CN101578507B - 双量程绝对压力感测裸片 - Google Patents
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Abstract
一种绝对压力传感器(200)包括感测裸片(220),该感测裸片(220)具有在其顶部的基准室(230)。该基准室包括限制隔板(210)的行进的精确制造的梁(240)。该梁可以被放置在感测裸片的帽或盖组件(250)中,以使感测裸片隔板自由移动达特定的距离。在该距离上,感测裸片将具有一个灵敏度。当感测裸片被加压到某个点时,隔板移动直到它接触到帽或盖中的梁构件。当隔板碰到该梁时,感测裸片的灵敏度改变,从而允许为更大的压力进入提供更小的电压输出。这样的设置使得传感器提供精确测量低压并测量更高压的功能,而不使用线性标度。
Description
技术领域
实施例总体上涉及传感器方法和系统。实施例还涉及压力传感器。实施例另外涉及排气背压传感器。实施例还涉及包括双量程(span)感测裸片(die)的绝对压力传感器。
背景技术
压力测量学是将压力转换成电量的技术。通常,隔板结构与应变计一起使用,应变计或者结合在隔板结构上或者散布在其中,充当电阻元件。电阻值会因为压力引起的应变而变化。许多微加工的绝对压力传感器通过将硅感测裸片的材料移除侧安装在玻璃中来起作用。这样的方法可以产生绝对压力传感器。总的来说,绝对压力传感器可以在该隔板的一侧采用密封体积的气体或真空,而隔板的另一侧被暴露在被感测的流体中。
一些压力传感器包含一个或多个由应变敏感压阻部件形成的感测元件,这些应变敏感压阻部件是被离子注入进硅的。在这样的配置中,可以利用四个压阻部件。该压电电阻器可以以惠斯顿电桥配置进行连接,以使得当压力施加到传感器上时两个压电电阻器的电阻增加而与另外两个压电电阻器相关的电阻减小。电桥臂上的电阻改变了与所施加的压力成比例的量,这导致传感器输出电压的改变。在压电电阻器被形成在传感芯片上之后,可以通过从传感器的背部化学蚀刻硅来制造隔板。隔板的厚度决定传感器的压力范围。
在用提升阀来控制流量的汽车EGR(排气再循环)系统中,低流量水平时需要非常精细的控制。这种类型的压力传感器以及在EGR系统中使用的平均值类型的测量的一个问题是这样的传感器不能捕获由排气阀和进气阀的打开和关闭引起的高频压力脉动。这些阀的另一个方面是它们不得不具有用于提升阀芯的很特定的形状以在提升阀被卡在提升阀芯的孔中时避免被称为“塞盖(corking)”的问题。可以通过对提升阀成形来产生更渐变的曲线,但这恰恰导致“塞盖”,因此不考虑其作为可能的选项。
压力传感器通常位于提升阀的后面,这有可能提供比最优结果差的结果,这是因为在阀的后面存在的扰动和压力传感器的较差物理位置的原因。在许多工作状况下,从这样的传感器汇报的压力通常低于进气歧管中的压力,因此指示超过EGR冷却器的压力增加,这在物理上是不可能的。因此存在对改进压力传感器方法和系统的需要,以用于低压时的高精度测量和高压时的低精度测量,从而避免EGR系统中的压力控制问题。
发明内容
提供下面的概括以便于理解对所公开的实施例来说是独特的一些创新特征,并且不打算成为完整的描述。通过将整个说明书、权利要求、附图和摘要作为一个整体来得到对实施例的各个方面的完全理解。
因此,本发明的一个方面提供了改进的传感器的方法和系统。
本发明的另一个方面提供改进的压力传感器。
本发明的又一个方面提供包括双量程感测裸片的改进的绝对压力传感器。
如此处描述的,现在可以得到前面提到的方面和其他目标以及优点。公开的绝对压力传感器包括常规的感测裸片,其具有位于其顶部上的基准室。基准室具有限制隔板的行进的精确制造的梁(beam)。梁被放置在感测裸片的帽(cap)或盖构件中,以使感测裸片隔板自由移动到特定的距离。在该距离上,感测裸片优选地具有单一的灵敏度。当感测裸片被加压到某个点时,隔板移动直到它接触到帽或盖中的梁构件。当隔板碰到该梁时,感测裸片的灵敏度改变,从而允许为更大的压力进入提供更小的电压输出。这使得传感器提供精确测量低压力并测量更高压力的功能,而不使用线性标度。
绝对压力传感器包含感测元件,该感测元件包括例如掩埋在薄的化学蚀刻过的硅隔板的面中的四个压电电阻器。压力改变使得隔板弯曲,从而引起隔板和掩埋的电阻器上的应力或应变。电阻器值的变化与所施加的应力成比例并且产生电输出。通过精确地定位两组压电电阻器,可以感测两个不同的灵敏度,实质上在单个传感器封装中提供两个传感器。
附图说明
在附图中,相同的参考标记指代遍及各个视图的相同或相似功能的元件,并且附图被结合到说明书中并成为该说明书的一部分,其连同详细的描述进一步说明实施例,用于解释此处公开的实施例。
图1说明了能够根据优选实施例实施的绝对压力传感器系统的框图;
图2说明了能够根据优选实施例实施的压阻感测裸片配置中的排气背压传感器系统的横截面视图;
图3说明了根据优选实施例的硅压阻感测元件的详细视图;以及
图4说明了描述能够根据优选实施例实施的用于压力感测的逻辑操作步骤的流程图。
具体实施方式
在这些非限制实例中讨论的特定值和配置可以被改变,并且仅仅被引用来说明至少一个实施例并且不打算限制本发明的范围。
此处公开了使用绝对微加工的压力感测裸片的排气背压传感器。在这样的设备中,可以实现在被感测介质和传感器电子组件之间具有高隔离的绝对压力传感器。这样的传感器可以用来例如感测汽车发动机中的排气压力。
参考图1,根据优选实施例说明了描述绝对压力传感器系统100的功能的框图。注意在图1到图3中,相同或相似的部分或元件通常用相同的参考标记表示。系统100通常包括产生电信号150的换能机构140。系统100还包括一个或多个用于感测压力110的感测元件120。换能机构140由于感测元件120的物理移动130而运行。由换能机构140产生的电信号150与系统压力110成比例。
