CN102218904A - 印刷装置中的结合的电路和密封件 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种流体喷射装置以及用于形成流体喷射装置的方法，所述流体喷射装置包括：在下表面具有流体出口的电路层，在上表面具有流体进口的室基底，电连接所述室基底和所述电路层的下表面的电接触件，以及在所述电路层的流体出口和所述室基底的流体进口之间形成流体连接的密封件。所述密封件和所述电接触件是低共熔材料。所述密封件和所述电接触件可以是相同材料。

Description

印刷装置中的结合的电路和密封件

技术领域

本公开整体上涉及流体小滴喷射装置。

背景技术

在流体小滴喷射装置的一些实施方案中，基底比如硅基底包括流体泵送室、填充沟道和形成在其中的喷嘴。流体小滴可以从喷嘴喷射到介质上，比如在印刷操作中。喷嘴与流体泵送室流体连接。流体泵送室可以由换能器比如热或压电致动器致动，并且当被致动时，流体泵送室可以引起流体小滴通过喷嘴的喷射。所述介质可以相对于流体喷射装置移动。流体小滴从喷嘴的喷射可以随介质的移动而定时进行，从而将流体小滴置于介质上的适宜位置。流体喷射装置典型地包括多个喷嘴，并且通常希望喷射大小和速度均匀并且在同一方向上的流体小滴，以将流体小滴均匀沉积在介质上。

发明内容

在一个方面，流体喷射装置包括：在下表面具有流体出口的电路层，在上表面具有流体进口的室基底，将所述室基底与所述电路层的下表面电连接的电接触件，以及在所述电路层的流体出口和所述室基底的流体进口之间形成流体连接的密封件。所述密封件和电接触件是低共熔材料。

实施方案可以包括下列特征中的一个或多个。密封件可以围绕流体进口。致动器可以位于室基底的上表面，而电接触件可以与致动器电连通。间隔突起(stand-offbump，或称为支座突起)可以位于电路层的下表面，并且可以接触所述致动器。致动器可以包括具有不可致动部分的压电材料，并且间隔突起可以接触不可致动部分。致动器可以是钛酸锆铅，并且间隔突起可以是金，而低共熔材料可以是SnAu。低共熔材料可以由第一材料和第二材料形成，间隔突起可以由第一材料形成而不由第二材料形成。低共熔材料可以是SnAu，例如20∶80SnAu。电路层可以包括多个流体出口，室基底可以包括多个流体进口，并且围绕多个流体出口和流体进口的周边密封件可以使电路层和室基底之间的空间相对于装置外部的环境密封。密封件和电接触件可以是相同材料。

在另一方面，形成流体喷射装置的方法包括：在电路层的下表面上形成第一材料的接触突起和密封突起，其中所述电路层具有在下表面上的流体出口；在室基底的上表面上形成第二材料的接触突起和第二材料的密封突起，其中所述室基底具有形成在上表面中的流体进口；使在电路层的下表面上的第一材料的接触突起和在室基底的上表面上的第二材料的接触突起合在一起(bringing together)，使在电路层的下表面上的第一材料的密封突起和在室基底的上表面上的第二材料的密封突起合在一起；加热在室基底上的接触突起以在电路层的下表面上的接触突起和室基底的上表面的接触突起之间形成低共熔结合件(eutectic bond)，从而形成电接触件；以及加热在室基底上的密封突起以在电路层的下表面上的密封突起和室基底的上表面的密封突起之间形成低共熔结合件，从而形成密封件。

一些实施方案可以包括下列特征中的一个或多个。第一材料的密封突起或第二材料的密封突起中的至少一个可以具有环形形状。所述环形形状可以包括两个同心环。密封件可以围绕流体进口。致动器可以形成在室基底的上表面上，而电接触件可以与致动器电连接。间隔突起可以形成在电路层的下表面上，并且间隔突起可以与致动器接触。使间隔突起与致动器接触可以包括：使间隔突起与致动器的压电材料的不可致动部分接触。压电材料可以是钛酸锆铅，间隔突起可以是金，而低共熔材料可以是SnAu。致动器可以包括压电材料层，并且加热接触突起和加热密封突起可以在低于压电材料的居里温度的温度进行。在电路层的下表面上的密封突起和室基底的上表面的密封突起之间形成低共熔结合件可以导致在室基底的上表面上的密封突起和致动器之间的间隔距离(stand-offdistance)。低共熔结合件可以由第一材料和第二材料形成，间隔突起可以由第一材料形成而不由第二材料形成。低共熔结合件可以是SnAu，例如20∶80SnAu。密封件和电接触件可以是相同材料。第一材料的接触突起和密封突起，或第二材料的接触突起和密封突起中的至少一个可以是被化学机械抛光的。

