CN102110410A - 显示装置和电子装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示装置和具有该显示装置的电子装置。该显示装置包括：多个像素，每个像素包括多个单颜色子像素，每个单颜色子像素包括发单颜色光元件和发光控制晶体管；及发光控制线，其连接到所述像素，其中，所述单颜色子像素包括第一单颜色子像素和第二单颜色子像素中的一方，所述第一单颜色子像素包括第一导电类型的发光控制晶体管，所述第二单颜色子像素包括不同于所述第一导电类型的第二导电类型的发光控制晶体管，所述第一单颜色子像素和第二单颜色子像素中的至少一方共同连接到一个发光控制线。根据本发明，可在实现成本降低的情况下将发光时段调整成多个类型。

Description

显示装置和电子装置

相关申请的交叉参考

本申请包含与2009年12月25日向日本专利局提交的日本在先专利申请JP 2009-295331和2010年1月13日向日本专利局提交的日本在先专利申请JP 2010-005084的公开内容相关的主题，在这里将这些在先申请的全部内容以引用的方式并入本文。

技术领域

本发明涉及包括有机EL(电致发光)元件等的显示装置和具有这种显示装置的电子装置。

背景技术

在用于图像显示的显示装置领域中，最近研发出将电流驱动光学元件用作发光元件的显示装置，例如使用有机EL元件的显示装置(有机EL显示装置)，并且正在将其商业化，电流驱动光学元件的发光亮度根据流入光学元件的电流值变化。

与液晶元件等不同的是，有机EL元件是自发光元件。因此，有机EL显示装置不需要光源(背光源)，因而，与需要光源的液晶显示装置相比，有机EL显示装置图像清晰度高、功耗低且元件响应速度高。

与液晶显示装置相同，有机EL显示装置的驱动方法包括简单(无源)矩阵驱动和有源矩阵驱动。在简单矩阵驱动中，尽管简化了装置的结构，但难以实现高分辨率的大显示器。因此，目前正在积极研究有源矩阵驱动。在有源矩阵驱动中，通过针对每个有机EL元件设置的像素电路中的有源元件(通常为TFT(薄膜晶体管))，来控制流入针对每个像素设置的有机EL元件中的电流。

众所周知，在这种有机EL显示装置中，有机EL元件的电流-电压(I-V)特性随着时间流逝而劣化(时间性劣化)。在电流驱动有机EL元件的像素电路中，当有机EL元件的I-V特性随着时间变化时，流入驱动晶体管的电流值也发生变化。因而，流入有机EL元件的电流值也发生变化，相应地发光亮度发生变化。

在有机EL显示装置中，每个像素通常配置有对应于R(红色)、G(绿色)和B(蓝色)三个基色的三个子像素，或配置有四个子像素，即除三个子像素之外还包括对应于W(白色)的子像素。众所周知，在这种情况下，对于每个单颜色子像素，有机EL元件的劣化速度存在差异，因而，在每个像素中出现时间性颜色偏移，于是降低了显示图像的质量。

每个单颜色子像素的这类劣化差异的原因主要包括：对于每种颜色来说，有机EL元件的发光材料的特性(发光效率)是不同的。另一原因，对于每个单颜色子像素来说，用于调节白平衡的流入有机EL元件的电流的密度存在差异。这是因为，与其它颜色的子像素相比，在对应于有机EL元件的发光效率较低的颜色的子像素中，电流密度需要设置为高，于是增加了相关子像素的劣化速度。

因而，例如，下面提出了两种用于抑制由后一原因(电流密度的差异)所导致的时间性颜色偏移的方法。在第一种方法中，每个单颜色子像素的开口率各不相同，由此，不像上述那样使每种颜色的电流密度不同，均衡了颜色之间的劣化速度(例如，参照日本未审查专利申请公开公报2006-215559号)。在第二种方法中，每个像素中的一种颜色设有多个子像素，由此，如同第一种方法，使每种颜色的电流密度相同，均衡了颜色之间的劣化速度(例如，参照日本未审查专利申请公开公报2004-311440号)。

然而，在第一种方法中，例如，当通过利用阴影掩模的蒸镀形成有机EL元件时，需要不同的对应于各种颜色的阴影掩模，以使每种颜色的开口率不同。因此，与颜色之间的开口率保持恒定的情况(对单种颜色使用相同类型的阴影掩模)相比，增加了制造步骤的数目，于是增加了成本。

在第二种方法中，例如，当显示具有对应于像素宽度的宽度的白线时，由于一种颜色具有多个子像素，高分辨率图像的颜色可能是模糊的，或不均匀地显示。即，在第二种方法中，降低了显示图像的质量。

因而，提出了一种平衡颜色之间的劣化速度的方法，与第二种方法不同的是，在该方法中，每种颜色的子像素的结构(开口率或数量)相同，每种颜色的电流密度也相同。具体地，调节每个单颜色子像素的发光时段的长度，以平衡颜色之间的劣化速度(例如，参照日本未审查专利申请公开公布2001-60076、2007-156383和2008-224853号)。

然而，在使用这种方法的情况下，需要为每个单颜色子像素设置用于调整发光周期的控制线。因而，每种颜色布有多个控制线，这导致由开口率的减小或线间间隙(clearance)的降低而增加缺陷产品，因此难以实现总成本的降低。

在一些情况下，要求以对应于例如显示屏上水平线(H线)而不是如上文描述的子像素颜色的方式调整发光时段的时序。例如，在奇数线和偶数线之间改变发光时段的时序，以分别形成奇数场和偶数场图像。

即使在这种情况下，由于在前一方法中需要为每个奇数和偶数线分别配置用于调整发光时段的控制线，所以，由于上面的原因，也难以实现总成本的降低。

因而，在前一方法中，在降低成本的情况下，难以将发光时段(具体的，发光时段的长度或时序)调整成多种类型，因此需要进一步改善。不仅在有机EL显示装置中，而且在使用其它类型的自发光元件的显示装置中也可能出现上文所描述的问题。

发明内容

期望提供一种可以在实现降低成本的情况下将发光时段调整成多种类型的显示装置，及提供一种使用该显示装置的电子装置。

本发明的实施例的显示装置包括：多个像素，每个像素包括多个单颜色子像素，每个单颜色子像素包括发单颜色光元件和发光控制晶体管；发光控制线，其连接到所述像素；及发光控制线驱动电路，其将用于控制所述发光控制晶体管的导通/截止状态的控制脉冲施加到所述发光控制线，以控制所述发单颜色光元件的发光操作和非发光操作。所述单颜色子像素包括第一单颜色子像素和第二单颜色子像素中的一方，所述第一单颜色子像素包括第一导电类型的发光控制晶体管，所述第二单颜色子像素包括不同于所述第一导电类型的第二导电类型的发光控制晶体管。每个所述第一和第二单颜色子像素中的至少一方共同连接到一个发光控制线。

根据本发明的另一实施例的显示装置包括：多个像素；多个发光控制线，其连接到所述像素；及发光控制线驱动电路。每个像素包括多个单颜色子像素，每个子像素包括发单颜色光元件。所述发光控制线驱动电路将控制脉冲施加到所述发光控制线，以控制所述发单颜色光元件的发光操作和非发光操作。在每个像素中，所述多个发光控制线中的一个发光控制线指定连接到所述多个单颜色子像素，及作为所述多个单颜色子像素的一部分的至少两个单颜色子像素共同连接到所述发光控制线中的至少一个发光控制线。

一种根据本发明的实施例的电子装置包括上述根据本发明的实施例的显示装置。

在根据本发明的实施例的所述显示装置和所述电子装置中，控制脉冲施加到连接到所述像素的所述发光控制线，由此，控制所述发光控制晶体管的导通/截止状态，以便控制所述发单颜色光元件的发光操作和非发光操作。另外，所述单颜色子像素配置有第一单颜色子像素和第二单颜色子像素中的一方，所述第一单颜色子像素包括第一导电类型的发光控制晶体管，所述第二单颜色子像素包括不同于所述第一导电类型的第二导电类型的发光控制晶体管。因而，所述发光控制线用于将所述单颜色子像素的发光时段(发光时段的长度或时序)调整成多个(两个)类型。而且，每个所述第一和第二单颜色子像素中的至少一方共同连接到一个发光控制线，由此，与发光控制线分别连接到多个单颜色子像素的前述情况相比，使用较少数量的发光控制线。

在根据本发明的另一显示装置和另一电子装置中，控制脉冲施加到连接到像素的多个发光控制线，由此，控制所述发单颜色光元件的发光操作和非发光操作。在每个像素中，所述多个发光控制线中的一个发光控制线指定连接到所述多个单颜色子像素。因而，使每种颜色的单颜色子像素的结构(例如，开口率或数量)和电流密度相同，所述多个发光控制线可用于将所述单颜色子像素的发光时段调整成至少两个类型。即，使单颜色子像素的结构和电流密度在各颜色之间保持不变，可以抑制由每种颜色的劣化速度的差异导致的时间性颜色偏移。而且，作为所述多个单颜色子像素的一部分的至少两个单颜色子像素共同连接到多个发光控制线中的至少一个发光控制线，由此，与发光控制线分别连接到多个单颜色子像素的前述情况相比，使用较少数量的发光控制线。

根据本发明的实施例的所述显示装置和所述电子装置，与过去相比，使用较少数量的发光控制线。由此，可在实现成本降低的情况下将发光时段调整成多个类型。

通过下面的说明，本发明的其它和进一步目的、特征和优点将更加明显。

附图说明

图1是表示根据本发明的第一实施例的显示装置示例的框图。

图2A～图2C是分别表示图1所示的每个像素中的子像素结构示例和各布线与子像素的连接结构的示意图。

图3A和图3B是表示图2A～图2C所示的每个子像素的内部结构示例的电路图。

图4A和图4B是分别表示根据比较示例1的像素中的每个子像素结构和发光控制线与子像素的连接结构及施加到发光控制线的控制脉冲的图。

图5是表示根据比较示例2的像素中的每个子像素结构和发光控制线与子像素的连接结构。

图6是表示施加到根据第一实施例的发光控制线的控制脉冲的示例的时序波形图。

图7是表示施加到根据第一实施例的发光控制线的控制脉冲的另一示例的时序波形图。

图8A和图8B是表示施加到根据第一实施例的发光控制线的控制脉冲的其它示例的时序波形图。

图9A和图9B是分别表示根据第一实施例的变型1的每个像素中的子像素结构和发光控制线的连接结构的图。

图10A和图10B是分别表示根据第一实施例的变型2的每个像素中的子像素结构和发光控制线的连接结构的图。

图11A和图11B是分别表示根据第一实施例的变型3的每个像素中的子像素结构和发光控制线的连接结构的图。

图12是表示根据本发明的第二实施例的显示装置示例的框图。

图13A～图13C是分别表示图12所示的每个像素中的子像素结构示例和各布线的连接结构的示意图。

图14是表示图13所示的每个子像素的内部结构示例的电路图。

图15是表示施加到根据第二实施例的每个发光控制线的控制脉冲的示例的时序波形图。

图16是表示施加到根据第二实施例的每个发光控制线的控制脉冲的另一示例的时序波形图。

图17是表示施加到根据第二实施例的每个发光控制线的控制脉冲的又一示例的时序波形图。

图18A～图18D是分别表示根据第二实施例的变型1～4的每个像素中的子像素结构和发光控制线的连接结构的示意图。

图19是表示包括每个实施例或每个变型的显示装置的模块的示意结构的平面图。

图20是表示每个实施例或每个变型的显示装置的应用示例1的外观的立体图。

图21A和图21B是立体图，其中图21A表示应用示例2的外观的前视图，图21B表示应用示例2的外观的后视图。

图22是表示应用示例3的外观的立体图。

图23是表示应用示例4的外观的立体图。

图24A～24G是应用示例5的示意图，其中图24A是应用示例5在打开状态下的前视图，图24B是其侧视图，图24C是应用示例5在关闭状态下的前视图，图24D是其左视图，图24E是其右视图，图24F是其俯视图，图24G是其仰视图。

