CN101671181B - 一种高硬度半透明氮化硅陶瓷的低温烧结方法 - Google Patents
一种高硬度半透明氮化硅陶瓷的低温烧结方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101671181B CN101671181B CN2009101143425A CN200910114342A CN101671181B CN 101671181 B CN101671181 B CN 101671181B CN 2009101143425 A CN2009101143425 A CN 2009101143425A CN 200910114342 A CN200910114342 A CN 200910114342A CN 101671181 B CN101671181 B CN 101671181B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon nitride
- hardness
- subtransparent
- sintering
- nitride ceramics
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
本发明涉及以氮化硅镁(MgSiN2)粉体作为烧结助剂低温热压烧结得到高硬度半透明氮化硅陶瓷的方法,属于非氧化物陶瓷制备领域。所述高硬度半透明氮化硅陶瓷的制备方法,包括以下步骤:1)以α-Si3N4和MgSiN2为起始原料,两者重量比例为100∶2~1;2)将上述步骤1)中含有烧结助剂的粉料混合均匀后,装入石墨模具中,在20~60MPa、1550℃~1600℃、保温时间0.5~2小时、氮气气氛保护条件下热压烧结,烧结结束后样品随炉冷却至室温。以本发明所述方法制得的高硬度半透明氮化硅陶瓷的红外透过率可达58%,显微硬度高于2200Kg/mm2。
Description
技术领域
本发明涉及半透明氮化硅陶瓷的制备方法,更确切的说是以氮化硅镁(MgSiN2)粉体作为烧结助剂热压烧结制备高硬度半透明氮化硅陶瓷的方法,属于非氧化物陶瓷制备领域。
背景技术
透明陶瓷一类重要的应用是作为结构部件被用于红外窗口、透明装甲、战术和战略导弹、航空航天飞机、无人战车等现代高尖端技术装备中,这些装备通常在高温、野外、太空、战场等十分恶劣的环境中使用,这就要求所用的透明材料同时具有良好的力学性能(强度、硬度、断裂韧性、抗雨滴沙石侵蚀能力等)、化学性能(耐酸碱腐蚀、耐海水侵蚀等)等以提高其可靠性和持久性。因此,研发具有优良力学性能的透明材料非常重要。
氮化硅(Si3N4)陶瓷作为一种典型的结构陶瓷,具有常温和高温下一系列优异的性能,如高强度、高硬度、高韧性、低热膨胀系数、耐热冲击性、耐磨损和耐腐蚀等,这些优良的性能使Si3N4陶瓷在航空航天、核能、电子、冶金、机械、化工等领域中有着广泛的应用。但是,一方面氮化硅属于六方晶系,存在双折射现象;另一方面,氮化硅陶瓷的烧结多数采用液相烧结,即需要添加一定量的烧结助剂,高温时烧结助剂与表层的二氧化硅及氮化硅反应生成氧氮化物液相促进烧结,烧成完成后形成非晶态的玻璃相形式或晶界析出相,存在于晶界或晶界三角区,晶界相造成光线的大量折射和散射,因此,一般方法制备的氮化硅陶瓷均是不透明的。
氮化硅存在α和β两种晶型。α-Si3N4的晶胞是由四个Si3N4分子,即28个原子按ABCDABCD结构堆积而成,其晶格常数a和c比较接近;β-Si3N4的晶胞是由两个Si3N4分子,即14个原子按ABAB结构堆积而成,其晶格常数a和c相差较大,所以,α-Si3N4的双折射效应要小于β-Si3N4,前者更有利于制备出透明陶瓷。另一方面,理论计算表明,α-Si3N4的显微硬度约为23GPa,β-Si3N4约为21GPa。因此,具有高α-Si3N4含量的氮化硅陶瓷是一种很有潜力的高硬度透明材料。
目前,已有少数几家研究机构制备出了半透明氮化硅陶瓷。如公开号为CN1736950A的中国发明专利,公开了一种以α-Si3N4为原料,Al2O3、MgO和Y2O3为烧结助剂,采用脉冲电流烧结的办法,在1750℃~1900℃保温0~15min的条件下,制备得到以α-Si3N4为主相,红外透过率在30%~45%的半透明氮化硅陶瓷。又如Sung R J等人采用α-Si3N4为原料,AlN和MgO为烧结助剂,在1900℃保温1小时的条件下,热压烧结制备了以α-Si3N4为主相的半透明氮化硅陶瓷(Sung R J,Kusunose T,Nakayama T,Kim Y H,Sekino T,Lee S,Niihara K,Mechanical properties of transparent polycrystallinesilicon nitride,Key Engineering Materials,2006,317-318:305-308.)。但上述制备方法所采用的烧结温度较高,存在能源耗费大,生产成本高的不足。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:针对现有技术中半透明氮化硅陶瓷制备温度偏高的问题,提出一种以极少量的氮化硅镁为烧结助剂,在1600℃以下的低温条件下热压烧结的方法。本发明所述方法从两方面保证了氮化硅陶瓷的透光和硬度性能,一方面在1600℃以下的温度保温较短时间可以确保原料中α-Si3N4尽可能不转变为β-Si3N4,这样可以使最终产品中α-Si3N4的含量较高,可以获得好的透光性和显微硬度;另一方面,以极少量的氮化硅镁为烧结助剂,使最终产品中晶界相的含量相当少,减少晶界相对光线的损失,减少硬度低的晶界相对产品显微硬度的负面影响,从而使得透光性和硬度得到保证。
本发明的技术方案:一种高硬度半透明氮化硅陶瓷的低温烧结方法,它包括以下步骤:
1)以α-Si3N4和MgSi N2为起始原料,两者重量比例为100∶2~1;
2)将上述步骤1)中含有烧结助剂的粉料混合均匀后,装入石墨模具中,在20~60MPa、1550℃~1600℃、保温时间0.5~2小时、氮气气氛保护条件下热压烧结,烧结结束后样品随炉冷却至室温。
上述方法中:
所述的α-Si3N4粉的α相含量>90wt%。
所述的MgSiN2粉体纯度>98wt%。
与现有技术相比,本发明高硬度半透明氮化硅陶瓷的低温烧结方法的优点在于:
1、以极少量的烧结助剂制备出高硬度半透明氮化硅陶瓷;
2、在较低的温度下制备出高硬度半透明氮化硅陶瓷,能源消耗低,生产成本低;
3、所制备的氮化硅陶瓷红外透过率可达58%,同时,显微硬度高于2200Kg/mm2。
附图说明
图1为本发明高硬度半透明氮化硅陶瓷制备方法的工艺流程图;
图2为本发明实施例1制得的氮化硅陶瓷实物照片。
具体实施方式
下面通过具体实施例,进一步阐明本发明的实质性特点和显著进步,但本发明绝非局限于实施例。
实施例1
将含有1.5wt%烧结助剂氮化硅镁的粉料(α-Si3N4与MgSiN2的重量比为100∶1.5)均匀混合后,将粉体装入石墨模具中,在20MPa、1600℃、保温时间1小时、氮气气氛保护条件下热压烧结,烧结结束后样品随炉冷却至室温。
由上述工艺制备的高硬度半透明氮化硅陶瓷红外透过率达58%,显微硬度HV达2300Kg/mm-2,三点抗折强度σb为856Mpa,断裂韧性KIC为5.5MPa·m1/2。所制得的实物如图2所示。
实施例2
将含有2wt%烧结助剂氮化硅镁的粉料(α-Si3N4与MgSiN2的重量比为100∶2)均匀混合后,将粉体装入石墨模具中,在40MPa,1570℃,保温时间1.5小时,氮气保护条件下热压烧结,烧结结束后样品随炉冷却至室温。
由上述工艺制备的高硬度半透明氮化硅陶瓷红外透过率达49%,显微硬度HV达2286Kg/mm-2,三点抗折强度σb为906Mpa,断裂韧性KIC为5.9MPa·m1/2。
实施例3
将含有2wt%烧结助剂氮化硅镁的粉料(α-Si3N4与MgSiN2的重量比为100∶2)均匀混合后,将粉体装入石墨模具中,在60MPa、1550℃、保温时间2小时、氮气气氛保护条件下热压烧结,烧结结束后样品随炉冷却至室温。
由上述工艺制备的高硬度半透明氮化硅陶瓷红外透过率达51%,显微硬度HV达2314Kg/mm-2,三点抗折强度σb为890Mpa,断裂韧性KIC为5.7MPa·m1/2。
实施例4
将含有1wt%烧结助剂氮化硅镁的粉料(α-Si3N4与MgSiN2的重量比为100∶1)均匀混合后,将粉体装入石墨模具中,在60MPa、1600℃、保温时间0.5小时、氮气保护条件下热压烧结,烧结结束后样品随炉冷却至室温。
由上述工艺制备的高硬度半透明氮化硅陶瓷红外透过率达53%,显微硬度HV达2346Kg/mm-2,三点抗折强度σb为792Mpa,断裂韧性KIC为5.0MPa·m1/2。
Claims (3)
1.一种高硬度半透明氮化硅陶瓷的低温烧结方法,其特征在于包括以下步骤:
1)以α-Si3N4和MgSiN2为起始原料,两者重量比例为100∶2~1;
2)将上述步骤1)中含有烧结助剂的粉料混合均匀后,装入石墨模具中,在20~60MPa、1550℃~1600℃、保温时间0.5~2小时、氮气气氛保护条件下热压烧结,烧结结束后样品随炉冷却至室温。
2.根据权利要求1所述的高硬度半透明氮化硅陶瓷的低温烧结方法,其特征在于:所述的α-Si3N4粉的α相含量>90wt%。
3.根据权利要求1或2所述的高硬度半透明氮化硅陶瓷的低温烧结方法,其特征在于:所述的MgSiN2粉体纯度>98wt%。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2009101143425A CN101671181B (zh) | 2009-08-29 | 2009-08-29 | 一种高硬度半透明氮化硅陶瓷的低温烧结方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2009101143425A CN101671181B (zh) | 2009-08-29 | 2009-08-29 | 一种高硬度半透明氮化硅陶瓷的低温烧结方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101671181A CN101671181A (zh) | 2010-03-17 |
CN101671181B true CN101671181B (zh) | 2012-01-04 |
Family
ID=42018637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2009101143425A Expired - Fee Related CN101671181B (zh) | 2009-08-29 | 2009-08-29 | 一种高硬度半透明氮化硅陶瓷的低温烧结方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101671181B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111362704A (zh) * | 2020-03-19 | 2020-07-03 | 西安澳秦新材料有限公司 | 一种高热导率氮化硅陶瓷及其制备方法 |
TWI772234B (zh) * | 2021-12-02 | 2022-07-21 | 財團法人工業技術研究院 | 透明氮化物 |
-
2009