参考图2,说明了能够根据优选实施例实施的压电感测裸片配置中的排气背压传感器系统200的横截面视图。如图2中描述的压力传感器200将物理值(重量、轮胎气压、力、流量)转换成以mV/V范围计的差动信号。基本上,压阻压力传感器200将物理量压力110的改变转换成传感器的电信号150的调制。从压力110到电信号150的转换是通过传感器200内部的隔板的变形来实现的。压力110被施加到感测元件120。
传感器200通常包括用于绝对压力基准的气密密封盖250以及用于绝对压力传感器能力的基准压力腔230。压力传感器200包含感测元件220,感测元件220包括掩埋在薄的化学蚀刻的硅隔板210中的两组压电电阻器260和270。基准压力腔230可以以阳极的形式结合或气密结合到位于隔板210之上的硅感测元件220。注意这样的结合无需是阳极的而可以是基于气密方法。压力110使隔板210弯曲,引起隔板210和掩埋的电阻器260和270中的应力和应变。电阻器260和270的值的改变与所施加的应力成比例并且产生电信号150,如图1所示。
压阻微加工的压力传感器系统200采用四个以惠斯顿电桥配置的植入式压电电阻器260和270。压电电阻器260和270形成横过硅隔板210的区域280的边缘的图案。该压力使隔板210向上偏转到基准室230中。感测元件220可以为一个行进量提供特定输出电压,然后当隔板210碰到梁240时提供另一个输出。基准室230具有限制隔板210行进的精确制造的梁240。注意基准室230可以包括Pyrex(派热克斯)玻璃。注意术语“Pyrex”通常指由Corning Glass Works提出的硼硅酸盐玻璃类型。尽管以前已生产出了硼硅酸盐玻璃,但是名称“Pyrex”被广泛地用作该种材料的同义词。可替换地,可以实现一种设计。压力感测裸片220和/或压电电阻器260和270可以经由玻璃胶结合到硅的基底。这样的玻璃胶可以被固化,并且然后被用来将基准室保持在基底硅。
梁240被优选地放置在感测裸片220的帽或盖组件中,以使得感测裸片隔板210自由地移动到某一距离。在该距离上,感测裸片220优选地具有单一的灵敏度。当感测裸片220被加压到某个点时,隔板210将移动直到它接触到梁240构件。当隔板210碰到该梁240时,感测裸片220的灵敏度将改变(例如降低),从而允许为更大的压力260提供更小的电压输出。这样的设置使得传感器系统200提供精确测量低压力并测量更高压力的功能,而不使用线性标度。
参考图3,根据优选实施例说明了硅压阻感测元件电桥300的详细视图。压电电阻器260、261和270、271可以以集成在传感器裸片220中的惠斯顿电桥配置来连接,并且可以沿着压力感测隔板210的外围设置在应变测量的位置或适于应变测量的位置。总体来说,压电电阻率是一种通过机械应力影响体电阻率的材料性质。在电桥配置中,对角相对的电阻器260、261和270、271的电阻作为如图2中示出的压力250引起的机械变形的函数而在相同方向上且同等地变化。当一组对角相对的电阻器260、261的电阻在压力的作用下增加时,另一组电阻器270、271的电阻将降低,并且反之亦然。
以电压或电流形式的电桥激励可以被施加在电桥300的两个相对拐角(corner)两端,其在图3中示为+Exc和-Exc。这些终端通常被称为“激励输入端”或“电桥驱动输入端”。电阻的任何改变(即压力110)都被检测为电桥的另外两个拐角两端的电压差,如图3中的+Vout和-Vout所示,它们通常被称为“电桥输出端”或“信号输出端”。由双感测元件方法产生相同等效的电路,从而使用户可以使用例如单个测量放大器的传统调节技术来进一步调节来自差动输出端的信号。通过精确地定位两组压电电阻器260、261和270、271,可以感测两个不同的灵敏度,从而在单个封装中提供两个压力感测能力。
参考图4,根据优选实施例,说明了描述压力感测方法400的逻辑操作步骤的流程图。如在框410处所示,压力(例如参见图1中的压力110)可以施加到隔板210的背部。所施加的压力使隔板210偏转到基准室230中,如框420所说明。接着,如框430所述,当隔板210碰到梁240时,压力差引起灵敏度改变,该梁240与基准室230一起制造。两组压电电阻器260、261和270、271可以沿着压力感测隔板210的外围设置,从而用两个不同的灵敏度进行感测,如框440所指示。此后,如框450所述,诸如硅压阻感测元件电桥300的感测元件可以为一个行进量提供特定输出电压,并且当隔板碰到梁240时提供另一个输出。
应该理解,上面公开的和其他特征及功能的变化或其替换都可以根据需要结合到许多其他不同的系统或应用中。同样,本领域的技术人员可以随后完成现在无法预料的或无法预期的对其的各种替换、修改、变化或改进,并且也打算通过所附的权利要求来包含它们。
Claims (8)
1.一种压力传感器(200),包括:
感测裸片(220),其具有隔板,所述隔板暴露到输入压力(110),所述输入压力(110)引起所述隔板中的压力引起的应力和/或应变;
多个压电电阻器(260、261、270、271),其操作地耦合到所述隔板以用于感测所述隔板中的压力引起的应力和/或应变;
密封盖(250),其相对于所述感测裸片(220)耦合;
梁(240),其被定位使得所述梁(240)允许所述隔板(210)响应于输入压力(110)移动某一距离,其中在该距离上,所述感测裸片(220)具有单一灵敏度,并且当感测裸片(220)被加压到某个点时,所述隔板(210)碰到所述梁(240)并且所述感测裸片(220)的灵敏度降低。
2.根据权利要求1所述的压力传感器(200),还包括基准压力腔(230),其通过阳极结合耦合到所述感测裸片(220),其中所述密封盖(250)将基准体积的气体封闭在所述基准压力腔(230)中。
3.根据权利要求1所述的压力传感器(200),其中所述感测裸片通过玻璃胶结合到硅的基底。
4.根据权利要求2所述的压力传感器(200),其中所述基准压力腔(230)包括硼硅酸盐玻璃,并且所述感测裸片包括硅。
5.根据权利要求1所述的压力传感器(200),其中所述隔板的第一侧暴露于输入压力(110)。
6.根据权利要求1所述的压力传感器(200),其中所述梁(240)被放置在感测裸片(220)的帽或盖元件中。