具体实施方式

在下文中，将结合附图详细说明本发明的实施例。按以下顺序给出说明。

1.第一实施例(子像素共享发光控制线：RGB子像素结构)

2.第一实施例的变型

变型1(子像素共享发光控制线：RGBW子像素结构)

变型2(水平线共享发光控制线)

变型3(子像素和水平线共享发光控制线)

3.第二实施例(每个像素具有RGB子像素结构情况下的示例)

4.第二实施例的变型(变型1～4：每个像素具有RGBW子像素结构情况下的示例)

5.模块和应用示例

1.第一实施例

显示装置的结构

图1是表示根据本发明的第一实施例的显示装置1的示意结构的框图。显示装置1具有显示面板(显示部)10和驱动电路20。

显示面板10

显示面板10具有像素阵列部13，以基于从外部接收的视频信号20A和同步信号20B通过有源矩阵驱动进行图像显示，像素阵列部13具有多个以矩阵形式布置的像素11。如下文将要描述的，每个像素11包括对应于多种颜色的多个子像素(单颜色子像素)。

像素阵列部13具有多个以行布置的扫描线WSL、多个以列布置的信号线DTL和多个沿着扫描线WSL以行布置的发光控制线DSL。扫描线WSL、信号线DTL和发光控制线DSL的一个端部侧均连接至下面将说明的驱动电路20。像素11以矩阵的形式(矩阵布置)布置成为对应于扫描线WSL和信号线DTL之间的交叉点。在图1中，对应于如下所述的多种颜色的多个信号线(单种颜色的信号线)DTLr、DTLg和DTLb简化表示为一个信号线DTL。

图2A～图2C示意表示每个像素11的内部结构和线。

如图2A所示，例如，每个像素11配置有对应于红色(R)、蓝色(B)和绿色(G)三个基色的三个子像素11Rn、11Bn和11Gp。其中，在子像素11Rn或11Bn中，下面所说明的发光控制晶体管(发光控制晶体管Tr3n)配置有n沟道(第一导电类型，n型)晶体管(使用电子作为载流子)。在子像素11Gp中，下面所说明的发光控制晶体管(发光控制晶体管Tr3p)配置有p沟道(第二导电类型，p型)晶体管(使用空穴作为载流子)。即，像素阵列部13中的每个子像素配置有包括n沟道发光控制晶体管的子像素(第一单颜色子像素)和包括p沟道发光控制晶体管的子像素(第二单颜色子像素)中的一个。在每个子像素中，符号“n”表示包括n沟道发光控制晶体管的子像素，符号“p”表示包括p沟道发光控制晶体管的子像素。

这里，子像素11Rn与信号线DTLr、扫描线WSL和发光控制线DSL连接。子像素11Bn与信号线DTLb、扫描线WSL和发光控制线DSL连接。子像素11Gp与信号线DTLg、扫描线WSL和发光控制线DSL连接。即，子像素11Rn、11Bn和11Gp分别连接到对应于单种颜色的信号线DTLr、DTLb和DTLg，但共同连接到扫描线WSL和发光控制线DSL。换句话说，包括n沟道发光控制晶体管的子像素(11Rn和11Bn)中的至少一个和至少一个包括p沟道发光控制晶体管的子像素(11Gp)共同连接到一个发光控制线DSL。

图2B以简化方式表示图2A所示的布线结构，为方便起见，仅示出信号线DTL、扫描线WSL和发光控制线DSL中的发光控制线DSL。在如下所示的相似布线结构的附图中，如同图2B，以简化方式(仅示出发光控制线DSL)表示布线结构，而其它布线(信号线DTL和扫描线WSL)基本上以与图2A相同的方式构造。

在每个像素11中，子像素结构中的n沟道和p沟道发光控制晶体管的组合不限于图2A和图2B所示的组合，也可使用其它组合。即，例如，如图2C所示的像素11-1，子像素11Rn包括n沟道发光控制晶体管，子像素11Bp和11Gp分别包括p沟道发光控制晶体管，这也是可以的。然而，在下文中，为便于说明，基本上通常使用图2A和图2B所示的像素11对实施例进行说明。

然而，例如，期望在如下子像素中使用相同沟道类型(n沟道或p沟道)的发光控制晶体管，即，所述子像素所具有的有机EL元件是如下所述的发出各种颜色光的有机EL元件(有机EL元件12R、12G和12B)中具有比较相似的发光效率值的有机EL元件。具体地，例如，在对应于红色的子像素11R和对应于绿色的子像素11G中使用相同沟道类型的发光控制晶体管，在对应于蓝色的子像素11B中单独使用另一沟道类型的发光控制晶体管。因而，如下所述，当控制每个子像素11R、11G和11B的发光时段时，可以对应于发光效率的值进行有效控制。

或者，例如，期望在如下子像素中使用相同沟道类型(n沟道或p沟道)的发光控制晶体管，即，所述子像素特定于单个R、G和B颜色具有相对相似视亮度因数值(清晰度)。具体地，即使在这种情况下，例如，在对应于红色的子像素11R和对应于绿色的子像素11G中使用相同沟道类型的发光控制晶体管，在对应于蓝色的子像素11B中单独使用另一沟道类型的发光控制晶体管。因而，当以与上述相同的方式控制发光时段时，可以对应于视亮度因数的值进行有效控制。

图3A表示包括n沟道发光控制晶体管的子像素11Rn、11Gn或11Bn的内部结构(电路结构)的示例。图3B表示包括p沟道发光控制晶体管的子像素11Rp、11Gp或11Bp的内部结构(电路结构)的示例。

在子像素11Rn、11Gn或11Bn中设置有机EL元件12R、12G或12B(单颜色发光元件)和像素电路14n。在子像素11Rp、11Gp或11Bp中设置有机EL元件12R、12G或12B和像素电路14p。在下文中，词语“有机EL元件12”适当地用作有机EL元件12R、12G和12B的通称。

如图3A所示，像素电路14n包括写(采样)晶体管Tr1(第一晶体管)、驱动晶体管Tr2(第二晶体管)、发光控制晶体管Tr3n(第三晶体管)和电容元件Cs。即，像素电路14n具有所谓的3Tr1C电路结构。写晶体管Tr1、驱动晶体管Tr2和发光控制晶体管Tr3n由n沟道MOS(金属氧化物半导体)TFT形成。每个晶体管的类型不具体限制，例如，可以是反交错结构(所谓的底栅极型)或交错结构(所谓的顶栅极型)。而且，像素电路14n的电路结构不限于3Tr1C，只要其设有发光控制电路，也可以是其它任何结构。

在像素电路14n中，写晶体管Tr1的栅极连接到扫描线WSL，漏极连接到信号线DTL(DTLr、DTLg或DTLb)，源极连接到驱动晶体管Tr2的栅极和电容元件Cs的一端。发光控制晶体管Tr3n的漏极连接到固定电压VDD，栅极连接到发光控制线DSL，源极连接到驱动晶体管Tr2的漏极。驱动晶体管Tr2的源极连接到电容元件Cs的另一端和有机EL元件12的阳极，有机EL元件12的阴极设置成固定电位VSS(例如，地电位)。有机EL元件12的阴极用作各个有机EL元件12的公共电极，例如，在显示面板10的整个显示区域的上方形成为类似于板状电极。

如图3B所示，像素电路14p包括写晶体管Tr1、驱动晶体管Tr2、发光控制晶体管Tr3p(第三晶体管)和电容元件Cs。即，像素电路14p也具有3Tr1C电路结构。写晶体管Tr1和驱动晶体管Tr2由n沟道MOSTFT形成，发光控制晶体管Tr3p由p沟道MOS TFT形成。即使在这种情况下，每个晶体管的类型也不具体限制，例如，可以是反交错结构或交错结构。而且，像素电路14p的电路结构不限于3Tr1C，只要其设有发光控制电路，可以是其它任何结构。

在像素电路14p中，写晶体管Tr1的栅极连接到扫描线WSL，漏极连接到信号线DTL(DTLr、DTLg或DTLb)，源极连接到驱动晶体管Tr2的栅极和电容元件Cs的一端。发光控制晶体管Tr3p的源极连接到固定电压VDD，栅极连接到发光控制线DSL，漏极连接到驱动晶体管Tr2的漏极。驱动晶体管Tr2的源极连接到电容元件Cs的另一端和有机EL元件12的阳极，有机EL元件12的阴极设置成固定电位VSS(例如，地电位)。

驱动电路20

驱动电路20驱动像素阵列部13(显示面板10)(进行显示驱动)。具体地，当在像素阵列部13中依次选择多个像素11时，驱动电路基于视频信号20A将视频信号电压写入所选像素11中的每个子像素11Rn、11Bn和11Gp，因而对像素11进行显示驱动。如图1所示，驱动电路20具有视频信号处理电路21、时序发生电路22、扫描线驱动电路23、信号线驱动电路24和发光控制线驱动电路25。

视频信号处理电路21对接收自外部的数字视频信号20A进行预定修正，并将修正的视频信号21A输出到信号线驱动电路24。这类预定修正包括例如伽马修正和过驱动修正。

时序发生电路22基于接收自外部的同步信号20B产生控制信号22A，并输出控制信号22A，以便控制扫描线驱动电路23、信号线驱动电路24和发光控制线驱动电路25相互协同运行。