在另一方面，流体喷射装置包括：在下表面上具有流体出口的流体供给基底，在上表面具有流体进口的室基底，在流体供给基底的流体出口和室基底的流体进口之间形成流体连接的密封件，其中所述密封件是由第一材料和第二材料形成的低共熔材料，和介于流体供给基底和室基底之间的间隔突起，其中所述间隔突起包括第一材料，但不包括第二材料。

一些实施方案可以包括下列特征中的一个或多个。间隔突起可以接触流体供给基底的面向室基底的表面。间隔突起可以接触在位于流体供给基底上的包含第二材料的层的孔中的所述流体供给基底的表面，所述包含第二材料的层的一部分形成所述密封件。间隔突起可以介于压电材料的一部分和流体供给基底之间。所述装置的一些实施方案可以包括下列优点中的一项或多项。在两个具有相同材料的层之间形成电结合件和密封件可以简化制造工艺。当所述材料是金属时，所述金属可以具有低的热膨胀系数，因此在没有膨胀的情况下将两个层一致地结合在一起。金属材料可以进行抛光，与难于均匀置于区域上的其它结合材料相比，这可以改善均匀性。由于电结合件和密封件由相同的材料制成，因此所有的连接都可以在相同的温度进行。可以选择非腐蚀性材料来形成电结合件和密封件，这可以减小腐蚀的可能性。减小腐蚀可以提高装置的寿命。如果用于形成密封件和电连接的一个部分的材料之一的熔融温度比结合温度更高，则间隔突起可以由该材料形成。间隔突起可以被用于确保被结合在一起的两个层之间的均匀间隔。构成具有多个喷射结构的流体小滴喷射装置的两个层之间的均匀性可以使得多个喷射结构具有均匀的特性。密封件和电接触件可以是彼此相同的材料，这意味着它们可以具有相匹配的热膨胀系数，这可以使得结合或结合件对于热应力更鲁棒。在这两个层之间的周边密封件可以允许保护两个层之间的电气部件避免潮湿。保护电气部件避免潮湿可以提高装置的寿命。周边密封件可以具有与电接触件和密封件相同的材料以进一步简化制造工艺。

下面的附图和描述中描述了一个或多个实施方案的细节。其它特征、目的和优点将从说明书和附图以及权利要求书变得明显。

附图说明

图1是集成电路层和泵送室基底在结合在一起之前的横截面侧视图。

图2是集成电路层和泵送室基底在结合在一起之后的横截面侧视图。

图3是用于形成装置的流程图。

图4是打印头模块的局部透视图，在该打印头模块中，集成电路层是与泵送室基底结合的，而集成电路层显示为透明。

图5是集成电路层的底表面的视图。

图6是泵送室基底的顶表面的局部平面图。

图7和8分别是流体供给基底和泵送室基底在结合在一起之前和之后的横截面侧视图。

图9显示了在任一实施方案中密封件的备选构造。

图10和11分别显示了集成电路层和泵送室基底的俯视图和仰视图。

在各个附图中类似附图标记表示类似的元件。

具体实施方式

在其中印刷流体比如油墨流过制备了集成电路的层并且进入包含泵送室的层的一些多层印刷装置中，集成电路层和泵送室基底被结合在一起。该结合连接了在集成电路层中的流体出口和在泵送室基底中的流体进口。此外，在泵送室基底上的一些电气部件，比如在泵送室基底上的换能器或致动器，与集成电路层电连接。一个潜在的问题在于，以流体在集成电路层和泵送室基底之间不泄漏并且不引起电气部件短路的方式使这两层结合可能是复杂并且昂贵的。为了简化加工，在这两层之间的结合可以由相同的材料形成，而与所述结合是用于制备电连接件还是用于制备流体密封件无关。对于换能器由有极材料(poled material)比如压电材料，如钛酸锆铅(“PZT”)形成的印刷装置，所述结合材料的结合温度可以低于有极材料的居里温度，以防止材料去磁极(depoling)。一些类型的低共熔结合材料成为理想的结合材料。