7.根据权利要求1所述的压力传感器(200),其中所述多个压电电阻器(260、261、270、271)是采用惠斯顿电桥配置的植入式压电电阻器。
8.根据权利要求7所述的压力传感器(200),其中所述输入压力(110)使得所述隔板弯曲,引起所述隔板和所述多个压电电阻器(260、261、270、271)中的应力和/或应变,其中所述多个压电电阻器(260、261、270、271)与所述应力和/或应变成比例地改变电阻值。
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Families Citing this family (61)
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US7644625B2 (en) * | 2007-12-14 | 2010-01-12 | Honeywell International Inc. | Differential pressure sense die based on silicon piezoresistive technology |
JP5445196B2 (ja) * | 2010-02-10 | 2014-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | 応力検出素子、触覚センサー、および把持装置 |
US8656786B2 (en) | 2011-08-01 | 2014-02-25 | Honeywell International Inc. | Interchangeable pressure sensor assembly and methods of assembly |
US8817483B2 (en) | 2011-08-01 | 2014-08-26 | Honeywell International Inc. | Connector assembly for a sensor |
US8671753B2 (en) | 2011-08-01 | 2014-03-18 | Honeywell International Inc. | Cable harness for a sensor |
US8459125B2 (en) | 2011-08-01 | 2013-06-11 | Honeywell International Inc. | Pressure sensor assembly |
US8534130B2 (en) | 2011-08-01 | 2013-09-17 | Honeywell International Inc. | Joint between a pressure sensor and a pressure port of a sensor assembly |
US8934263B2 (en) | 2011-08-01 | 2015-01-13 | Honeywell International Inc. | Protective cover for pressure sensor assemblies |
US20130098160A1 (en) | 2011-10-25 | 2013-04-25 | Honeywell International Inc. | Sensor with fail-safe media seal |
US9074770B2 (en) | 2011-12-15 | 2015-07-07 | Honeywell International Inc. | Gas valve with electronic valve proving system |
US8905063B2 (en) | 2011-12-15 | 2014-12-09 | Honeywell International Inc. | Gas valve with fuel rate monitor |
US8899264B2 (en) | 2011-12-15 | 2014-12-02 | Honeywell International Inc. | Gas valve with electronic proof of closure system |
US9557059B2 (en) | 2011-12-15 | 2017-01-31 | Honeywell International Inc | Gas valve with communication link |
US8947242B2 (en) | 2011-12-15 | 2015-02-03 | Honeywell International Inc. | Gas valve with valve leakage test |
US9846440B2 (en) | 2011-12-15 | 2017-12-19 | Honeywell International Inc. | Valve controller configured to estimate fuel comsumption |
US9995486B2 (en) | 2011-12-15 | 2018-06-12 | Honeywell International Inc. | Gas valve with high/low gas pressure detection |
US8839815B2 (en) | 2011-12-15 | 2014-09-23 | Honeywell International Inc. | Gas valve with electronic cycle counter |
US9835265B2 (en) | 2011-12-15 | 2017-12-05 | Honeywell International Inc. | Valve with actuator diagnostics |
