CN102113348A - 不受风影响的麦克风 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种声学设备,所述声学设备包括限定内体积并且具有前面和后面的封闭壳体;穿透所述壳体的所述前面的声学端口;附接到所述壳体的内侧的第一感测结构和第二感测结构,所述第一感测结构和所述第二感测结构在所述第一感测结构和所述第二感测结构之间限定间隙;由所述内体积中位于所述第一感测结构与所述壳体的所述前面之间的部分限定的前体积;由所述内体积中位于所述第二感测结构与所述壳体的所述后面之间的部分限定的后体积;以及在所述第一感测结构中可操作地连接所述前体积和所述间隙的至少一个孔口,其中所述声学设备具有高于大致100Hz的截止频率。
Description
本申请要求享有2008年5月21日递交的美国临时专利申请No.61/071,855以及2008年12月12日递交的美国专利申请No.12/314,609的权益,这里以引用的方式结合上述二者的内容。
技术领域
本申请涉及抵抗低频噪声的麦克风和传感器。
背景技术
麦克风和声学传感器(在下文中统称为麦克风)经常在嘈杂环境中使用。随着麦克风变得越来越小,气流、风、移动车辆、声学隆隆声或者其它低频源的转换低频噪声含量可能比期望的声学信号大。这能够使麦克风难于在室外、有风或者其它嘈杂环境中使用。
一些麦克风具有外部封装壳体,所述外部封装壳体具有诸如振动膜的柔性感测结构、静止感测结构(诸如电容式麦克风背板或者电动式麦克风磁体)、内部电子部件、至少一个空气体积以及至少一个压力均衡孔口。压力均衡孔口均衡振动膜的相对侧上静态大气压力的变化。所述孔口还使麦克风外侧的环境压力与麦克风内一个或者多个空气体积中的空气压力相匹配。
典型地,设计麦克风孔口以确保麦克风对低至20Hz或者更低的频率做出响应。在这些麦克风中,所述孔口将壳体外侧的空气连接到后体积中的空气。替代地,所述孔口穿透麦克风振动膜以将前体积内侧的空气连接到后体积内侧的空气,或者将前体积内侧的空气连接到间隙内侧的空气。由于这些孔口会降低麦克风对低音频的灵敏度,所以设计孔口以最小化音频带中的灵敏度降低。可以设计所述孔口的几何形状和流体特性以确保高通滤波器转折频率基本上不改变感兴趣频带中的频率响应。该设计使得麦克风容易受到风和其它低频噪声的影响。
发明内容
因此,本发明涉及一种不受风影响的麦克风(即,不受风噪声影响或者抵抗风噪声)或者抵抗由气流、风、移动车辆、声学隆隆声或者其它低频源产生的噪声的声学设备。
在一个实施例中,本发明提供一种具有低频风噪声和声学隆隆声的降低可听输出的声学设备。
在另一实施例中,本发明提供一种具有使振动膜从风和低频噪声的降低偏差的声学设备。
在再一实施例中,本发明提供一种具有振动膜的声学设备,所述振动膜具有对来自组合静电和压力负载的振动膜碰撞的增加抵抗。
在又一实施例中,本发明提供一种对传感器的低频输出的电子滤波具有降低需要的声学设备。
本发明的附加特征和优点将在下面的说明书中进行阐述,并且一部分根据所述说明书将变得显而易见或者可以通过对本发明的实践而获悉。本发明的目的和其它优点将通过在所描述的说明书及其权利要求以及附图中指出的结构实现和获得。
为了实现根据本发明的这些和其它优点,如具体和广泛描述的,所述不受风影响的麦克风的一个实施例提供一种声学设备,包括:限定内体积并且具有前面和后面的封闭壳体;穿透所述壳体的所述前面的声学端口;附接到所述壳体的内侧的第一感测结构和第二感测结构,所述第一感测结构和所述第二感测结构在所述第一感测结构和所述第二感测结构之间限定间隙;由所述内体积中位于所述第一感测结构与所述壳体的所述前面之间的部分限定的前体积;由所述内体积中位于所述第二感测结构与所述壳体的所述后面之间的部分限定的后体积;以及在所述第一感测结构中可操作地连接所述前体积和所述间隙的至少一个孔口,其中所述声学设备具有高于大致100Hz的截止频率。
在另一实施例中,一种声学设备包括:限定内体积并且具有前面和后面的封闭壳体;穿透所述壳体的所述前面的声学端口;附接到所述壳体的内侧的支撑结构;附接到所述支撑结构的第一感测结构;附接到所述壳体的所述内侧的第二感测结构,所述第一感测结构和所述第二感测结构在所述第一感测结构和所述第二感测结构之间限定间隙;由所述内体积中位于所述第一感测结构和所述壳体的所述前面之间的部分限定的前体积;由所述内体积中位于所述第二感测结构和所述壳体的所述后面之间的部分限定的后体积;以及位于所述支撑结构中的至少一个孔口,所述至少一个孔口可操作地连接所述前体积和所述间隙,其中所述声学设备具有高于大致100Hz的截止频率。
再一实施例包括一种声学设备,所述声学设备具有:限定内体积并且具有前面和后面的封闭壳体;穿透所述壳体的所述前面的声学端口;附接到所述壳体的内侧的支撑结构;附接到所述支撑结构的第一感测结构和第二感测结构,所述第一感测结构和所述第二感测结构在所述第一感测结构和所述第二感测结构之间限定间隙;由所述内体积中位于所述第一感测结构和所述壳体的所述前面之间的部分限定的前体积;由所述内体积中位于所述第二感测结构和所述壳体的所述后面之间的部分限定的后体积;以及位于所述支撑结构中的至少一个孔口,所述至少一个孔口可操作地连接所述前体积和所述后体积,其中所述声学设备具有高于大致100Hz的截止频率。
所述声学设备的再一方面包括限定内体积并且具有前面和后面的封闭壳体;穿透所述壳体的所述前面的声学端口;附接到所述壳体的内侧的第一感测结构和第二感测结构,所述第一感测结构和所述第二感测结构在所述第一感测结构和所述第二感测结构之间限定间隙;由所述内体积中位于所述第一感测结构和所述壳体的所述前面之间的部分限定的前体积;由所述内体积中位于所述第二感测结构和所述壳体的所述后面之间的部分限定的后体积;以及位于所述第二感测结构中的至少一个孔口,所述至少一个孔口可操作地连接所述后体积和所述间隙,其中所述声学设备具有高于大致100Hz的截止频率。
在本发明的再一方面中,一种形成声学设备的方法,包括步骤:形成限定内体积并且具有前面和后面的封闭壳体;形成穿透所述壳体的所述前面的声学端口;将具有柔度(compliance)Cd的振动膜附接到所述壳体的内侧;所述振动膜将所述内体积划分为前体积和后体积,所述后体积具有柔度Cv;在所述振动膜中形成至少一个孔口,所述孔口具有声学声阻R1,并且将Cd、Cv和R1设置为非零值以使得所述声学设备具有大致100赫兹或者更大的截止频率fc,其中fc由等式限定。
在本发明的再一方面,一种形成声学设备的方法,包括步骤:形成限定内体积并且具有前面和后面的封闭壳体;形成穿透所述壳体的所述前面的声学端口;将支撑结构附接到所述壳体的内侧;将具有柔度Cd的振动膜附接到所述支撑结构的内侧,所述振动膜将所述内体积划分为前体积和后体积,所述后体积具有柔度Cv;形成将所述前体积连接到所述后体积的至少一个孔口,所述孔口具有声学声阻R1,并且将Cd、Cv和R1设置为非零值以使得所述声学设备具有大致100赫兹或者更大的截止频率fc,其中fc由等式限定。
应该理解,前面的概况描述以及下面的详细说明只是示例性和解释性的,并且旨在提供对请求保护的本发明的进一步解释。例如,在每一个前面的描述中,可以减少或者去除前体积,以使得先前分别将所述前体积连接到所述间隙或者所述后体积的孔口代替地将位于所述壳体外部的流体连接到所述间隙或者所述后体积,不影响所述设备的风免疫力。
附图说明
