CN102161828B - 一种耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种耐电晕聚酰亚胺薄膜，其组分和质量百分比如下：乳液，其包括纳米金属氧化物及纳米金属氮化物7～14％、分散剂0.3～0.6％、乳化剂0.3～0.5％，余量为吡咯烷酮；胺溶液，其包括4，4′-二氨基二苯醚20-25％和二甲基乙酰胺75-80％，且乳液和胺溶液的质量比为1∶1.1～1.3；均苯四甲酸二酐，其与4，4′-二氨基二苯醚的质量比为1∶1.09。本发明还公开了此种耐电晕聚酰亚胺薄膜的制造方法。本发明利用添加乳化剂、分散剂及高压乳化技术使得纳米金属氧化物及氮化物在聚酰胺酸树脂中得到充分的分散，并且含量很高。因此生产的薄膜耐电晕性高且散差小，同时薄膜又保持良好的机械性能和电性能等。
Description
技术领域
本发明涉及电机电气绝缘技术领域，特别地，涉及一种耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制造方法。
背景技术
国内对耐电晕聚酰亚胺薄膜的研究还很不完善，有的制造方法还只能在实验室做理论的研究，工业化生产还不能够实现。有的方法虽然能实现工业化生产，但所生产的耐电晕薄膜的耐电晕性及其均匀性不佳，且薄膜的机械性能大幅度下降，同时生产的收率和质量也比较低。纳米粒子的含量大，粒径小其分散更加困难。由于粒径较小其分子之间更容易出现团聚，表观的现象为分子的粘连团聚成一个大的“分子”，因此很难将其打开并且均匀分散在一个体系当中。而纳米金属氧化物及氮化物的含量越高(小于25％)、粒径越小、在薄膜中分布越均匀，其耐电晕聚酰亚胺薄膜的耐电晕性越高且越均匀，同时薄膜的机械性能下降很少。如果薄膜的机械性能高，那么就可以使得在生产薄膜过程中成膜性好从而提高了效率并收率大大提高。现有技术中，纳米金属氧化物及氮化物含量较低基本在8-12％、粒径为50纳米左右、分散的效果差，因此薄膜的成品率及耐电晕性及均匀性差。
因此，将含量在15-25％以上的多种纳米金属氧化物及氮化物的分散乳化并均匀地与聚酰胺酸树脂混合是一个非常关键的技术。同时，如何将杂化的聚酰胺酸树脂的流涎及高温处理最终制成耐电晕性能高、均匀性好且其机械性能高的耐电晕聚酰亚胺薄膜也是现有技术中有待进一步研究的技术。
因此我们采取了高压乳化这一技术，加入乳化剂及分散剂，将纳米金属氧化物与吡咯烷酮液体通过泵体瞬间在湍流、剪切、冲击等复合力的做用下使其均匀分散，达到乳化的目的。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制造方法，用此方法制造的薄膜耐电晕性能及均匀性较好，且薄膜的机械性能下降很少，成品率高且能够实现连续性大生产。
为了实现上述目的，本发明公开了一种耐电晕聚酰亚胺薄膜，其组分和质量百分比如下：乳液，其包括纳米金属氧化物及纳米金属氮化物7～14％、分散剂0.3～0.6％、乳化剂0.3～0.5％，余量为吡咯烷酮；胺溶液，其包括4，4′-二氨基二苯醚20--25％和二甲基乙酰胺75--80％，且乳液和胺溶液的质量比为1∶1.1～1.3；均苯四甲酸二酐，其与4，4′-二氨基二苯醚的质量比为1∶1.09。
优选的是，本发明的耐电晕聚酰亚胺薄膜，所述纳米金属氧化物为三氧化二铝和/或二氧化硅。
优选的是，本发明的耐电晕聚酰亚胺薄膜，所述纳米金属氮化物为氮化铝和/或氮化硅。
优选的是，本发明的耐电晕聚酰亚胺薄膜，所述分散剂为乙烯基三乙氧基硅烷和/或乙烯基三甲氧基硅烷。
优选的是，本发明的耐电晕聚酰亚胺薄膜，所述乳化剂为烷基酚聚氧乙烯醚。
本发明还公开了一种耐电晕聚酰亚胺薄膜的制造方法，所述方法包括如下步骤：将质量比为纳米金属氧化物及纳米金属氮化物7～14％、分散剂0.3～0.6％、乳化剂0.3～0.5％，余量为吡咯烷酮用高压乳化机分散并高压乳化制成纳米金属氧化物及纳米金属氮化物乳液；步骤二、将质量比为4，4′-二氨基二苯醚20--25％和二甲基乙酰胺75--80％混合溶解成胺溶液；步骤三、将步骤一制作的乳液和步骤二制作的胺溶液按照质量比为1∶1.1～1.3同时加入反应釜中搅拌混合，然后按照均苯四甲酸二酐与4，4′-二氨基二苯醚的质量比为1∶1.09的比例将均苯四甲酸二酐分步骤加入至所述经过混合的溶液中以制作成聚酰胺酸树脂；步骤四、将步骤三制作而成的聚酰胺酸树脂在流涎机上一定的温度、车速及风量下进行流涎以制得薄膜；步骤五、将所述经过流涎的薄膜在纵向拉伸机上拉伸；步骤六、将经过纵向拉伸的薄膜再经过高温亚胺化并同时进行横向拉伸以最终制得耐电晕聚酰亚胺薄膜。
优选的是，本发明的耐电晕聚酰亚胺薄膜的制造方法，所述步骤三中，按照如下方法将所述比例的均苯四甲酸二酐加入至所述经过混合的溶液中：首先加入均苯四甲酸二酐总量的85％，反应半小时后加入均苯四甲酸二酐总量的9％，然后加入均苯四甲酸二酐总量的4％，最后将剩余的均苯四甲酸二酐总量的2％的均苯四甲酸二酐按照每15分钟加入50～100克的方式加入直至完全加入均苯四甲酸二酐。
优选的是，本发明的耐电晕聚酰亚胺薄膜，所述纳米金属氧化物为三氧化二铝和/或二氧化硅。
优选的是，本发明的耐电晕聚酰亚胺薄膜，所述纳米金属氮化物为氮化铝和/或氮化硅。
优选的是，本发明的耐电晕聚酰亚胺薄膜，所述分散剂为乙烯基三乙氧基硅烷和/或乙烯基三甲氧基硅烷。
优选的是，本发明的耐电晕聚酰亚胺薄膜，所述乳化剂为烷基酚聚氧乙烯醚。
本发明的有益效果是：本发明利用添加乳化剂、分散剂及高压乳化技术使得纳米金属氧化物及氮化物在聚酰胺酸树脂中得到充分的分散，并且含量很高。因此生产的薄膜耐电晕性高且散差小，同时薄膜又保持良好的机械性能和电性能等。
附图说明
图1为本发明的制造方法示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
本发明的耐电晕聚酰亚胺薄膜主要包括均苯四甲酸二酐(二酐)、4，4′-二氨基二苯醚、二甲基乙酰胺、吡咯烷酮及纳米金属氧化物，纳米金属氮化物、乳化剂、分散剂等，其金属氧化物及氮化物的粒径≤15纳米，采用高压乳化机装置将纳米金属氧化物及氮化物充分分散在树脂中，分散的过程加入分散剂及乳化剂。使纳米金属氧化物及氮化物能大量(15-25％)加入，且能充分、均匀的分散在聚酰胺酸树脂中，从而更提高其耐电晕的均匀性及薄膜的机械性能。
如图1所示，本发明的制造方法包括以下步骤：
步骤一、乳液的制作：将纳米金属氧化物(三氧化二铝、二氧化硅)金属氮化物(氮化铝、氮化硅)及分散剂(硅烷类——乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷)、乳化剂(烷基酚聚氧乙烯醚)、吡咯烷酮用高压乳化机将其分散、高压乳化制成纳米金属氧化物乳液。
金属氧化物及氮化物在乳液中含量为7～14％；分散剂含量为0.3～0.6％；乳化剂为0.3～0.5％.、吡咯烷酮为92.5～85％。
步骤二、胺溶液制作：将4’4——二氨基二苯醚、二甲基乙酰胺混合溶解。其中，4，4′-二氨基二苯醚的含量为20--25％；二甲基乙酰胺为75--80％；
步骤三、聚酰胺酸树脂制作：将步骤一制作的乳液与步骤二制作的胺溶液按照质量比为1∶1.1～1.3的比例同时加入反应釜中搅拌混合，然后分步加入均苯四甲酸二酐(均苯四甲酸二酐(二酐)与4，4′-二氨基二苯醚(二胺)按质量比1∶1.09；二酐和二胺占树脂总重量的20--24％)。具体加入均苯四甲酸二酐的方法步骤是：第一步加入二酐的量为其总量的85％、然后反应半小时加入二酐的量为其总量的9％；第三步加入量为总量的4％；还剩下2％的二酐，将剩余的二酐约每15分钟加入一次，每次的量为50～100克，直至到达终点以制作成聚酰胺酸树脂。其中加入均苯四甲酸二酐含量为4，4′-二氨基二苯醚的含量的1.09倍。
最终聚酰胺酸树脂中成分包括：均苯四甲酸二酐、4，4′-二氨基二苯醚、金属氧化物、及氮化物、分散剂、乳化剂、吡咯烷酮、二甲基乙酰胺。各组分配比为：均苯四甲酸二酐(二酐)与4，4′-二氨基二苯醚(二胺)按重量比1∶1.09；二酐和二胺占树脂总重量的20--24％，金属氧化物及氮化物占二酐和二胺重量比的15％～25％(占树脂总量的3～5％)；分散剂和乳化剂占总量的0.3～0.5％；吡咯烷酮占树脂总量的35％；二甲基乙酰胺占树脂总量的40～42％。
