CN101846635A - 一种超高真空多功能综合测试系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于微纳器件表面处理、表面修饰、原位表征的超高真空多功能综合测试系统，包括：第一超高真空室；第二超高真空室，该第二超高真空室与第一超高真空室真空密封连接；常压室，该常压室与第二超高真空室真空密封连接；以及一系统支架，该系统支架为一矩形框架；其中，该第一超高真空室、第二超高真空室和常压室固定于该系统支架，形成超高真空测试系统。利用本发明，实现了将微纳器件表面处理、表面修饰、原位机械性能表征和电学性能测试等功能的集成，避免了因处理后的样品表面在传递和测试过程中被再次污染而造成测试结果的严重偏差，为清晰准确地研究表面损失对器件机械及电学性能的影响提供了保证。
Description
技术领域
本发明涉及微纳器件技术领域，尤其涉及一种能够对微纳器件进行表面处理、表面修饰，并可进行原位机械及电学性能表征的超高真空多功能综合测试系统。
背景技术
小型化是如今器件发展的主要趋势。利用与集成电路相兼容的微机械系统(Micro Electromechanical System，MEMS)技术实现的微纳器件具有体积小、灵敏度高、集成度高、成本低和功耗小的独特优势，将成为未来信息领域中不可或缺的核心器件，因此，微纳器件在全世界范围受到广泛的关注和研究。
随着微纳器件的小型化，由于维度和尺度效应，器件的比表面积增加，表面效应增强，导致很多与器件尺度相关的新现象，例如，亚微米或纳米尺度谐振器件中，表面损失成为主要的机械能量损失源，品质因子因表面吸附而明显降低，吸附与去吸附噪音增大。这些现象阻碍了微纳器件在正常工作环境下的实际应用。澄清不同微纳器件中的表面损失机理，通过修饰表面原子层，钝化器件中活性较大的感应表面，最大程度减小表面损失，对保证微纳器件在正常工作环境下稳定工作至关重要。
减小表面损失的方法是对微纳器件进行表面处理，即在超高真空中(一般P＜10-8Pa)将微纳器件瞬间加热到高温，如硅基器件，需要加热到1000℃以上来去除表面的有机物、水和氧化硅吸附物等。另外，如果器件表面活性大，如硅基器件表面含有大量悬挂键，处理后的样品表面很容易会被再次污染。因此，需要在可控样品环境条件下，通过表面修饰来钝化器件表面。这种表面效应在亚微米或纳米尺度谐振器件中非常明显，表面损失成为决定器件品质因子的关键因素。
微纳尺度下材料和器件的表征手段研究是当今科学技术发展的一个关键技术瓶颈，其中微纳谐振器作为当前发展比较成功、同时又应用广泛的几个微纳器件之一，研究开发相关的表征手段更加重要和紧迫。但是，目前还没有微纳谐振器的频谱特性表征系统作为商业产品进行销售，国际上几个研究组，包括美国斯坦福大学、Michigan大学、加州大学SantaBarbara分校、Berkeley分校、日本东北大学等，都是在自行研制仪器设备的基础上进行实验工作，围绕微纳谐振器的能量损失机制等问题，展开了系统深入的研究，并通过适当的表面处理，使微纳谐振器的品质因子提高1-2个数量级[1-3]。
微纳谐振器件具有重要的学术和应用价值，亟待有针对性地发展相应的表征技术。研制一套针对微纳谐振器、具有样品表面处理和可控样品环境条件下的频谱特性表征系统，目前在国际上还没有先例。本发明的目的在于建立一套适用于微纳谐振器件宽频谱范围的频谱特性研究的表征系统，为制备高灵敏、高频/射频高品质因子的微纳谐振器件提供技术支撑。同时，这一测试系统还可用于其他种类微纳器件在不同工作环境下的机械性能、电学性能、可靠性和失效机理等的研究。
参考文献
1.J.L.Yang，T.Ono，and M.Esashi，Surface Effects and High QualityFactors in Ultrathin Single-crystal Silicon Cantilevers，Appl.Phys.Lett.77，3860(2000).
2.K.Y.Yasumura，T.D.Stowe，E.M.Chow，T.Pfafman，T.W.Kenny，B.C.Stipe，and D.Rugar，Quality Factors in Micro-and Submicron-thickCantilevers，J.Microelectromech.Syst.9，117(2000).
