CN101581885B - 涂敷装置和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种涂敷装置。该涂敷装置具备驱动部(12)，使基板保持部(11)绕铅直轴旋转，以使供给到基板(W)的表面中央部的涂敷液借助离心力扩散到基板的表面周缘部。另外，该装置具备振颤抑制机构(50)，该振颤抑制机构(50)具有分别以与基板的背面相对置的方式设置的排出口(50a)和抽吸口(50b)，通过从排出口排出气体并且向抽吸口抽吸气体，来抑制旋转过程中的基板的振颤。

Description

涂敷装置和方法
技术领域
本发明涉及一种通过旋涂法在基板上形成涂敷膜的涂敷装置和方法。
背景技术
在半导体装置的制造工序中有将涂敷液涂敷在基板上的工序，作为涂敷的方法例如旋涂法是周知的。该旋涂法是这样的方法：将半导体晶片(以下也简称为晶片)或LCD用的玻璃基板等基板吸附在作为基板保持部的旋转卡盘上并使其保持水平，对基板的中心部供给涂敷液并且使基板以高速旋转，借助其离心力使涂敷液扩散从而成膜的方法。作为本工序中使用的涂敷液，抗蚀剂液是具有代表性的，该抗蚀剂液通过使抗蚀剂成分溶解在溶剂中来制作。当上述抗蚀剂液通过旋涂在基板表面上扩散时，所含有的溶剂挥发，抗蚀剂液干燥，从而形成抗蚀剂膜。另外，溶剂挥发的高度，更具体地讲是溶剂挥发的溶剂蒸气以较浓状态存在的高度称为交界层，通过该交界层的厚度(高度)稳定化，使溶剂在基板的面内均匀地挥发，其结果实现了涂敷膜的膜厚在面内的均匀化。上述交界层根据基板的转速、和由于基板的旋转而产生的气流以及气体密度等而变化。
另外，近年来，对这样的涂敷工序在技术上有高度的需求，例如涂敷膜的进一步薄膜化和膜厚的高度面内均匀化等要求提高。于是考虑通过在上述的旋涂法中提高基板的转速来满足这些要求。但是，基板并不一定水平旋转，特别在基板的周缘部如图9A所示存在一些振动(振摆)，所以在提高转速的情况下，其周缘部的气流的紊乱程度增大。因此，振动部位的交界层的厚度随时间变化，溶剂的挥发量在面内不恒定。其结果为，存在以下问题：在基板上的涂敷膜的周缘部，膜厚局部地减小等(参照图9B)，从而不能得到预定的膜厚外形，进而使膜厚外形(profile)在基板之间出现偏差等问题。近年来，半导体晶片有尺寸逐渐大型化的倾向，在尺寸大的晶片中，旋转时的振动程度更大，这样的问题更为显著。
作为上述的基板振动的原因可以举出以下等原因：旋转卡盘的保持基板的面不一定水平而是存在一些偏斜；在旋转卡盘和基板之间有颗粒进入使得基板不能保持完全水平的状态；或者基板本身在其制造过程中不限于制造为完全平坦的圆板，可能由于某种理由而变形。
另一方面，在特开平2-164477(图1)中记载了这样的涂敷装置：通过在基板和基板保持部之间形成气流，使得基板保持部以非接触的状态保持基板，从而能够防止附着在该保持部上的颗粒附着到基板上，进而将旋转过程中的基板的姿态调节为水平。但是，以非接触的状态保持基板并使其旋转由于驱动部的旋转动力不直接传递到基板，所以有可能会给基板的转速带来不良影响。因此认为难以满足上述要求。此外，在使变形的基板旋转的情况下产生振动，该振动会使基板表面的气流紊乱，使得交界层的厚度不均匀，溶剂的挥发紊乱。其结果为，难以实现膜厚的稳定化。
发明内容
本发明的目的在于提供一种当使用旋涂法在基板上形成涂敷膜时，能够实现涂敷膜的膜厚外形的稳定化的涂敷装置及方法。
本发明的第1方面是一种涂敷装置，具备：基板保持部，将基板保持为水平；涂敷液供给机构，将涂敷液供给到保持在上述基板保持部上的上述基板的表面中央部；驱动部，使上述基板保持部绕铅直轴旋转，以使供给到上述基板的表面中央部的上述涂敷液借助离心力向上述基板的表面周缘部扩散；和振动抑制机构，具有分别以与上述基板的背面相对置的方式设置的排出口和抽吸口，通过从上述排出口排出气体并且向上述抽吸口抽吸上述气体，来抑制旋转过程中的上述基板的振动。