步骤四、流涎：将步骤三做好的聚酰胺酸树脂通过流涎模头进入流涎机进行流涎。调整好流线机的温度、车速及风量。可制得自支撑的耐电晕聚酰胺酸薄膜
步骤五、纵向拉伸：通过流涎得到自支撑的耐电晕聚酰胺酸薄膜经过纵向拉伸机进行纵向拉伸，使分子纵向定向排列，提高薄膜的纵向抗张强度及伸长率。
步骤六、横向拉伸及亚胺化：将步骤五的薄膜经过高温亚胺化同时进行横向拉伸制作出耐电晕聚酰亚胺薄膜。此薄膜经过横向及纵向的拉伸，其分子各向同性，提高了薄膜的机械性能。
尽管本发明的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本发明的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本发明并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。
Claims (6)
1.一种耐电晕聚酰亚胺薄膜，其组分和质量百分比如下:
乳液，其包括纳米金属氧化物及纳米金属氮化物7～14%、分散剂0.3～0.6%、乳化剂0.3～0.5%，余量为吡咯烷酮;
胺溶液，其包括4，4'-二氨基二苯醚20--25%和二甲基乙酰胺75--80%，且乳液和胺溶液的质量比为1:1.1～1.3;
均苯四甲酸二酐，其与4，4'-二氨基二苯醚的质量比为1:1.09;
其中，所述分散剂为乙烯基三乙氧基硅烷和/或乙烯基三甲氧基硅烷，所述乳化剂为烷基酚聚氧乙烯醚。
2.如权利要求1所述的耐电晕聚酰亚胺薄膜，其特征在于:所述纳米金属氧化物为三氧化二铝和/或二氧化硅。
3.如权利要求1所述的耐电晕聚酰亚胺薄膜，其特征在于:所述纳米金属氮化物为氮化铝和/或氮化硅。
4.一种耐电晕聚酰亚胺薄膜的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤:
步骤一、将质量比为纳米金属氧化物及纳米金属氮化物7～14%、分散剂0.3～0.6%、乳化剂0.3～0.5%，余量为吡咯烷酮用高压乳化机分散并高压乳化制成纳米金属氧化物及纳米金属氮化物乳液;
步骤二、将质量比为4，4'-二氨基二苯醚20--25%和二甲基乙酰胺75-80%混合溶解成胺溶液;
步骤三、将步骤一制作的乳液和步骤二制作的胺溶液按照质量比为1:1.1～1.3同时加入反应釜中搅拌混合，然后按照均苯四甲酸二酐与4，4'-二氨基二苯醚的质量比为1:1.09的比例将均苯四甲酸二酐分步骤加入至所述经过混合的溶液中以制作成聚酰胺酸树脂;
步骤四、将步骤三制作而成的聚酰胺酸树脂在流涎机上进行流涎以制得薄膜;
步骤五、将所述经过流涎的薄膜在纵向拉伸机上拉伸;
步骤六、将经过纵向拉伸的薄膜再经过高温亚胺化并同时进行横向拉伸以最终制得耐电晕聚酰亚胺薄膜;
其中，所述分散剂为乙烯基三乙氧基硅烷和/或乙烯基三甲氧基硅烷，所述乳化剂为烷基酚聚氧乙烯醚。
5.如权利要求4所述的耐电晕聚酰亚胺薄膜的制造方法，其特征在于:所述步骤三中，按照如下方法将所述比例的均苯四甲酸二酐加入至所述经过混合的溶液中:首先加入均苯四甲酸二酐总量的85%，反应半小时后加入均苯四甲酸二酐总量的9%，然后加入均苯四甲酸二酐总量的4%，最后将剩余的均苯四甲酸二酐总量的2%的均苯四甲酸二酐按照每15分钟加入50～100克的方式加入直至完全加入均苯四甲酸二酐。
6.如权利要求4所述的耐电晕聚酰亚胺薄膜的制造方法，其特征在于:所述纳米金属氧化物为三氧化二铝和/或二氧化硅，所述纳米金属氮化物为氮化铝和/或氮化硅。
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Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102490426A (zh) * | 2011-11-25 | 2012-06-13 | 桂林电器科学研究院 | 耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制备方法 |
| CN102732032B (zh) * | 2012-07-13 | 2014-07-23 | 周天兴 | 耐电晕聚酰亚胺膜及其制备工艺 |
| CN109082119B (zh) * | 2018-07-02 | 2021-04-02 | 东营欣邦电子科技有限公司 | 一种纤维素改性的聚酰亚胺耐电晕薄膜及其制备方法 |
| CN112280036A (zh) * | 2020-11-17 | 2021-01-29 | 潍坊弘润新材料有限公司 | 一种聚酰亚胺薄膜的加工工艺 |
| CN112280300A (zh) * | 2020-11-17 | 2021-01-29 | 潍坊弘润新材料有限公司 | 一种耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制备方法 |
| CN112920603A (zh) * | 2021-01-28 | 2021-06-08 | 苏州泰仑电子材料有限公司 | 耐高温耐刮高透明性pi膜 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101323672A (zh) * | 2007-06-13 | 2008-12-17 | 江苏冰城电材有限公司 | 一种耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制作方法 |
| CN101362859A (zh) * | 2008-09-16 | 2009-02-11 | 宜兴市高拓高分子材料有限公司 | 一种稳定型纳米级氧化物分散液及其制备方法与应用 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004338255A (ja) * | 2003-05-16 | 2004-12-02 | Teijin Ltd | ポリイミドフィルムの製造方法 |
| EP2514718A4 (en) * | 2009-12-18 | 2013-09-04 | Kao Corp | METHOD FOR PRODUCING MESOPOROUS SILICONE ARTICLES |
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2011
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101323672A (zh) * | 2007-06-13 | 2008-12-17 | 江苏冰城电材有限公司 | 一种耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制作方法 |
| CN101362859A (zh) * | 2008-09-16 | 2009-02-11 | 宜兴市高拓高分子材料有限公司 | 一种稳定型纳米级氧化物分散液及其制备方法与应用 |
Non-Patent Citations (3)
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| "新型耐电晕聚酰亚胺杂化薄膜的制备与性能研究";芮嘉明;《化工新型材料》;20110831;第39卷(第8期);74-77 * |
| JP特开2004-338255A 2004.12.02 |
| 芮嘉明."新型耐电晕聚酰亚胺杂化薄膜的制备与性能研究".《化工新型材料》.2011,第39卷(第8期),74-77. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102161828A (zh) | 2011-08-24 |
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