振动电极膜，其以经由空隙与所述背板相对的方式配设在所述半导体基板的上方，

将声振动变换为所述振动电极膜与所述固定电极膜之间的静电电容的变化，其特征在于，

在所述背板或所述振动电极膜的至少一方的所述空隙侧的面设有多个突起，根据所述背板或所述振动电极膜的至少一方的突起形成区域使所述突起的截面面积不同。

2.如权利要求1所述的声音传感器，其特征在于，

具有截面面积不同的三种以上的所述突起，

所述突起从所述背板或所述振动电极膜的至少一方的中心朝向外周侧依次减小其截面面积。

3.如权利要求1所述的声音传感器，其特征在于，在所述背板或所述振动电极膜的至少一方的外周区域和所述背板或所述振动电极膜的至少一方的内部区域设有所述突起，形成于所述外周区域的所述突起的截面面积比形成于所述内部区域的所述突起的截面面积小。

4.如权利要求3所述的声音传感器，其特征在于，设有截面面积小的所述突起的所述外周区域的宽度为所述背板或所述振动电极膜的宽度的1／4以下。

5.如权利要求1所述的声音传感器，其特征在于，所述半导体基板从其上表面朝向下方形成有空洞部，所述振动电极膜配设于所述半导体基板的上表面，所述背板以覆盖所述振动电极膜的方式被固定在所述半导体基板的上表面，在所述背板上开设有多个声孔。

6.如权利要求1所述的声音传感器，其特征在于，在所述振动电极膜的下表面中与所述半导体基板的上表面相对的区域设有多个凸部，设于所述区域的外周部的所述凸部的截面面积比设于所述区域的内周部的所述凸部的截面面积小。

7.如权利要求1所述的声音传感器，其特征在于，所述背板固定在所述半导体基板的上表面，所述振动电极膜被配设在所述背板的上方。