参考图1，显示了具有多个喷射结构的装置的单个喷射结构。基底10或泵送室基底包括在基底10的下表面20的用于喷射流体的喷嘴15。泵送室25与喷嘴15流体连通。泵送室25还与位于基底10的上表面35附近的填充沟道30流体连通。填充沟道30与上表面35中的进口40流体连通。任选地，隔膜层45覆盖泵送室25和填充沟道30。隔膜层45具有与基底10的进口40相邻并且流体连通的孔50。

压电材料的非活性部分60和形成压电致动器的压电材料的活性部分66在基底10的顶表面35上。压电材料的活性部分66位于泵送室25上方的区域内，使得压电致动器的致动引起泵送室25的膨胀或收缩，由此用来自填充沟道30的流体填充泵送室25或从喷嘴15排出流体。压电致动器包括夹在上导电层和下导电层之间的压电材料层的活性部分。电连接器结构可以包括形成在基底10的顶表面上的导电径迹(trace)75，例如在隔膜层45上或在隔膜层上的压电层上，所述电连接器结构将来自驱动源例如在集成电路层100中的集成电路的电信号传送至压电致动器。径迹75可以由与压电致动器的上或下导电层相同的导电层形成，或可以是单独制备的层。在一些实施方案中，电连接器结构包括多个层，比如种子层(seed layer)以及结构层。种子层可以由诸如钛-钨(TiW)和金(Au)，或钛-铂(TiPt)和金的材料形成。TiW或TiPt层的厚度可以介于50和200nm之间，比如约100nm。Au层可以介于100和300nm之间，比如约200nm。这些层可以比如通过气相沉积如溅射涂敷。结构层，比如金-锡层可以镀敷或气相沉积在种子层的上面。结构层的厚度可以介于2和20微米之间。

径迹75终止于接触焊点(contact pad)中。尽管显示的是单个电连接器，但是在一些实施方案中，例如对于包括内电极和外电极的双电极构造而言，每一个压电致动器都具有成对的径迹。在一些实施方案中，压电致动器的厚度小于导电径迹75的厚度，使得压电致动器的顶表面和导电径迹75的顶表面之间存在高度差85。

基底10的顶表面35还具有下密封部分80或密封突起。在集成电路层100或ASIC(特定用途集成电路)层的下表面上，形成对应的上密封部分90。上密封部分90围绕集成电路层100的流体出口115。除在集成电路层100上形成上密封部分90之外，在集成电路层100的下表面110上还形成导电接触突起105。电接触突起105与集成电路层100内的电路，例如，集成电路电连通。任选地，还在集成电路层100的下表面110上形成间隔突起120。

在一些实施方案中，将与在集成电路层100上的导电材料直接接触的在基底10的上表面35上的导电材料，即，导电径迹75，与下密封部分80或下密封突起是彼此相同的材料。在一些实施方案中，将与基底10的上表面35上的导电材料直接接触的在集成电路层100的下表面110上的导电材料，即，电突起105，与上密封部分90加上间隔突起120(其不接触在基底10上的导电材料)是彼此相同的材料。在一些实施方案中，在集成电路层100的下表面110上的导电材料具有与在基底10的上表面35上的导电材料不同的组成。在一些实施方案中，导电材料是金属。

基底10的上表面35上的材料与在集成电路层100的下表面110上的材料可以形成低共熔结合件。很多材料可以形成低共熔结合件，并且可以被选择用于上表面35上的导电材料和下表面110上的导电材料。在上表面35上的导电材料可以是金，比如100％金，并且在下表面110上的导电材料可以是锡或锡-金共混物，比如金的量比锡的量大的共混物，例如80∶20金-锡共混物。其它的共混物可以包括金和硅，锡和铜，锡和银，以及铟和金。当集成电路层100与基底10接触，使得下密封部分80接触上密封部分90并且电突起105接触导电径迹75，比如径迹75的接触焊点时，一种材料(比如锡)可以迁移到另一种材料(比如金)内，从而形成结合件。用于形成密封件和结合件的其它合适材料可以是不形成低共熔结合件的材料，比如铜和镀金铜。由于所述结合件形成流体流过其中的密封件，因此不腐蚀的材料与对腐蚀敏感的材料相比可以提供更长的装置寿命。

导电材料可能需要被加热以形成结合件。金和锡-金可以在约280°的结合温度形成低共熔结合件。由于这个温度低于溅射PZT的居里温度(溅射PZT的居里温度为约300℃)，因此锡-金低共熔结合件可以与溅射PZT一起使用，而没有使PZT去极化的危险。锡-金低共熔结合件将不重熔或回流(reflow)，除非加热至更高的温度，比如约380℃。因此，如果在制备该装置中需要额外的加热步骤，只要加热步骤中低于低共熔结合件重熔或回流温度，则装置可以被加热而不破坏或损害结合件或密封件中的任何一个。块状(bulk)PZT的居里温度可以为约200℃，并且具有更低结合温度的其它结合材料可以与块状PZT一起使用以防止去磁极化。

参考图2，显示在基底和集成电路层被结合在一起之后的结合组合件。由于施加于导电层的压力或热，使得在结合后的导电层形成了电接触件205和密封件280。该密封件具有通过密封件的孔，所述孔用于液体从出口到进口的流动。在一些实施方案中，密封件是环形的。在基底和集成电路层被推压在一起或挤压在一起的同时可以进行加热和结合以确保良好的结合。理想地，在横跨很多喷射结构的基底和集成电路之间存在一致的间隔。此外，理想的是，确保形成密封件的材料不被压缩得太多以致形成密封件的材料限制在集成电路层100中的流体出口115或在基底10中的进口40。间隔突起120可以提供介于集成电路层100和基底10之间的取间隔的件。在一些实施方案中，取间隔的突起材料是熔点比密封件和电突起的结合温度高的材料。因为取间隔的突起在结合温度不熔融，因此当组合件被结合时取间隔的突起不变形。因此，多个取间隔的突起可以保持包括多个喷射结构的组合件上的间隔一致和均匀。

在一些实施方案中，设置间隔突起120，使得它接触压电材料的非活性部分60。间隔突起120可以接触压电材料本身，而不是导电材料。如果间隔突起120接触压电材料的非活性部分60，则间隔突起120不妨碍压电材料的活性部分66，由此不妨碍喷射。在下导电径迹75和压电致动器的厚度之间的高度差85(参见图1)决定了形成所述密封件和电突起的导电层和密封件或电突起的厚度之间的变形或高度变化是多少。

参考图3，描述形成组合件的方法。尽管所述步骤是以特定顺序显示的，但是这些步骤中的很多可以重排或以不同的顺序进行。将导电层涂敷在基底的上表面上(步骤310)。在一些实施方案中，导电层通过溅射、镀敷、气相淀积或这些方法的组合而形成。此时，基底可以具有特征，比如形成在其中的泵送室，喷嘴和填充沟道。如果在基底上具有隔膜，则导电层形成在该隔膜上。如果基底和隔膜由硅形成，则可以使用半导体加工技术形成所述特征并且可以涂敷隔膜。基底还至少具有在形成导电层之前形成在其上的压电致动器的压电材料。导电层可以处于2和20微米之间的任意厚度，比如约10微米厚。在一些实施方案中，导电层的厚度大于压电材料的厚度，以确保当上下突起被合在一起并且存在间隔突起时，在基底上的所有突起和集成电路层上的对应的突起之间接触。然后，将导电层图案化(步骤320)。在一些实施方案中，通过经由掩膜形成导电层，将步骤310和320合并，因而不需要单独的形成图案的步骤。

