CN101577228B - 一种三维结构的异质结器件的制备方法 - Google Patents
一种三维结构的异质结器件的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101577228B CN101577228B CN2009100162166A CN200910016216A CN101577228B CN 101577228 B CN101577228 B CN 101577228B CN 2009100162166 A CN2009100162166 A CN 2009100162166A CN 200910016216 A CN200910016216 A CN 200910016216A CN 101577228 B CN101577228 B CN 101577228B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- type
- type semiconductor
- dimensional structure
- semiconductor
- zno
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Abstract
本发明涉及一种三维结构的异质结器件的制备方法，包括以下步骤：(1)在基体上生长取向n型ZnO纳米棒阵列薄膜；(2)将p型半导体从未被活化的前驱体溶液中电化学沉积在ZnO纳米棒表面，实现p型半导体对ZnO纳米棒的保形覆盖；(3)对上述前驱体溶液进行活化，将p型半导体自下而上充分填充到纳米棒阵列的空隙中；(4)在p型半导体层的上表面溅射金属或氧化物导电层电极，制备出三维结构的异质结器件。本发明的有益效果是：该方法获得的异质结器件具有很好的整流比、高电流密度的特点。可以广泛应用于纳米电子、光电子、传感器、光催化和能量转化等领域。
Description
技术领域
本发明涉及一种三维结构的异质结器件的制备方法，特别涉及一种在取向的n型半导体纳米棒阵列中采用电化学沉积技术填充p型半导体制备三维纳米结构的异质结器件，属于半导体器件技术领域。
背景技术
纳米尺度的纳米棒/线、纳米管和纳米沟道的n型半导体阵列，包括ZnO、SnO2、TiO2和Si等，在纳米电子、光电子、传感器、光催化和能量转化等领域有着广泛的应用前景。近年来取向纳米尺度的阵列结构的制备已获得明显的进展。它们在纳米半导体领域的应用需要将它们与其它的材料特别是p型半导体类材料，如CuSCN、Cu2O、CuI、FeO和CdTe等集成在一起。另外，实现取向n型半导体纳米阵列与p型半导体相结合可以进一步将这些纳米阵列的应用扩展到同轴异质结、阵列结构的激光器、纳米晶太阳电池和光催化异质结领域，进而提高器件的性能和效率。然而，与流动性的液体或有机材料相比，固体无机p型半导体材料在填充过程中由于受到与复杂几何结构有关的阴影效应的制约往往会无法在纳米结构表面保形覆盖或很难实现其在纳米多孔中致密化填充。因此，发展可行的在取向阵列中充分填充无机固体p型半导体的技术用于制备三维异质结器件是未来实现纳米阵列应用的关键。
电化学是一种填充多孔材料的有效方法。最早实现对纳米阵列填充的是集成电路领域广泛采用的电化学铜互联技术，又叫大马士革(Damascene)工艺。但是这类填充的特征是取向阵列多为电绝缘性材料如晶体硅阵列沟道、阳极氧化铝多孔模板(AAO)或有机树脂多孔模板等，而且填充材料多为导电材料。在由电子传输决定的沉积过程中，实现电导性材料在绝缘材料多孔中填充是相对容易的，比如利用取向的绝缘多孔模板电化学合成取向的金属或半导体纳米线/棒阵列。但对n型半导体阵列和p型半导体填充材料，由于阵列底部和顶部具有类似的导电性，沉积过程中阵列的入口处溶液离子浓度较高，离子扩散主导的沉积过程会无机半导体固体阵列入口处沉积速率较高， 导致阵列入口首先堵塞，增加了致密化或保形沉积的难度。为此，美国的K.