包括以提供对本发明的进一步理解并且结合作为本说明书一部分的附图说明了本发明的实施例,并且连同说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中:
图1是具有通风的振动膜的电容式麦克风构造的示意图;
图2是具有通风的壳体的电容式麦克风构造的示意图;
图3示出了对于给定的振动膜柔度在各种声学孔口声阻处后体积尺寸对截止频率的影响;
图4示出了对于给定的振动膜柔度在各种后体积处声学孔口声阻对截止频率的影响;
图5示出了对于给定的后体积尺寸在各种声学孔口声阻处振动膜柔度对截止频率的影响;
图6示出了根据本发明经过柔性振动膜的通风(venting)构图的示例性实施例;
图7是图6中的示例性实施例的一部分的特写视图;
图8示出了使用传统压力均衡通风和该新颖通风的麦克风的频率响应的概念差异;
图9示出了在不强烈影响语音通信的情况下该新颖通风概念如何降低风、隆隆声和低频噪声拾取;
图10是根据本发明具有经过振动膜的通风的电容式麦克风的示例性实施例的示意图;
图11是根据本发明具有位于前体积和间隙之间的孔口的电容式麦克风的实施例的示意图;
图12示出了根据本发明具有位于前体积和后体积之间的孔口的电容式麦克风的示例性实施例;
图13A和13B示出了根据本发明具有邻近前体积的静止电极和邻近后体积的振动膜的电容式麦克风的示例性实施例;
图14A和14B示出了根据本发明具有三个感测结构的电容式麦克风的示例性实施例;以及
图15示出了根据本发明具有三个感测结构以及位于前体积和后体积之间的孔口的电容式麦克风的示例性实施例。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的实施例,附图中示出了所述实施例的示例。尽可能地,类似的附图标记用于指代类似的元件。
图1和图2示出了通风的电容式麦克风100/200的示例性实施例。每一个示例性麦克风实施例100/200具有封闭壳体110/210,所述封闭壳体110/210限定内体积并且在一端具有声学端口120/220。第一感测结构130/230和第二感测结构140/240附接到壳体110/210的内侧,在第一感测结构130/230和第二感测结构140/240之间限定间隙150/250。第一感测结构130/230还限定在壳体中位于第一感测结构130/230与声学端口120/220之间的内部中的前体积160/260。第二感测结构140/240还限定位于第二感测结构140/240与壳体110/120中与声学端口120/220相对的内部之间的后体积170/270。感测结构中的一个是静止的,并且另一个是柔性的。柔性感测结构是柔性电极或者振动膜,并且静止感测结构是静止电极或者背板。电极和背板的相对位置只是示例性的,并不局限于所示的情况。在其它示例性实施例中,它们的相对位置颠倒。
图1示出了具有至少一个振动膜孔口180的电容式麦克风100的示意性截面图。在所示的示例性实施例中,孔口180可操作地连接前体积160和间隙150。图2示出了具有位于壳体220中的至少一个孔口280的电容式麦克风200的示例性实施例。在图2的示例性实施例中,孔口280经过麦克风壳体210通向后体积270。
在本发明中,增加麦克风通风以在振动膜的两侧上均衡静态大气压力和诸如来自风噪声、道路噪声和声学隆隆声的低频压力波动。通风可以经过声学敏感的振动膜或者经过邻近振动膜并且包含在麦克风壳体的至少一部分内的至少一个孔。在其它实施例中,孔可以完全包含在麦克风的最外表面内。