上述涂敷装置可以进而具备升降机构，该升降机构用于使上述振动抑制机构在用于抑制上述基板的上述振动的作用位置、与该作用位置下方的待机位置之间升降。在该情况下，上述涂敷装置可以进而具备控制上述涂敷装置的某动作的控制部，上述控制部预先设定为，在上述基板被交接至上述基板保持部时，将上述振动抑制机构配置在上述待机位置。上述涂敷装置可以进而具备控制上述涂敷装置的某动作的控制部，上述控制部预先设定为，在使上述振动抑制机构从上述待机位置向上述作用位置上升而接近保持在上述基板保持部上的上述基板时，从上述排出口排出上述气体，不向上述抽吸口抽吸上述气体。
上述涂敷装置可以进而具备起降机构，该起降机构使上述基板在进行上述涂敷液的涂敷的处理位置、和与外部的搬送部件之间进行交接的交接位置之间升降。上述涂敷装置可以进而具备控制上述涂敷装置的某动作的控制部，上述控制部预先设定为，在上述基板从上述交接位置下降至上述处理位置时，将上述振动抑制机构配置在上述待机位置。
上述振动抑制机构可以具有沿着上述基板的旋转方向的环状的形状。在该情况下，上述振动抑制机构可以具备沿着上述基板的旋转方向设置为环状的壳体，上述排出口和上述抽吸口可以形成在上述壳体的上表面。上述排出口可以具备沿环状方向排列的多个排出孔，上述抽吸口可以具备沿环状方向排列的多个抽吸(吸引)孔。上述排出孔和上述抽吸孔可以沿着环状方向和径向交替排列。
本发明的第2方面是一种涂敷方法，包括以下工序：利用基板保持部将基板保持为水平的工序；将涂敷液供给到保持在上述基板保持部上的上述基板的表面中央部的工序；使上述基板保持部绕铅直轴旋转，以使供给到上述基板的表面中央部的上述涂敷液借助离心力向上述基板的表面周缘部扩散的工序；和利用具有分别以与上述基板的背面相对置的方式设置的排出口和抽吸口的振动抑制机构，从上述排出口排出气体并且向上述抽吸口抽吸上述气体，从而抑制旋转过程中的上述基板的振动的工序。
在上述涂敷方法中，抑制旋转过程中的上述基板的振动的上述工序可以至少在摊平上述涂敷膜以成为均匀的膜厚的期间进行。上述涂敷方法可以进而包括使上述振动抑制机构在用于抑制上述基板的上述振动的作用位置、与该作用位置下方的待机位置之间升降的工序。在该情况下，可以在上述基板被交接至上述基板保持部时，将上述振动抑制机构配置在上述待机位置。可以在使上述振动抑制机构从上述待机位置向上述作用位置上升而接近保持在上述基板保持部上的上述基板时，从上述排出口排出上述气体，另一方面不向上述抽吸口抽吸上述气体。上述振动抑制机构可以具有沿着上述基板的旋转方向的环状的形状。
本发明的第3方面是一种能由计算机读取的介质，包括用于在用来进行第2方面的涂敷方法的处理器上执行的程序指令，在处理器执行上述程序指令时，使对旋转的基板供给涂敷液从而进行涂敷的涂敷装置执行第2方面的涂敷方法。
附图说明
图1是本发明的实施方式的涂敷装置的纵剖视图。
图2A、2B是表示本发明的实施方式的振动抑制机构的结构的说明图。
图3是上述振动抑制机构的纵剖视图。
图4是表示控制部的构成的说明图。
图5是在本发明的实施方式中表示晶片的转速和振动抑制机构的动作的状态的时序图的一例。
图6A、6B是示意表示晶片载置在旋转卡盘上时的振动抑制机构的运动的说明图。
图7A、7B是示意表示抗蚀剂液涂敷到晶片上的状态的说明图。
图8A、8B是示意表示利用本发明的情况下的晶片的旋转状态的说明图。
图9A、9B是示意表示现有技术的晶片的旋转状态的说明图。
具体实施方式
以下参照附图具体说明本发明的实施方式。