扫描线驱动电路23根据控制信号22A(与其同步)将选择脉冲依次施加到多个扫描线WSL，于是依次选择多个像素11。具体地，扫描线驱动电路23选择性地输出在将写晶体管Tr1设置成导通时所施加的电压Von和在将写晶体管Tr1设置成截止时所施加的电压Voff，于是产生选择脉冲。电压Von的值(一定值)等于或大于写晶体管Tr1的导通电压值，电压Voff的值(一定值)小于写晶体管Tr1的导通电压值。

信号线驱动电路24根据控制信号22A(与其同步)产生对应于接收自视频信号处理电路21的视频信号21A的模拟视频信号，并将模拟视频信号施加到每个信号线DTL(DTLr、DTLg和DTLb)。具体地，信号线驱动电路24基于视频信号21A分别将各颜色的模拟视频信号电压施加到信号线DTL(DTLr、DTLg和DTLb)。因而，将视频信号写入由扫描线驱动电路23所选择的像素11中的每个子像素11Rn、11Bn和11Gp。视频信号的写入意味着将视频信号电压设置到辅助电容元件Cs以便在驱动晶体管Tr2的栅极和源极之间施加预定电压。

发光控制线驱动电路25根据控制信号22A(与其同步)将控制脉冲依次施加到多个发光控制线DSL，以便控制每个像素11中的子像素11Rn、11Bn或11Gp的发光控制晶体管Tr3n或Tr3p的导通/截止。因而，控制每个像素11中的各子像素11Rn、11Bn或11Gp的有机EL元件12的发光(点亮)操作和非发光(熄灭)操作。换句话说，调整控制脉冲的宽度(脉宽)，以便控制每个像素11中的各子像素11Rn、11Bn和11Gp的发光时段的长度和非发光时段的长度(进行与PWM(脉宽调制)相类似的控制)。

具体地，发光控制线驱动电路25选择性地输出在发光控制晶体管Tr3n设置成导通时所施加的电压VH和在发光控制晶体管Tr3n设置成截止时所施加的电压VL，于是产生选择脉冲。换句话说，发光控制线驱动电路25选择性地输出在发光控制晶体管Tr3p设置成截止时所施加的电压VH和在发光控制晶体管Tr3p设置成导通时所施加的电压VL，于是产生选择脉冲。电压VH具有等于或大于发光控制晶体管Tr3n的导通电压值(对应于H(高)状态的电压)的值(一定值)，且具有小于发光控制晶体管Tr3p的导通电压值(对应于L(低)状态的电压)的值(一定值)。电压VL具有小于发光控制晶体管Tr3n的导通电压值(对应于L(低)状态的电压)的值(一定值)，且具有等于或大于发光控制晶体管Tr3p的导通电压值(对应于H(高)状态的电压)的值(一定值)。后面将详细说明由发光控制线驱动电路25对每个子像素11Rn、11Bn或11Gp的发光时段的控制所进行的这类操作。

显示装置的操作和效果

接下来，说明第一实施例的显示装置1的操作和效果。

显示操作

在显示装置1中，如图1～图3B所示，驱动电路20基于视频信号20A和同步信号20B对显示面板10(像素阵列部13)中的每个像素11(子像素11Rn、11Bn或11Gp)进行显示驱动。因而，驱动电流被注入到子像素11Rn、11Bn或11Gp中的有机EL元件12，因此空穴与电子再结合，于是发出光。结果，显示面板10基于视频信号20A进行图像显示。

具体地，参照图2A～图2C与图3A和图3B，以下面的方式对子像素11Rn、11Bn或11Gp进行视频信号的写操作。首先，在信号线DTL的电压为视频信号电压及发光控制线DSL的电压为电压VH(H状态)或电压VL(L状态)时的周期期间，扫描线驱动电路23将扫描线WSL的电压从电压Voff升高到电压Von。因此，写晶体管Tr1变为导通，因而驱动晶体管Tr2的栅极电位Vg升至对应于信号线DTL的电压的视频信号电压。结果，视频信号电压写入辅助电容元件Cs并在其中保持。在这种情况下，发光控制晶体管Tr3n或发光控制晶体管Tr3p导通。即，子像素11Rn和11Bn处于对应于发光控制线DSL的电压为电压VH(H状态)情况下的状态，子像素11Gp处于对应于发光控制线DSL的电压为电压VL(L状态)情况下的状态。

有机EL元件12的阳极电压仍低于作为有机EL元件12的阈值电压Vel与阴极电压Vca(＝VSS)的和的电压(Vel+Vca)，即，有机EL元件12处于截止状态。即，在这个阶段中，在有机EL元件12的阳极和阴极之间不流动电流(有机EL元件12不发光)。因此，从驱动晶体管Tr2供应的电流Id流入在有机EL元件12的阳极和阴极之间与有机EL元件12并联的元件电容(未图示)中，于是对该元件电容(未图示)充电。

接下来，在信号线DTL保持为视频信号电压及发光控制晶体管保持导通时的时段期间，扫描线驱动电路23将扫描线WSL的电压从电压Von降低至电压Voff。因而，由于写晶体管Tr1截止，所以驱动晶体管Tr2的栅极变为浮动。因而，电流Id在驱动晶体管Tr2的漏极和源极之间流动，同时晶体管Tr2的栅极至源极电压Vgs保持不变。结果，驱动晶体管Tr2的源极电位Vs升高，通过电容性耦合，晶体管Tr2的栅极电位Vg借助电容元件Cs同时上升。因而，有机EL元件12的阳极电压变成高于作为有机EL元件12的阈值电压Vel与阳极电压Vca的和的电压(Vel+Vca)。因此，电流Id在有机EL元件12的阳极和阴极之间流动，因而有机EL元件12以期望的亮度发光。

接下来，驱动电路20在预定时段之后完成有机EL元件12的发光时段。具体地，发光控制线驱动电路25将发光控制线DSL的电压从电压VH降低至电压VL(将该线的状态从H状态转到L状态)，或将该电压从电压VL升高至电压VH(将该线的状态从L状态转到H状态)。因而，发光控制晶体管Tr3n或Tr3p截止，于是驱动晶体管Tr2的源极电位Vs降低。因而，有机EL元件12的阳极电压变成低于作为有机EL元件12的阈值电压Vel与阴极电压Vca的和的电压(Vel+Vca)，于是电流Id不再在有机EL元件12的阳极和阴极之间流动。结果，此后有机EL元件12不发光(转到非发光时段)。以这种方式，可以对应于施加到发光控制线DSL的每个控制脉冲的宽度(H状态时段的长度)控制每个像素11中的子像素11Rn或11Bn的发光时段的长度。相似地，可以对应于每个控制脉冲(L状态时段的长度)控制每个像素11中的子像素11Gp的发光时段的长度。

此后，驱动电路20以如下方式进行显示驱动，即，在每个帧时段(一个垂直时段或1个V时段)内周期性地重复上文所描述的发光操作和非发光操作。除此之外，驱动电路20例如在每个水平时段(1个H时段)内在行方向上扫描施加到发光控制线DSL的控制脉冲和施加到扫描线WSL的选择脉冲。以上述方式，对显示装置1进行显示操作(由驱动电路20进行的显示驱动)。

特征部分的操作

接下来，将对照比较示例(比较示例1和2)详细说明实施例的显示装置1的特征部分的操作。

比较示例1

图4A示意表示根据比较示例1的像素101中的每个子像素11Rn、11Bn和11Gn的结构及发光控制线DSL与子像素的连接结构。图4B表示施加到根据对比示例1的发光控制线DSL的控制脉冲的时序波形的示例。

在比较示例1中，首先，如图4A所示，与图2A～图2C所示的第一实施例不同，像素101中的三个(全部)子像素11Rn、11Bn和11Gn的每个子像素包括n沟道发光控制晶体管Tr3n。另外，像素101中的子像素11Rn、11Bn和11Gn共同连接到一个(单个)发光控制线DSL。

例如，如图4B所示，控制脉冲依次施加到一个发光控制线DSL，以便可以控制子像素11Rn、11Bn或11Gn中的有机EL元件12的发光(点亮)操作和非发光(熄灭)操作。即，如图4B所示，由于这里的每个子像素11Rn、11Bn和11Gn包括n沟道发光控制晶体管Tr3n，所以，控制脉冲的H时段对应于每个子像素11Rn、11Bn和11Gn的发光(点亮)时段。控制脉冲的L时段对应于每个子像素11Rn、11Bn和11Gn的非发光(熄灭)时段。

图4B所示的控制脉冲的宽度的调整能够实现对每个子像素11Rn、11Bn和11Gn的发光时段长度和非发光时段长度的控制(PWM控制)。具体地，控制控制脉冲的H时段(点亮时段)的脉冲宽度与控制脉冲的L时段(熄灭时段)的脉冲宽度的比率，由此，可以控制1个V(一个垂直)时段内的每个发光时段和非发光时段的长度(比率)。

然而，在对比示例1中可能出现如下问题。

首先，众所周知，在有机EL显示装置中，有机EL元件的电流-电压(I-V)特性通常随着时间的流逝而劣化(时间性劣化)。在对有机EL元件进行电流驱动的像素电路(例如，图3A所示的像素电路14n)中，当有机EL元件的I-V特性随着时间变化而变化时，流入驱动晶体管(例如，图3A所示的驱动晶体管Tr2)的电流值Id发生变化。因此，流入有机EL元件自身的电流值根据电流值Id的变化而变化，因此，改变了发光亮度。

而且，众所周知，在有机EL显示装置中，每个单颜色子像素的有机EL元件的这类劣化的速度通常各不相同。因此，例如，如同比较示例1，当像素101配置有对应于三种颜色的子像素11Rn、11Bn和11Gn时，在像素101中出现时间性颜色偏移，于是降低了显示图像的质量。

于是，例如每个单颜色子像素11Rn、11Bn和11Gn的劣化速度各不相同。这种现象的原因主要包括：每种颜色的有机EL元件(例如，图3A所示的有机EL元件12R、12G和12B)的发光效率各不相同。对于另一原因，在包括比较示例1的相关技术的示例中，为了调整白平衡，将流入每个单颜色子像素(例如，子像素11Rn、11Bn和11Gn)的有机EL元件的电流的密度(电流密度)设置成各不相同。这是因为，与其它颜色的子像素相比，通常需要将对应于发光效率较低的有机EL元件的颜色的子像素中的电流密度设置成高，于是增加了劣化的速度。

因而，例如，提出了以下两种用于抑制比较示例1中由电流密度的这类差异所导致的时间性颜色偏移的方法。在第一种方法中，每个单颜色子像素11Rn、11Bn和11Gn的开口率各不相同，由此，不像上述那样使每种颜色的电流密度不同，均衡了颜色之间的劣化速度。在第二种方法中，每个像素101中的一种颜色设有多个子像素，由此，如同第一种方法，使每种颜色的电流密度相同，均衡了颜色之间的劣化速度。

然而，在第一种方法中，例如，当通过利用阴影掩模的蒸镀形成有机EL元件12时，需要各种对应于单种颜色的阴影掩模，以使每种颜色的开口率各不相同。因此，与各颜色之间的开口率保持恒定时的情况(各种颜色使用相同类型的阴影掩模)相比，增加了制造步骤的数目，于是增加了成本。

在第二种方法中，例如，当显示具有对应于像素宽度的宽度的白线时，由于一种颜色具有多个子像素，高分辨率图像的颜色可能是模糊的，或不均匀地显示。即，第二种方法降低了显示图像的质量。

因而，作为不同于上述方法的方法，在比较示例1中，可以调整控制脉冲的宽度(图4B)以调整每个子像素11Rn、11Bn和11Gn的发光时段的长度，以便均衡颜色之间的劣化速度。然而，在比较示例1中，前面所述的像素101中的三个子像素11Rn、11Bn和11Gn(图4A)共同连接到一个发光控制线DSL。另外，三个(全部)子像素11Rn、11Bn和11Gn中每个子像素均包括n沟道发光控制晶体管Tr3n。因此，在比较示例1中，不可使用发光控制线DSL调整每个子像素11Rn、11Bn和11Gn的发光时段的长度。即，子像素11Rn、11Bn和11Gn必须以相同的时序进行发光(点亮)操作或非发光(熄灭)操作。

对比示例2

与对比示例1不同的是，在根据图5所示的对比示例2的像素101的子像素11Rn、11Bn和11Gn中，三个发光控制线DSLr、DSLb和DSLg分别连接到各个子像素11Rn、11Bn和11Gn。因而，与对比示例1不同的是，在比较示例2中，可以使用这三个发光控制线DSLr、DSLb和DSLg调整每个子像素11Rn、11Bn和11Gn的发光时段的长度，以便均衡颜色之间的劣化速度。即，在对比示例2中，使每种颜色的子像素的结构(开口率或数量)和电流密度相同，可以均衡颜色之间的劣化速度。

然而，在对比示例2中，需要为每个单颜色子像素11Rn、11Bn和11Gn分别设置用于调整发光时段的控制线(这里，三个发光控制线DSLr、DSLb和DSLg)。因而，布置有多个发光控制线DSLr、DSLb和DSLg用于各颜色，这导致由每个像素101的开口率的减小或线间间隙的降低而增加缺陷产品，因此难以实现总成本的降低。

第一实施例

相对比的是，在第一实施例的显示装置1中，首先，例如，如图2B和2C所示，与比较示例1相同，像素11中的三个子像素共同连接到一个发光控制线DSL。具体地，在图2B中，像素11的三个子像素11Rn、11Bn和11Gp共同连接到一个发光控制线DSL，在图2C中，像素11的三个子像素11Rn、11Bp和11Gp共同连接到一个发光控制线DSL。

然而，与对比示例1不同的是，在第一实施例中，像素11中的这三个子像素包括使用n沟道发光控制晶体管Tr3n的子像素和使用p沟道发光控制晶体管Tr3p的子像素。具体地，例如，在图2B中，子像素11Rn和11Bn使用n沟道发光控制晶体管Tr3n，子像素11Gp使用p沟道发光控制晶体管Tr3p。例如，在图2C中，子像素11Rn使用n沟道发光控制晶体管Tr3n，子像素11Bp和11Gp使用p沟道发光控制晶体管Tr3p。

因而，在第一实施例中，借助使用n沟道发光控制晶体管Tr3n和使用p沟道发光控制晶体管Tr3p的子像素，可以将每个像素11的发光时段调整成多个类型(两个类型)。具体地，可将发光时段的长度或时序调整成多个类型(两个类型)。因此，如同对比示例2，使每种颜色的子像素的结构(例如，开口率或数量)及其电流密度相同，可以均衡颜色之间的劣化速度。即，使各颜色之间的子像素的结构或电流密度保持不变，可以抑制由每种颜色的劣化速度的差异所导致的时间性颜色偏移。

与比较示例2不同的是，在第一实施例中，如上所述，像素11中的三个子像素11Rn、11Bn和11Gp共同连接到一个发光控制线DSL。换句话说，子像素11Rn和11Bn以及子像素11Gp都共同连接到一个发光控制线DSL。

因而，与发光控制线DSLr、DSLb和DSLg分别连接到三个子像素11Rn、11Bn和11Gn的对比示例2相比，第一实施例使用较小数量的发光控制线。即，在这种情况下，在对比示例2中使用三个发光控制线DSLr、DSLb和DSLg，而第一实施例中仅使用一个发光控制线DSL。所以，在第一实施例中，尽管各子像素仅共享一个发光控制线DSL，但使子像素的结构或电流密度在各颜色之间保持不变，可以抑制由每种颜色的劣化速度的差异所导致的时间性颜色偏移。

在第一实施例中，使用一个发光控制线对每个子像素的发光时段进行上述调整(控制)操作，具体如下。作为示例，结合图2A和图2B所示的像素11的子像素结构，对图6～图8B进行说明，而诸如图2C所示的像素11的之类的其它子像素结构也是如此。

即，例如，如图6所示，发光控制线驱动电路25将控制脉冲依次施加到一个发光控制线DSL，以控制每个子像素11Rn、11Bn和11Gp中的有机EL元件12的发光(点亮)操作和非发光(熄灭)操作。

具体地，这里的每个子像素11Rn和11Bn包括n沟道发光控制晶体管Tr3n。因此，如图6所示，控制脉冲的H时段ΔTH对应于发光控制晶体管Tr3n的导通时段，因而对应于子像素11Rn或11Bn的发光(点亮)时段。控制脉冲的L时段ΔTL对应于发光控制晶体管Tr3n的截止时段，因而对应于子像素11Rn或11Bn的非发光(熄灭)时段。

另一方面，子像素11Gp包括p沟道发光控制晶体管Tr3p。因此，如图6所示，控制脉冲的L时段ΔTL对应于发光控制晶体管Tr3p的导通时段，因而对应于子像素11Gp的发光(点亮)时段。控制脉冲的H时段ΔTH对应于发光控制晶体管Tr3p的截止时段，因而对应于子像素11Gp的非发光(熄灭)时段。

例如，如图7所示，发光控制线驱动电路25调整施加到发光控制线DSL的每个控制脉冲的宽度，因而控制每个子像素11Rn、11Bn和11Gp的发光时段长度和非发光时段长度(PWM控制)。具体地，发光控制线驱动电路25控制控制脉冲的H时段ΔTH的长度和控制脉冲的L时段ΔTL的长度的比率，由此控制1个V时段内的每个发光时段和非发光时段的长度(比率)。更具体地，发光控制线驱动电路25以对应于控制脉冲的H时段ΔTH的长度的方式控制每个子像素11Rn和11Bn的发光(点亮)时段的长度和子像素11Gp的非发光(熄灭)时段的长度。另外，发光控制线驱动电路25以对应于控制脉冲的L时段ΔTL的长度的方式控制每个子像素11Rn和11Bn的非发光(熄灭)时段的长度和子像素11Gp的发光(点亮)时段的长度。

发光控制线驱动电路25以如下方式分别调整控制脉冲的H时段ΔTH的长度和控制脉冲的L时段ΔTL的长度，即，与对应于发光效率相对低的有机EL元件12的颜色的子像素相比，对应于发光效率相对高的有机EL元件12的颜色的子像素的发光时段短。因而，可以抑制由每种颜色的劣化速度的差异所导致的时间性颜色偏移。例如，这里，与子像素11Rn和11Bn相比，子像素11Gp的发光时段短。

而且，例如，如图8A所示，期望发光控制线驱动电路25以如下方式进行控制，即，例如，如图7所示，控制脉冲的频率成分随着所保持的一定占空比(控制脉冲的H时段ΔTH的长度与控制脉冲的L时段ΔTL的长度的比率)的增加而增加。换句话说，期望发光控制线驱动电路25以如下方式控制控制脉冲的频率，即，控制脉冲在1个V时段内具有多个H时段ΔTH和多个L时段ΔTL。因而，减少了动态图像显示等中的图像周边的残余颜色(着色或颜色间断)。

而且，例如，如图8B所示，发光控制线驱动电路25可以控制控制脉冲，使得控制脉冲具有既不对应于H状态也不对应于L状态的电位的时段(图8B中的时段ΔTO)。既不对应于H状态也不对应于L状态的该电位包括例如地电位或晶体管Tr3n和Tr3p的阈值电压的中间值。即，发光控制线驱动电路25可以控制控制脉冲，以便提供晶体管Tr3n和Tr3p均截止的时段。以此方式，当除H时段ΔTH和L时段ΔTL之外，控制脉冲还具有时段ΔTO时，可以在子像素11Rn或11Bn和子像素11Gp中都设置非发光(熄灭)状态的时段。更优选地，如图8B所示，当在1个V时段内连续设置全部子像素11Rn、11Bn和11Gp处于非发光(熄灭)状态的时段时，可以通过所谓的插黑(black insertion)效果减小残留图像，于是改善了动态图像的特性。

如上文所述，在第一实施例中，控制脉冲施加到连接至每个像素11的发光控制线DSL，由此控制发光控制晶体管Tr3n或Tr3p的导通/截止状态，以控制有机EL元件12的发光操作和非发光操作。另外，像素阵列部13中的每个子像素包括具有n沟道控制晶体管Tr3n的子像素(子像素11Rn或11Bn)和具有p沟道发光控制晶体管Tr3p的子像素(子像素11Gp)中的一个。因而，可以使用发光控制线DSL将每个子像素11Rn、11Bn和11Gp的发光时段调整成两个类型。而且，由于包括n沟道发光控制晶体管Tr3n的子像素11Rn和11Bn和包括p沟道发光控制晶体管Tr3p的子像素11Gp共同连接到一个发光控制线DSL，所以，与过去相比，使用较小数目的发光控制线。由此，在实现成本降低的情况下可以将发光时段调整成多个类型(两个类型)。

而且，可以实现由每个像素11的开口率的增加所导致的元件可靠性的改善、由发光控制线间的间隙的增加所导致的不良率的降低、以及由驱动电路20尺寸的减小而无效屏幕尺寸的减小所导致的设计的改善。除此之外，当外部集成电路用于驱动电路20时，由于输出数量的减小而可以实现尺寸和成本的降低。

而且，即使在减小每个像素11的开口率以降低外部光的反射时，也能延长每个子像素的发光时间，而不是增加了电流密度，使得可以获得一定亮度。即，可以同时实现降低外部光的反射和抑制元件劣化。

2.变型

接下来，将说明第一实施例的变型(变型1～3)。使用相同附图标记或符号来表示与实施例的元件相同的元件，于是适当省略说明。

变型1

图9A和图9B分别示意表示根据变型1的像素(像素11-2或像素11-3)中发光控制线DSL与各子像素的连接结构。如下所述，在该变型中，每个像素配置有对应于红色(R)、蓝色(B)、绿色(G)和白色(W)四种颜色的四个子像素。

具体地，在图9A所示的像素11-2中未图示发光控制线之外的线，包括n沟道发光控制晶体管Tr3n的子像素11Rn与信号线DTLr、扫描线WSL和发光控制线DSL连接。相似地，包括n沟道发光控制晶体管Tr3n的子像素11Bn与信号线DTLb、扫描线WSL和发光控制线DSL连接。另一方面，包括p沟道发光控制晶体管Tr3p的子像素11Gp与信号线DTLg、扫描线WSL和发光控制线DSL连接。相似地，包括p沟道发光控制晶体管Tr3p的子像素11Wp与信号线DTLw、扫描线WSL和发光控制线DSL连接。

即，子像素11Rn、11Bn、11Gp和11Wp分别与对应于各自颜色的信号线DTLr、DTLb、DTLg和DTLw连接，并共同连接到扫描线WSL和发光控制线DSL。换句话说，包括n沟道发光控制晶体管Tr3n的子像素11Rn和11Bn中的至少一个子像素和包括p沟道发光控制晶体管Tr3p的子像素11Gp和11Wp中的至少一个子像素共同连接到一个发光控制线DSL。

另一方面，在图9B所示的像素11-3中未图示发光控制线之外的线，包括n沟道发光控制晶体管Tr3n的子像素11Rn与信号线DTLr、扫描线WSL和发光控制线DSL连接。相似地，包括n沟道发光控制晶体管Tr3n的子像素11Bn与信号线DTLb、扫描线WSL和发光控制线DSL连接。包括n沟道发光控制晶体管Tr3n的子像素11Gn与信号线DTLg、扫描线WSL和发光控制线DSL连接。另一方面，包括p沟道发光控制晶体管Tr3p的子像素11Wp与信号线DTLw、扫描线WSL和发光控制线DSL连接。

即，子像素11Rn、11Bn、11Gp和11Wp分别与对应于各自颜色的信号线DTLr、DTLb、DTLg和DTLw连接，并共同连接到扫描线WSL和发光控制线DSL。换句话说，包括n沟道发光控制晶体管Tr3n的子像素11Rn、11Bn和11Gn中的至少一个子像素和包括p沟道发光控制晶体管Tr3p的至少一个子像素11Wp共同连接到一个发光控制线DSL。

即使在以这种方式配置的该变型中，也可以通过相同的操作获得与第一实施例相同的效果。即，可以在实现成本降低的情况下将发光时段调整成多个类型(两个类型)。

即使在该变型中，使用相同沟道类型的发光控制晶体管的组合也与第一实施例的情况相同。即，例如，期望在如下子像素中使用相同沟道类型(n沟道或p沟道)的发光控制晶体管，即，所述子像素所具有的有机EL元件是有机EL元件12R、12G、12B和12W(有机EL元件12W未图示)中具有比较相似的发光效率值的有机EL元件。具体地，例如，在分别对应于白色、红色和绿色的子像素11W、11R和11G中使用一种沟道类型的发光控制晶体管，在对应于蓝色的子像素11B中单独使用另一沟道类型的发光控制晶体管。而且，例如，在分别对应于红色、绿色和蓝色的子像素11R、11G和11B中使用一种沟道类型的发光控制晶体管，在对应于白色的子像素11W中单独使用另一沟道类型的发光控制晶体管。

或者，例如，期望在如下子像素中使用相同沟道类型(n沟道或p沟道)的发光控制晶体管，即，所述子像素特定于单个R、G、B和W颜色具有相对相似的视亮度因数(清晰度)值。具体地，例如，在分别对应于白色和绿色的子像素11W和11G中使用一种沟道类型的发光控制晶体管，在分别对应于红色和蓝色的子像素11R和11B中使用另一沟道类型的发光控制晶体管。

变型2

图10A和图10B分别示意表示根据变型2的像素(像素11n、11p、11n-1或11p-1)中发光控制线DSL(发光控制线DSLr、DSLb、DSLg和DSLw)与各子像素的连接结构。

在图10A中，在一个水平线上(例如，奇数线：第一水平线)的像素11n中选择性地设置使用n沟道发光控制晶体管Tr3n的子像素11Rn、11Bn和11Gn。另外，在另一个水平线上(例如，偶数线：第二水平线)的像素11p中选择性地设置使用p沟道发光控制晶体管Tr3p的子像素11Rp、11Bp和11Gp。单颜色子像素的多个(这里是三个)发光控制线DSLr、DSLb和DSLg分别共同连接到像素11n和11p。具体地，像素11n的子像素11Rn和像素11p的子像素11Rp共同连接到发光控制线DSLr。像素11n的子像素11Bn和像素11p的子像素11Bp共同连接到发光控制线DSLb。像素11n的子像素11Gn和像素11p的子像素11Gp共同连接到发光控制线DSLg。

在图10B中，在一个水平线上(例如，奇数线：第一水平线)的像素11n-1中选择性地设置使用n沟道发光控制晶体管Tr3n的子像素11Rn、11Bn、11Gn和11Wn。另外，在另一个水平线上(例如，偶数线：第二水平线)的像素11p-1中选择性地设置使用p沟道发光控制晶体管Tr3p的子像素11Rp、11Bp、11Gp和11Wp。单颜色子像素的多个(这里是四个)发光控制线DSLr、DSLb、DSLg和DSLw分别共同连接到像素11n-1和11p-1。具体地，像素11n-1的子像素11Rn和像素11p-1的子像素11Rp共同连接到发光控制线DSLr。像素11n-1的子像素11Bn和像素11p-1的子像素11Bp共同连接到发光控制线DSLb。像素11n-1的子像素11Gn和像素11p-1的子像素11Gp共同连接到发光控制线DSLg。像素11n-1的子像素11Wn和像素11p-1的子像素11Wp共同连接到发光控制线DSLw。

于是，与上文所述不同的是，在该变型中，未以对应于每个子像素的颜色的方式设置使用n沟道发光控制晶体管Tr3n的子像素和使用p沟道发光控制晶体管Tr3p的子像素，而是以对应于显示屏上的水平线(H线)的位置的方式选择性设置子像素，因此，未以对应于水平线的位置的方式分别设置用于调整发光时段的控制线，可以以对应于水平线的位置的方式将发光时段的时序变化成多个类型(两个类型)。因此，例如，当分别形成奇数场和偶数场图像时，可以在实现成本降低的情况下将发光时序调整成多个类型(两个类型)。

变型3

图11A和图11B示意表示根据变型3的像素(像素11n、11p、11n-1或11p-1)中发光控制线DSL与各子像素的连接结构。该变型对应于第一实施例或变型1与变型2的组合。

在图11A中，在一个水平线上(例如，奇数线：第一水平线)的像素11n中选择性地设置子像素11Rn、11Bn和11Gn。另外，在另一个水平线上(例如，偶数线：第二水平线)的像素11p中选择性地设置子像素11Rp、11Bp和11Gp。像素11n和11p共同连接到发光控制线DSL。具体地，像素11n的子像素11Rn、11Bn和11Gn和像素11p的子像素11Rp、11Bp和11Gp共同连接到发光控制线DSL。即，一个水平线上的像素11n中的所有子像素11Rn、11Bn和11Gn和另一水平线上的像素11p中的所有子像素11Rp、11Bp和11Gp共同连接到一个发光控制线DSL。

在图11B中，在一个水平线上(例如，奇数线：第一水平线)的像素11n-1中选择性地设置子像素11Rn、11Bn、11Gn和11Wn。另外，在另一个水平线上(例如，偶数线：第二水平线)的像素11p-1中选择性地设置子像素11Rp、11Bp、11Gp和11Wp。像素11n-1和11p-1共同连接到发光控制线DSL。具体地，像素11n-1的子像素11Rn、11Bn、11Gn和11Wn和像素11p-1的子像素11Rp、11Bp、11Gp和11Wp共同连接到发光控制线DSLr。即，一个水平线上的像素11n-1中的所有子像素11Rn、11Bn、11Gn和11Wn和另一水平线上的像素11p-1中的所有子像素11Rp、11Bp、11Gp和11Wp共同连接到一个发光控制线DSL。

于是，在该变型中，可获得与变型2相同的效果，除此之外，由于公共的发光控制线DSL连接至每个像素的所有子像素，所以可减少发光控制线的数目，于是进一步降低了成本。

其它变型

上文中结合第一实施例及其变型对本发明进行了说明，但本发明不限于第一实施例等，可以对其做出各种变型和修改。

例如，结合显示装置1是有源矩阵装置的情况对第一实施例等进行了说明，但用于有源矩阵驱动的像素电路14的结构不限于第一实施例等中的情况。即，必要时，可以将电容元件、晶体管等加入像素电路14n或14p，或者代替其中的元件。在这种情况下，根据像素电路14n或14p的变化，可以加入除扫描线驱动电路23、信号线驱动电路24和发光控制线驱动电路25之外的必要驱动电路。

结合时序发生电路22控制扫描线驱动电路23、信号线驱动电路24和发光控制线驱动电路25的驱动操作的情况对第一实施例等进行了说明，但其它电路也可以控制上述驱动操作。可通过硬件(电路)或软件(程序)对扫描线驱动电路23、信号线驱动电路24和发光控制线驱动电路25进行这类控制。

而且，结合写晶体管Tr1和驱动晶体管Tr2分别由n沟道晶体管(例如，n沟道MOS TFT)形成的情况对第一实施例等进行了说明，但这种情况是非限制性的。即，写晶体管Tr1和驱动晶体管Tr2可以分别由p沟道晶体管(例如，p沟道MOS TFT)形成。

另外，结合有机EL元件用作发光元件的示例的情况对第一实施例等进行了说明，但本发明不限于应用到这类情况，也可应用到使用诸如无机EL元件、FED和PDP之类的其它发光元件的情况。