US9851103B2 (en) | 2011-12-15 | 2017-12-26 | Honeywell International Inc. | Gas valve with overpressure diagnostics |
US8806964B2 (en) | 2012-03-23 | 2014-08-19 | Honeywell International Inc. | Force sensor |
US9003899B2 (en) | 2012-03-23 | 2015-04-14 | Honeywell International Inc. | Force sensor |
US9003897B2 (en) | 2012-05-10 | 2015-04-14 | Honeywell International Inc. | Temperature compensated force sensor |
US9004048B2 (en) | 2012-07-09 | 2015-04-14 | Ford Global Technologies, Llc | Gas backpressure sensor assembly |
US10422531B2 (en) | 2012-09-15 | 2019-09-24 | Honeywell International Inc. | System and approach for controlling a combustion chamber |
US9234661B2 (en) | 2012-09-15 | 2016-01-12 | Honeywell International Inc. | Burner control system |
US9164003B2 (en) | 2012-10-11 | 2015-10-20 | Honeywell International Inc. | Force sensor with mechanical over-force transfer mechanism |
JP5783297B2 (ja) * | 2013-08-06 | 2015-09-24 | 株式会社デンソー | 力学量センサ |
TW201516386A (zh) * | 2013-10-24 | 2015-05-01 | Asia Pacific Microsystems Inc | 複合範圍壓力感測器 |
EP2868970B1 (en) | 2013-10-29 | 2020-04-22 | Honeywell Technologies Sarl | Regulating device |
EP3808633A1 (en) | 2013-12-04 | 2021-04-21 | Mobileye Vision Technologies Ltd. | Navigating a vehicle to avoid encroaching vehicle |
US10024439B2 (en) | 2013-12-16 | 2018-07-17 | Honeywell International Inc. | Valve over-travel mechanism |
US9902611B2 (en) * | 2014-01-13 | 2018-02-27 | Nextinput, Inc. | Miniaturized and ruggedized wafer level MEMs force sensors |
US9316552B2 (en) * | 2014-02-28 | 2016-04-19 | Measurement Specialties, Inc. | Differential pressure sensing die |
US9410861B2 (en) * | 2014-03-25 | 2016-08-09 | Honeywell International Inc. | Pressure sensor with overpressure protection |
US9841122B2 (en) | 2014-09-09 | 2017-12-12 | Honeywell International Inc. | Gas valve with electronic valve proving system |
US9645584B2 (en) | 2014-09-17 | 2017-05-09 | Honeywell International Inc. | Gas valve with electronic health monitoring |
CN106197776B (zh) | 2015-05-27 | 2019-11-05 | 意法半导体股份有限公司 | 压力传感器、压力测量设备、制动系统和测量压力的方法 |
US10215655B2 (en) | 2015-12-31 | 2019-02-26 | Honeywell International Inc. | Pressure sensor assembly |
US10503181B2 (en) | 2016-01-13 | 2019-12-10 | Honeywell International Inc. | Pressure regulator |
CN105716750B (zh) * | 2016-01-20 | 2019-03-22 | 北京大学 | 一种mems压阻式压力传感器及其制备方法 |
GB2552025B (en) | 2016-07-08 | 2020-08-12 | Sovex Ltd | Boom conveyor |
US9945747B1 (en) | 2016-10-13 | 2018-04-17 | Honeywell International Inc. | Gel filled port pressure sensor for robust media sealing |