然后，在集成电路层的下表面上形成导电层(步骤330)。在一些实施方案中，通过溅射、镀敷、气相淀积或这些方法的组合而形成导电层。然后将导电层图案化(步骤340)。与在基底上的导电层一样，可以通过使用掩模来涂敷导电层而将步骤330和340合并。导电层可以具有介于1和20微米之间任意的厚度，比如约5微米厚。在一些实施方案中，位于集成电路层的下表面上的导电层比在基底的上表面上形成的导电层厚。如果压电层是3微米厚并且在基底上的导电层是5微米厚，则间隔距离或变形距离是2微米。因此，最终的密封件和电接触件的厚度可以是2个导电层的厚度减去间隔距离。

任选地，一个或两个导电层被抛光，比如通过化学(或？)机械抛光(步骤350)。抛光步骤可以确保导电层的突起具有均匀的高度或具有平滑的结合用表面。基底和集成电路层被合在一起，以使得在两个表面上的电突起彼此接触，并且在所述两个表面上的密封部分彼此接触(步骤360)。然后，将组合件加热(步骤370)。任选地，在组合件被合在一起之前仅加热基底或集成电路层。并且任选地，一旦组合件被合在一起，则对所述基底或集成电路层中的一个或两个施加压力以将突起和密封件部分挤压在一起。

在一些实施方案中，除了形成密封件和电连接之外，可以用导电层的一部分并且围绕基底的顶表面和集成电路层的底表面形成周边密封件。周边密封件由与密封件和电连接相同的导电层形成。周边密封件可以密封基底和集成电路层之间的空间。这样可以防止湿气进入这两层之间并且防止缩短电气部件的寿命。所述两个层之间的空间可以进一步用惰性气体填充，比如氮气或氦气以进一步保护电气部件不被腐蚀。

参考图4，显示了所述装置的一个实施方案，其中每一个泵送室都具有流体进口和流体出口。显示了多个喷射结构。在图中集成电路层显示为透明的，并且可以被看见的只有与流体进口连接的升高部405和与流体出口连接的下降部410，而非集成电路材料。

参考图5，集成电路层100的仰视图显示了电突起105、流体连接部分90和间隔突起120，以及周边密封件505。图5还显示了用于压电致动器的上导电层，以说明其相对于其它元件的位置，但是上导电层是在泵送室基底上，而不是在集成电路层上。

参考图6，基底层的局部俯视图显示了电突起或导电径迹75，以及流体密封件部分80。

参考图7，在一些实施方案中，集成电路层100被流体供给基底700替代。流体供给基底包括流体出口115，但是不包括集成电路层100所包括的任何或全部电路。在流体供给基底700的底表面710上形成能够形成低共熔层的材料的层715，比如Au:Sn，Au或Sn的层。在层715中形成孔725。孔725是在当基底10和流体供给基底700被合在一起时，不是直接位于或正在基底10中的泵送室上方的层中形成的。孔725可以通过以下方法形成，比如在对整个流体供给基底700涂敷均匀的层715之后，通过蚀刻层715而形成。在形成均匀的层715之前或之后，可以在流体供给基底700中形成流体出口115。

基底10和其特征类似于上面所述的基底。然而，间隔突起720形成在比如非活性压电材料730的材料部分上。在一些实施方案中，间隔突起720的厚度与下密封件80的厚度相同。在产生低共熔结合之前，当流体供给基底700与基底10合在一起时，压电材料的活性部分66的厚度和下密封件80的厚度之差785决定了层715和压电材料的活性部分66的上表面之间的间隙。当流体供给基底700与基底10合在一起时并且在发生低共熔结合之前，孔725的深度和间隔突起720的厚度之差决定间隔突起720的上表面和流体供给基底700的下表面710之间的间隙790。间隙790决定了在进行低共熔结合或形成低共熔结合件时在下密封件80材料和层715材料之间可能出现的流动量。在低共熔结合之后，在层715和压电材料的活性部分66的上表面之间的间隙795等于差785和间隙790之间的差值。

