CN102047756A - 带滤光片有机el器件及其修理方法 - Google Patents

带滤光片有机el器件及其修理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102047756A
CN102047756A CN2009801138340A CN200980113834A CN102047756A CN 102047756 A CN102047756 A CN 102047756A CN 2009801138340 A CN2009801138340 A CN 2009801138340A CN 200980113834 A CN200980113834 A CN 200980113834A CN 102047756 A CN102047756 A CN 102047756A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
light
specific wavelength
absorbing film
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2009801138340A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102047756B (zh
Inventor
铃木规之
小松真介
中桥昭久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Design And Development Contract Society
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN102047756A publication Critical patent/CN102047756A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102047756B publication Critical patent/CN102047756B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/22—Absorbing filters
    • G02B5/23—Photochromic filters
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/861—Repairing

Abstract

提供一种带滤光片有机EL器件及其修理方法，能够使按滤光片类别在漏光的检测时的漏光的透过条件和用于修理的激光的透过条件之条件偏差减少。带滤光片有机EL器件具有：第一电极，其位于光向外部取出之侧；第二电极，其与所述第一电极对向配置；EL层，其配置在所述第一电极和所述第二电极之间；滤光片，其设置在所述第一电极的两面之中的与设有所述EL层的面相反侧的面上，且使400～700nm的范围外的特定波长范围的光透过；特定波长吸收膜，其配置在所述滤光片和所述EL层之间，且400～700nm的范围外的所述特定波长范围的光的透过率比400～700nm的波长的光的透过率低，并对所述特定波长范围的光进行吸收。