由于空气中风速通常比声波速度慢,由于气流导致的压力波动,给定声学频率的波长通常长于与该频率相关联的长度规格。此外,在许多声学传感器中,到外部声学激励的唯一直接传感器接触是经由经过壳体的单个流体端口。某些示例性实施例通过将至少一个孔口定位成尽可能接近振动膜来利用这些因素,并且在一些示例性实施例中,将至少一个孔口定位在振动膜自身中。
在某些实施例中,振动膜、孔口和后体积形成机械滤波器以降低由风、隆隆声和其它声学噪声产生的低频信号。这些示例性实施例中的振动膜通过降低传感器振动膜对于低频的灵敏度来对低频进行机械滤波,导致较少的振动膜运动。振动膜灵敏度受多个变量影响,包括声学孔口声阻(R1)(也被称为孔口泄露)、以及振动膜和后体积柔度(Cd和Cv)。声学孔口声阻测量孔口对于空气泄露的阻抗,或者以其它方式描述,其测量对于经过该泄露的给定空气体积速度的压力改变量。声学孔口声阻R1具有N-s/m5的MKS单位。柔度是刚度的倒数。柔度测量对于给定压力改变的体积偏差(体积改变)量,并且具有m5/N的MKS单位。
声学孔口声阻和柔度确定麦克风的低频响应。可以通过改变麦克风壳体或者部件的机械属性、几何特征或者构造中的一个或者多个来改变声学孔口声阻和振动膜柔度值。可以由设计者按照任意组合进行选择以实现期望的声学响应。例如,他们确定麦克风3-dB截止频率(fc),也被称为转折频率。使用下面的等式计算截止频率。
如等式所示的,截止频率随着声学孔口声阻(R1)和/或柔度(Cd和/或Cv)变化。
对于声学传感器可能暴露于噪声、道路噪声和声学隆隆声的音频应用来说,可能期望选择使截止频率位于大致100和350Hz之间的部件值。选择位于大致100和350Hz之间的截止频率使振动膜在主要的较低频率处对风噪声、道路噪声和声学隆隆声的响应降低。在一个实施例中,截止频率是下面频率中的一个:100、105、110、115、120、125、130、135、140、145、150、155、160、165、170、175、180、185、190、195、200、205、210、215、230、235、240、250、260、270、280、290、300、310、320、330、340和350Hz。在另一实施例中,截止频率位于100和120之间、120和140之间、140和160之间、160和180之间、180和220之间、220和260之间、260和320之间或者320和350Hz之间。在再一实施例中,截止频率高于350Hz。在又一实施例中,截止频率在超声频率范围中。
图3到图5示出了截止频率与R1、Cd和Cv之间的关系。图3示出了对于给定的振动膜柔度来说在以N-s/m5为单位的各种孔口声阻处后体积尺寸对截止频率的影响。如图3所示,截止频率与后体积反向相关。随着后体积增加,截止频率降低。相反地,随着后体积降低,截止频率增加。对于超声应用,可能期望选择使转折频率位于音频带上方的变量。超声传感器可以例如具有大的泄露(小的R1)以实现超声范围中的高截止频率。图3还示出了对于给定的后体积,截止频率也与声学孔口声阻反向相关。
图4示出了对于给定的振动膜柔度来说在以m3为单位的各种后体积处声学孔口声阻对截止频率的影响。如图4所示,截止频率与声学孔口声阻反向相关。随着声学孔口声阻增加,截止频率降低,并且随着声学孔口声阻降低,截止频率增加。图4还示出了截止频率与后体积反向相关。
图5示出了对于给定的后体积尺寸来说在以N-s/m5为单位的各种孔口声阻处振动膜柔度对截止频率的影响。如图5所示,截止频率与振动膜柔度反向相关。随着振动膜柔度增加,截止频率降低。随着柔度降低,截止频率增加。图5还示出了对于给定柔度来说,截止频率与声学孔口声阻反向相关。