US10564062B2 (en) | 2016-10-19 | 2020-02-18 | Honeywell International Inc. | Human-machine interface for gas valve |
US20180180494A1 (en) * | 2016-12-22 | 2018-06-28 | Honeywell International Inc. | High Sensitivity Silicon Piezoresistor Force Sensor |
WO2018148510A1 (en) | 2017-02-09 | 2018-08-16 | Nextinput, Inc. | Integrated piezoresistive and piezoelectric fusion force sensor |
US11255737B2 (en) | 2017-02-09 | 2022-02-22 | Nextinput, Inc. | Integrated digital force sensors and related methods of manufacture |
US10481024B2 (en) | 2017-04-20 | 2019-11-19 | Honeywell International Inc. | Pressure sensor assembly including a cured elastomeric force transmitting member |
US10684184B2 (en) | 2017-04-20 | 2020-06-16 | Honeywell International Inc. | Pressure sensor assembly having a cavity filled with gel or fluid |
US11221263B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-01-11 | Nextinput, Inc. | Microelectromechanical force sensor having a strain transfer layer arranged on the sensor die |
WO2019023309A1 (en) | 2017-07-25 | 2019-01-31 | Nextinput, Inc. | FORCE SENSOR AND INTEGRATED FINGERPRINTS |
WO2019023552A1 (en) | 2017-07-27 | 2019-01-31 | Nextinput, Inc. | PIEZORESISTIVE AND PIEZOELECTRIC FORCE SENSOR ON WAFER AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME |
WO2019079420A1 (en) | 2017-10-17 | 2019-04-25 | Nextinput, Inc. | SHIFT TEMPERATURE COEFFICIENT COMPENSATION FOR FORCE SENSOR AND STRAIN GAUGE |
US11385108B2 (en) | 2017-11-02 | 2022-07-12 | Nextinput, Inc. | Sealed force sensor with etch stop layer |
US11874185B2 (en) | 2017-11-16 | 2024-01-16 | Nextinput, Inc. | Force attenuator for force sensor |
US11073281B2 (en) | 2017-12-29 | 2021-07-27 | Honeywell International Inc. | Closed-loop programming and control of a combustion appliance |
US10697815B2 (en) | 2018-06-09 | 2020-06-30 | Honeywell International Inc. | System and methods for mitigating condensation in a sensor module |
US10962427B2 (en) | 2019-01-10 | 2021-03-30 | Nextinput, Inc. | Slotted MEMS force sensor |
CN110031136B (zh) * | 2019-03-14 | 2020-11-10 | 北京协同创新研究院 | 一种传感器及其制备方法 |
CN110319956B (zh) * | 2019-05-13 | 2021-09-03 | 西人马联合测控(泉州)科技有限公司 | 传感器及传感器的制造方法 |
CN114235232B (zh) * | 2021-12-16 | 2024-05-31 | 东南大学 | 一种mems压力传感器及其制备方法 |
US20240125658A1 (en) * | 2022-10-18 | 2024-04-18 | Measurement Specialties, Inc. | Membrane of a sensor with multiple ranges |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4790192A (en) * | 1987-09-24 | 1988-12-13 | Rosemount Inc. | Silicon side by side coplanar pressure sensors |