图1是表示本发明的涂敷装置3的实施方式的纵剖视图。该涂敷装置3具有：旋转卡盘11，该旋转卡盘11真空吸附作为基板的晶片W并成为将基板保持为大致水平的基板保持部；和杯10，该杯10以包围该旋转卡盘11的方式设置。该旋转卡盘11能够经由轴部11a借助设置在下方的驱动部12升降，进而能够绕铅直轴旋转。在上述杯10的上部形成有比晶片W大一圈的圆形的开口部18，以便能够进行晶片W的交接。另外，在该开口部18的周缘形成有环状的凹部17，该凹部17通过从该开口部18的内周面水平向外侧切口而形成，该凹部的底面13具有控制由于旋转的晶片W而产生的气流以使晶片周缘部的抗蚀剂膜厚均匀的作用。
在上述杯10的底部，在晶片W的周缘部的外侧设置有呈凹部状的承液部14，在该承液部14上连接有用于将废液排出到外部的废液路15。此外，从上述底面13的外缘侧部位垂直向下形成有连通路13a，该连通路13a与上述承液部14相连。进而，排气管16a、16b在比承液部14靠近杯10的中心侧的位置突出进入到杯10中地设置，通过其立起壁部分19进行杯10内的气液分离，这两条排气管16a、16b在下游汇合，并与工厂内的排气管道连接。
上述杯10具有环状的导向部件20，该导向部件20的纵剖面的形状为山形并且接近旋转卡盘11上保持的晶片W的背面周缘部。该导向部件20具有防止抗蚀剂液绕入到晶片W的背面侧的作用。另外，在导向部件20的外端以突出进入到上述承液部14中的方式设置有垂直向下延伸的垂直壁21，该垂直壁21的下端与排气管16a、16b的上端相比位于更下方。因此，能够使从旋转的晶片W振落的抗蚀剂液沿着导向部件20和垂直壁21的表面被引导到承液部14，并在临时贮留在该承液部14中之后，从废液路15流到杯10的外部。此外，在导向部件20的内侧，分隔板23与导向部件20连续，并水平地设置在杯10的中心侧。该分隔板23用来在晶片W的背面侧形成从杯10的下方侧的外部空间分隔的空间。
如图1和图2A所示，在上述导向部件20的内侧，在与晶片W的外周缘相比略微靠近中心的位置，以覆盖该晶片W的背面的一部分的方式设置有振动抑制机构50。例如图2A和图3所示，该振动抑制机构50具备环状的扁平的壳体5，该壳体5分割为分别作为供给室56和抽吸室57发挥作用的下部空间和上部空间。在上述供给室56中连接有穿过抽吸室57直到壳体5的上表面的直管56a，该直管56a的上端形成为作为气体排出口的排出孔50a，另外在上述抽吸室57的上部(壳体5的上表面)形成有作为气体抽吸口的抽吸孔50b。
这些孔50a和50b的孔径例如设定为200微米左右。这些气体排出孔50a和抽吸孔50b如图2B所示，沿着以旋转卡盘11的旋转轴为中心的同心圆状在壳体5上例如形成4列，排出孔50a和抽吸孔50b分别交错状并且彼此交替地排列。在上述供给室56和抽吸室57中分别连接有气体供给管54和抽吸管55，在这些气体供给管54和抽吸管55的基端侧分别连接有气体供给部58和气体抽吸部59。因此，利用气体供给部58经由气体供给管54和供给室56供给气体，并从排出孔50a向壳体5上方的空间排出气体。进而，利用气体抽吸部59经由抽吸管55和抽吸室57，从抽吸孔50b抽吸壳体5上方的空间的气体。此外，气体供给管54和抽吸管55例如通过贯通分隔板23的金属管54a、55a和连接在这些金属管54a、55a下侧的柔性树脂管54b、55b构成。此外，振动抑制机构50能够经由升降轴51借助升降机构52升降。
在与上述振动抑制机构50相比靠近杯10的中心的位置上设置有3个升降销61，这些升降销61贯通分隔板23并且借助升降部62升降自如。该升降销61能够保持晶片W的背面，具有在外部的搬送臂和旋转卡盘11之间交接晶片W的作用。
上述杯10收纳在壳体30中，在该壳体30的侧壁设置有通过门31a开闭的晶片W的搬送口31。经由该搬送口31借助未图示的外部的搬送臂将晶片W搬入搬出。此外，在壳体30的上部形成有送风过滤单元(FFU)32，该FFU32能够将经由气体供给路33流入的清洁气体作为下降流供给到壳体30中。此外，在壳体30的底部设置有用于将该壳体30内的气体排出到外部的抽吸排气路35。因此，来自FFU32的下降流和上述的排气管16a、16b的抽吸效果共同作用，从而在杯10的内部形成下降气流。