- 2009-08-29 CN CN2009101143425A patent/CN101671181B/zh not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Gui-hua Peng et al..Fabrication of Hard and Strong a/b-Si3N4 Composites With MgSiN2 as Addivitives.《J. Am. Ceram. Soc.》.2006,第89卷(第12期),第3824-3826页. * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101671181A (zh) | 2010-03-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Fernández‐Carrión et al. | Thermal expansion of rare‐earth pyrosilicates | |
Hampshire | Silicon nitride ceramics–review of structure, processing and properties | |
CN101215173B (zh) | 一种ZrB2-SiC-ZrC复相陶瓷材料的制备方法 | |
CN102093058B (zh) | 一种α-SiAlON/BN 复合陶瓷材料及其制备方法 | |
Joshi et al. | Thermal and mechanical properties of hot pressed translucent Y2O3 doped Mg–α/β-Sialon ceramics | |
CN101565308B (zh) | 氮化硼纳米管增强的氮化硅陶瓷及其制备方法 | |
Meng et al. | Low temperature pressureless sintering of dense silicon nitride using BaO-Al2O3-SiO2 glass as sintering aid | |
Long et al. | Mechanical properties and microstructure of porous BN–SiO2–Si3N4 composite ceramics | |
CN101671181B (zh) | 一种高硬度半透明氮化硅陶瓷的低温烧结方法 | |
CN101215174A (zh) | 一种透明β-氮化硅陶瓷及其制备方法 | |
Yang et al. | Optical and mechanical properties of Mg-doped sialon composite with La2O3 as additive | |
Mandal et al. | Comparison of the effectiveness of rare-earth sintering additives on the high-temperature stability of α-sialon ceramics | |
CN111592354B (zh) | 一种高性能环保复合建筑陶瓷材料及其制备方法 | |
CN104211402A (zh) | 一种Ti2SnC陶瓷粉体材料的制备方法 | |
CN108117395A (zh) | 一种六方氮化硼-玻璃复合材料及其制备方法 | |
Wang et al. | Effect of AlN content on properties of hot-press sintered Sialon ceramics | |
CN110668825A (zh) | 一种热防护连接用复合陶瓷材料的制备方法 | |
Li et al. | Enhanced thermal conductivity and flexural strength of sintered reaction‐bonded silicon nitride with addition of (Y0. 96Eu0. 04) 2O3 | |
Xu et al. | Effect of nano-ZrO 2 on microstructure and thermal shock behaviour of Al 2 O 3/SiC composite ceramics used in solar thermal power | |
Bandyopadhyay | The in situ formation of Sialon composite phases | |
Ye et al. | High infrared transmission of Y3+–Yb3+-doped α-SiAlON | |
Ma et al. | Improved oxidation resistance properties of Si3N4/O′–SiAlON composite ceramics by a repeated sintering method | |
Sun et al. | Phase transformation in Ln-(α+ β)-sialon ceramics by heat treatment | |
CN109534782A (zh) | 一种复合多须晶的韧性日用陶瓷及其制备工艺 | |
Ye et al. | Self-reinforced Y-α-sialon ceramics with barium. aluminosilicate as an additive |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120104 Termination date: 20170829 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |