CN101747643A - 电压敏感材料及其制备与应用 - Google Patents
电压敏感材料及其制备与应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101747643A CN101747643A CN200810204133A CN200810204133A CN101747643A CN 101747643 A CN101747643 A CN 101747643A CN 200810204133 A CN200810204133 A CN 200810204133A CN 200810204133 A CN200810204133 A CN 200810204133A CN 101747643 A CN101747643 A CN 101747643A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sensitive material
- voltage sensitive
- carbide
- voltage
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 8
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 5
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 claims description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims description 3
- 229920003987 resole Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- 229910021502 aluminium hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 2
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 claims description 2
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010907 mechanical stirring Methods 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 abstract 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- 235000019241 carbon black Nutrition 0.000 description 6
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021418 black silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000013101 initial test Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- YAIQCYZCSGLAAN-UHFFFAOYSA-N [Si+4].[O-2].[Al+3] Chemical compound [Si+4].[O-2].[Al+3] YAIQCYZCSGLAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 229920001688 coating polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
本发明提供了一种电压敏感材料，由包括下列组分及体积百分比的原料复合而成：有机高分子聚合物30％-70％；导电粒子2％-20％；半导体粒子10％-50％。这种电压敏感材料可以用来制备压敏元件。
Description
技术领域
本发明涉及高分子材料，具体涉及电压敏感材料及其制备与应用。
背景技术
功能高分子材料是目前材料科学研究的热点，具有电压敏感特性的高分子电压敏感材料便是其中的佼佼者，迄今学术界产业界都在踊跃地对它进行研究开发。所谓的高分子电压敏感材料通常由高分子聚合物、导电粒子、绝缘粒子和半导体粒子复合而成。所述的高分子聚合物可以是热塑性聚合物，如聚烯烃，聚偏氟乙烯，聚酰胺，聚酯等，也可以是热固性聚合物，如环氧树脂，有机硅树脂，酚醛树脂，聚酰亚胺树脂等。导电粒子可以是银，铜，镍，铝，石墨，炭黑等材料。绝缘粒子有氧化铝，二氧化硅，氧化镁等。半导体粒子有碳化硅，氧化锌等。这种复合高分子材料的电阻随两端电压变化而呈非线性变化，也就是说，当施加在其两端的电压小于某个特定电压值时，材料为绝缘体，电阻很大；当施加在其两端的电压大于这个特定电压值时，材料转变为导体，电阻很小。这个特定电压值，我们称之为触发电压。
