CN102244001A - 二极管酸洗脱水工艺及其设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了二极管酸洗脱水工艺，包括如下工序：首先将二极管组件送入化学酸洗段，分别进行3次酸洗，4次冲水，将冲洗后的二极管组件送入至水超声清洗段进行超声清洗；结束后，将二级管组件送入至烘干段，烘干后，将二极管组件送入至冷却段，将冷却好的二极管组件依次送入至1号异丙醇缸与2号异丙醇缸内进行清洗，结束二极管酸洗脱水工序，二极管酸洗脱水设备，包括依次连接的化学酸洗段、水超声清洗段、烘干段、冷却段、1号异丙醇缸和2号异丙醇缸，所述的烘干段设置有紫外灯和温度开关，所述的紫外灯与温度开关相连接；所述的冷却段设置有风扇和风速调节开关，所述的风扇与风速调节开关相连接。
Description
技术领域
本发明涉及二极管领域，特别的是涉及二极管酸洗脱水工艺及其设备。
背景技术
目前，二极管组件经过化学试剂的腐蚀后，需要通过酸洗机水超声段的纯水清洗，才能出酸洗机，而二极管组建在出了酸洗机水超声段后的材料，需要在每条生产线上配置1名操作人员，这名操作人员拿出二级管组件，将其放置在甩干机内，进行初步甩干，甩干后的二极管组件需要操作人员再将其拿出，放置在1号异丙醇缸(1#IPA缸)内，待后面材料出甩干机后，再将1号异丙醇缸(1#IPA缸)内材料取出，再放入2号异丙醇缸(2#IPA缸)内，进行清洗脱水，待1号异丙醇缸(1#IPA缸)内的二极管组件清洗好后，取出2号异丙醇缸(2#IPA缸)送往下一工序，此种工艺大大的增加了人力劳动和原材周转过程，同时，二极管组件在甩干机操作过程中，由于是瞬间高速转动二极管材料，来实现甩掉二极管表面的水迹，瞬间高速转动过程中极易造成部分品种二极管断裂，降低成品率，对产品质量有很大影响。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供了一种减少工序步骤，提高效率的二极管酸洗脱水工艺及其设备。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
二极管酸洗脱水工艺，包括如下工序：首先将二极管组件送入化学酸洗段，分别进行3次酸洗，4次冲水；将冲洗后的二极管组件送入至水超声清洗段进行超声清洗；结束后，将二级管组件送入至烘干段，调整烘干段的温度在40～70℃范围内，烘干120～180S；烘干后，将二极管组件送入至冷却段，控制冷却段的 温度在15～30℃范围内，将二极管组件冷却低于30℃，停止冷却；将冷却好的二极管组件依次送入至1号异丙醇缸与2号异丙醇缸内进行清洗，结束二极管酸洗脱水工序。
所述的3次酸洗分别为1次酸洗、2次酸洗、3次酸洗；
所述的1次酸洗为硝酸、氢氟酸、冰乙酸及硫酸的混合液，按照体积比计，所述的混合液的配比为：硝酸∶氢氟酸∶冰乙酸∶硫酸为9∶9∶12∶4；
所述的2次酸洗为磷酸、双氧水、纯水的混合液，按照体积比计，所述的混合液的配比为：磷酸∶双氧水∶纯水为1∶1∶3；
所述的3次酸洗为氨水、双氧水、纯水的混合液，按照体积比计，所述的混合液的配比为：氨水∶双氧水∶纯水为20∶10∶1。
所述的水超声清洗段，其超声电流控制在1.5～2A范围内，纯水电阻率控制在≥10MΩ·CM范围。
所述的1号异丙醇电阻率控制在≥10MΩ·CM范围，所述的2号异丙醇电阻率控制在≥20MΩ·CM范围。
如上述的二极管酸洗脱水工艺，其设备包括依次连接的化学酸洗段、水超声清洗段、烘干段、冷却段、1号异丙醇缸和2号异丙醇缸，所述的烘干段设置有紫外灯和温度开关，所述的紫外灯与温度开关相连接；所述的冷却段设置有风扇和风速调节开关，所述的风扇与风速调节开关相连接。
所述的烘干段，其长度为1～2m。
所述的冷却段，其长度为1米。
所述的1号异丙醇缸与2号异丙醇缸的总长度为2～2.5米。
上述方案中，本发明采用了3次酸洗，由于1次酸洗腐蚀二极管组件的晶粒周边棱角，去除晶粒周边漏电杂质，2次酸洗使得经一次酸洗后的二极管组件，其晶粒表面形成一层保护层，保护晶粒在1次酸洗后不会形成二次污染，3次酸洗其主要作用是加强二极管组件的管芯的硬特性，去除晶粒表面的酸离子和金属离子，综合碱性，3次酸洗以除表面酸性，为二极管组件的合格率提供了保证。 同时，本发明烘干段采用紫外灯进行烘干，由于采用了紫外灯作为烘干设备，利用紫外灯的强度来道道处理二极管表面的水迹，摒除了现有技术中常用的甩干机，避免了甩干造成的二极管组件成品率的损失，减少了成本的付出。另外，采用本发明的工艺，从多层工艺更改为一体工艺，现有操作方法每条生产线需要员工一人，操作非常繁琐，更改后的一体机，每人可同时工作1-4条生产线，大大降低操作人员，节约人力成本的同时并挺高生产效率。