US5955771A (en) * | 1997-11-12 | 1999-09-21 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Sensors for use in high vibrational applications and methods for fabricating same |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4023562A (en) | 1975-09-02 | 1977-05-17 | Case Western Reserve University | Miniature pressure transducer for medical use and assembly method |
JPS54131892A (en) * | 1978-04-05 | 1979-10-13 | Hitachi Ltd | Semiconductor pressure converter |
DE2946826C2 (de) * | 1979-11-20 | 1984-01-19 | Interflux AG, 8700 Küsnacht, Zürich | Durchflußwächter für flüssige oder gasförmige Medien |
JPH0711461B2 (ja) * | 1986-06-13 | 1995-02-08 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 圧力検出器 |
US6229190B1 (en) * | 1998-12-18 | 2001-05-08 | Maxim Integrated Products, Inc. | Compensated semiconductor pressure sensor |
AU2003266663A1 (en) | 2002-10-01 | 2004-04-23 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Piezoelectric sensor and input device comprising same |
SE0203772D0 (sv) | 2002-12-19 | 2002-12-19 | Attana Ab | Piezoelectric sensor arrangement |
US6883380B2 (en) | 2003-05-16 | 2005-04-26 | Rosemount Inc | Pressure sensor capsule |
US6945120B1 (en) | 2004-07-02 | 2005-09-20 | Honeywell International Inc. | Exhaust gas recirculation system using absolute micromachined pressure sense die |
US7077008B2 (en) | 2004-07-02 | 2006-07-18 | Honeywell International Inc. | Differential pressure measurement using backside sensing and a single ASIC |
US7127948B2 (en) | 2005-02-17 | 2006-10-31 | The Boeing Company | Piezoelectric sensor, sensor array, and associated method for measuring pressure |
-
2006
- 2006-11-08 US US11/594,589 patent/US7503221B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-11-07 EP EP07864005A patent/EP2079998A2/en not_active Withdrawn
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- 2007-11-07 CN CN200780049505.5A patent/CN101578507B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4790192A (en) * | 1987-09-24 | 1988-12-13 | Rosemount Inc. | Silicon side by side coplanar pressure sensors |
US5955771A (en) * | 1997-11-12 | 1999-09-21 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Sensors for use in high vibrational applications and methods for fabricating same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080105057A1 (en) | 2008-05-08 |
CN101578507A (zh) | 2009-11-11 |
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WO2008058169A3 (en) | 2008-06-26 |
US7503221B2 (en) | 2009-03-17 |
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