Description

带滤光片有机EL器件及其修理方法
技术领域
本发明涉及由有机EL(电致发光)元件构成的带滤光片有机EL器件及其修理方法。
背景技术
近年来，作为显示装置，有机EL显示器受到注目。有机EL显示器由具有低电压驱动、自发光、快速响应等特征的有机EL元件形成。因为该有机EL显示器为自发光型，所以在液晶显示器中所必需的背光源就不需要，可以实现制品的薄型化、低耗电化、低成本化等。
在此，简单说明有机EL显示器的构造。
图6是表示现有的有机EL显示器的结构的概略剖面图。在图6中，在玻璃基板1之上按照阳极2、EL层3、阴极4的顺序形成有各要素。EL层3包含：具有若供给施加电压或紫外光等外部能量就会发光的机能之有机化合物。而且，通过供给外部能量，会发出红色、绿色和蓝色的任何一种发光色。另外，除此以外，为了提高作为显示器的显色性，也有使用滤光片5的情况。如图6所示，有机EL显示器6构成。
接着，对于有机EL显示器6的发光进行说明。若在两个电极间(阳极2与阴极4之间)施加直流电压，则对EL层3供给空穴7和电子8。通过在EL层3内空穴7和电子8发生结合所产生的能量，而使EL层3中所含的有机化合物的电子被激发，所激发的电子变为基态时，向外部将能量作为光发出，由此EL层3发光。因此，为了进行EL层3的均匀的发光，需要将空穴7和电子8向EL层3均等地供给。
该阳极2和阴极4的间隔L为约1μm非常狭窄，成为微细的构造。因此，在电极(阳极2和阴极4)的厚度存在不均匀性时或有异物9夹在电极间时，在有机EL显示器6的制造过程中就会有EL层的膜厚变得不均匀之处产生。这时，EL层3的膜厚薄的部分电阻低，因此，通过空穴7和电子8被积极供给而成为漏电流，EL层3的发光变得不均匀，成为不均匀像素。
另外，在异物9较大时，由于异物9的卡入等，阳极2和阴极4完全导通(短路)、在EL层3中空穴7和电子8的结合不发生，而使EL层3不发光，成为不亮像素(以下称为暗点)。
若不均匀像素和暗点在有机EL显示器6内大量发生，则作为显示器的图像质量或显示品质显著降低，因此不能作为制品上市。因此，就需要发现不均匀发光像素和暗点并进行修理。作为其修理方法有如下方法：首先，将在对有机EL显示器施加反向偏压时发生的微弱的漏光检测出，其次，将其周边的电极烧毁。
关于这样的施加反向偏压所发生的微弱漏光经由彩色滤光片得以检测的情况，使用图7进行说明。
图7是现在的经由彩色滤光片进行微弱漏光检测的概念图。在图7中，由电源10对玻璃基板1上的阳极2和阴极4施加反向偏压时，从电流泄漏发生位置11发生漏光12。该漏光12通过彩色滤光片5后，由微弱光检测照相机13检测出。带滤光片5的有机EL显示器6的漏光的检测，针对经由红色、绿色、蓝色的各彩色滤光片的像素(以下称为红滤像素、绿滤像素、蓝滤像素)进行。
接着，详细阐述关于彩色滤光片的光透过(也称透射)特性。假设：对于红滤像素、绿滤像素、蓝滤像素来说，阳极、阴极、EL层、玻璃基板、电源分别相同。此外还假定：在施加同一反向偏压时，红滤像素、绿滤像素、蓝滤像素各自的电流泄漏发生位置的面积和漏光强度在各个像素中完全相同。这种情况下，因为红滤光片、绿滤光片、蓝滤光片中光的透过特性不同，所以通过各个滤光片的漏光中，其光强度和光谱也有所不同。
在此，以液晶用彩色滤光片为实例，说明红滤光片、绿滤光片、蓝滤光片的透过特性。
图8(a)是表示非专利文献1的トプテイカル(Toptical：彩色滤光片商标名称(托普特卡尔))的分光透过特性的图，图8(b)是表示非专利文献1的トプテイカル的CIE色度的图。另外，图9是表示非专利文献1的彩色滤光片用颜料分散型光阻剂的分光透过特性的图。
如图8(a)所示，显示器用的彩色滤光片，有关可透过的波长附近规格严密，而其以外的部分则特性各不相同。来自EL层的微弱发光由电流泄漏引起，因此如专利文献1所公开的，具有包含近红外线区域在内的光谱。因此，波长长的区域的特性很重要。若以图8(a)、(b)、图9中的最大波长700nm进行比较，图8(a)的トプテイカル中B(蓝色)比G(绿色)的透过率大，图9的彩色滤光片用颜料分散型光阻剂中，G(绿色)比B(蓝色)的透过率大。还有，均在波长700nm时R(红色)的透过率比G(绿色)和B(蓝色)的都要大。
此外，将以前述的方法所检测出的不良之处(不均匀像素、暗点)通过使用激光进行修理时，会受到来自彩色滤光片的分光透过特性的影响。这是由于，随着不良之处是红滤像素、绿滤像素、蓝滤像素的哪个，照射激光时的透过特性大不相同。例如，激光的波长为YAG二倍频(532nm)时，即使彩色滤光片的透过特性为图9的特性，G(绿色)也比R(红色)和B(蓝色)的透过率大。因此，若以图8(a)、(b)的特性进行说明，则通过绿色滤光片的激光的强度强，而通过红色滤光片的激光的强度和通过蓝色滤光片的激光的强度低。另外，绿色滤光片激光吸收量少，而红色滤光片和蓝色滤光片中激光吸收量大。
先行技术文献
专利文献
专利文献1：特开2006-323032号公报