本发明的有益效果在于：节省了人力成本，减少了工作人员的工作量，同时提高了生产效率，增加二极管组件成品的合格率。
附图说明
图1为本发明的结构示意图
图中：1为化学酸洗段，2为水超声清洗段，3为烘干段，4为冷却段，51为1#IPA，52为2#IPA。
具体实施方式
下面通过具体实施例，对本发明做详细的说明。
实施例1
二极管酸洗脱水工艺，包括如下工序：首先将二极管组件送入化学酸洗段，分别进行3次酸洗，4次冲水；将冲洗后的二极管组件送入至水超声清洗段进行超声清洗；结束后，将二级管组件送入至烘干段，调整烘干段的温度在40℃范围内，烘干120S；烘干后，将二极管组件送入至冷却段，控制冷却段的温度在15℃范围内，将二极管组件冷却低于30℃，停止冷却；将冷却好的二极管组件依次送入至1号异丙醇缸与2号异丙醇缸内进行清洗，结束二极管酸洗脱水工序。
所述的3次酸洗分别为1次酸洗、2次酸洗、3次酸洗；
所述的1次酸洗为硝酸、氢氟酸、冰乙酸及硫酸的混合液，按照体积比计，所述的混合液的配比为：硝酸∶氢氟酸∶冰乙酸∶硫酸为9∶9∶12∶4；
所述的2次酸洗为磷酸、双氧水、纯水的混合液，按照体积比计，所述的混合液的配比为：磷酸∶双氧水∶纯水为1∶1∶3；
所述的3次酸洗为氨水、双氧水、纯水的混合液，按照体积比计，所述的混合液的配比为：氨水∶双氧水∶纯水为20∶10∶1。
所述的水超声清洗段，其超声电流控制在1.5A范围内，纯水电阻率控制在10MΩ·CM范围。
所述的1号异丙醇电阻率控制在10MΩ·CM范围，所述的2号异丙醇电阻率控制在20MΩ·CM范围。
如上述二极管酸洗脱水设备，包括依次连接的化学酸洗段1、水超声清洗段2、烘干段3、冷却段4、1#IPA 51和2#IPA 52，所述的烘干段3设置有紫外灯和温度开关，所述的紫外灯与温度开关相连接；所述的冷却段4设置有风扇和风速调节开关，所述的风扇与风速调节开关相连接。
上述的烘干段3长度为2m，冷却段4长度为1米，1#IPA51与2#IPA52的总长度为2.5米。
Claims (8)
1.二极管酸洗脱水工艺，其特征在于，包括如下工序：首先将二极管组件送入化学酸洗段，分别进行3次酸洗，4次冲水，所述的酸洗和冲水交替进行，将冲洗后的二极管组件送入至水超声清洗段进行超声清洗；结束后，将二级管组件送入至烘干段，调整烘干段的温度在40～70℃范围内，烘干120～180S；烘干后，将二极管组件送入至冷却段，控制冷却段的温度在15～30℃范围内，将二极管组件冷却低于30℃，停止冷却；将冷却好的二极管组件依次送入至1号异丙醇缸与2号异丙醇缸内进行清洗，结束二极管酸洗脱水工序。
2.根据权利要求1所述的二极管酸洗脱水工艺，其特征在于：所述的3次酸洗分别为1次酸洗、2次酸洗、3次酸洗；
所述的1次酸洗为硝酸、氢氟酸、冰乙酸及硫酸的混合液，按照体积比计，所述的混合液的配比为：硝酸∶氢氟酸∶冰乙酸∶硫酸为9∶9∶12∶4；
所述的2次酸洗为磷酸、双氧水、纯水的混合液，按照体积比计，所述的混合液的配比为：磷酸∶双氧水∶纯水为1∶1∶3；
所述的3次酸洗为氨水、双氧水、纯水的混合液，按照体积比计，所述的混合液的配比为：氨水∶双氧水∶纯水为20∶10∶1。
3.根据权利要求1所述的二极管酸洗脱水工艺，其特征在于：所述的水超声清洗段，其超声电流控制在1.5～2A范围内，纯水电阻率控制在≥10MΩ·CM范围。
4.根据权利要求1所述的二极管酸洗脱水工艺，其特征在于：所述的1号异丙醇电阻率控制在≥10MΩ·CM范围，所述的2号异丙醇电阻率控制在≥20MΩ·CM范围。
5.如权利要求1所述的二极管酸洗脱水工艺，其设备，其特征在于：包括依次连接的化学酸洗段、水超声清洗段、烘干段、冷却段、1号异丙醇缸和2号异丙醇缸，所述的烘干段设置有紫外灯和温度开关，所述的紫外灯与温度开关相连接；所述的冷却段设置有风扇和风速调节开关，所述的风扇与风速调节开关相连接。
6.根据权利要求1所述的二极管酸洗脱水设备，其特征在于：所述的烘干段，其长度为1～2m。
7.根据权利要求1所述的二极管酸洗脱水设备，其特征在于：所述的冷却段，其长度为1米。
8.根据权利要求1所述的二极管酸洗脱水设备，其特征在于：所述的1号异丙醇缸与2号异丙醇缸的总长度为2～2.5米。
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