改变截止频率、柔度和/或声学孔口声阻的值的一种方式是改变振动膜孔口构图。图6和图7示出了柔性孔口构图600/700的示例性实施例。图7是图6的部分的特写视图。图6和图7的亮区域代表振动膜材料610/710,而图中的暗区域代表振动膜孔口620/720。孔口620/720允许空气流经振动膜610/710。在所示的示例性实施例中,孔口620/720配置降低了振动膜610/710对低频压力波动的响应。这可以通过从振动膜610/710去除材料以产生一个或者多个孔以使得至少一个孔将前体积(未示出)中的空气连接到间隙(未示出)中的空气来实现。孔口620/720可以包括单个孔或者孔的阵列。孔可以是圆形、矩形或者任何其它几何形状。替代地,孔口620/720可以穿透感测结构(未示出)的内部表面以使得其将壳体(未示出)的前体积中的空气连接到壳体(未示出)的后体积中的空气。替代地,孔口620/720可以将壳体外侧的空气连接到后体积中的空气。在某些实施例中,使后体积足够的小以增加孔口620/720的高通转折频率来实现低频滚降(rolloff)。
图8和图9示出了振动膜通风对频率响应的影响。这些图示出了经过振动膜或者其支撑结构的通风如何改变振动膜在音频带中的频率响应。在这些图中所示的实施例中,随着振动膜通风增加,振动膜优先选择对于语音通信重要的频率,并且优先拒绝主要存在于风、道路、隆隆声和低频噪声中的频率。
图9将频率区域分割为两个区域。第一频率区域910是具有大部分风、隆隆声和低频噪声的区域。第二频率区域920是对于讲话重要的区域。所示的示例性实施例的通风模式机械地降低了柔性振动膜在风、隆隆声和低频噪声最强的频率范围中的声学灵敏度,同时没有显著降低在对于语音通信重要的频率区域中的麦克风灵敏度。
图10是具有至少一个孔口1080的电容式麦克风1000的示例性实施例的示意图。第一感测结构1030是柔性电极(振动膜),并且第二感测结构1040是静止电极(背板)。第一和第二感测结构1030/1040的相对位置只是示例性的,并不局限于所示的情况。在其它实施例中,第一和第二感测结构1030/1040的相对位置颠倒。在图10所示的实施例中,振动膜1030中的至少一个孔口1080允许前体积1060中的空气与间隙1050内侧的空气均衡。孔口1080改变振动膜1030的声学柔度并且在前体积1060与间隙1050之间形成声学泄露声阻。根据上述等式,孔口1080泄露声阻以及振动膜1030和后体积1070的声学柔度影响截止频率。
图11是具有可操作地连接前体积1160和间隙1150的孔口1180的电容式麦克风1100的示例性实施例的示意图。第一感测结构1130是柔性电极(振动膜),并且第二感测结构1140是静止电极(背板)。第一和第二感测结构1130/1140的相对位置只是示例性的,并不局限于所示的情况。在其它实施例中,它们的相对位置颠倒。在所示的实施例中,并不是在振动膜1130中具有孔口1180,而且孔口1180位于附接到壳体1110的支撑结构1190中。在该实施例中,振动膜1130附接到支撑结构1190。孔口1180的外部表面邻近振动膜1130的声学激发侧,该振动膜1130位于麦克风1100内部。该结构只是示例性的,并非局限于所示的情况。
图12示出了具有邻近振动膜的孔口1280的通风的麦克风1200的示例性实施例。在所示的实施例中,第一感测结构1230是柔性电极(振动膜),并且第二感测结构1240是静止电极(背板)。第一和第二感测电极1230/1240的相对位置只是示例性的,并非局限于所示的情况。在其它实施例中,例如,它们的相对位置颠倒。在图12所示的实施例中,孔口1280连接电容式麦克风1200的前体积和后体积1260/1270。孔口1280位于静止的支撑结构1290中而非振动膜1230中。静止的支撑结构1290支撑振动膜1230和静止电极1240。该结构只是示例性的,并不局限于所示的情况。