非专利文献1“’94液晶显示器周边材料、化工原料的市场”，株式会社シ一エムシ一，1994年6月20日(第一版发行)。
但是，在前述现有方法中，红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片中光的透过特性不同，因此彩色滤光片按类别其漏光的强度和焦点不同，一并进行高速检查有困难。与此同时，按滤光片类别在修理所使用的激光的透过吸收量不同，彩色滤光片按类别修理难易度有变化。
发明内容
因此，本发明的目的在于，解决前述现有的课题，提供一种带滤光片有机EL器件及其修理方法，能够使按滤光片类别在漏光的检测时的漏光的透过条件和用于修理的激光的透过条件之条件偏差减少。
本发明的带滤光片有机EL器件，具有：
第一电极，其位于光向外部取出之侧；
第二电极，其与所述第一电极对向配置；
EL层，其配置在所述第一电极和所述第二电极之间；
滤光片，其设置在所述第一电极的两面之中的与设有所述EL层的面相反侧的面上，且使400～700nm的范围外的特定波长范围的光透过；
特定波长吸收膜，其配置在所述滤光片和所述EL层之间，且400～700nm的范围外的所述特定波长范围的光的透过率比400～700nm的波长的光的透过率低，并对所述特定波长范围的光进行吸收。
另外，本发明的带滤光片有机EL器件的修理方法中，该带滤光片有机EL器件具有：第一电极，其位于光向外部取出之侧；第二电极，其与所述第一电极对向配置；EL层，其配置在所述第一电极和所述第二电极之间；滤光片，其设置在所述第一电极的两面之中的与设有所述EL层的面相反侧的面上，且使400～700nm的范围外的特定波长范围的光透过；特定波长吸收膜，其配置在所述滤光片和所述EL层之间，且400～700nm的范围外的所述特定波长范围的光的透过率比400～700nm的波长的光的透过率低，并对所述特定波长范围的光进行吸收，其中，所述带滤光片有机EL器件的修理方法包括：
将向所述第一电极和所述第二电极之间施加电压从所述EL层发生的漏光的发生位置进行检测的步骤；
对于所检测出的所述漏光的发生位置，照射400～700nm的范围外的波长的、且在所述特定波长吸收膜比400～700nm的波长的光的透过率低的透过率的所述特定波长范围的激光，进行所述漏光的发生位置的修理的步骤。。
根据本发明，可以进行按彩色滤光片类别的影响小的漏光检测和激光修理加工。
附图说明
图1是表示实施方式1的有机EL显示器的结构的概略剖面图。
图2是实施方式1的有机EL显示器的修理装置的概略结构图。
图3是实施方式1的有机EL显示器的修理方法的流程图。
图4(a)是表示实施方式1中的特定波长范围为1000nm以上的彩色滤光片的透过特性的图，(b)是表示实施方式1中的特定波长范围为400nm以下的彩色滤光片的透过特性的图。
图5是实施方式1的RGB三像素的构造的概略剖面图。
图6是表示现有的有机EL显示器的结构的概略图。
图7是现有的经由彩色滤光片的微弱漏光检测的概念图。
图8(a)是表示非专利文献1的トプテイカル的分光透过特性的图，(b)是表示非专利文献1的トプテイカル的CIE色度的图。
图9是表示非专利文献1的彩色滤光片用颜料分散型光阻剂的分光透过特性的图。
具体实施方式
以下，一边参照附图，一边对于本发明的实施方式的有机EL器件及其修理方法进行说明。还有，在本发明的实施方式的说明中，对同一结构附加同一符号并省略说明。
(实施方式1)
<有机EL显示器>
图1是表示本发明的实施方式1的有机EL显示器的结构的概略剖面图。在图1中，该有机EL显示器在玻璃基板1之上，按以下顺序形成有如下各要素：作为透明电极的阳极2、EL层3、作为反射电极的阴极4。EL层3包含：具有若供给施加电压或紫外光等外部能量就会发光的机能的有机化合物。而且，EL层3中，通过供给外部能量，会发出红色、绿色和蓝色的任何一种发光色。除此以外，还具有为了提高作为显示器的显色性所使用的特定波长透过彩色滤光片14。此外，在特定波长透过彩色滤光片14和阴极4之间，具有特定波长吸收膜15。如此，本实施方式的有机EL显示器16得以构成。
在本实施方式1的有机EL显示器中，特定波长吸收膜15具有可见光(400～700nm)区域外的特定波长范围的透过率比可见光的波长(400～700nm)的透过率低的特性。另外，特定波长吸收膜使通过向阳极和阴极之间施加电压而从EL层发生的漏光透过。例如，因为漏光也波及波长700nm以上的范围，所以在检测波长700nm以上的范围的漏光时，需要特定波长吸收膜15具有使波长700nm以上的漏光透过的特性。由此，经由特定波长吸收膜15使漏光透过，能够检测不良之处。其后，对于检测出漏光的不良之处的特定波长吸收膜15照射可见光区域外的特定波长范围的激光，从而能够由特定波长吸收膜15吸收激光、在所加热的特定波长吸收膜15的周边进行修理。
前述各个结构，对应于本实施方式的有机EL显示器16所使用的红滤像素(R)、绿滤像素(G)、蓝滤像素(B)而存在三种。具体来说，对应于红滤像素(R)，存在阳极(红滤像素)2R、EL层(红滤像素)3R、阴极(红滤像素)4R、特定波长透过彩色滤光片(红滤像素)14R、特定波长吸收膜(红滤像素)15R。另外，对应于绿滤像素(G)，存在阳极(绿滤像素)2G、EL层(绿滤像素)3G、阴极(绿滤像素)4G、特定波长透过彩色滤光片(绿滤像素)14G、特定波长吸收膜(绿滤像素)15G。另外，对应于蓝滤像素(B)，存在阳极(蓝滤像素)2B、EL层(蓝滤像素)3B、阴极(蓝滤像素)4B、特定波长透过彩色滤光片(蓝滤像素)14B、特定波长吸收膜(蓝滤像素)15B。
在本实施方式1的有机EL显示器中，使用上述特定波长吸收膜15，可以进行按特定波长透过彩色滤光片14类别影响小的漏光检测和激光修理加工。
<修理装置>
接下来，运用图2和图3，对于图1的有机EL显示器的修理装置进行说明。还有，在此的有机EL显示器的修理中，包括不良之处的漏光检测和激光修理加工。
图2是实施方式1的有机EL显示器的修理装置的概略结构图。实施方式1的有机EL显示器的修理装置具有：移动机构17；电压施加手段18；波长700nm以上的光线检测手段19；可视区域外波长激光照射手段20。在图2中，带特定波长透过彩色滤光片的有机EL显示器16被载置在移动机构17上，在移动机构17上移动。通过电压施加手段18向有机EL显示器16施加电压。通过波长700nm以上的光线检测手段19检测波长700nm以上的光线。通过可视区域外波长激光照射手段20照射可见光的波长(400～700nm)以外的波长的激光。
图3是实施方式1的有机EL显示器的修理方法的流程图。
(a)在图3中，首先，从电压施加手段18对有机EL显示器16施加反向偏压(步骤S1)。
(b)其次，通过施加反向偏压而从有机显示器16发生的700nm以上的波长的漏光，由700nm以上波长光线检测手段进行检测(步骤S2)。
(c)接着，一边由移动机构17使有机EL显示器16移动，一边对于显示器全面进行步骤S2的漏光检查，进行用于查找漏光的发生位置(即不良之处)的检查。然后，在漏光的发生位置能够特定时，使用移动机构17使有机EL显示器16移动，使其漏光的发生位置重叠于可视区域外波长激光照射手段20的激光的光轴上(步骤S3)。
(d)接着，从可视区域外波长激光照射手段20向该漏光发生位置照射400～700nm的范围外的特定波长的激光，从而进行漏光的发生位置的修理(步骤S4)。
在本实施方式1的有机EL显示的器修理方法中，作为特定波长吸收膜15，所使用的具有如下特性：可见光(400～700nm)区域外的特定波长范围的透过率比可见光的波长(400～700nm)的透过率低。因此，通过照射可见光区域外的特定波长范围的激光，能够在特定波长吸收膜15中吸收激光，对于所加热的特定波长吸收膜15的周边进行修理。
这时，如果特定波长吸收膜15是吸收1000nm以上的特定波长范围的近红外线波长的光的膜，则修理用的激光的波长需要使用例如1064nm等近红外波长。另外，如果特定波长吸收膜15是吸收400nm以下的特定波长范围的紫外波长的光的膜，则需要使用例如355nm或266nm等的紫外波长。关于使用这些波长的理由后述。
还有，在此，三个颜色(红色、绿色、蓝色)的像素的特定波长吸收膜15的特性在700～1000nm的波长范围内一致时，通过使波长700nm以上的光线检测手段19的漏光检测的波长区域为700～1000nm的波长范围来代替700nm以上的范围，可以进行不因特定波长透过彩色滤光片14的色彩类别的差异被影响的漏光检测。另外，就下限值700nm而言，以特定波长透过彩色滤光片14应最低限度保证长波长侧的最短波长进行设定。还有，具有以下优点：波长700nm以上的光线检测手段19的检测波长区域越长，作为总量的漏光量也就越提高。但是，因为还有波长700nm以上的光线检测手段19的性能价格比、或与可视区域外波长激光照射手段20的波长的关系，所以实际的应用中，需要采用也包括检测时间在内考虑这些因素的平衡后的构成。例如，通过使低于700nm的波长吸收而降低的光学滤光片与灵敏度达到近红外线的CCD照相机的组合，能够在低成本下实现波长700nm以上的光线检测手段19。还有，就长波长侧灵敏度界限而言，通常的CCD照相机在近红外区域越是长波长其灵敏度越低，因此由CCD照相机的按波长的量子特性来决定。
<基于激光照射的修理方法>
在此，对于基于激光照射的修理方法进行说明。
修理时，在图1中，对准特定波长吸收膜15、阴极4、EL层3、阳极2的任意一个，从可视区域外波长激光照射手段20照射激光。这时，因为特定波长吸收膜15具备容易吸收所照射的激光的特性，所以特定波长范围的激光被特定波长吸收膜15吸收，特定波长吸收膜15放热。利用该热量，对阴极4(图案1)、或阴极4和EL层(图案2)、或阴极4和EL层3和阳极2(图案3)之任意一种组合进行加工。由此能够修理不良之处。
还有，通过按照仅加工前述的图案1～3、并且使其上下层不被加工的方式进行控制，从而能够进行更高精度的修理。为此期望适宜调整激光加工工序和制造装置的参数等、且使特定波长吸收膜15的厚度最佳化。另外，根据可视区域外波长激光照射手段20的激光的脉冲宽度、功率、波长、特定波长吸收膜15的加工特性等因素，特定波长吸收膜15的厚度的最佳值会有所不同，但是可视区域波长激光照射手段20的焦点深度能够作为厚度的一个基准使用。
在此，可视区域外波长照射手段20的聚光手段是显微镜用的物镜。物镜单体的焦点深度(也称焦深)，按照通常的公式：±(波长÷(2×物镜的数值孔径的平方))，在数值孔径为0.4的假设下，波长1064nm时为±3.3μm，波长355nm时为±1.1μm。也就是，在有机EL显示器16中，阳极2和阴极4的距离L约为1μm量级，就位数而言为相近的值。该阳极2和与阴极4的距离、与特定波长吸收膜15的厚度相加后的值，为前述的(图案3)的目标加工厚度，且以激光的焦点深度为基准、还考虑来自可视区域外波长激光照射手段20的激光的脉冲宽度、功率、波长、特定波长吸收膜15的加工特性等，保留相互关联而实现最佳化，从而能够进行更高精度的修理。
<关于特定波长吸收膜>
在此，对于特定波长吸收膜15进行详细地说明。首先，为了说明特定波长吸收膜15的特性，对于按波长的透过特性进行考察。
图4(a)是表示实施方式1的特定波长范围为1000nm以上的彩色滤光片的透过特性的图，(b)是表示实施方式1的特定波长范围为400nm以下的彩色滤光片的透过特性的图。
在图4(a)中，各条线表示近红外透过的红色滤光片透过波长特性21、近红外透过的绿色滤光片透过波长特性22、近红外透过的蓝色滤光片透过波长特性23、1000nm以上的特定波长吸收膜的透过波长特性24、1064nm的YAG基波25。另外，区域A是漏光检测波长域，区域B是修理激光照射波长域。
在图4(b)中，各条线表示近红外透过的红色滤光片透过波长特性26、近红外透过的绿色滤光片透过波长特性27、近红外透过的蓝色滤光片透过波长特性28、紫外波长的特定波长吸收膜的透过波长特性29、266nm的YAG四倍频30、355nm的YAG三倍频31。另外，区域C是漏光检测波长域，区域D是修理激光照射波长域。
作为本实施方式的特定波长吸收膜15，使用图4(a)所示的吸收1000nm以上的近红外线波长的膜。即，特定波长吸收膜(红滤像素)15R、特定波长吸收膜(绿滤像素)15G、特定波长吸收膜(蓝滤像素)15B中，使用吸收1000nm以上的近红外线波长的膜。
在本实施方式中，若关于从EL层(红滤像素)3R、EL层(绿滤像素)3G、EL层(蓝滤像素)3B在有不良像素时所发出的漏光进行考虑，则如图4(a)所示，700～1000nm的光在全部的颜色(红色、绿色、蓝色)中会透过特定波长透过彩色滤光片14、特定波长吸收膜15。如果在700～1000nm的波长区域按全部颜色透过率相同，则漏光的强度与光谱在全部的颜色中相同。
若在1000nm以上的波长区域考虑，则例如就1064nm的YAG基波25而言，如图4(a)所示，近红外透过的彩色滤光片透过波长特性21～23透过率高，但1000nm以上波长吸收膜的透过波长特性24(特定波长吸收膜15)的透过率低。
另一方面，运用图4(b)，对于特定波长吸收膜15是吸收400nm以下的紫外波长的膜的情况进行说明。
首先，在有不良之处的情况下检测从EL层3发出的漏光时，特定波长透过彩色滤光片14、特定波长吸收膜15，如图4(a)所示，700～1000nm的光在特定波长透过彩色滤光片14的全部类别均透过。如果在700～1000nm范围特定波长透过彩色滤光片14的全部类别透过率完全相同，则在700～1000nm的波长区域，漏光的强度与光谱就会相同。另外，在400nm以上的紫外波长区域，如图4(b)所示，例如关于YAG三倍频31和YAG四倍频30，在特定波长透过彩色滤光片14中透过率高，但在特定波长吸收膜15中透过率低。
在此，在特定波长透过彩色滤光片14、特定波长吸收膜15中，就“使特定波长的光透过”的定义进行说明。
运用图8和图9，对于实际的彩色滤光片的透过率进行阐述。参考特定波长透过彩色滤光片14应最低限度保证长波长侧的最短波长、即700nm的透过率。在此，红色(R)透过率高，绿色(G)和蓝色(B)透过率低。若读取图8(a)的曲线则可知绿色(G)、蓝色(B)在700nm的透过率均为10％以下；若读取图9的曲线则可知绿色(G)、蓝色(B)在700nm的透过率均为15％以下的程度。鉴于此，在特定波长透过彩色滤光片14和特定波长吸收膜15的透过率的积比15％低的情况下，透过率变低。
相对于此，在具有相对上述透过率拥有显著差异地超越的透过率时，定义为透过。例如，在700nm，如果特定波长透过彩色滤光片14G的透过率为50％，特定波长吸收膜15G的透过率为50％，则其乘积可为25％。若考虑也能将单体的透过率50％视为充分透过，则以透过率15％为基准，对于以两个滤光片之积计拥有显著差异地超越的透过率的值来说，“特定波长透过”这样的定义绝不会被认为是非现实的定义。就此而论，不用说图8和图9所示的彩色滤光片不适用该定义。此外出于后述的激光照射目的，在特定波长透过彩色滤光片14和特定波长吸收膜15的透过率低的波长区域，当然，取得透过率的乘积时的这一定义不适用。
<RGB3像素的构造>
在此，对于本实施方式的结构中的RGB三像素的构造进行补充。
图5是实施方式1的RGB三像素的构造的概略剖面图。如图5所示，RGB(红色、绿色、蓝色)分别具有前述的图1所示的构造。在此，例如关于隔壁等的构造，为了简略化而省略，但通过将图5所示这样的构造在显示器整个面构成，从而形成本实施方式的有机EL显示器16。
还有，在以上的说明中，作为有机EL器件的一例对于有机EL显示器进行说明，但本发明被认为可以适用于带滤光片的有机EL器件。例如认为也可以适用于由阴极、EL层、透明阳极、透明基板构成且具有彩色滤光片的带有机EL的照明。
还有，本实施方式的特定波长吸收膜15，能够通过在阴极4的特定波长透过彩色滤光片14侧进行涂布等方式来形成。
还有，虽然需要对于各种条件进行研究，但是也可以将本实施方式的特定波长吸收膜15设置在阴极4的EL层3侧。
还有，在本实施方式中，对于阳极2R、2G、2B和阴极4R、4G、4B分别附加符号进行了说明，但本发明也能够在阳极彼此、阴极彼此由一个结构形成的情况下使用。
还有，在本实施方式中，对于特定波长透过彩色滤光片14为红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的情况进行了说明，但其也可以是蓝绿色、品红色、黄色。另外，也可以并用两种以上的滤光片。
还有，在本实施方式中，特定波长吸收膜15中可见光以外的波长的透率比可见光的波长的透过率低，但是在可见光以外的波长区域，也能够使通过向阳极和阴极施加反向偏压所发生的漏光以外的透过率成为0。这种情况下，因为仅可见光和漏光透过，所以，存在有机EL显示器的显示品质降低的可能性，但是可以更高速地进行修理。
还有，在本实施方式中，施加反向偏压而使漏光发生，但施加正向偏压也能够使漏光发出。然而，这种情况下所施加的需要是：低至不使各色的EL膜进行本来颜色的发光的程度的正向偏压。
产业上的可利用性
根据本发明，可以进行按彩色滤光片类别的影响小的漏光检测、以及激光修理照射，因此能够适用于高速且高精度地检测有机EL膜不良并进行修理的情况。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.(修改后)一种带滤光片有机EL器件，其特征在于，具有：
第一电极，其位于光向外部取出之侧；
第二电极，其与所述第一电极对向配置；
EL层，其配置在所述第一电极和所述第二电极之间；
滤光片，其设置在所述第一电极的两面之中的与设有所述EL层的面相反侧的面上，且使400～700nm的范围外的特定波长范围的光透过；
特定波长吸收膜，其配置在所述滤光片和所述EL层之间，且400～700nm的范围外的所述特定波长范围的光的透过率比400～700nm的波长的光的透过率低，并对所述特定波长范围的光进行吸收，
并且，所述特定波长吸收膜是在所述第一电极的表面所涂布的膜。
2.根据权利要求1所述的带滤光片有机EL器件，其特征在于，将所述特定波长吸收膜设置在所述滤光片和所述第一电极之间。
3.根据权利要求1所述的带滤光片有机EL器件，其特征在于，将所述特定波长吸收膜设置在所述第一电极和所述EL层之间。
4.(删除)。
5.根据权利要求1所述的带滤光片有机EL器件，其特征在于，所述特定波长吸收膜使通过向所述第一电极和所述第二电极之间施加电压从所述EL层发生的漏光透过。
6.一种带滤光片有机EL器件的修理方法，该带滤光片有机EL器件具有：第一电极，其位于光向外部取出之侧；第二电极，其与所述第一电极对向配置；EL层，其配置在所述第一电极和所述第二电极之间；滤光片，其设置在所述第一电极的两面之中的与设有所述EL层的面相反侧的面上，且使400～700nm的范围外的特定波长范围的光透过；特定波长吸收膜，其配置在所述滤光片和所述EL层之间，且400～700nm的范围外的所述特定波长范围的光的透过率比400～700nm的波长的光的透过率低，并对所述特定波长范围的光进行吸收，其特征在于，
所述带滤光片有机EL器件的修理方法包括：
将向所述第一电极和所述第二电极之间施加电压从所述EL层发生的漏光的发生位置进行检测的步骤；
对于所检测出的所述漏光的发生位置，照射400～700nm的范围外的波长的、且在所述特定波长吸收膜比400～700nm的波长的光的透过率低的透过率的所述特定波长范围的激光，进行所述漏光的发生位置的修理的步骤。
7.根据权利要求6所述的带滤光片有机EL器件的修理方法，其特征在于，将所述特定波长吸收膜设置在所述滤光片和所述第一电极之间。
8.根据权利要求6所述的带滤光片有机EL器件的修理方法，其特征在于，将所述特定波长吸收膜设置在所述第一电极和所述EL层之间。
9.根据权利要求6所述的带滤光片有机EL器件的修理方法，其特征在于，所述特定波长吸收膜是在所述第一电极的表面所涂布的膜。
10.根据权利要求6所述的带滤光片有机EL器件的修理方法，其特征在于，所述特定波长吸收膜使通过向所述第一电极和所述第二电极之间施加电压所发生的漏光透过。

Claims (10)

1.一种带滤光片有机EL器件，其特征在于，具有：
第一电极，其位于光向外部取出之侧；
第二电极，其与所述第一电极对向配置；
EL层，其配置在所述第一电极和所述第二电极之间；
滤光片，其设置在所述第一电极的两面之中的与设有所述EL层的面相反侧的面上，且使400～700nm的范围外的特定波长范围的光透过；
特定波长吸收膜，其配置在所述滤光片和所述EL层之间，且400～700nm的范围外的所述特定波长范围的光的透过率比400～700nm的波长的光的透过率低，并对所述特定波长范围的光进行吸收。
2.根据权利要求1所述的带滤光片有机EL器件，其特征在于，将所述特定波长吸收膜设置在所述滤光片和所述第一电极之间。
3.根据权利要求1所述的带滤光片有机EL器件，其特征在于，将所述特定波长吸收膜设置在所述第一电极和所述EL层之间。
4.根据权利要求1所述的带滤光片有机EL器件，其特征在于，所述特定波长吸收膜是在所述第一电极的表面所涂布的膜。
5.根据权利要求1所述的带滤光片有机EL器件，其特征在于，所述特定波长吸收膜使通过向所述第一电极和所述第二电极之间施加电压从所述EL层发生的漏光透过。
6.一种带滤光片有机EL器件的修理方法，该带滤光片有机EL器件具有：第一电极，其位于光向外部取出之侧；第二电极，其与所述第一电极对向配置；EL层，其配置在所述第一电极和所述第二电极之间；滤光片，其设置在所述第一电极的两面之中的与设有所述EL层的面相反侧的面上，且使400～700nm的范围外的特定波长范围的光透过；特定波长吸收膜，其配置在所述滤光片和所述EL层之间，且400～700nm的范围外的所述特定波长范围的光的透过率比400～700nm的波长的光的透过率低，并对所述特定波长范围的光进行吸收，其特征在于，
所述带滤光片有机EL器件的修理方法包括：
将向所述第一电极和所述第二电极之间施加电压从所述EL层发生的漏光的发生位置进行检测的步骤；
对于所检测出的所述漏光的发生位置，照射400～700nm的范围外的波长的、且在所述特定波长吸收膜比400～700nm的波长的光的透过率低的透过率的所述特定波长范围的激光，进行所述漏光的发生位置的修理的步骤。
7.根据权利要求6所述的带滤光片有机EL器件的修理方法，其特征在于，将所述特定波长吸收膜设置在所述滤光片和所述第一电极之间。
8.根据权利要求6所述的带滤光片有机EL器件的修理方法，其特征在于，将所述特定波长吸收膜设置在所述第一电极和所述EL层之间。
9.根据权利要求6所述的带滤光片有机EL器件的修理方法，其特征在于，所述特定波长吸收膜是在所述第一电极的表面所涂布的膜。
10.根据权利要求6所述的带滤光片有机EL器件的修理方法，其特征在于，所述特定波长吸收膜使通过向所述第一电极和所述第二电极之间施加电压所发生的漏光透过。
CN200980113834.0A 2008-11-27 2009-11-25 带滤光片有机el器件及其修理方法 Active CN102047756B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008302079 2008-11-27
JP2008-302079 2008-11-27
PCT/JP2009/006351 WO2010061591A1 (ja) 2008-11-27 2009-11-25 フィルタ付有機ｅｌデバイス及びそのリペア方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102047756A true CN102047756A (zh) 2011-05-04
CN102047756B CN102047756B (zh) 2013-01-30