在上述壳体30的内部，在杯10的上方设置有涂敷喷嘴40、溶剂喷嘴41和漂洗喷嘴42，这些喷嘴40、41、42分别用来向晶片W供给作为涂敷液的抗蚀剂液、溶剂和漂洗液。此外，这些喷嘴40、41、42分别经由供给管43a、43b、43c连接到涂敷液供给源44、溶剂供给源45和漂洗液供给源46，进而借助未图示的移动臂能够在晶片W的上方的既定位置和杯10侧方的喷嘴待机位置之间移动。
上述涂敷装置3具有控制部100，图4是控制部100的构成图。该控制部100由计算机构成，由CPU71、程序存储部72a、数据总线73、处理方法存储部74、和输入装置75等构成。在上述程序存储部72a中存储有用于执行涂敷处理中的一连串的动作的程序72。在该控制部100上连接有旋转卡盘的驱动部12、振动抑制机构的气体供给部58、气体抽吸部59、振动抑制机构的升降部52、升降销的升降部62、和涂敷液供给系统70等，来自控制部100的各部的控制信号被输出。上述涂敷液供给系统70是用于对晶片W供给涂敷液的阀或泵等，用来调节被涂敷的涂敷液的给断和液量等。上述程序72经由软盘、硬盘、MD、存储卡、光盘等存储介质安装在控制部100内。
接下来说明上述实施方式的作用。首先在时刻t0，未图示的外部的搬送臂将晶片W经由搬送口31搬送到壳体30的内部，并使其位于杯10的上方。接着使升降销61上升，将搬送臂上的晶片W顶起并且使该搬送臂后退，这样将晶片W从搬送臂交接至升降销61。然后使升降销61下降，将晶片W交接至旋转卡盘11，并借助旋转卡盘11吸附保持晶片W，这时振动抑制机构50位于从旋转卡盘50的晶片W保持面向下方侧离开例如几十mm的位置(待机位置)(图6A)。在对晶片W进行涂敷处理时，振动抑制机构50位于非常接近晶片W的高度(作用位置)。但是，在将晶片W交接至旋转卡盘11时，例如由于晶片W的翘曲等有可能使晶片W与振动抑制机构50碰撞，所以为了避免该碰撞，振动抑制机构50退避到下方侧。
此外在该例中，升降销61顶起晶片W时的晶片W的位置是交接位置，旋转卡盘11上的晶片W的位置相当于进行涂敷处理的处理位置。在图6A中处理位置处的晶片W的下表面水平为基准水平S。在该例中利用升降销61与外部的搬送臂之间进行晶片W的交接，但是也可以不使用升降销61而是使旋转卡盘11升降来进行晶片W的交接。
另外，在晶片W吸附在旋转卡盘11上之后，一边从振动抑制机构50的排出孔50a排出气体例如空气，一边使振动抑制机构50上升(图6B)，并将振动抑制机构50设定在距离晶片W例如50μm～几百μm左右接近的位置(作用位置)。在使振动抑制机构50接近晶片W时，由于从排出孔50a排出气体，所以即使晶片W发生翘曲，通过该气体压力也会矫正晶片W的姿态，从而能够避免两者的碰撞。此外，在使振动抑制机构50预先上升，在从排出孔50a排出气体的状态下使晶片W下降的情况下，升降销61上的晶片W有可能会由于气体压力而发生错位，因此不是优选的。
接着利用驱动部12经由旋转卡盘11使晶片W以例如2500r pm的速度旋转。在晶片W上由于来自FFU32的下降气流和杯10内的抽吸排气，而形成从上方下降到晶片W的表面进而从晶片W的周缘抽入下方的气流，但是该下降气流在旋转的晶片W的离心力的作用下朝周缘部涡旋状地扩散，并振落到外部。之后，溶剂喷嘴41经由未图示的移动臂从待机位置向晶片W的中心部上方位置移动，从时刻t1开始供给溶剂，进行所谓的预湿以提高晶片W的表面的润湿性。然后使晶片W暂时停止旋转，使溶剂喷嘴41退避并且使涂敷喷嘴40向晶片W的中心部上方位置移动。
然后，使晶片W的转速上升至例如2500rpm，从时刻t2开始从上述涂敷喷嘴40对晶片W的表面涂敷抗蚀剂液R。该涂敷的状态如图7A所示，抗蚀剂液R在晶片W的旋转所产生的离心力的作用下朝外周部扩散，多余的抗蚀剂液R在离心力的作用下被振落到外部，流过上述的连通路13a和导向部件20的表面，经由承液部14从废液路15排出到杯10的外部。