集成电路(IC)技术的在电子领域得到越来越广泛的应用，但是这种半导体器件对外界影响敏感程度非常高，易于受到由外界静电冲击(ESD)引起的过电压损害。当集成电路(IC)受到高达数千伏的静电冲击时，将造成高达几十安培的瞬间放电尖峰电流。瞬间大电流会对IC造成严重损伤，从而导致整台电子设备的工作故障，带来重大经济损失。目前集成电路(IC)常用保护电路有箝位二极管，压敏电阻，稳压管，TVS二极管等。但是，由于ESD防护元件并联在电路中使用，这就要求其结电容要尽可能的小，尤其是对于高频线路中，较高的结电容会造成信号噪音，影响IC的正常工作。
使用高分子电压敏感材料制成的高分子ESD保护元件，是一种新的解决方案，特点是没有极性，安装简单，最主要的是结电容小，非常适合高频线路中应用。但是目前高分子电压敏感材料使用的导电粒子为镍和铝等金属材料，容易产生表面氧化，从而影响到复合材料的稳定性，造成触发电压的升高。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术存在的缺陷，提供一种抗氧化性能良好的高分子电压敏感材料。
本发明的电压敏感材料由包括下列组分及配比的原料复合而成：
有机高分子聚合物体积百分比为30％-70％；
导电粒子体积百分比为2％-20％；
半导体粒子体积百分比为10％-50％。
较佳的，本发明的电压敏感材料的原料还包括体积百分比为0.1-50％的绝缘粒子。
所述的高分子聚合物可以是热塑性聚合物，如聚烯烃，聚偏氟乙烯，聚酰胺，聚酯等，也可以是热固性聚合物，如环氧树脂，有机硅树脂，聚氨酯，酚醛树脂，聚酰亚胺树脂等。
所述的导电粒子为IV族金属氮化物，或者IV族金属碳化物，或者他们的混合物，优选碳化钛，氮化钛。导电粒子之所以选择IV族金属氮化物或碳化物，一方面是由于IV族金属氮化物和碳化物具有接近金属的导电性能，但是在空气中不会氧化，稳定性好；另一方面，研究发现，如果采用其他非金属导电物质如炭黑，石墨等，虽然也具有不易氧化的特性，但是由于其导电性较差，如果要想制得具有电压敏感性能的材料，需要填充量很大，造成这些材料的耐大电压能力很差，容易出现电弧，燃烧现象。
所述的绝缘粒子可选自氧化铝、氢氧化铝、二氧化硅、氧化镁或氢氧化镁中的一种或多种的混合。
所述的半导体粒子有碳化硅，氧化锌和氧化铋；也可以是钙，铌，钒，铁和钛的氧化物；铍，硼，钒的碳化物；锌，银，硅的硫化物；铟锑化物，硒，硼，碲，锗等。
本发明的电压敏感材料可采用下列方法制备：
按比例混合原料，机械搅拌均匀后得到高分子压敏材料浆料，固化后既得本发明的电压敏感材料。
本发明的电压敏感材料可以用来制备压敏元件，尤其适合制备线路过电压防护用电子元器件。
本发明进一步公开了一种过电压防护用电子元器件，为采用本发明的电压敏感材料制得。
本发明的电压敏感材料采用了IV族金属氮化物和碳化物代替已有技术方案中容易氧化的金属导电粒子，由于IV族金属氮化物和碳化物具有良好的导电性能，并且在空气中不会氧化。因此与现有技术相比，本发明的电压敏感材料具有更好的耐环境氧化性能。
附图说明
图1高分子电压敏感材料测试用电极板示意图，其中
1---绝缘基板
2---金属层
4---金属层上被蚀刻部分形成的缝隙
图2高分子电压敏感材料制成压敏元件示意图，其中
1---绝缘基板
2---金属层
3---高分子电压敏感材料
5---电极端头
具体实施方式
以下列举具体的实施方式对本发明进行进一步的阐述，应理解，实施例并非用于限制本发明的范围。
实施例1
表1 表中数字为体积百分比
| 编号 | 环氧树脂 | 白炭黑 | 碳化硅 | 碳化钛 | 氮化钛 |
| 1 | 48％ | 3％ | 40％ | - | 9％ |
| 2 | 52％ | 3％ | 40％ | 5％ | - |
| 3 | 51％ | 3％ | 40％ | 4％ | 2％ |
| 4 | 70％ | 6％ | 10％ | 14％ | - |
| 5 | 47.9％ | 0.1％ | 50％ | 2％ | - |
| 编号 | 环氧树脂 | 氧化铝 | 碳化硅 | 碳化钛 | 氮化钛 |
| 6 | 30％ | 50％ | 15％ | 5％ | - |
| 7 | 46％ | 22％ | 12％ | - | 20％ |
注：环氧树脂 HUITIAN 6308
白炭黑 CABOT，Cab-O-Sil
氧化铝 粒径45nm
碳化硅 Sain t-Gobain
碳化钛 粒径80nm
氮化钛 粒径40nm
表2表中数字为体积百分比
| 编号 | 环氧树脂 | 白炭黑 | 碳化硅 | 铝粉 |
| 8 | 40％ | 6％ | 45％ | 9％ |
注：环氧树脂 HUITIAN 6308
白炭黑 CABOT，Cab-O-Sil
碳化硅 Saint-Gobain
铝粉 粒径200nm
将表1中各组分按比例混合，用机械搅拌机连续搅拌20分钟，得到高分子压敏材料浆料。如附图1所示，取环氧树脂覆铜板，利用化学蚀刻的方法，在铜箔层蚀刻宽度0.1mm的狭缝。然后如图2所示，涂敷高分子压敏材料浆料在铜箔层上，要求狭缝内充满高分子压敏材料浆料。然后放在60℃烘箱中固化2个小时。然后在两端电极镀上金属镀层，即得压敏元件。
表2为对比试验配方，加工方式与上述相同。
将上述试样用静电枪8KV放电冲击测试，静电波形符合IEC61000-4-2标准，利用示波器采集数据，测试结果见表2.
