CN101620982A - 晶圆清洗方法和清洗装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种晶圆清洗方法,将第一溶剂输送进入清洗容器,清洗晶圆,再将第二溶剂输送进入清洗容器,清洗晶圆表面残留的第一溶剂。应用该清洗方法的清洗装置包括清洗容器,所述清洗容器上具有第一液体进入管路和第二液体进入管路。第一溶剂从第一液体进入管路载入清洗容器,第二溶剂从第二液体进入管路载入清洗容器。用第二溶剂清洗晶圆表面的第一溶剂,避免对晶圆有腐蚀作用第一溶剂与晶圆的长时间接触,从而避免因第一溶剂腐蚀晶圆而产生晶圆废片,提高晶圆清洗工艺的经济性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种用于清洗晶圆的方法和使用该方法的晶圆清洗装置。
背景技术
晶圆清洗对半导体工业的重要性很早即已引起人们的高度重视,这是由于晶圆表面的残留会严重影响后续制程生产过程中器件的性能、可靠性和成品率。
晶圆清洗可分为物理清洗和化学清洗,化学清洗又包括液相清洗和气相清洗等。其中,由于有较多的方案可供选用,价廉而安全,且选择性好,清洗能力高等诸多优势,液相清洗在清洗技术中一直占据主导地位。
关于晶圆清洗方法,中国专利申请第200510000354.3号公开一种化学液相清洗使用的晶圆清洗方法。该清洗过程的步骤包括:将被清洗的晶圆放入由H2SO4和H2O2混合形成的清洗剂中进行清洗;仅经过一次清洗无法对晶圆表面杂质进行有效清洗,因此经过上述清洗剂清洗完毕之后需要将晶圆放入缓冲氧化蚀刻剂(BOE)中进行再次清洗,以使晶圆表面的清洁程度达到后续制程的要求;然后用基于去离子水和氨溶液的清洗剂进行第三次清洗,即去除晶圆表面残留的清洗剂。通常在经过第三次清洗之后,还需要使用快排冲水(QDR)等方法将溶解清洗剂的溶剂去除,最后进入烘干工序将晶圆表面烘干。
关于晶圆清洗装置,中国专利申请第200410096239.X号公开一种进行晶圆清洗的装置,包括清洗容器、晶圆支持装置、一个液体入口、一个以上的喷嘴和一个液体出口。晶圆支撑装置固定于清洗容器内侧底部;与液体入口连的通喷嘴位于清洗容器内侧顶部且射流方向面向晶圆表面;用于排除清洗剂的液体出口位于清洗容器底部。
被清洗的晶圆,其表面残留的物质可以是光刻过程中旋涂的光刻胶。光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶,其中正性光刻胶可溶于碱性水溶液或特定的有机溶剂混合物。现有的使用液相法清除正性光刻胶的工艺中多采用碱性的溶剂作为清洗剂。由于碱性液体对晶圆表面也存在腐蚀作用,如果出现异常工况,晶圆在清洗容器中无法取出,则即使将碱性清洗剂排出清洗容器,晶圆表面的碱性清洗剂残留仍然会对晶圆产生不利影响,甚至会导致晶圆废片的产生。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种晶圆清洗装置和清洗方法,在清洗晶圆表面的过程中出现异常状况时,避免晶圆与清洗溶剂的长时间接触导致溶剂腐蚀晶圆,进而产生晶圆废片。
根据本发明的一个方面,一种晶圆清洗方法,将第一溶剂输送进入清洗容器,清洗晶圆,还包括将第二溶剂输送进入清洗容器,清洗晶圆表面残留的第一溶剂。
可选地,所述第一溶剂从第一液体进入管路载入清洗容器,所述第二溶剂从第二液体进入管路载入清洗容器。
可选地,在第二溶剂从第二液体进入管路输送进入清洗容器之前将第一溶剂通过第一液体排出管路排出清洗容器。
可选地,所述的第二溶剂经过加压后从清洗容器内装配的喷嘴喷入清洗容器,从对应的喷嘴喷出的第二溶剂射流交汇后在晶圆表面发散。
可选地,所述的第一溶剂用于清洗所述晶圆表面的光刻胶。
可选地,所述第一溶剂可溶于所述第二溶剂。
可选地,所述的第一溶剂为蚀刻后残留物去除液,所述的蚀刻后残留物去除液包含邻苯二酚成分,所述的第二溶剂为N-甲基-2-四氢吡咯酮。
根据本发明的另一个方面,应用上述晶圆清洗方法的晶圆清洗装置,包括清洗容器,所述的清洗容器上装配与清洗容器内部连通的第一液体进入管路,用于输送清洗晶圆的第一溶剂,所述的清洗容器上还装配与清洗容器连通的第二液体进入管路,用于输送清洗晶圆表面残留第一溶剂的第二溶剂。
可选地,所述清洗容器内还装配一个以上的喷嘴,所述喷嘴与第二液体进入管路连通。
可选地,所述的喷嘴一一对应地位于两条平行管路上,所述喷嘴的射流方向朝向或平行于晶圆表面,且对应喷嘴的射流线路相交,所述的两条平行管路对称地位于所述清洗容器底面相对的两侧边。
可选地,还包括液体增压系统,所述液体增压系统的出口与第二液体进入管路连通。
可选地,所述喷嘴与第二液体进入管路连通。
可选地,所述第一液体进入管路与所述第二液体进入管路通过共用液体总入口与清洗容器连通,所述液体总入口位于所述清洗容器顶面。
可选地,所述的清洗容器上还装配用于排出第一溶剂的第一液体排出管路和用于排出第二溶剂的第二液体排出管路。
可选地,所述第一液体排出管路与所述第二液体排出管路通过共用液体总出口与清洗容器连通,所述液体总出口位于所述清洗容器底面。
可选地,还包括四个液体储罐,所述的第一液体进入管路与装载第一溶剂的第一液体储罐连通;所述的第二液体进入管路与装载第二溶剂的第二液体储罐连通;所述的第一液体排出管路与装载完成清洗后被排出清洗容器的第一溶剂的第三液体储罐连通;所述的第二液体排出管路与装载完成清洗后被排出清洗容器的第二溶剂的第四液体储罐连通。
按照本发明,一种晶圆清洗方法,该方法中包含将第二溶剂从第二液体进入管路输送清洗容器中,以及用所述第二溶剂清洗晶圆表面的第一溶剂的步骤。用第二溶剂清洗晶圆表面的第一溶剂,避免对晶圆有腐蚀作用第一溶剂与晶圆的长时间接触,从而避免因第一溶剂腐蚀晶圆而产生晶圆废片,提高晶圆清洗工艺的经济性。
另外,使用出口与第二液体进入管路连通的增压系统对第二溶剂加压,经过加压的第二溶剂从清洗容器内装配的喷嘴喷入清洗容器,从对应的喷嘴喷出的第二溶剂射流在清洗容器底面交汇后向上流动并在晶圆表面发散,可以提高晶圆表面液体流动的均匀性,不出现流动死区,提高清洗效率。
此外,采用可溶解第一溶剂的第二溶剂,在清洗晶圆表面残留的第一溶剂时可以提高效率。
根据本发明的另一方面,一种晶圆清洗装置,包括清洗容器,清洗容器上还装配第二液体进入管路,用于输送清洗晶圆表面的第一溶剂的第二溶剂。提供第二溶剂进入清洗容器的通道,使得第二溶剂可以从该通道进入并清洗晶圆表面残留的第一溶剂,能够避免第一溶剂长时间与晶圆接触而腐蚀晶圆,进而提高晶圆清洗工艺的经济性和异常工况下的工艺适应性。
此外,第一液体进入管路与第二液体进入管路连通至清洗容器的同一总入口,可以方便的选择进入容器的液体种类,由于只使用一个阀门控制两种液体入口,在工业过程中更便于控制。
在本发明的一个实施例中,清洗容器内还装配一个以上的喷嘴,并与第二液体进入管路连通,一液体增压系统,该系统的出口与第二液体进入管路连通。这样的设置可以提高进入清洗容器的液体流速,增加液体扰动,提高清洗效率。
另外,所述的喷嘴一一对应地位于两条平行管路上,所述喷嘴的射流方向朝向或平行于晶圆表面,且对应喷嘴的射流线路相交,所述的两条平行管路对称地位于所述清洗容器底面相对的两侧边。这种喷嘴设置可以使液体在晶圆表面形成均匀的流动,提高清洗效率。
此外,在清洗容器上装配用于排出完成清洗的第二溶剂的第二液体排出管路,可以使两种溶剂分别从两个管路排出,避免的溶剂的混杂,便于溶剂的回收利用。
在本发明的一个实施例中,另外装配四个液体储罐,其中第一液体进入管路与装载第一溶剂的第一液体储罐连通;第二液体进入管路与装载第二溶剂的第二液体储罐连通;第一液体排出管路与装载被排出的第一溶剂的第三液体储罐连通;所述的第二液体排出管路与装载被的第二溶剂的第四液体储罐连通,便于在工业生产中的批量操作,增加清洗能力。
附图说明
图1为本发明实施例1晶圆清洗工艺流程图;
图2为本发明实施例1晶圆清洗工艺另一流程图;
图3为本发明实施例1清洗溶剂的流动示意图;
图4为本发明实施例2晶圆清洗装置示意图;
图5为本发明实施例2入口三通管路示意图;
图6为本发明实施例2出口三通管路示意图;
图7为本发明实施例2晶圆清洗装置外加储罐示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
实施例1
如图1所示,本方法包括步骤S1将第一溶剂从第一液体进入管路输入清洗容器,步骤S2用所述第一溶剂清洗晶圆,步骤S4将第二溶剂从第二液体进入管路输入清洗容器中,步骤S5用所述第二溶剂清洗晶圆表面的第一溶剂。在出现故障,晶圆无法从清洗容器中取出时,用第二溶剂清洗晶圆表面的第一溶剂,避免对晶圆有腐蚀作用第一溶剂与晶圆的长时间接触,从而避免因第一溶剂腐蚀晶圆而产生晶圆废片,提高晶圆清洗工艺的经济性。
为能将第一溶剂从晶圆表面完全清除,一种优选的方案是第二溶剂可以溶解第一溶剂。这样能使第二溶剂输入清洗容器后,容器内仍然是均一的单相液体。这样,在排出完成清洗的第二溶剂时,第一溶剂能够较好的从晶圆表面清除掉。如果第一溶剂在第二溶剂中的溶解度小或完全不可溶,则输入第二溶剂之后,第一溶剂与第二溶剂容易产生分相,再加上表面张力的作用,会使得第一溶剂较难完全从晶圆表面清除,需要加入外力振荡使得第一溶剂乳化后被第二溶剂带出。用可以溶解第一溶剂的第二溶剂来清洗晶圆表面残留的第一溶剂,可以提高清洗效率。
本方法还可以使用出口与第二液体进入管路连通的增压系统对第二溶剂加压,经过加压的第二溶剂从清洗容器内装配的喷嘴喷入清洗容器。所述喷嘴一一对应地位于两条平行管路上,两条平行管路对称地位于所述清洗容器底面相对的两侧边。喷嘴的射流方向朝向或平行于晶圆表面,且对应喷嘴的射流线路相交,从对应的喷嘴喷出的第二溶剂射流在清洗容器底面交汇后向上流动并在晶圆表面发散。第二溶剂的流动如图3所示。由于喷嘴一一对应,射流线路在同一直线上且方向相反,因此从对应的喷嘴喷出的第二溶剂射流会在清洗容器底面交汇,交汇后的流体无法向下运动,只能向上流动。由于初始射流线路与晶圆表面平行,且液流在向上运动的过程中受到重力作用,因此液流会在晶圆表面发散而在晶圆表面形成均匀的液体扰动,从而增加清洗效率。
在本实施例中,从对应的喷嘴喷出的第二溶剂射流在清洗容器底面交汇后向上流动并在晶圆表面发散,本领域技术人员可以想到,从对应的喷嘴喷出的第二溶剂射流只要能在清洗容器内部交汇并在晶圆表面发散也可以实现本发明的目的。
参见图2,较为经济的方法是在步骤S4将第二溶剂输入清洗容器之前增加步骤S3排出第一溶剂,最后还可以包含一个步骤S6,将第二溶剂从第二液体排出管道排出清洗容器。如果第一溶剂在第二溶剂中的溶解度足够大,则第二溶剂输入清洗容器前,也可以不让清洗容器内的第一溶剂排出。如果在排出第一溶剂的同时输入第二溶剂,在晶圆表面第一溶剂的浓度还未降到预订要求的情况下,而第一溶剂排出速度太快,使得晶圆露出液面,则该晶圆的表面残留的液体中第一溶剂的浓度仍然太高,仍可能造成对晶圆表面的腐蚀。并且在这种情况下,由于往清洗容器中装载第二溶剂,则疏忽对晶圆表面进行处理的可能性加大,更不利于保护晶圆。所以在联动控制第二溶剂的输入和第一、第二溶剂的排出时,应使得晶圆处于液面以下。在晶圆表面的第一溶剂的浓度降低到适当值之后,再将清洗容器内的液体完全排出。
在用第二溶剂清洗晶圆表面的第一溶剂时,为了增强清洗效果,输入第二液体的量的大小可以保证晶圆完全浸没在第二溶剂之中,参考图4,即晶圆8完全位于第二溶剂液面5的下方。这种情况出现在输入第二溶剂之前已经排出第一溶剂的较为经济的实施例中,而在本发明的另一个实施例中,输入第二溶剂之前并没有排出第一溶剂,因此,输入第二溶剂的量应使晶圆完全位于第一溶剂与第二溶剂的混合液体液面的下方,以达到增强清洗效果的目的。
在工业生产环境中,可以直接从装载第一溶剂的第一液体储罐引入第一溶剂,同样可以从装载第二溶剂的第二液体储罐引入第二溶剂。为批量的处理废液,完成清洗后的第一溶剂可以被排出到专门装载该液体的第三液体储罐,完成清洗后的第二溶剂也可以被排出到专门该液体的第四液体储罐。因此,在应用本晶圆清洗方法时,输入的第一溶剂和第二溶剂的第一储罐和第二储罐也可以是同时用于其他制程的公用储罐。
本晶圆清洗装置可以用来清洗晶圆表面的有机物,如光刻胶。可以用于清洗晶圆表面光刻胶的溶剂有多种,巴斯夫公司生产的蚀刻后残留物去除液(EKC)是其中之一,该蚀刻后残留物去除液包含邻苯二酚成分。基于第一溶剂可以溶解在第二溶剂的条件,在优选使用EKC作为晶圆表面光刻胶的第一溶剂的情况下,可以用N-甲基-2-四氢吡咯酮(NMP)作为优选溶解EKC的第二溶剂。
实施例2
本实施例提供一种应用实施例1中晶圆清洗方法的清洗装置。
如图4所示,本实施例给出一种晶圆清洗装置,清洗容器7上设置有引入第一溶剂的第一液体进入管路1,以及引入第二溶剂的第二液体进入管路2。通过装配第二液体进入管路2,提供第二溶剂进入清洗容器的通道,能够洗脱晶圆8表面残留的从第一液体进入管路1引入的第一溶剂,从而能够避免第一溶剂长时间与晶圆接触而腐蚀晶圆,进而提高晶圆清洗工艺的经济性和异常工况下的工艺适应性。
更具体的说,本清洗装置包括主体为中空的清洗容器7。在清洗容器7的惯常使用状态下,其顶面装配有与清洗容器7内部连通的第一液体进入管路1,底面装配有与清洗容器7内部连通的第一液体排出管路3。其中,第一液体进入管路1用于往清洗容器7内灌注清洗晶圆8的第一溶剂;第一液体排出管路3用于排出完成清洗的第一溶剂,排出时第一溶剂混合有从晶圆上清洗出的杂质。清洗容器7顶面上还装配有与其内部连通的第二液体进入管路2,用于向清洗容器7内输送清洗晶圆上残留第一溶剂的第二溶剂。第一液体进入管路1和第二液体进入管路2在清洗容器7上的装配位置关系可以根据清洗容器7的形状、安放位置以及安放环境等因素确定,优选的方案是将第一液体进入管路1和第二液体进入管路2根据清洗容器7的顶面形状对称地安装。
第二液体进入管路2暴露在清洗容器7外侧的管路上还可以安装用于控制第二溶剂液体流量的第二液体流入控制阀10。相应的,在第一液体进入管路1和第一液体排出管路3暴露在清洗容器7外侧的管路上还可以分别安装用于控制液体流量的第一液体流入控制阀9和第一液体排出控制阀11。
第二溶剂从第二液体进入管路2进入清洗容器7后,填充清洗容器7的方式可以是多样的。其中一种可以是使第二溶剂以非受压的方式平缓地逐渐填充清洗容器7,例如将第二溶剂装入高于清洗容器7且与其相通的储槽(图未示)中,利用液体自重让第二溶剂流入清洗容器7内部。如果清洗剂采用上述方式填充清洗容器7,由于表面张力的作用,在晶圆的表面就可能会生成大小、数量不一的不流动气泡。不流动气泡的存在会严重影响晶圆表面的清洗效果。因此,一种可选的方案是在清洗容器7内部装配与第二液体进入管路2连通的两条相互平行且对称地位于所述清洗容器底面相对两侧边的管路22。并在管路22上一一对应地开设两个以上的喷嘴17,对应喷嘴的射流线路位于同一直线上且射流方向相反。从对应喷嘴17喷出的第二溶剂射流在清洗容器7底面交汇后向上流动并在晶圆8表面发散,使第二溶剂在晶圆8表面产生扰动,在消除不流动气泡的同时增加清洗溶剂与晶圆8表面的摩擦,从而提高清洗效率。
在本实施例中,对应喷嘴17的射流线路位于同一直线上且射流方向相反,但本发明不限于此,对应喷嘴17的射流线路位于同一平面上且射流方向大致相反,使得从对应喷嘴17喷出的两股第二溶剂流在清洗容器7内交汇,也能实现本发明的目的。
为了使第二溶剂能以受压的方式从喷嘴17喷出,还可以在第二液体进入管路2之前安装对第二液体加压的增压系统,例如液压泵(图未示),该液压泵的出口与第二液体进入管路2连通。这种安装方式可以让第二溶剂进入清洗容器7之后以受压的方式从喷嘴17喷出。
设置了喷嘴17的管路22也可以与第一液体进入管路1连通,使得第一溶剂也可以以喷射的方式进入清洗容器7,当然,这种情况下,也可以使增压系统的出口与第一液体进入管路1连通。
另一种清除不流动气泡的可选的方案是向第二溶剂施加超声振动,通过超声空化或超声乳化作用对晶圆8表面进行清洗。即可将能产生超声振动的压电换能器,又称为超声波发射探头(图未示)安装在清洗容器7内部可与第二溶剂接触的位置,使该压电换能器的振动发射面与第二溶剂接触。
在清洗容器7的底面还可以装配第二液体排出管路4,用于排出完成清洗的第二溶剂。第二液体排出管路4在清洗容器7上的装配位置仍然可以根据清洗容器7的形状、安放位置以及安放环境等因素确定,优选的方案是将第二液体排出管路4和第一液体排出管路3根据清洗容器7的底面形状对称地安装。
第二液体排出管路4暴露在清洗容器7外侧的管路上还可以安装用于控制第二溶剂液体排量的第二液体排出控制阀12。由于第二液体排出管路4和第一液体排出管路3上分别安装了第二液体排出控制阀12和第一液体排出控制阀11,可以用两个排出控制阀将完成清洗的第一溶剂和第二溶剂分开排放,即需要将第一溶剂从第一液体排出管路3排出时,打开第一液体排出控制阀11且关闭第二液体排出控制阀12;同样的,需要将第二溶剂从第二液体排出管路4排出时,打开第二液体排出控制阀12且关闭第一液体排出控制阀11。这样可以方便清洗溶剂的回收利用,同时也为避免不同清洗溶剂大量混合所产生的潜在危险。
被清洗的晶圆8可以是单片晶圆,也可以是数片晶圆的组合。为防止清洗过程中液流影响使被清洗的晶圆间产生相互作用力,进而导致晶圆破碎,在清洗容器7底面还可以装配呈片系统6,多片处于清洗状态的晶圆8被间隔地放置在呈片系统6上。
结合图4和图5,两个液体入口管路可以单独装配,互不影响,也可以有部分重用。如图5所示,可以只在清洗容器7顶面开出一个液体总入口18,第一液体进入管路1与第二液体进入管路2连接至清洗容器的同一液体总入口18。即第一液体进入管路1、第二液体进入管路2分别是一个三通管路的两个旁路,一根与连通清洗容器7上的液体总入口18连通的共用管路为该三通管路段第三个旁路。该三通管路可以用一个入口三通控制阀19控制进入清洗容器7的液体种类,当需要装载第一溶剂时,该入口三通控制阀19使第一液体进入管路1与液体总入口18连通,而使第二液体进入管路2封闭;当需要装载第二溶剂时,该入口三通控制阀19使第二液体进入管路2与液体总入口18连通,而使第一液体进入管路1封闭。这样可以方便的选择进入容器的液体种类,由于只使用一个入口三通控制阀19控制两种液体入口,在工业过程中更便于控制。
如图6所示,与入口三通管路原理相同,只在清洗容器7底面开出一个液体总出口20,第一液体排出管路3与第二液体排出管路4连接至清洗容器的同一液体总出口20。该三通管路可以用一个出口三通控制阀21控制清洗容器7内完成清洗的溶剂从哪根液体排出管路排出。当需要排出完成清洗的第一溶剂时,该出口三通控制阀21使第一液体排出管路3与液体总出口20连通,而使第二液体排出管路4封闭;当需要排出完成清洗的第二溶剂时,该出口三通控制阀21使第二液体排出管路4与液体总出口20连通,而使第一液体排出管路3封闭。使用一个出口三通控制阀21控制液体的排出,在工业过程中更便于控制。
如图7所示,为方便溶剂的批量装载,还可以配置四个液体储罐。其中,装载第一溶剂的第一液体储罐13与第一液体进入管路1连通,装载第二溶剂的第二液体储罐14与第二液体进入管路2连通,装载完成清洗后被排出清洗容器的第一溶剂的第三液体储罐15与第一液体排出管路3连通,装载完成清洗后被排出清洗容器的第二溶剂的第四液体储罐16与第二液体排出管路4连通。这四个储罐可以单独配置额外的液体入口和出口。可以便于在工业生产中的批量操作,增加清洗能力。
虽然本发明已以较佳实施例披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (16)
1.一种晶圆清洗方法,将第一溶剂输送进入清洗容器,清洗晶圆,其特征在于:还包括将第二溶剂输送进入清洗容器,清洗晶圆表面残留的第一溶剂。
2.如权利要求1所述的晶圆清洗方法,其特征在于:所述第一溶剂从第一液体进入管路载入清洗容器,所述第二溶剂从第二液体进入管路载入清洗容器。
3.如权利要求2所述的晶圆清洗方法,其特征在于:在第二溶剂从第二液体进入管路输送进入清洗容器之前将第一溶剂通过第一液体排出管路排出清洗容器。
4.如权利要求1所述的晶圆清洗方法,其特征在于:所述的第二溶剂经过加压后从清洗容器内装配的喷嘴喷入清洗容器,从对应的喷嘴喷出的第二溶剂射流交汇后在晶圆表面发散。
5.如权利要求1所述的晶圆清洗方法,其特征在于:所述的第一溶剂用于清洗所述晶圆表面的光刻胶。
6.如权利要求1所述的晶圆清洗方法,其特征在于:所述第一溶剂可溶于所述第二溶剂。
7.如权利要求1所述的晶圆清洗方法,其特征在于:所述的第一溶剂为蚀刻后残留物去除液,所述的蚀刻后残留物去除液包含邻苯二酚成分,所述的第二溶剂为N-甲基-2-四氢吡咯酮。
8.应用权利要求2至7中任一项所述晶圆清洗方法的晶圆清洗装置,包括清洗容器,所述的清洗容器上装配与清洗容器内部连通的第一液体进入管路,用于输送清洗晶圆的第一溶剂,其特征在于:所述的清洗容器上还装配与清洗容器连通的第二液体进入管路,用于输送清洗晶圆表面残留第一溶剂的第二溶剂。
9.如权利要求8所述的晶圆清洗装置,其特征在于:所述清洗容器内还装配一个以上的喷嘴,所述喷嘴与第二液体进入管路连通。
10.如权利要求9所述的晶圆清洗装置,其特征在于:所述的喷嘴一一对应地位于两条平行管路上,所述喷嘴的射流方向朝向或平行于晶圆表面,且对应喷嘴的射流线路相交,所述的两条平行管路对称地位于所述清洗容器底面相对的两侧边。
11.如权利要求9所述的晶圆清洗装置,其特征在于:还包括液体增压系统,所述液体增压系统的出口与第二液体进入管路连通。
12.如权利要求9所述的晶圆清洗装置,其特征在于:所述喷嘴与第二液体进入管路连通。
13.如权利要求8所述的晶圆清洗装置,其特征在于:所述第一液体进入管路与所述第二液体进入管路通过共用液体总入口与清洗容器连通,所述液体总入口位于所述清洗容器顶面。
14.如权利要求8所述的晶圆清洗装置,其特征在于:所述的清洗容器上还装配用于排出第一溶剂的第一液体排出管路和用于排出第二溶剂的第二液体排出管路。
15.如权利要求14所述的晶圆清洗装置,其特征在于:所述第一液体排出管路与所述第二液体排出管路通过共用液体总出口与清洗容器连通,所述液体总出口位于所述清洗容器底面。
16.如权利要求15所述的晶圆清洗装置,其特征在于:还包括四个液体储罐,所述的第一液体进入管路与装载第一溶剂的第一液体储罐连通;所述的第二液体进入管路与装载第二溶剂的第二液体储罐连通;所述的第一液体排出管路与装载完成清洗后被排出清洗容器的第一溶剂的第三液体储罐连通;所述的第二液体排出管路与装载完成清洗后被排出清洗容器的第二溶剂的第四液体储罐连通。
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