Family

ID=42225477

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200980113834.0A Active CN102047756B (zh) 2008-11-27 2009-11-25 带滤光片有机el器件及其修理方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8337267B2 (zh)
EP (1) EP2373122A4 (zh)
JP (1) JP5111617B2 (zh)
KR (1) KR101244474B1 (zh)
CN (1) CN102047756B (zh)
WO (1) WO2010061591A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104136922A (zh) * 2012-02-04 2014-11-05 细胞和分子平台中心（C-Camp） 一种微流体分析仪及其方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013138055A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Hitachi High-Technologies Corp 検査修正装置、検査修正方法およびファイバレーザ
CN109143631B (zh) * 2018-09-30 2020-11-20 惠科股份有限公司 修补方法及装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010043043A1 (en) * 2000-01-07 2001-11-22 Megumi Aoyama Organic electroluminescent display panel and organic electroluminescent device used therefor
JP2002260857A (ja) * 2000-12-28 2002-09-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法および薄膜形成装置
US6909111B2 (en) 2000-12-28 2005-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus
CN101336022A (zh) 2002-02-12 2008-12-31 出光兴产株式会社 有机el显示装置及其制造方法
US7233104B2 (en) * 2002-03-15 2007-06-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Color emission device
JP3877692B2 (ja) 2003-03-28 2007-02-07 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2005032576A (ja) 2003-07-04 2005-02-03 Fuji Electric Holdings Co Ltd 多色有機発光表示素子の修復方法および修復装置
US7057339B2 (en) * 2004-04-08 2006-06-06 Eastman Kodak Company OLED with color change media
JP2006323032A (ja) 2005-05-17 2006-11-30 Sony Corp フラットパネルディスプレイディバイスの欠陥画素リペア装置及びその欠陥画素リペア方法
JP2007103028A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP4899929B2 (ja) * 2007-02-28 2012-03-21 セイコーエプソン株式会社 表示装置
JP2008235177A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Sharp Corp 有機ｅｌディスプレイの製造方法及び有機ｅｌディスプレイ
KR101434361B1 (ko) * 2007-10-16 2014-08-26 삼성디스플레이 주식회사 백색 유기 전계 발광소자 및 이를 이용한 컬러 디스플레이장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104136922A (zh) * 2012-02-04 2014-11-05 细胞和分子平台中心（C-Camp） 一种微流体分析仪及其方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100117670A (ko) 2010-11-03
US8337267B2 (en) 2012-12-25
JPWO2010061591A1 (ja) 2012-04-26
US20110037377A1 (en) 2011-02-17
WO2010061591A1 (ja) 2010-06-03
EP2373122A4 (en) 2012-10-03
CN102047756B (zh) 2013-01-30
JP5111617B2 (ja) 2013-01-09
KR101244474B1 (ko) 2013-03-18
EP2373122A1 (en) 2011-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100879011B1 (ko) 표시장치의 휘점불량 수리방법
US9983438B2 (en) Display device
KR101775177B1 (ko) 유기 ｅｌ 소자의 제조 방법 및 레이저 초점 위치 설정 방법
US8928853B2 (en) Method and system for repairing flat panel display
CN102047756B (zh) 带滤光片有机el器件及其修理方法
US20100188603A1 (en) Liquid crystal display apparatus and manufacturing method thereof
KR20170037726A (ko) 액정 표시 장치 및 그 리페어 방법
JP6754557B2 (ja) 表示装置とその輝度欠陥修正方法
TW201403056A (zh) 顯示面板之製造方法、其檢查裝置及檢查方法
JP5141368B2 (ja) 有機ｅｌ素子検査リペア方法
JP6225524B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置用カラーフィルタ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置および有機エレクトロルミネッセンス表示装置用カラーフィルタの製造方法
JP2010176966A (ja) 有機ｅｌ表示パネルの検査及びリペア装置
TWI720093B (zh) 顯示裝置與其製造方法及製造裝置
TWI706559B (zh) 用於修復液晶顯示器中之熱像素缺陷之方法及設備
CN107121795B (zh) 显示装置及其制造方法和制造装置
WO2008156286A1 (en) Method of repairing flat pannel display
WO2008156280A1 (en) Method of repairing flat pannel display
US10656485B2 (en) Display device and method for manufacturing the same
WO2008156284A1 (en) Method of repairing flat pannel display
CN108107620B (zh) 显示装置及其制造方法
JP6709978B2 (ja) 表示装置
KR101753276B1 (ko) 레이저 리페어 장치 및 레이저 리페어 방법
KR20090126673A (ko) 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 리페어 방법
KR20070065618A (ko) 평판 디스플레이 패널의 리페어 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: JANPAN ORGANIC RATE DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO, LTD.

Effective date: 20150828

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20150828

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: JOLED Inc.

Address before: Osaka Japan

Patentee before: Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20231207

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Japan Display Design and Development Contract Society

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: JOLED Inc.

TR01 Transfer of patent right