图13A和13B示出了具有配置为邻近前体积1360的静止电极的第一感测结构1330以及配置为邻近后体积1370的振动膜的第二感测结构1340的电容式麦克风1300的示例性实施例。至少一个振动膜孔口1380将间隙1350中的空气连接到后体积1370中的空气。第一和第二感测结构1330/1340的相对位置只是示例性的,并不局限于所示的情况。在其它示例性实施例中,它们的相对位置颠倒。
图14A和14B示出了具有三个感测结构的电容式麦克风1400的示例性实施例。在所示的实施例中,麦克风1400具有配置为邻近前体积1460的背板的第一感测结构1430以及配置为邻近后体积1470的背板的第二感测电极1435。两个背板形成第一间隙1450和第二间隙1455。配置为振动膜的第三感测结构1440位于第一和第二间隙1450/1455之间。在这些示例性实施例中,振动膜1440具有可操作地将第一间隙1450中的空气与第二间隙1455中的空气连接的至少一个孔口1480。感测结构1430/1435/1440的相对位置只是示例性的,并不局限于所示的情况。
图15示出了具有三个感测结构1530/1535/1540并且具有邻近感测结构的至少一个孔口1580的电容式麦克风1500的示例性实施例。在所示的实施例中,第一感测结构1530配置为邻近前体积1560的背板,并且第二感测结构1535配置为邻近后体积1570的背板。两个背板形成第一间隙1550和第二间隙1555。第三感测结构1540配置为振动膜并且位于第一和第二间隙1550/1555之间。在该示例性实施例中,至少一个孔口1580可操作地将前体积1560中的空气与后体积1570中的空气连接。在所示的实施例中,至少一个孔口1580位于静止的支撑结构1590中,但是不是必需的。静止的支撑结构1590支撑振动膜1540和静止电极1530/1535。感测结构1530/1535/1540的相对位置只是示例性的,并不局限于所示的情况。
对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是,在不偏离本发明的精神或者范围的情况下可以对本发明的不受风影响的麦克风做出各种修改和变型。因而,本发明旨在覆盖落入本发明所附权利要求及其等同物范围内的修改和变型。
Claims (16)
1.一种声学设备,包括:
限定内体积并且具有前面和后面的封闭壳体;
穿透所述壳体的所述前面的声学端口;
附接到所述壳体的内侧的第一感测结构和第二感测结构,所述第一感测结构和所述第二感测结构在所述第一感测结构和所述第二感测结构之间限定间隙;
由所述内体积中位于所述第一感测结构和所述壳体的所述前面之间的部分限定的前体积;
由所述内体积中位于所述第二感测结构和所述壳体的所述后面之间的部分限定的后体积;以及
在所述第一感测结构中可操作地连接所述前体积和所述间隙的至少一个孔口,其中所述声学设备具有高于大致100Hz的截止频率。
2.一种声学设备,包括:
限定内体积并且具有前面和后面的封闭壳体;
穿透所述壳体的所述前面的声学端口;
附接到所述壳体的内侧的支撑结构;
附接到所述支撑结构的第一感测结构;
附接到所述壳体的所述内侧的第二感测结构,所述第一感测结构和所述第二感测结构在所述第一感测结构和所述第二感测结构之间限定间隙;
由所述内体积中位于所述第一感测结构和所述壳体的所述前面之间的部分限定的前体积;
由所述内体积中位于所述第二感测结构和所述壳体的所述后面之间的部分限定的后体积;以及
位于所述支撑结构中的至少一个孔口,所述至少一个孔口可操作地连接所述前体积和所述间隙,其中
所述声学设备具有高于大致100Hz的截止频率。
3.一种声学设备,包括:
限定内体积并且具有前面和后面的封闭壳体;