-S.Choi研究小组在《化学材料》2008年第20卷16期5266-5273页“高取向TiO2纳米管阵列构建的CdTe/TiO2异质结电极的光电化学性能”(Photoelectrochemical Properties ofHeteroj unction CdTe/TiO2Electrodes Constructed Using Highly Ordered TiO2NanotubeArrays，Chem.Mater.2008，20，5266-5273.)一文中发展了一种浸渍-电化学沉积技术，有效降低了开口处高浓度前躯体离子浓度对致密化填充的不利影响，制备出高填充度CdTe/TiO2三维异质结；J.Frank小组在《纳米通讯》2009年第9卷第2期806-813页“构建取向敏化异质结：在取向n型TiO2纳米管阵列中自下而上电化学合成p型半导体”(Constructing Ordered Sensitized Heterojunctions：Bottom-Up ElectrochemicalSynthesis of p-Type Semiconductors in Oriented n-TiO2Nanotube Arrays，Nano Letters，2，9(2009)：806-813.)一文中也报道了一种采用双极扩散长度限制的电化学沉积技术，获得了高质量的CuInSe2/TiO2纳米管三维异质结电极。尽管两种电化学沉积技术都一定程度上解决了无机p型半导体不能在纳米阵列中致密化填充的问题，但这两种电化学填充工艺存在如下问题：(1)在沉积过程中不断更换电解质溶液，工艺复杂且效率低；(2)采用含有极低前躯体离子浓度的电解质溶液和低溶剂化能力的有机溶剂，沉积效率低且成本较高。
发明内容
针对上述存在的不足，本发明的目的在于提供一种能够实现p型半导体在纳米阵列中充分填充的三维结构的异质结器件的制备方法。
本发明是通过以下技术方案实现的：
所述的三维结构的异质结器件的制备方法，主要包括以下步骤：
(1)在基体上生长取向n型ZnO纳米棒阵列薄膜；
所用的n型ZnO纳米线/棒阵列的合成方法可以采用我们之前申请的发明专利中提出的水热法合成技术(一种控制氧化锌纳米棒/纳米管阵列取向和形貌特征的方法，CN101319370)，也可以用其它文献中报道的气-液-固技术(Room-temperature ultravioletnanowire nanolasers，Huang M H et.al.，Science，292(2001)：1897.)。生长ZnO纳米棒阵列的基体可以是Au、Pt、Cu以及ITO、FTO、B:ZnO等多种金属或氧化物导电基底。 所述n型ZnO纳米棒阵列的形貌特征为：种子层的厚度为100-200nm，以防止异质结漏电电流，棒直径为30-150nm，棒长度为1～10μm，棒间距为50～150nm。
(2)将p型半导体从未被活化的前驱体溶液中电化学沉积在ZnO纳米棒表面，实现p型半导体对ZnO纳米棒的保形覆盖；
所述p型半导体为CuSCN、Cu2O或CdTe。
所述的沉积用的p型半导体前驱体溶液，其pH值范围为5.5～10.5。
沉积的关键是保证电解质离子与p型半导体的价带边之间形成一定的能量势垒，并且该能量势垒在低温下可以形成阻碍电子传输的阻挡层。同时，为保证p型层在ZnO纳米棒表面保形覆盖，应使p型半导体在较高阴极电位下沉积，并避免金属的生成。
由于p型半导体在沉积过程中，形成的半导体/电解质界面为类似于肖特基结的整流结。当一层p型半导体在n型纳米棒表面沉积后，该沉积层就成为电子传输的阻挡层，使p型半导体无法继续沉积。该限制过程与溶液离子浓度无关，因此本发明的一个明显优势是电化学沉积过程允许采用高浓度电解质溶液。P型层沉积受阻后，为使沉积过程继续进行，并且按照与大马士革技术类似的电化学过程自下而上填充，必须改变沉积条件如温度和pH等，且这些过程也被限定在与溶液离子浓度无关的条件下进行。这种三维异质结的组装或沉积过程可用如图1中的工艺流程表示。