在一些实施方案中，间隔突起720比层715厚，例如间隔突起720比层715厚2微米。在一些实施方案中，层715的高度介于5和7微米之间，例如5微米，并且间隔突起720和密封件80的高度介于7和9微米之间，比如7微米。在一些实施方案中，压电层，比如压电材料的活性部分66和非活性压电材料730的厚度为3微米。因此，压电材料66和密封件80之间的差785为4微米，并且在孔725中流体供给基底700的下表面710和间隔突起720的顶部之间的间隙790为2微米。在低共熔结合之后，层715和压电材料的活性部分66的上表面之间的间隙是4微米和2微米之间的差，即，2微米。

将层715和下密封件80中的至少一个加热以形成在基底10和流体供给基底700之间的低共熔结合件，这如图8所示。低共熔结合件可以由本文中描述的任何材料形成。例如，如果低共熔结合件是金:锡结合件，则形成在流体供给基底700上的层715可以由金:锡材料或由锡形成。在这样的情况下，下密封件80和间隔突起由金形成。备选地，层715可以由金形成，而下密封件80和间隔突起由金:锡材料或由锡形成。间隔突起720应当足够高，以使得在低共熔结合之后，在活性压电材料66的顶部和低共熔层715之间存在间隙，例如至少2微米间隙。

参考图9-11，显示了流体密封件的备选实施方案。密封件围绕流体进口和出口，因此是环形或环形室的形状，但是它可以是某些其它形状，比如正方形、椭圆形、矩形或另外的形状，只要它围绕流体进口或出口的外径即可。此外，密封件的例如在基底900的一侧可以被构造成两个或多个同心环。这提供了在两个环之间的用于材料流入的空间810。提供用于材料流动的空间可以防止材料不受控制地流入到不适宜的区域中，比如流入到流体沟道的进口或出口，或可能接触电连接件的区域。

前面已经对单个印刷装置描述了集成电路层与泵送室基底的低共熔结合。在一些实施方案中，包括多个集成电路层的第一晶片(例如，硅晶片)可以与包括多个泵送室基底的第二晶片对齐并且低共熔结合，从而形成多个印刷装置。低共熔结合能够使多个印刷装置在晶片级(wafer level)而不是在管芯级(die level)同时形成。例如，在管芯级，由第一晶片单独形成多个集成电路层，由第二晶片单独形成多个泵送室基底，然后将这两种层分别结合在一起。在晶片级结合可以提高生产量，并且在处理过程中对各个层的损害最小。

上面已经描述了很多实施方案。然而，应当理解在不背离本发明的精神和范围的情况下可以进行各种改变。例如，在一些实施方案中，对流体密封件没有电连接。在另外的实施方案中，流体密封件接地。本文中描述的任何特征均可以用于本文中描述的任何实施方案。这些特征没有被限于用于描述它们的实施方案的意图。因此，其它实施方案落入在后附权利要求书的范围内。

Claims (30)

1.一种流体喷射装置，所述流体喷射装置包括：

在下表面具有流体出口的电路层；

在上表面具有流体进口的室基底；

电接触件，所述电接触件电连接所述室基底和所述电路层的下表面；以及

密封件，所述密封件在所述电路层的流体出口和所述室基底的流体进口之间形成流体连接，其中所述密封件和所述电接触件是低共熔材料。

2.权利要求1所述的流体喷射装置，其中所述密封件围绕所述流体进口。

3.权利要求1所述的流体喷射装置，所述流体喷射装置还包括位于所述室基底的上表面上的致动器，其中所述电接触件与所述致动器电连通。

4.权利要求3所述的流体喷射装置，所述流体喷射装置还包括位于所述电路层的下表面上的间隔突起，其中所述间隔突起接触所述致动器。

5.权利要求4所述的流体喷射装置，其中所述致动器包括具有不能致动部分的压电材料，并且所述间隔突起接触所述不能致动部分。

6.权利要求5所述的流体喷射装置，其中所述致动器由钛酸锆铅形成，所述间隔突起由金形成，并且所述低共熔材料是SnAu。

7.权利要求4所述的流体喷射装置，其中所述低共熔材料由第一材料和第二材料形成，并且所述间隔突起由第一材料形成而不是由第二材料形成。

8.权利要求1所述的流体喷射装置，其中所述低共熔材料是SnAu。

9.权利要求8所述的流体喷射装置，其中所述低共熔材料是20∶80SnAu。

10.权利要求1所述的流体喷射装置，其中所述电路层包括多个流体出口，所述室基底包括多个流体进口并且包括在所述多个流体出口和流体进口周围的周边密封件，所述周边密封件密封所述电路层和所述室基底之间的空间，使其与所述装置外部的环境隔开。