测试结果表明：采用本发明方案的1，2，3，4，5，6，7号样品，在经过85℃/氧气压力0.3MPa环境放置42天后重复测试，与初始测试结果相比，触发电压与钳位电压变化很小，说明本发明的材料耐环境氧化性能良好。而采用铝粉作为导电粒子的对比组8号样品，在经过85℃/氧气压力0.3MPa环境放置42天后重复测试，触发电压比初始测试结果增加很多，说明其耐环境氧化性能很差。
Claims (12)
1.一种电压敏感材料，由包括下列组分及体积百分比的原料复合而成：
有机高分子聚合物 30％-70％；
导电粒子 2％-20％；
半导体粒子 10％-50％。
2.如权利要求1所述电压敏感材料，其特征在于，所述原料还包括体积百分比为0.1-50％的绝缘粒子。
3.如权利要求1或2所述电压敏感材料，其特征在于，所述有机高分子聚合物为热塑性聚合物或热固性聚合物。
4.如权利要求3所述电压敏感材料，其特征在于，所述热塑性聚合物选自聚烯烃、聚偏氟乙烯、聚酰胺或聚酯中的一种或多种的混合，所述热固性聚合物选自环氧树脂、有机硅树脂、聚氨酯、酚醛树脂或聚酰亚胺树脂中的一种或多种的混合。
5.如权利要求1或2所述电压敏感材料，其特征在于，所述导电粒子为IV族金属氮化物、IV族金属碳化物、或IV族金属氮化物与IV族金属碳化物的混合物。
6.如权利要求5所述电压敏感材料，其特征在于，所述IV族金属氮化物为氮化钛，所述IV族金属碳化物为碳化钛。
7.如权利要求2所述电压敏感材料，其特征在于，所述绝缘粒子选自氧化铝、氢氧化铝、二氧化硅、氧化镁或氢氧化镁中的一种或多种的混合。
8.如权利要求1或2所述电压敏感材料，其特征在于，所述半导体粒子选自碳化硅、氧化锌、氧化铋、钙的氧化物、铌的氧化物、钒的氧化物、铁的氧化物、钛的氧化物、铍的碳化物、硼的碳化物、钒的碳化物、锌的硫化物、银的硫化物、硅的硫化物、铟锑化物、硒、硼、碲或锗中的一种或多种的混合。
9.如权利要求1-8中任一权利要求所述电压敏感材料的制备方法，包括下列步骤：按比例混合原料，机械搅拌均匀后得到电压敏感材料浆料，固化后既得。
10.如权利要求1-8中任一权利要求所述电压敏感材料用于制备压敏元件。
11.如权利要求11所述电压敏感材料的应用，其特征在于，所述压敏元件为线路过电压防护用电子元器件。
12.一种过电压防护用电子元器件，其特征在于，所述过电压防护用电子元器件的电压敏感材料为权利要求1-8中任一权利要求所述的电压敏感材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2008102041335A CN101747643B (zh) | 2008-12-05 | 2008-12-05 | 电压敏感材料及其制备与应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2008102041335A CN101747643B (zh) | 2008-12-05 | 2008-12-05 | 电压敏感材料及其制备与应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101747643A true CN101747643A (zh) | 2010-06-23 |
| CN101747643B CN101747643B (zh) | 2012-01-11 |
Family
ID=42475284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008102041335A Active CN101747643B (zh) | 2008-12-05 | 2008-12-05 | 电压敏感材料及其制备与应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101747643B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103035623A (zh) * | 2012-12-03 | 2013-04-10 | Aem科技(苏州)股份有限公司 | 静电保护器及制作方法 |
| CN105440660A (zh) * | 2015-12-17 | 2016-03-30 | 东莞市旭旺塑胶科技有限公司 | 一种高效复合pa导散热材料及其制备方法和应用 |
| WO2020225524A1 (en) * | 2019-05-03 | 2020-11-12 | Cyril Hilsum | Force or pressure sensing composite material |
| CN114914042A (zh) * | 2022-05-07 | 2022-08-16 | 吉林昱丰电气科技有限公司 | 一种高能高残压比的非线性电阻片以及并联电路 |
-
2008
- 2008-12-05 CN CN2008102041335A patent/CN101747643B/zh active Active
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103035623A (zh) * | 2012-12-03 | 2013-04-10 | Aem科技(苏州)股份有限公司 | 静电保护器及制作方法 |
| CN103035623B (zh) * | 2012-12-03 | 2015-04-22 | Aem科技(苏州)股份有限公司 | 静电保护器及制作方法 |
| CN105440660A (zh) * | 2015-12-17 | 2016-03-30 | 东莞市旭旺塑胶科技有限公司 | 一种高效复合pa导散热材料及其制备方法和应用 |
| WO2020225524A1 (en) * | 2019-05-03 | 2020-11-12 | Cyril Hilsum | Force or pressure sensing composite material |
| JP2022534552A (ja) * | 2019-05-03 | 2022-08-02 | ヒルサム、シリル | 力又は圧力を感知する複合材料 |
| JP7348959B2 (ja) | 2019-05-03 | 2023-09-21 | ヒルサム、シリル | 力又は圧力を感知する複合材料 |
| CN114914042A (zh) * | 2022-05-07 | 2022-08-16 | 吉林昱丰电气科技有限公司 | 一种高能高残压比的非线性电阻片以及并联电路 |