穿透所述壳体的所述前面的声学端口;
附接到所述壳体的内侧的支撑结构;
附接到所述支撑结构的第一感测结构和第二感测结构,所述第一感测结构和所述第二感测结构在所述第一感测结构和所述第二感测结构之间限定间隙;
由所述内体积中位于所述第一感测结构和所述壳体的所述前面之间的部分限定的前体积;
由所述内体积中位于所述第二感测结构和所述壳体的所述后面之间的部分限定的后体积;以及
位于所述支撑结构中的至少一个孔口,所述至少一个孔口可操作地连接所述前体积和所述后体积,其中
所述声学设备具有高于大致100Hz的截止频率。
4.一种声学设备,包括:
限定内体积并且具有前面和后面的封闭壳体;
穿透所述壳体的所述前面的声学端口;
附接到所述壳体的内侧的第一感测结构和第二感测结构,所述第一感测结构和所述第二感测结构在所述第一感测结构和所述第二感测结构之间限定间隙;
由所述内体积中位于所述第一感测结构和所述壳体的所述前面之间的部分限定的前体积;
由所述内体积中位于所述第二感测结构和所述壳体的所述后面之间的部分限定的后体积;以及
位于所述第二感测结构中的至少一个孔口,所述至少一个孔口可操作地连接所述后体积和所述间隙,其中所述声学设备具有高于大致100Hz的截止频率。
5.如权利要求4所述的声学设备,还包括:
第三感测结构,所述第三感测结构和所述第二感测结构在所述第二感测结构和所述第三感测结构之间限定第二间隙,其中所述至少一个孔口可操作地连接所述第一间隙和所述第二间隙。
6.如权利要求3所述的声学设备,还包括:
第三感测结构,所述第三感测结构和所述第二感测结构在所述第二感测结构和所述第三感测结构之间限定第二间隙,其中所述至少一个孔口可操作地连接所述前体积和所述后体积。
7.如权利要求1-4所述的声学设备,其中所述声学设备是电容式麦克风。
8.如权利要求1-4所述的声学设备,其中所述声学设备是MEMS设备。
9.如权利要求1-4所述的声学设备,其中至少一个感测结构是柔性的。
10.如权利要求1-4所述的声学设备,其中所述声学设备具有大致1*10-15m3/Pa的振动膜柔度、小于大致5mm3的后体积、以及小于大致5*1010N-s/m5的孔口声阻。
11.如权利要求1-4所述的声学设备,其中所述声学设备具有大致1*10-15m3/Pa的振动膜柔度、小于2mm3的后体积、以及小于大致1.1*1011N-s/m5的孔口声阻。
12.如权利要求1-4所述的声学设备,其中所述声学设备具有大致0.6*10-15m3/Pa的振动膜柔度、小于2mm3的后体积、以及小于大致1.1*1011N-s/m5的孔口声阻。
13.如权利要求1-4所述的声学设备,其中所述声学设备具有大致0.6*10-15m3/Pa的振动膜柔度、小于0.4mm3的后体积、以及小于大致5*1011N-s/m5的孔口声阻。
14.如权利要求1-4所述的声学设备,其中所述声学设备具有小于大致(628*(Cd+V/(142000))-1的孔口声阻R1,其中Cd是单位为m3/Pa的振动膜柔度,V是单位为m3的后体积,并且R1是单位为N-s/m5的孔口声阻。
15.一种形成声学设备的方法,包括以下步骤:
形成限定内体积并且具有前面和后面的封闭壳体;
形成穿透所述壳体的所述前面的声学端口;
将具有柔度Cd的振动膜附接到所述壳体的内侧,所述振动膜将所述内体积划分为前体积和后体积,所述后体积具有柔度Cv;
在所述振动膜中形成至少一个孔口,所述孔口具有声学声阻R1;并且
将Cd、Cv和R1设置为非零值以使得所述声学设备具有大致100赫兹或者更大的截止频率fc,其中fc由等式限定。
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