3.J.R.Clark，W.-H.Hsu，M.A.Abdelmoneum，and C.T.-C.Nguyen，High-Q UHF Micromechanical Radial-Contour Mode Disk Resonators，IEEEJ.Microelectromech.Syst.14，1298(2005).
发明内容
(一)要解决的技术问题
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种超高真空多功能综合测试系统，以实现将微纳器件表面处理、表面修饰、原位机械性能表征和电学性能测试等功能的集成。
(二)技术方案
为达到上述目的，本发明提供了一种用于微纳器件表面处理、表面修饰、原位表征的超高真空多功能综合测试系统，包括：
第一超高真空室3；
第二超高真空室2，该第二超高真空室2与第一超高真空室3真空密封连接；
常压室1，该常压室1与第二超高真空室2真空密封连接；以及
系统支架4，该系统支架4为一矩形框架；
其中，该第一超高真空室3、第二超高真空室2和常压室1固定于该系统支架4，形成超高真空测试系统。
上述方案中，所述第一超高真空室3，以第一超高真空腔室26为主体，腔室底部设置有三维样品操纵台27，可做三维线性运动，其上固定有样品架28；腔室侧壁设置有机械手29；腔室顶盖和侧壁上安装有观察窗(30、31、32)；腔室侧壁设置有探针臂38；腔室侧壁横向设置有离子泵钛升华泵组合35，用以维持腔室的真空度至1×10-8Pa。
上述方案中，所述第一超高真空腔室26，腔体由不锈钢制成，腔体法兰口为CF刀口法兰，腔体漏率指标为1×10-10Pa·L/s。
上述方案中，所述观察窗(30、31、32)，其上方的腔室外侧安装有光学探测系统7，用于获得样品的静态位移或动态运动速度以及形貌变化信息。
上述方案中，所述样品架28用于对样品进行直接加热，该样品架还可作为样品台用来承载待测样品。
上述方案中，所述探针臂38连接有探针，该探针与放置于样品台28上的器件接触，并通过探针臂38的同轴电缆接口与测试仪器形成电气连接，实现器件机械性能与电学性能测量的同步进行，实时监控。
上述方案中，所述机械手29，其长度可伸至传样杆9，将样品从其上取下插入样品架28。
上述方案中，所述第二超高真空室2，以第二超高真空腔室8为主体，腔室侧壁横向设置有传样杆9，其长度可将样品从第二超高真空室2传送至第一超高真空室3；侧壁法兰上安装有电学穿通件39；腔室顶盖和侧壁上安装有观察窗；腔室底部设置有干泵和分子泵组合，可维持腔室的真空度至1×10-6Pa。
上述方案中，所述第二超高真空腔室8，腔体由不锈钢制成，腔体法兰口为CF刀口法兰，腔体漏率指标为1×10-10Pa·L/s。
上述方案中，所述电学穿通件39，腔室外部的穿通件接口通过电缆与测试仪器及电学设备连接，腔室内部的穿通件接口接有真空电缆。
上述方案中，所述常压室1，其背面板上焊有连接管23，且常压室1箱体内温湿度和气氛可控。
上述方案中，所述连接管23通过闸板阀24与第二超高真空室2连接，该连接管23侧壁焊有波纹管与机械泵16连接，该连接管23侧壁焊有放气口，通过放气阀与常压室1箱体内空间连接。
上述方案中，所述系统支架4放置在通过深沟与外界相隔的水泥减震台上；支架内有一独立机箱柜5。
(三)有益效果
本发明提供的超高真空多功能综合测试系统，实现了将微纳器件表面处理、表面修饰、原位机械性能表征和电学性能测试等功能的集成，由于表面处理和测量同样是在超高真空环境下进行，避免了因处理后的样品表面在传递和测试过程中被再次污染而造成测试结果的严重偏差，从而为清晰准确地研究表面损失对器件机械及电学性能的影响提供了保证。
附图说明
图1是本发明立体结构示意图。
图2a是第一超高真空室的结构示意图，图2b为图2a的俯视图。
图3是第一超高真空室内部结构示意图。
图4是三维样品操纵台及安装在其上的样品加热架示意图。