3.第二实施例

图13A～图13C分别示意表示第二实施例中的每个像素11的内部结构和布线。

例如，如图13A所示，每个像素11配置有对应于红色(R)、蓝色(B)和绿色(G)三个基色的三个子像素11R、11B和11G。这里，子像素11R与信号线DTLr、扫描线WSL和发光控制线DSL1连接。子像素11B与信号线DTLb、扫描线WSL和发光控制线DSL1连接。子像素11G与信号线DTLg、扫描线WSL和发光控制线DSL2连接。

即，子像素11R、11B和11G分别与对应于各种颜色的信号线DTLr、DTLb、和DTLg连接，但共同连接到扫描线WSL。这里，两个子像素11R和11B共同连接到两个发光控制线DSL1和DSL2中的一个发光控制线DSL1，其余一个子像素11G与另一发光控制线DSL2连接。换句话说，在每个像素11中，两个发光控制线DSL1和DSL2中的一个发光控制线指定连接到每个子像素11R、11B和11G。三个子像素11R、11B和11G中的至少两个(这里，是两个)子像素11R和11B共同连接到两个发光控制线DSL1和DSL2中的至少一个发光控制线(这里，仅是一个发光控制线DSL1)。

图13B以简化的方式表示图13A所示的布线结构，为便于说明，仅示出信号线DTL、扫描线WSL和发光控制线DSL中的发光控制线DSL。在下文中，在表示类似布线结构的附图中，如同图13B，以简化方式(仅示出发光控制线DSL)表示布线结构，而基本上以与图13A相同的方式构造其它布线(信号线DTL和扫描线WSL)。

发光控制线DSL1和DSL2与每个像素11中的子像素11R、11B和11G的连接结构不限于图13A和图13B所示的连接结构，也可使用其它连接结构。即，如下情况是可以的，例如，如图13C所示，一个子像素11R与一个发光控制线DSL1连接，而其余两个子像素11B和11G与另一发光控制线DSL2连接。

然而，例如，期望如下子像素共同连接到发光控制线DSL1或DSL2，即，所述子像素所具有的有机EL元件是如下所述的发出各种颜色光的有机EL元件(有机EL元件12R、12G和12B)中具有比较相似的发光效率值的有机EL元件。具体地，例如，如图13B所示，对应于红色的子像素11R和对应于绿色的子像素11G共同连接到一个发光控制线，而另一发光控制线单独连接到对应于蓝色的子像素11B。在这种结构中，当以如下所述的方式控制每个子像素11R、11B和11G的发光时段时，可以对应于发光效率的值进行有效控制。

或者，例如，期望如下子像素共同连接到发光控制线DSL1或DSL2，即，所述子像素特定于单个R、G和B颜色具有相对相似的视亮度因数(清晰度)值。具体地，例如，即使在这种情况下，如图13B所示，对应于红色的子像素11R和对应于绿色的子像素11G共同连接到一个发光控制线，而另一发光控制线单独连接到对应于蓝色的子像素11B。在这种结构中，当以与上面相同的方式控制发光时段时，可以对应于视亮度因数(清晰度)的值进行有效控制。

图14表示每个子像素11R、11B和11G的内部结构(电路结构)的示例。在子像素11R、11G或11B中设置有机EL元件12R、12G或12B(单颜色发光元件)和像素电路14。在下文中，词语“有机EL元件12”适当地用作有机EL元件12R、12G和12B的通称。

像素电路14包括写(采样)晶体管Tr1(第一晶体管)、驱动晶体管Tr2(第二晶体管)、发光控制晶体管Tr3(第三晶体管)和电容元件Cs。即，像素电路14具有所谓的3Tr1C电路结构。写晶体管Tr1、驱动晶体管Tr2和发光控制晶体管Tr3分别由n沟道MOS(金属氧化物半导体)TFT形成。TFT的类型不特定限于此，例如，可以是反交错结构(所谓的底栅极型)或交错结构(所谓的顶栅极型)。

在像素电路14中，写晶体管Tr1的栅极连接到扫描线WSL，漏极连接到信号线DTL(DTLr、DTLg或DTLb)，源极连接到驱动晶体管Tr2的栅极和电容元件Cs的一端。发光控制晶体管Tr3的漏极连接到固定电压VDD，栅极连接到发光控制线DSL(DSL1或DSL2)，源极连接到驱动晶体管Tr2的漏极。驱动晶体管Tr2的源极连接到电容元件Cs的另一端和有机EL元件12的阳极，有机EL元件12的阴极设置成固定电位VSS(例如，地电位)。有机EL元件12的阴极用作各个有机EL元件12的公共电极，例如，在显示面板10的整个显示区域的上方连续形成为类似于板状电极。

特征部分的操作

接下来，将对照第一实施例的说明部分中所提到的比较示例1，详细说明第二实施例的显示装置1的特征部分的操作。

首先，众所周知，在有机EL显示装置中，有机EL元件的电流-电压(I-V)特性通常随着时间的流逝而劣化。在对有机EL元件进行电流驱动的像素电路(例如，图14所示的像素电路14)中，当有机EL元件的I-V特性随着时间变化而变化时，流入驱动晶体管(例如，图14所示的驱动晶体管Tr2)的电流值Id发生变化。因此，流入有机EL元件自身的电流值根据电流值Id的变化而变化，因此，改变了发光亮度。

而且，众所周知，在有机EL显示装置中，每个单颜色子像素的有机EL元件的这类劣化的速度通常各不相同。因此，例如，如同比较示例1，当像素11配置有对应于三种颜色的子像素11R、11B和11G时，在像素11中出现时间性颜色偏移，于是降低了显示图像的质量。

于是，例如每个单颜色子像素的劣化速度各不相同。出现这种现象的原因主要包括：每种颜色的有机EL元件(例如，图14所示的有机EL元件12R、12G或12B)的发光效率各不相同。对于另一原因，在包括比较示例1的相关技术的示例中，为了调整白平衡，将流入每个单颜色子像素(例如，子像素11Rn、11Bn和11Gn)的有机EL元件的电流的密度(电流密度)设置成各不相同。这是因为，与其它颜色的子像素相比，通常需要将对应于发光效率较低的有机EL元件的颜色的子像素中的电流密度设置成高，于是增加了劣化的速度。

因而，例如，提出了以下两种用于抑制由电流密度的这些差异所导致的时间性颜色偏移的方法。在第一种方法中，每个单颜色子像素11R、11B和11G的开口率各不相同，由此，不像上述那样使每种颜色的电流密度不同，均衡了颜色之间的劣化速度。在第二种方法中，每个像素11中的一种颜色设有多个子像素，由此，如同第一种方法，使每种颜色的电流密度相同，均衡了颜色之间的劣化速度。

然而，在第一种方法中，例如，当通过利用阴影掩模的蒸镀形成有机EL元件12时，需要对应于单种颜色的各种阴影掩模，以使每种颜色的开口率各不相同。因此，与各颜色之间的开口率保持恒定时的情况(各种颜色使用相同类型的阴影掩模)相比，增加了制造步骤的数目，于是增加了成本。

在第二种方法中，例如，当显示具有对应于像素宽度的宽度的白线时，由于一种颜色具有多个子像素，高分辨率图像的颜色可能是模糊的，或不均匀地显示。即，第二种方法降低了显示图像的质量。

因而，作为不同于上述方法的方法，在比较示例1中，可以调整控制脉冲的宽度(脉宽)(图4B)以调整每个子像素11R、11B和11G的发光时段的长度，以便均衡颜色之间的劣化速度。然而，在比较示例1中，前面所述的像素11中的三个子像素11R、11B和11G(图4A)共同连接到一个发光控制线DSL 101。因此，在比较示例1中，不可使用发光控制线DSL 101调整每个子像素11R、11B和11G的发光时段的长度。即，子像素11R、11B和11G必须以相同的时序进行发光(点亮)操作或非发光(熄灭)操作。

而且，即使在使用对比示例2的方法的情况下，每个像素的开口率的降低或线间间隙的减小导致了缺陷产品的增加等，因而难以实现总成本的降低。

第二实施例

相对比的是，在第二实施例的显示装置1中，首先，例如图13B和13C所示，与第一比较示例1不同的是，每个像素11设有多个发光控制线(这里是两个发光控制线DSL1和DSL2)。另外，在每个像素11中，发光控制线DSL1和DSL2中的一个发光控制线指定连接到对应于三种颜色的每个子像素11R、11B和11G。

因而，在第二实施例中，如同比较示例2，使每个子像素11R或11B的结构(例如，开口率或数量)和电流密度相同，可以均衡颜色之间的劣化速度。具体地，这两个发光控制线DSL1和DSL2可以用于将每个子像素11R或11B的发光时段调整成多个类型(两个类型)。即，使子像素11R或11B的结构或电流密度在颜色之间保持不变，可以抑制由每种颜色的劣化速度的差异所导致的时间性颜色偏移。

而且，与比较示例2不同的是，在第二实施例中，作为三个子像素11R、11B和11G一部分的至少两个(这里，是两个)子像素共同连接到这两个发光控制线DSL1和DSL2中的至少一个发光控制线。具体地，例如，在图13B中，两个子像素11R和11B共同连接到发光控制线DSL1。另外，例如，在图13C中，两个子像素11B和11G共同连接到发光控制线DSL2。

因而，与发光控制线DSLr、DSLb和DSLg分别连接到三个子像素11R、11B和11G的对比示例2相比，第二实施例使用较小数量的发光控制线。即，在这种情况下，在对比示例2中使用三个发光控制线DSLr、DSLb和DSLg，而第二实施例中使用两个发光控制线DSL1和DSL2。

在第二实施例中，使用两个发光控制线DSL1和DSL2对每个子像素11R、11B或11G的发光时段进行上述调整(控制)操作，具体如下。

即，例如，如图15中的(A)～(C)所示，发光控制线驱动电路25对施加到发光控制线DSL1和DSL2的每个控制脉冲的宽度进行调整。具体地，发光控制线驱动电路25以如下方式调整控制脉冲的宽度，即，与对应于发光效率相对低的有机EL元件12的颜色的子像素相比，对应于发光效率相对高的有机EL元件12的颜色的子像素的发光周期短。例如，这里，与连接到发光控制线DSL1的子像素(图13B中的子像素11R和11B和图13C中的子像素11R)相比，连接到发光控制线DSL2的子像素(图13B中的子像素11G和图13C中的子像素11B和11G)的发光时段短。图15中的(A)所示的垂直同步信号对应于例如图12所示的一个控制信号22A，示出1个V时段(1个垂直时段)。