然后，从时刻t3开始摊平，如图7B所示那样使得抗蚀剂液R的厚度变得均匀(整平工序)，并使晶片W的转速降至例如300rpm。这时，当抗蚀剂液的厚度变得均匀时，如图7B所示，交界层K的厚度稳定化，抗蚀剂液R中含有的溶剂的挥发量在晶片W的表面上均匀化。此外，与进行该整平工序同时，从漂洗喷嘴42向晶片W的外周部供给漂洗液，多余的漂洗液以既定的宽度分流。之后，从时刻t4开始，使晶片W的转速上升至例如2000rpm，并使其持续旋转既定的时间，从而使溶剂从抗蚀剂液R的涂敷膜蒸发(干燥工序)。然后，使晶片W停止旋转，按照与已经说明的晶片W搬入时相反的步骤将晶片W交接至搬送臂，并从杯10的内部搬出。
另一方面，如已经说明的那样，振动抑制机构50位于与晶片W的背面相比稍微靠近下方侧的位置(作用位置)，在上升至该位置之后，除了从排出孔50a排出气体，也进行从抽吸孔50b的抽吸。因此，在振动抑制机构50的环状体即壳体5的上表面与晶片W的间隙中，通过气体的排出和抽吸两个作用，形成如图8A所示的气流，因此在晶片W的下侧存在所谓的空气的缓冲层。首先参照图9A、图9B说明，由于晶片W的高速旋转而要使周缘部上下振动。但是在本实施方式中，空气的缓冲层在气体的排出和抽吸取得平衡的状态下形成，所以晶片W的周缘部成为与该缓冲层紧贴的状态，因此抑制了周缘部的振动。即，晶片W借助振动抑制机构50能够保持为非接触地维持水平姿态的状态。
在晶片W旋转时在晶片W的表面上形成从中心部朝向外部的涡流状的气流，但是由于抑制了周缘部的振动，所以抑制了气流的紊乱，从而使得溶剂挥发所形成的表面附近的浓重的溶剂蒸气的层(交界层)的高度恒定化。此外，由于在时刻t4以后的涂敷膜的干燥工序中不需要抑制晶片W的振动，所以例如也可以使振动抑制机构50下降(位于待机位置)。但是也可以不下降仅进行气体的排出，或者可以继续进行气体的排出和抽吸。即，相对于晶片W抑制振动或振颤的作用设定为，至少在晶片W的周缘部的振动会影响到膜厚的外形的工序(时间范围)使用。
此外，在直到晶片W停止旋转的时刻使振动抑制机构50接近晶片W地定位(作用位置)时，在旋转减速时至少从振动抑制机构50排出气体而避免晶片W与振动抑制机构50碰撞这点上是优选的。进而，在使晶片W借助升降销61从旋转卡盘11上升并搬出时，优选在这之前预先使振动抑制机构50下降，或者预先停止振动抑制机构50所进行的气体的排出和抽吸。
<实验>
将使用激光的距离仪对置配置在晶片W的周边部的上方侧，在使晶片W以2000rpm的速度旋转的状态下测定晶片W的振动。该测定关于已经说明的那样的使用振动抑制机构50抑制振动的情况、和不使用振动抑制机构50抑制振动的情况这两种情况进行。根据这样得到的距离数据，求出晶片W的周缘部的振动量即距离的变动量。其结果为，使用振动抑制机构50时的振动量是5μm，但是不使用振动抑制机构50时的振动量是接近100μm。因此确认了通过振动抑制机构50抑制了晶片W的周缘部的振动。
根据上述的实施方式，通过使振动抑制机构50接近晶片W的背面侧的周缘部并使其对置，并在晶片W的旋转过程中从振动抑制机构50供给气体并且抽吸该气体，使得在晶片W与振动抑制机构50之间形成气流，从而抑制晶片W的周缘部的振动。因此，在晶片W旋转时能够降低晶片W表面的气流的紊乱，因此抑制了溶剂的浓重的蒸气层即交界层的高度(厚度)的变动。其结果为，能够使涂敷膜的膜厚外形接近预定的膜厚外形，例如能够实现晶片W的面内的膜厚的均匀化，并且也能够提高面间的膜厚的均匀化。因此，膜厚外形稳定，并且能够提高合格率。
在上述的实施方式中，振动抑制机构50在晶片W的整个旋转方向(整周)上具有环状的形状。振动抑制机构也可以不这样构成，而是由在旋转方向上隔开间隔地配置的多个部分构成。另外在上述的实施方式中作为涂敷液例示了抗蚀剂液。另外，涂敷液也可以是例如硅氧化物的前驱体溶解在溶剂中的绝缘膜用涂敷液。