11.权利要求1所述的流体喷射装置，其中所述密封件和电接触件由相同的材料形成。

12.一种用于形成流体喷射装置的方法，所述方法包括：

在电路层的下表面上形成第一材料的接触突起和密封突起，其中所述电路层具有在所述下表面的流体出口；

在室基底的上表面上形成第二材料的接触突起和第二材料的密封突起，其中所述室基底具有形成在所述上表面中的流体进口；

将在所述电路层的下表面上的第一材料的接触突起与在所述室基底的上表面上的第二材料的接触突起合在一起；

将在所述电路层的下表面上的第一材料的密封突起和在所述室基底的上表面上的第二材料的密封突起合在一起；

加热所述室基底上的接触突起，以在所述电路层的下表面上的接触突起和所述室基底的上表面的接触突起之间形成低共熔结合件，从而形成电接触件；以及

加热在所述室基底上的密封突起，以在所述电路层的下表面上的密封突起和所述室基底的上表面的密封突起之间形成低共熔结合件，从而形成密封件。

13.权利要求12所述的方法，其中所述第一材料的密封突起或所述第二材料的密封突起中的至少一个具有环形形状。

14.权利要求13所述的方法，其中所述环形形状包括两个同心环。

15.权利要求12所述的方法，其中所述密封件围绕所述流体进口。

16.权利要求12所述的方法，所述方法还包括：在所述室基底的上表面上形成致动器，以及将所述电接触件与所述致动器电连接。

17.权利要求16所述的方法，所述方法还包括：在所述电路层的下表面上形成间隔突起，以及使所述间隔突起与所述致动器接触。

18.权利要求17所述的方法，其中使所述间隔突起与所述致动器接触包括使所述间隔突起接触所述致动器的压电材料的不能致动部分。

19.权利要求18所述的方法，其中所述压电材料由钛酸锆铅形成，所述间隔突起由金形成，并且所述低共熔材料是SnAu。

20.权利要求16所述的方法，其中所述致动器包括压电材料层，并且加热所述接触突起和加热所述密封突起是在低于所述压电材料的居里温度的温度进行的。

21.权利要求16所述的方法，其中在所述电路层的下表面上的密封突起和在所述室基底的上表面的密封突起之间形成低共熔结合件导致在所述室基底的上表面上的密封突起和所述致动器之间的间隔距离。

22.权利要求17所述的方法，其中所述低共熔结合件由第一材料和第二材料形成，并且所述间隔突起由第一材料形成而不是由第二材料形成。

23.权利要求12所述的方法，其中所述低共熔结合件是SnAu。

24.权利要求23所述的方法，其中所述低共熔结合件是20∶80SnAu。

25.权利要求12所述的方法，其中所述密封件和所述电接触件是由相同材料形成的。

26.权利要求12所述的方法，所述方法还包括对所述第一材料的接触突起和密封突起；或所述第二材料的接触突起和密封突起中的至少一个进行化学机械抛光。

27.一种流体喷射装置，所述流体喷射装置包括：

在下表面具有流体出口的流体供给基底；

在上表面具有流体进口的室基底；

密封件，所述密封件在所述流体供给基底的流体出口和所述室基底的流体进口之间形成流体连接，其中所述密封件是由第一材料和第二材料形成的低共熔材料；

间隔突起，所述间隔突起介于所述流体供给基底和所述室基底之间，其中所述间隔突起包括第一材料，但是不包括第二材料。

28.权利要求27所述的流体喷射装置，其中所述间隔突起接触流体供给基底的面向所述室基底的表面。

29.权利要求28所述的流体喷射装置，其中所述间隔突起接触在包含第二材料的层的孔中的所述流体供给基底的表面，所述包含第二材料的层在所述流体供给基底上，并且所述层的一部分形成所述密封件。

30.权利要求27所述的流体喷射装置，其中所述间隔突起在压电材料的一部分和所述流体供给基底之间。

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