然而，在图15所示的示例中，由于发光控制线DS1和DS2之间的H时段的起始时刻是相同的，所以图15中由发光时段(点亮时段)ΔT1所表示的仅发光控制线DSL1处于H状态的时段长。即，将三个子像素11R、11B和11G中的仅部分子像素处于发光状态时的发光时段ΔT1设置成连续长度。在这种情况下，在动态图像显示中，由于具有相对较短发光时间的子像素和具有相对较长发光时间的子像素之间存在较大的发光时间差异，可能在图像的周边出现发光时间相对较长的颜色的残余颜色。具体地，在高对比度颜色的边界上，与具有相对较短发光时间的子像素相比，具有相对较长发光时间的子像素的颜色可能是模糊的。

因而，在第二实施例中，期望调整施加到发光控制线DSL1和DSL2的每个控制脉冲的宽度，例如，如图16中的(A)～(C)所示。具体地，以如下方式调整每个控制脉冲的宽度，即，将发光时段设置成相对较长的子像素的发光时段设于在发光时段设置成相对较短的子像素的整个发光时段的期间及在该整个发光时段之前或之后。换句话说，以如下方式调整每个控制脉冲的宽度，即，发光时段设置成相对较短的子像素的整个发光时段包含在发光时段设置成相对较长的子像素的发光时段中。例如，这里，发光控制线DSL1的由H状态界定的发光时段设于在发光控制线DSL2的由H状态界定的整个发光时段的期间及该整个发光时段之前或之后。

因而，将三个子像素11R、11B和11G中仅部分处于发光状态的发光时段分成处于发光控制线DSL2的H时段(相对较短的发光时段)之前和之后的两个时段(发光时段ΔT21和ΔT22)。因而，由于与图15所示情况相比，减小了仅发光控制线DSL1连续处于H状态的时段，所以减少了动态图像显示中图像周边的残留颜色。在这种情况下，更加期望相对较长发光时段的中心时刻与相对较短发光时段的中心时刻重合，如图16中的时刻t21或t22所示。在这种设置下，最大地减小了仅发光控制线DSL1连续处于H状态的时段，于是进一步减少了动态图像显示中图像的周边的残留颜色。

而且，在第二实施例中，假定在如图16所示的情况下，期望将子像素的发光时段分割成相互分离的多个时段，以便进一步相对减小每个发光时段，例如，如图17中的(A)～(C)所示。具体地，这里，在相对较长的发光时段(发光控制线DSL1的H时段)中，将相对较短的发光时段(发光控制线DSL2的H时段)分割成两部分。因而，由于与图16所示的情况相比，进一步减小了仅发光控制线DSL1连续处于H状态的时段(发光时段ΔT31、ΔT32或ΔT33)，所以进一步减少动态图像显示中图像的周边的残留颜色。因此，将相对较短发光时段的分割数量设置成尽量大。

而且，在第二实施例中，期望发光控制线DSL1的H时段是连续的，例如，如图16和图17所示。在这种结构中，发光控制线DSL1的L时段也成为连续的。结果，可以确保发光控制线DSL1和DSL2均连续处于L状态的时段或任一子像素11R、11B和11G连续处于非发光状态的时段长。因此，可以减少残留图像，于是改善了动态图像特性。

在这种情况下，期望多个分割的发光时段的长度是均匀(相同)的，如图17所示的三个发光时段ΔT31、ΔT32和ΔT33。在这种设置中，最大地减小了仅发光控制线DSL1连续处于H状态的时段，于是进一步减少了动态图像显示中图像的周边的残留颜色。更优选地，在1个V时段中，发光控制线DSL1处于H状态的时段的时间轴中心与发光控制线DSL2处于H状态的时段的时间轴中心重合。

如在上文中，在第二实施例中，控制脉冲施加到连接到每个像素11的发光控制线DSL1和DSL2，由此，控制对应于各种颜色的三个子像素11R、11B和11G的发光操作和非发光操作，并且，这两个发光控制线DSL1和DSL2中的一个发光控制线指定连接到每个像素11中的每个子像素11R、11B和11G，因此，使子像素11R、11B和11G的结构或电流密度在各颜色之间保持不变，可以抑制由每种颜色的劣化速度差异所导致的时间性颜色偏移。而且，由于三个子像素11R、11B和11G中的两个子像素共同连接到这两个发光控制线DSL1和DSL2中的至少一个发光控制线，在使用较小数量的发光控制线的同时可以抑制这类时间性颜色偏移。因此，可以在实现成本降低的情况下改善图像质量。即使在具有至少三个发光控制线的结构中，也基于相同的构思有效地进行上文所述的每个子像素的发光时段的调整(控制)操作。

而且，可以实现由每个像素11的开口率的增加所导致的元件可靠性的改善、由发光控制线间的间隙的增加所导致的不良率的降低、以及由驱动电路20尺寸的减小而无效屏幕尺寸的减小所导致的设计的改善。除此之外，当外部集成电路用于驱动电路20时，由于输出数量的减小而可以实现尺寸和成本的降低。

而且，即使当减小每个像素11的开口率以降低外部光的反射时，也可延长每个子像素11R、11B和11G的发光时间，而不是增加了电流密度，使得可以获得一定亮度。即，可以同时实现降低外部光的反射和抑制元件劣化。

4.变型

接下来，将说明第二实施例的变型(变型1～变型4)。在这些变型中，如下面所描述，每个像素配置有对应于红色(R)、蓝色(B)、绿色(G)和白色(W)四种颜色的四个子像素(子像素11R、11B、11G和11W)。使用相同附图标记或符号表示与第二实施例的元件相同的元件，适当地省略说明。

变型1

图18A示意表示根据变型1的像素(像素11-1)中的发光控制线(发光控制线DSL1和DSL2)与子像素11R、11B、11G和11W的连接结构。

图18A中未图示发光控制线之外的线，但子像素11R与信号线DTLr、扫描线WSL和发光控制线DSL1连接。相似地，子像素11B与信号线DTLb、扫描线WSL和发光控制线DSL1连接。子像素11G与信号线DTLg、扫描线WSL和发光控制线DSL2连接。子像素11W与信号线DTLw、扫描线WSL和发光控制线DSL2连接。

即，子像素11R、11B、11G和11W分别与对应于各种颜色的信号线DTLr、DTLb、DTLg和DTLw连接，并共同连接到扫描线WSL。这里，两个子像素11R和11B共同连接到这两个发光控制线DSL1和DSL2中的发光控制线DSL1，而其余两个子像素11G和11W与另一发光控制线DSL2连接。换句话说，在每个像素11中，这两个发光控制线DSL1和DSL2中的一个发光控制线指定连接到每个子像素11R、11B、11G和11W。四个子像素11R、11B、11G和11W中的至少两个(这里，是两个)子像素共同连接到这两个发光控制线DSL1和DSL2中的至少一个发光控制线(这里，是发光控制线DSL1和DSL2两者)。

变型2

图18B示意表示根据变型2的像素11-1中的发光控制线DSL1、DSL2和DSL3与子像素11R、11B、11G和11W的连接结构。

即使在该变型中，子像素11R、11B、11G和11W也分别与对应于各种颜色的信号线DTLr、DTLb、DTLg和DTLw连接，并共同连接到扫描线WSL。另外，在该变型中，两个子像素11R和11B共同连接到这三个发光控制线DSL1、DSL2和DSL3中的发光控制线DSL1，一个子像素11G与发光控制线DSL2连接，一个子像素11W与发光控制线DSL3连接。

以此方式，连接到子像素11R、11B、11G和11W的发光控制线的数量不限于变型1中的数量2，可以是该变型中的数量3。而且，发光控制线DSL1、DSL2和DSL3与子像素11R、11B、11G和11W的连接结构不限于该变型中的结构，也可以使用其它连接结构。

变型3

图18C示意表示根据变型3的像素11-1中的发光控制线DSL1和DSL2与子像素11R、11B、11G和11W的连接结构。

即使在该变型中，子像素11R、11B、11G和11W也分别与对应于各种颜色的信号线DTLr、DTLb、DTLg和DTLw连接，并共同连接到扫描线WSL。另外，在该变型中，三个子像素11R、11B和11G共同连接到这两个发光控制线DSL1和DSL2中的一个发光控制线DSL1，而其余一个子像素11W与另一发光控制线DSL2连接。

以此方式，发光控制线DSL1和DSL2与子像素11R、11B、11G和11W的连接结构不限于变型1中所述的结构，也可以使用其它连接结构。

变型4

图18D示意表示根据变型4的像素11-1中发光控制线DSL1和DSL2与子像素11R、11B、11G和11W的连接结构。

即使在该变型中，子像素11R、11B、11G和11W也分别与对应于各种颜色的信号线DTLr、DTLb、DTLg和DTLw连接，并共同连接到扫描线WSL。然而，与变型1～变型3不同的是，在该变型中，在像素11-1的上部区域中布置两个子像素11R和11B，在下部区域中布置两个子像素11G和11W。上部的两个子像素11R和11B共同连接到这两个发光控制线DSL1和DSL2中的一个发光控制线DSL1，而下部的两个子像素11G和11W共同连接到另一个发光控制线DSL2。

于是，在该变型中，由于将沿着发光控制线DSL1和DSL2的延伸方向(图18D的左右方向)布置的子像素分组共同连接，所以可以简化发光控制线DSL1和DSL2的布线结构。以此方式，基于子像素之间的位置关系选择共同连接的子像素的组合，由此，可以简化发光控制线的布线结构，于是改善了产率或增加了开口率。

即使在变型1～变型4中，通过相同的操作，也可以获得与第二实施例相同的效果。即，可以在实现成本降低的情况下改善图像的质量。

即使在变型1～4变型中，共同连接到发光控制线的子像素的组合也可以与第二实施例的情况相同。即，例如，期望如下子像素共同连接到发光控制线，即，所述子像素所具有的有机EL元件是有机EL元件12R、12G、12B和12W(有机EL元件12W未图示)中具有比较相似的发光效率值的有机EL元件。具体地，例如，分别对应于白色、红色和绿色的子像素11W、11R和11G共同连接到一个发光控制线，而另一发光控制线单独连接到对应于蓝色的子像素11B。而且，例如，分别对应于红色、绿色和蓝色的子像素11R、11G和11B共同连接到一个发光控制线，而另一发光控制线单独连接到对应于白色的子像素11W。

或者，例如，期望如下子像素共同连接到发光控制线，即，所述子像素特定于单个R、G、B和W颜色具有相对相似的视亮度因数(清晰度)值。具体地，例如，分别对应于白色和绿色的子像素11W和11G共同连接到一个发光控制线，而分别对应于红色和蓝色的子像素11R和11B共同连接到另一发光控制线。

其它变型

上文中结合第二实施例及其变型对本发明进行了说明，但本发明不限于第二实施例等，可以对其做出各种变型和修改。

例如，假定多个子像素中的至少两个子像素共同连接到多个发光控制线中的至少一个发光控制线的情况下对第二实施例等进行了说明，例如，如图13A～图13C和图18A～18D所示，但这种情况不是限制性的。即，在不假定发光控制线的这类公共连接的情况下，也可以使用多个发光控制线对每个子像素的发光时段进行调整(控制)操作，例如，如图16或图17所示。

而且，结合显示装置1是有源矩阵装置的情况对第二实施例等进行了说明，但有源矩阵装置的像素电路14的结构不限于第二实施例等所描述的结构。即，像素电路14的结构不限于第二实施例等中所描述的3Tr1C电路结构，例如，必要时，可以将电容元件、晶体管等加入像素电路14，或者代替其中的元件。在这种情况下，根据像素电路14的变化，可以加入扫描线驱动电路23、信号线驱动电路24和发光控制线驱动电路25之外的必要驱动电路。

而且，结合时序发生电路22控制扫描线驱动电路23、信号线驱动电路24和发光控制线驱动电路25的驱动操作的情况对第二实施例等进行了说明，但其它电路也可以控制上述驱动操作。可通过硬件(电路)或软件(程序)对扫描线驱动电路23、信号线驱动电路24和发光控制线驱动电路25进行这类控制。

另外，结合写晶体管Tr1、驱动晶体管Tr2和发光控制晶体管Tr3分别由n沟道晶体管(例如，n沟道MOS TFT)形成的情况对第二实施例等进行了说明，但这种情况是非限制性的。即，写晶体管Tr1、驱动晶体管Tr2和发光控制晶体管Tr3也可以分别由p沟道晶体管(例如，p沟道MOS TFT)形成。

5.模块和应用示例

接下来，将说明实施例和变型中所描述的显示装置1的应用示例。可将实施例等的显示装置1应用到任何领域的电子装置，例如，电视装置、数码相机、笔记本个人电脑、诸如移动电话之类的移动终端或摄像机。换言之，显示装置1可应用到任何领域的基于外部输入或内部产生的视频信号显示静止或视频图像的电子装置。

模块

显示装置1可以以图19所示的模块的形式内置在诸如后面所述的应用示例1～应用示例5之类的各种电子装置中。在模块中，例如，在基板31的一侧设置从密封基板32露出的区域210，通过延伸驱动电路20的布线在暴露的区域210中形成外部连接端子(未图示)。外部连接端子可贴附有用于输入/输出信号的柔性印刷电路(FPC)220。

应用示例1

图20表示使用显示装置1的电视装置的外观。电视装置例如包括图像显示屏幕300，图像显示屏幕300包括前面板310和滤光玻璃320，图像显示屏幕300设有显示装置1。

应用示例2

图21A和图21B表示使用显示装置1的数码相机的外观。数码相机例如包括用于闪光的发光部410、显示器420、菜单开关430和快门按钮440。显示器420设有显示装置1。

应用示例3

图22表示使用显示装置1的笔记本个人计算机的外观。笔记本个人计算机例如包括主体510、用于输入字符等操作的键盘520和用于显示图像的显示器530。显示器530设有显示装置1。

应用示例4

图23表示使用显示装置1的摄像机的外观。摄像机包括例如主体610、设于主体610的前侧表面上的目标捕获镜头620、开始/停止摄像开关630和显示器640。显示器640设有显示装置1。

应用示例5

图24A～图24G表示使用显示装置1的移动电话的外观。例如，通过借助铰链730连接上盖710和下盖720来组装移动电话，移动电话包括显示器740、子显示器750、图片灯760和相机770。显示器740或子显示器750设有显示装置1。

本领域技术人员应当理解，依据设计要求和其它因素，可以在本发明所附的权利要求或其等同物的范围内进行各种修改、组合、次组合及改变。

Claims (20)

1.一种显示装置，其包括：

多个像素，每个像素包括多个单颜色子像素，每个单颜色子像素包括发单颜色光元件和发光控制晶体管；及

发光控制线，其连接到所述像素，

其中，所述单颜色子像素包括第一单颜色子像素和第二单颜色子像素中的一方，所述第一单颜色子像素包括第一导电类型的发光控制晶体管，所述第二单颜色子像素包括不同于所述第一导电类型的第二导电类型的发光控制晶体管，

所述第一单颜色子像素和第二单颜色子像素中的至少一方共同连接到一个发光控制线。

2.如权利要求1所述的显示装置，还包括：

发光控制线驱动电路，其将控制脉冲施加到所述发光控制线来控制所述发光控制晶体管的导通/截止状态，以控制所述发单颜色光元件的发光操作和非发光操作。

3.如权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第一导电类型的所述发光控制晶体管是n型晶体管，

所述第二导电类型的所述发光控制晶体管是p型晶体管。

4.如权利要求3所述的显示装置，其中，

在所述第一单颜色子像素中，

在每个所述控制脉冲的H时段期间，即高时段期间，所述第一导电类型的所述发光控制晶体管设置成为导通以进行所述发光操作，

在每个所述控制脉冲的L时段期间，即低时段期间，所述第一导电类型的所述发光控制晶体管设置成为截止以进行所述非发光操作，

在所述第二单颜色子像素中，

在每个所述控制脉冲的所述L时段期间，即低时段期间，所述第二导电类型的所述发光控制晶体管设置成为导通以进行所述发光操作，

在每个所述控制脉冲的所述H时段期间，即高时段期间，所述第二导电类型的所述发光控制晶体管设置成为截止以进行所述非发光操作。

5.如权利要求4所述的显示装置，还包括：

发光控制线驱动电路，其将控制脉冲施加到所述发光控制线来控制所述发光控制晶体管的导通/截止状态，以控制所述发单颜色光元件的发光操作和非发光操作，

其中，所述发光控制线驱动电路根据每个所述控制脉冲的所述H时段的长度控制所述第一单颜色子像素的发光时段的长度和所述第二单颜色子像素的非发光时段的长度，

所述发光控制线驱动电路根据每个所述控制脉冲的所述L时段的长度控制所述第一单颜色子像素的非发光时段的长度和所述第二单颜色子像素的发光时段的长度。

6.如权利要求5所述的显示装置，其中，

所述发光控制线驱动电路控制所述控制脉冲，使得每个所述控制脉冲在一个垂直时段内具有多个H时段和多个L时段。

7.如权利要求5所述的显示装置，其中，

所述发光控制线驱动电路控制所述控制脉冲，使得每个所述控制脉冲具有所述第一导电类型的所述发光控制晶体管和所述第二导电类型的所述发光控制晶体管均设置成截止的时段。

8.如权利要求5所述的显示装置，其中，

所述发光控制线驱动电路调整每个所述控制脉冲的所述H时段的长度和所述L时段的长度，使得与具有相对较低的发光效率的单颜色发光元件的单颜色子像素相比，具有相对较高的发光效率的单颜色发光元件的单颜色子像素的发光时段短。

9.如权利要求1所述的显示装置，其中，

在每个像素中，设有所述第一单颜色子像素和第二单颜色子像素，所有的单颜色子像素共同连接到一个发光控制线。

10.如权利要求9所述的显示装置，其中，

具有相对相近的发光效率值的发单颜色光元件的单颜色子像素一同设置作为所述第一单颜色子像素或第二单颜色子像素。

11.如权利要求9所述的显示装置，其中，

特定于各种颜色具有相对相近的视亮度因数值的单颜色子像素一同设置作为所述第一单颜色子像素或第二单颜色子像素。

12.如权利要求1所述的显示装置，其中，

第一水平线上的第一单颜色子像素和第二水平线上的第二单颜色子像素共同连接到一个或多个发光控制线，

其中，在所述第一水平线上的每个像素中仅选择性地设置所述第一单颜色子像素，在所述第二水平线上的每个像素中仅选择性地设置所述第二单颜色子像素。

13.如权利要求1所述的显示装置，其中，

每个像素设有对应于红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)三种颜色的三个单颜色子像素。

14.如权利要求1所述的显示装置，其中，

每个像素设有对应于红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)和白色(W)四种颜色的四个单颜色子像素。

15.一种电子装置，其包括：

显示装置，

其中，所述显示装置包括：

多个像素，每个像素包括多个单颜色子像素，每个单颜色子像素包括发单颜色光元件和发光控制晶体管；

发光控制线，其连接到所述像素；

发光控制线驱动电路，其将控制脉冲施加到所述发光控制线来控制所述发光控制晶体管的导通/截止状态，以控制所述发单颜色光元件的发光操作和非发光操作，

所述单颜色子像素包括第一单颜色子像素和第二单颜色子像素中的一方，所述第一单颜色子像素包括第一导电类型的发光控制晶体管，所述第二单颜色子像素包括不同于所述第一导电类型的第二导电类型的发光控制晶体管，

所述第一单颜色子像素和第二单颜色子像素中的至少一方共同连接到一个发光控制线。

16.一种显示装置，其包括：

多个像素；及

多个发光控制线，其连接到所述像素，

其中，每个像素具有多个单颜色子像素，每个单颜色子像素包括发单颜色光元件，

在每个像素中，

所述多个发光控制线中的一个发光控制线被指定连接到所述多个单颜色子像素，

作为所述多个单颜色子像素的一部分的至少两个单颜色子像素共同连接到所述多个发光控制线中的至少一个发光控制线。

17.如权利要求16所述的显示装置，还包括：

发光控制线驱动电路，其将控制脉冲施加到所述多个发光控制线，以控制所述发单颜色光元件的发光操作和非发光操作，

其中，根据每个所述控制脉冲的宽度控制所述多个单颜色子像素中每个的发光时段的长度和非发光时段的长度。

18.如权利要求17所述的显示装置，其中，

所述发光控制线驱动电路调整施加到所述发光控制线的每个控制脉冲的宽度，使得在发光时段设为相对较短的单颜色子像素的整个发光时段期间以及所述整个发光时段之前或之后设置发光时段设为相对较长的单颜色子像素的发光时段。

19.如权利要求18所述的显示装置，其中，

发光时段设置成相对较短的所述单颜色子像素的发光时段分成多个相互分离的时段。

20.如权利要求16所述的显示装置，在每个像素中还包括：

扫描线，所述多个单颜色子像素共同连接到该扫描线，

用于各颜色的多个信号线，这些信号线分别连接到所述多个单颜色子像素，及

所述显示装置还包括：

扫描线驱动电路，其将选择脉冲施加到所述扫描线以依次选择所述多个像素，及

信号线驱动电路，其将单颜色的视频信号电压分别施加到单颜色的所述多个信号线，以将视频信号写入由所述扫描线驱动电路选择的像素中的所述多个单颜色子像素中的每个单颜色子像素。

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