Claims (13)

1.一种涂敷装置，具备：
基板保持部，将基板保持为水平；
涂敷液供给机构，将涂敷液供给到保持在上述基板保持部上的上述基板的表面中央部；
驱动部，使上述基板保持部绕铅直轴旋转，以使供给到上述基板的表面中央部的上述涂敷液借助离心力向上述基板的表面周缘部扩散；和
振动抑制机构，具有分别以与上述基板的背面相对置的方式设置的排出口和抽吸口，通过从上述排出口排出气体并且向上述抽吸口抽吸上述气体，抑制旋转过程中的上述基板的振动，
上述振动抑制机构具备沿着上述基板的旋转方向设置的壳体，上述排出口和上述抽吸口形成在上述壳体的上表面，
上述排出口具备沿上述基板的旋转方向排列的多个排出孔，上述抽吸口具备沿上述基板的旋转方向排列的多个抽吸孔，
上述排出孔和上述抽吸孔沿着上述基板的旋转方向和径向交替排列。
2.根据权利要求1所述的涂敷装置，其特征在于，该涂敷装置进而具备升降机构，该升降机构用于使上述振动抑制机构在用于抑制上述基板的上述振动的作用位置、与该作用位置下方的待机位置之间升降。
3.根据权利要求2所述的涂敷装置，其特征在于，该涂敷装置进而具备控制上述涂敷装置的某动作的控制部，上述控制部预先设定为，在上述基板被交接至上述基板保持部时将上述振动抑制机构配置在上述待机位置。
4.根据权利要求2所述的涂敷装置，其特征在于，该涂敷装置进而具备控制上述涂敷装置的某动作的控制部，上述控制部预先设定为，在使上述振动抑制机构从上述待机位置向上述作用位置上升而接近保持在上述基板保持部上的上述基板时，从上述排出口排出上述气体，不向上述抽吸口抽吸上述气体。
5.根据权利要求2所述的涂敷装置，其特征在于，该涂敷装置进而具备起降机构，该起降机构使上述基板在进行上述涂敷液的涂敷的处理位置、和与外部的搬送部件之间进行交接的交接位置之间升降。
6.根据权利要求5所述的涂敷装置，其特征在于，该涂敷装置进而具备控制上述涂敷装置的某动作的控制部，上述控制部预先设定为，在上述基板从上述交接位置下降至上述处理位置时将上述振动抑制机构配置在上述待机位置。
7.根据权利要求1所述的涂敷装置，其特征在于，上述振动抑制机构的上述壳体具有沿着上述基板的旋转方向的环状的形状。
8.一种使用权利要求1所述的涂敷装置的涂敷方法，包括以下工序：
利用上述基板保持部将基板保持为水平的工序；
从上述涂敷液供给机构将上述涂敷液供给到保持在上述基板保持部上的上述基板的表面中央部的工序；
借助上述驱动部使上述基板保持部绕铅直轴旋转，以使供给到上述基板的表面中央部的上述涂敷液借助离心力向上述基板的表面周缘部扩散的工序；和
利用上述振动抑制机构，从上述排出口排出气体并且向上述抽吸口抽吸上述气体，从而抑制旋转过程中的上述基板的振动的工序。
9.根据权利要求8所述的涂敷方法，其特征在于，
抑制旋转过程中的上述基板的振动的上述工序至少在摊平上述涂敷膜以成为均匀的膜厚的期间进行。
10.根据权利要求8所述的涂敷方法，其特征在于，
该涂敷方法进而包括使上述振动抑制机构在用于抑制上述基板的上述振动的作用位置、与该作用位置下方的待机位置之间升降的工序。
11.根据权利要求10所述的涂敷方法，其特征在于，
在上述基板被交接至上述基板保持部时，将上述振动抑制机构配置在上述待机位置。
12.根据权利要求10所述的涂敷方法，其特征在于，
在使上述振动抑制机构从上述待机位置向上述作用位置上升而接近保持在上述基板保持部上的上述基板时，从上述排出口排出上述气体，不向上述抽吸口抽吸上述气体。
13.根据权利要求8所述的涂敷方法，其特征在于，上述振动抑制机构的上述壳体具有沿着上述基板的旋转方向的环状的形状。
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