图5a是第二超高真空室的结构示意图，图5b为图5a的俯视图。
图6是样品仓示意图。
图7是样品托的结构示意图。
图8是探针臂示意图。
其中：1为常压室，2为第二超高真空室，3为第一超高真空室，4为系统支架，5为独立机箱柜，6为支架台，7为激光多普勒测振仪，8为第二超高真空室腔体，9为传样杆，10为观察窗，11为盲法兰，12为盲法兰，13为离子规，14为热偶规，15为样品仓，16为干泵，17为分子泵，18为闸板阀，19为放气阀，20为连接法兰，21为观察窗，22为连接法兰，23为金属连接管，24为闸板阀，25为闸板阀，26为第一超高真空室腔体，27为三维样品操纵台，28为样品加热架，29为机械手，30为观察窗，31为观察窗，32为观察窗，33为盲法兰，34为离子规，35为离子泵钛升华泵组合泵，36为连接法兰，37为样品托，38为探针臂，39为电学穿通件，40为盲法兰，41为放气阀接口法兰。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
微纳尺度下材料和器件的表征手段研究是当今科学技术发展的一个关键技术瓶颈，其中微纳谐振器作为当前发展比较成功、同时又应用广泛的几个微纳器件之一，研究开发相关的表征手段更加重要和紧迫。但是，目前还没有微纳谐振器的共振特性表征系统作为商业产品进行销售，国际上几个研究组，包括美国斯坦福大学、Michigan大学、加州大学SantaBarbara分校、Berkeley分校、日本东北大学等，都是在自行研制仪器设备的基础上进行实验工作。
对于微纳谐振器，依据其振动信号采集方式，分为静电、电磁、压阻、光学等几种表征方法。前三种方法适用于任何频率范围，但要求谐振器分别带有金属层、电感线圈或压阻层。相比之下，光学方法适用于多种类型谐振器结构，而且，能够工作在真空、液体等特殊环境条件下。但是基于干涉原理的光学测量方法，为了获得足够强的干涉信号，光纤与谐振器表面的距离必须＜30μm，而且，光纤直径与微纳谐振器尺寸相差悬殊，使得对准和测量非常困难，且非常容易损坏光纤和谐振器；这种方法通常需要建立锁相回路，当待测频率高于1MHz时，锁相回路噪声增大，响应慢，测试困难。基于多普勒效应的激光多普勒振动仪系统，用光学方法准确地测量谐振器的速度和位移，操作简单、可靠、快速，而且对样品安全，可以表征各种结构的微纳谐振器的频谱特性，特别是对于高频谐振器，该系统具有明显的优势。但是，目前商业激光多普勒振动仪所能探测的最高频率是24MHz。
对于共振频率大于24MHz的高频和射频谐振器，其频谱特性测量变得越来越困难。到目前为止，国际上对于这些高频/射频微纳谐振器还没有有效的测量手段。针对高频/射频微纳谐振器表征的科研需求，我们建立了一套适用于微纳谐振器件表面处理、表面修饰、在宽频谱范围内原位频谱特性表征和测试的新型超高真空系统。
如图1所示，本发明包括：顺序真空密封连接的第一超高真空室3，第二超高真空室2和常压室1和用于固定系统整体的系统支架4。系统支架4为“L”型支架，该支架放置在通过深沟与外界相隔的水泥减震台上，支架4内有一独立机箱柜5，系统支架4表面焊接有“L”型支撑板，第二超高真空室2和第一超高真空室3安装在该支撑板上，高于“L”型支撑板还安装有一小支架台6，用于支撑激光多普勒测振仪7，常压室1直接放在同一个水泥减震台上并通过金属连接管23和闸板阀24与第二超高真空室2真空密闭相连，第二超高真空室2与第一超高真空室3之间通过闸板阀25真空密闭连接。
如图2a、图2b所示，第一超高真空室3以316或304不锈钢制成的第一超高真空腔室26为主体，该真空腔室26上设置有三维样品操纵台27、样品加热架28、机械手29、观察窗30、31、32、用于频谱特性测量的激光多普勒系统7、探针臂38、离子规34、离子泵钛升华泵组合泵35。
三维样品操纵台27设置在第一超高真空腔室26底部，可做三维线性运动，样品加热架28固定在三维样品操纵台27上，可对接受的样品进行直接加热处理，另外，该样品加热架28还可作为样品台用来承载待测样品进行后续表征、测试；机械手29横向设置在第一超高真空腔室26侧壁，用于将样品从传样杆9前端的样品仓15内取出再插入样品加热架28上进行处理。离子泵钛升华泵组合泵35横向设置在第一超高真空腔室26侧壁，用于在样品表面处理及测量过程中维持腔室的真空度至1×10-8Pa。第一超高真空腔室26上的法兰36用来连接第二超高真空室2，样品在第二超高真空室2和第一超高真空室3之间的传递要通过该法兰36。
观察窗30、31、32是分别安装在第一超高真空腔室26顶盖和侧壁上的玻璃窗，其中观察窗31法线与样品平面法线相交于被测样品上表面，方便样品传递和表面处理过程中的观察及控制；激光多普勒测振仪7安装于小支架台6上，其镜头位于第一超高真空腔室26顶盖观察窗30的正上方，用于对第一超高真空室3中样品台28上的样品进行观察和测试，其中激光多普勒测振仪7利用被测样品表面反射光的多普勒频移获取样品的机械性能。
探针臂38横向设置在所述第一超高真空腔室侧壁，放置于样品台28上的芯片级器件与探针卡或单个探针形成可靠的接触，并通过探针臂38腔室外部连接的同轴电缆接口与测试仪器形成电气连接，用于对微纳谐振器施加激励信号和检测谐振器的电学性能，通过激光多普勒测振仪7和探针臂38，微纳器件的机械性能与电学性能的测量可同步进行，实时监控。
图3是第一超高真空室3的内部结构剖面示意图。第一超高真空腔室26中的机械手29与第二超高真空腔室8中的传样杆9处在同一主水平轴上。当待测样品被传样杆9经闸板阀25由第二超高真空室2传入第一超高真空室3后，机械手29将样品从传样杆9前端的样品仓15内取出，然后插入三维样品操纵台27上的样品加热架28中除气并进行表面处理；处理后操作三维样品操纵台27将样品垂直升至接近第一超高真空腔室26顶盖观察窗30的下表面处，利用激光多普勒测振仪7对该微纳器件样品进行机械性能的表征。
图4是三维样品操纵台27及安装在其上的样品加热架28的示意图。样品加热架28安装在三维样品操纵台顶端，既可对接受的样品进行表面处理，又可以作为样品台承载被测样品。三维样品操纵台27安装在第一超高真空腔室26的底部，可做三维运动，同激光多普勒测振仪的显微镜头7配合可对样品台28上的样品的不同区域进行扫描测试。图6是样品仓15的示意图，该样品仓15安装在传样杆9的前端。如图所示，样品水平插入样品仓15内，可同时存放四个样品。
如图5a和图5b，第二超高真空室2以316或304不锈钢制成的圆柱状第二超高真空腔室8为主体，该第二超高真空腔室8上分别设置有传样杆9、观察窗10、21、电学穿通件39、真空泵系统16、17、接样板12、离子规13和热偶规14。
传样杆9为磁力杆，横向设置在第二超高真空腔室8侧壁并贯通于该真空腔室，用于第二超高真空室2和第一超高真空室3之间的样品传送，传样杆9前端安装有样品仓15，可以同时传递四个样品。真空泵系统由干泵16和分子泵17构成。分子泵17通过闸板阀18安装在第二超高真空腔室8的底部，分子泵17接有干泵16，构成整个系统的主泵和前级泵。放气阀19安装在第二超高真空腔室8的法兰41上，通过金属管连接常压室1，可实现对第二超高真空腔室8放气。这种设计使得充入第二超高真空室2的气体为常压室1内的可控惰性气体。第二超高真空腔室8顶盖和侧壁各安装有一观察窗10、21，在实验和样品的传递过程中需要通过观察窗从不同角度观察第二超高真空室2内的运行情况。
电学穿通件39是安装在第二超高真空腔室侧壁上的射频及直流电学穿通件法兰，法兰腔室外部的穿通件接口通过同轴电缆或普通电缆与测试仪器(如网络分析仪)或者电学驱动设备(如信号发生器)连接，法兰腔室内部的穿通件接口接有真空同轴电缆或者普通电缆，用于微纳器件的器件级电学测量。
第二超高真空腔室8上的法兰20用来连接第一超高真空室3，样品在第二超高真空室2和第一超高真空室3之间的传递要通过该法兰20。第二超高真空腔室8上的法兰22用来连接常压室1，样品在第二超高真空室2和常压室1之间的传递要通过该法兰22。当样品在常压室1中准备好后，通过放气阀19对第二超高真空室2内放气，等到第二超高真空室2与常压室1中的气压相等时，打开闸板阀24，将待测样品经过金属连接管23和法兰22放入传样杆9的前端样品仓15内，然后关闭闸板阀24，打开闸板阀18，开启干泵16进行预抽，待第二超高真空腔室8内气压降到分子泵17开启阈值后，再打开分子泵17将第二超高真空腔室8内气压抽到预定真空值。然后，打开闸板阀25，利用传样杆9将样品传入第一超高真空室3。
常压室1背面板上焊有一超高真空金属连接管23，并通过该金属连接管23和闸板阀24与所述第二超高真空室2真空密闭连接。常压室1箱体内温湿度和气氛可控，可对微纳器件在该箱体内进行不同环境下的测试，同时也可对需要在真空环境中测试的待测样品进行前处理和准备，准备好的样品经过金属连接管23和闸板阀24传入所述第一真空腔室。
以单晶硅悬臂梁的表面处理和测试为例阐述本发明的应用。首先，在常压室1内将准备好的待测样品固定在样品托37上，样品托的结构如图7所示，打开放气阀19对第二超高真空室2内进行放气，待第二超高真空室2与常压室1中的气压相等时，打开闸板阀24，将待测样品经过金属连接管23放入传样杆9前端的样品仓15内，然后关闭闸板阀24，打开闸板阀18，启动干泵16进行预抽，等到第二超高真空腔室8内气压降到分子泵17开启阈值后，再打开分子泵17将第二超高真空腔室8内气压抽到预定真空值。然后，打开闸板阀25，利用传样杆9将样品传入第一超高真空室3内。在第一超高真空室3内，利用机械手29将待测样品从样品仓15内取出，插入第一超高真空室3中的样品加热架28内，然后将传样杆9退回到第二超高真空室2中的原位置，再依次关闭闸板阀25、闸板阀18。最后关闭分子泵17和干泵16，这是为了避免其机械振动对后续测试产生影响。此时，第一超高真空室3内的气压由离子泵钛升华泵组合泵35维持在10-8Pa以下。利用样品加热架28对硅悬臂梁谐振器进行表面处理。
首先，在超高真空环境中，加热硅悬臂梁到600℃并持续30-60分钟，以去除悬臂梁表面吸附的有机杂质，硅片的去气使主真空腔内的真空度先降低再升高。然后，将硅悬臂梁瞬间加热到900～1000℃，重复三次，去除硅表面的自然氧化层，以获得洁净的硅表面。这一过程叫做“闪硅”，可获得Si(100)表面的2×1再构。表面处理结束后，待硅样品温度降至室温，利用三维样品操纵台27将硅悬臂梁(硅悬臂梁)谐振器传送至激光多普勒测振仪7的显微镜头下方，调整至合适位置后进行频谱特性测量。
与此同时，如图8所示，通过调整探针臂38的三维操纵台，可将放置于样品台28上的芯片级器件与探针臂38前端的探针卡或单个探针形成可靠的接触，并通过探针臂38腔室外部连接的同轴电缆接口与测试仪器形成电气连接，用于对微纳谐振器施加激励信号和检测谐振器的电学性能，通过激光多普勒测振仪7和探针臂38，对微纳器件的机械性能与电学性能进行同步测量，实时监控。
由于表面处理和测量同样是在超高真空环境下进行，避免了因处理后的样品表面在传递和测试过程中被再次污染而造成测试结果的严重偏差，从而为清晰准确地研究表面损失对器件机械及电学性能的影响提供了保证。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (13)
1.一种用于微纳器件表面处理、表面修饰、原位表征的超高真空多功能综合测试系统，其特征在于，包括：
第一超高真空室(3)；
第二超高真空室(2)，该第二超高真空室(2)与第一超高真空室(3)真空密封连接；
常压室(1)，该常压室(1)与第二超高真空室(2)真空密封连接；以及
系统支架(4)，该系统支架(4)为一矩形框架；