| CN114914042B (zh) * | 2022-05-07 | 2024-02-02 | 吉林昱丰电气科技有限公司 | 一种高能高残压比的非线性电阻片以及并联电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101747643B (zh) | 2012-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8206614B2 (en) | Voltage switchable dielectric material having bonded particle constituents | |
| CN105551698A (zh) | 一种pptc电极浆料及其制备方法 | |
| JPH02503049A (ja) | 非線形材料及びそれを用いる過電圧保護素子 | |
| CN101747643B (zh) | 电压敏感材料及其制备与应用 | |
| SG187285A1 (en) | Voltage switchable dielectric material having high aspect ratio particles | |
| US10141090B2 (en) | Resin composition, paste for forming a varistor element, and varistor element | |
| JPH10116703A (ja) | 導電性重合体組成物及びｐｔｃ装置 | |
| WO2010041661A1 (ja) | 静電放電保護体 | |
| US20100065785A1 (en) | Voltage switchable dielectric material containing boron compound | |
| CN101763925A (zh) | 高分子ptc芯片及其应用 | |
| CN1275261C (zh) | 具有正温度系数的导电性聚合物和其用途 | |
| US20100187483A1 (en) | Voltage switchable dielectric composition using binder with enhanced electron mobility at high electric fields | |
| CN112840002A (zh) | 导电油墨组合物 | |
| KR20200088890A (ko) | 배리스터 형성용 수지 조성물 및 배리스터 | |
| Prem et al. | Properties of polydimethylsiloxane and magnetoactive polymers with electroconductive particles | |
| JP2017071707A (ja) | 液状熱伝導性樹脂組成物及び電子部品 | |
| CN1992266A (zh) | 半导体集成电路装置 | |
| TWI640570B (zh) | Polymer thermistor composite and polymer thermistor | |
| KR101994736B1 (ko) | 정전기 보호용 페이스트 및 이의 제조방법 | |
| US20140301002A1 (en) | Esd protection material and esd protection device using the same | |
| KR20090081588A (ko) | 바리스터 및 그 제조 방법 | |
| Yun et al. | Effect of silica on the non-linear electrical property of polymer composites | |
| WO2019220345A1 (en) | Electric field grading composition, methods of making the same, and composite articles including the same | |
| CN104464993A (zh) | 一种低温固化静电抑制器功能浆料的制备方法 | |
| US9948000B2 (en) | Antenna module |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Application publication date: 20100623 Assignee: SHANGHAI KETER POLYMER MATERIAL Co.,Ltd. Assignor: SHANGHAI SHENWO ELECTRONICS CO.,LTD. Contract record no.: 2012310000120 Denomination of invention: Voltage sensitive material, preparation and application thereof Granted publication date: 20120111 License type: Exclusive License Record date: 20120723 |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240307 Address after: Block A, Building 1, No. 180 Chengye Road, Sheshan Town, Songjiang District, Shanghai, February 2016 Patentee after: SHANGHAI KETER NEW MATERIALS CO.,LTD. Country or region after: China Patentee after: SHANGHAI SHENWO ELECTRONICS CO.,LTD. Address before: 201108, No. 1165, Lane 123, Jin Du Road, Shanghai, Minhang District Patentee before: SHANGHAI SHENWO ELECTRONICS CO.,LTD. Country or region before: China |
|
| TR01 | Transfer of patent right |