其中，该第一超高真空室(3)、第二超高真空室(2)和常压室(1)固定于该系统支架(4)，形成超高真空测试系统。
2.根据权利要求1所述的用于微纳器件表面处理、表面修饰、原位表征的超高真空多功能综合测试系统，其特征在于，所述第一超高真空室(3)，以第一超高真空腔室(26)为主体，腔室底部设置有三维样品操纵台(27)，可做三维线性运动，其上固定有样品架(28)；腔室侧壁设置有机械手(29)；腔室顶盖和侧壁上安装有观察窗(30、31、32)；腔室侧壁设置有探针臂(38)；腔室侧壁横向设置有离子泵钛升华泵组合(35)，用以维持腔室的真空度至1×10-8Pa。
3.根据权利要求2所述的用于微纳器件表面处理、表面修饰、原位表征的超高真空多功能综合测试系统，其特征在于，所述第一超高真空腔室(26)，腔体由不锈钢制成，腔体法兰口为CF刀口法兰，腔体漏率指标为1×10-10Pa·L/s。
4.根据权利要求2所述的用于微纳器件表面处理、表面修饰、原位表征的超高真空多功能综合测试系统，其特征在于，所述观察窗(30、31、32)，其上方的腔室外侧安装有光学探测系统(7)，用于获得样品的静态位移或动态运动速度以及形貌变化信息。
5.根据权利要求2所述的用于微纳器件表面处理、表面修饰、原位表征的超高真空多功能综合测试系统，其特征在于，所述样品架(28)用于对样品进行直接加热，该样品架还可作为样品台用来承载待测样品。
6.根据权利要求2所述的用于微纳器件表面处理、表面修饰、原位表征的超高真空多功能综合测试系统，其特征在于，所述探针臂(38)连接有探针，该探针与放置于样品台(28)上的器件接触，并通过探针臂(38)的同轴电缆接口与测试仪器形成电气连接，实现器件机械性能与电学性能测量的同步进行，实时监控。
7.根据权利要求2所述的用于微纳器件表面处理、表面修饰、原位表征的超高真空多功能综合测试系统，其特征在于，所述机械手(29)，其长度可伸至传样杆(9)，将样品从其上取下插入样品架(28)。
8.根据权利要求1所述的用于微纳器件表面处理、表面修饰、原位表征的超高真空多功能综合测试系统，其特征在于，所述第二超高真空室(2)，以第二超高真空腔室(8)为主体，腔室侧壁横向设置有传样杆(9)，其长度可将样品从第二超高真空室(2)传送至第一超高真空室(3)；侧壁法兰上安装有电学穿通件(39)；腔室顶盖和侧壁上安装有观察窗；腔室底部设置有干泵和分子泵组合，可维持腔室的真空度至1×10-6Pa。
9.根据权利要求8所述的用于微纳器件表面处理、表面修饰、原位表征的超高真空多功能综合测试系统，其特征在于，所述第二超高真空腔室(8)，腔体由不锈钢制成，腔体法兰口为CF刀口法兰，腔体漏率指标为1×10-10Pa·L/s。
10.根据权利要求8所述的用于微纳器件表面处理、表面修饰、原位表征的超高真空多功能综合测试系统，其特征在于，所述电学穿通件(39)，腔室外部的穿通件接口通过电缆与测试仪器及电学设备连接，腔室内部的穿通件接口接有真空电缆。
11.根据权利要求1所述的用于微纳器件表面处理、表面修饰、原位表征的超高真空多功能综合测试系统，其特征在于，所述常压室(1)，其背面板上焊有连接管(23)，且常压室(1)箱体内温湿度和气氛可控。
12.根据权利要求11所述的用于微纳器件表面处理、表面修饰、原位表征的超高真空多功能综合测试系统，其特征在于，所述连接管(23)通过闸板阀(24)与第二超高真空室(2)连接，该连接管(23)侧壁焊有波纹管与机械泵(16)连接，该连接管(23)侧壁焊有放气口，通过放气阀与常压室(1)箱体内空间连接。
13.根据权利要求1所述的用于微纳器件表面处理、表面修饰、原位表征的超高真空多功能综合测试系统，其特征在于，所述系统支架(4)放置在通过深沟与外界相隔的水泥减震台上；支架内有一独立机箱柜(5)。
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