为实现上述的沉积设想，一是要采用合适的络合剂提高金属离子的沉积电位使其使其高于明显高于生成p型半导体的氧化还原电位。二是调节电解质溶液的pH值，使其既可以沉积出需要的p型半导体又不会导致ZnO纳米棒阵列被腐蚀。所述前驱体溶液的pH、所含的组分及浓度具体如下：对p型Cu2O半导体，其前驱体溶液pH＝9.0～10.5，其中含有0.05～0.4mol/L的CuSO4或CuCl2、离子浓度为Cu2+浓度4倍的乙醇胺、二乙醇胺或乳酸作为络合剂；对p型CuSCN半导体，其前驱体溶液含有0.01mol.L-1～0.2mol/L的CuSO4或CuCl2、离子浓度为Cu2+浓度4倍的乙醇胺、二乙醇胺或乳酸作为络合剂、0.01～0.4mol/L的KSCN或NaSCN；对p型CdTe半导体，其前驱体溶液pH＝5.5～7.0，含有0.05～0.2mol/L的CdCl2、0.1～5mmol/L的TeO2。
步骤(2)所述的电化学沉积条件为：对p型CuSCN和Cu2O半导体，溶液温度为5-30℃，沉积电位为-0.7～-1.2V；对p型CdTe半导体，溶液的pH＝5.5-6，温度为65～75℃，沉积电位为-0.6～-0.8V。本发明所述电位皆指相对于饱和Ag/AgCl参比电极。
(3)对上述前驱体溶液进行活化，将p型半导体自下向上充分填充到纳米棒阵列的空隙中；
为保证p型半导体在阵列中自底向上填充，需对前驱体溶液和沉积过程进行活化。步骤(3)所述的对前驱体溶液进行活化的方法为：对p型CuSCN和Cu2O半导体，调整溶液温度为35-65℃，沉积电位为-0.2～-0.8V；对p型CdTe半导体，调整溶液温度为75～95℃，pH值为5.5-6，沉积电位为-0.8～-1.0V。
(4)在p型半导体层的上表面溅射金属或氧化物导电层电极，制备出三维结构的异质结器件；所述金属或氧化物导电层电极为金属电极如金(Au)、铂(Pt)和导电氧化物电极如氧化铟锡(ITO)、掺氟氧化锡(FTO)、掺硼氧化锌(B：ZnO)。
本发明的有益效果是：该方法可有效提高纳米阵列结构的填充致密度，并能改善填充后n型半导体与p型半导体间的界面电接触质量；获得的三维结构的异质结具有很好的整流比，显示出较好的整流特性，具有高的正向电流密度；允许采用较高的前驱体离子浓度以及低成本原料的电化学沉积技术，制备成本低且效率较高。
本发明所制备的异质结可应用于紫外激光发光、纳米晶太阳能电池(包括染料敏化太阳能电池、无机极薄吸收层太阳能电池和量子点太阳能电池)等。本发明提出的电化学填充工艺也适用于其它异质结器件，比如n型半导体阵列可以是ZnO、TiO2、Si、SnO2等，p型半导体可以是CuSCN、Cu2O、CuI、FeO和CdTe等。未来在三维结构太阳能电池、同轴异质结、紫外激光器、光催化异质结等领域具有很好的应用前景。
附图说明
图1为三维异质结的电化学沉积过程流程图。
图2为一个典型的水热法合成的ZnO纳米棒阵列薄膜的场发射扫描电子显微镜(FESEM)照片。
图3为CuSCN在ZnO纳米棒阵列中未被完全填充的SEM照片，非常清晰的表现出自下而上的填充过程特点。
图4为CuSCN完全填充ZnO纳米棒阵列后得到的CuSCN/ZnO三维结构的FESEM照片。
图5为Cu2O充分填充ZnO纳米棒阵列后得到的Cu2O/ZnO三维结构异质结的FESEM照片。
图6为CdTe充分填充ZnO纳米棒阵列后得到的CdTe/ZnO三维结构异质结的FESEM照片。
图7为图4中获得三维结构的CuSCN/ZnO纳米棒阵列异质结的电流-电压整流曲线。
图8为图5中获得三维结构的Cu2O/ZnO纳米棒阵列异质结的电流-电压整流曲线。
图9为图6中获得三维结构的CdTe/ZnO纳米棒阵列异质结的电流-电压整流曲线。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
CuSCN/ZnO三维结构异质结的制备方法：
(1)在ITO导电基底上采用水热法生长ZnO纳米棒阵列，其中种子层的厚度为100nm，棒直径为100-150nm，棒长度为1.5μm，棒间距为50-100nm，纳米棒阵列薄膜的形貌如图2所示。
(2)配制p型半导体前驱体溶液，其中含有0.01mol/L的CuSO4，0.04mol/L的二乙醇胺，0.08mol/L的KSCN，pH＝8.0；
在ZnO纳米棒表面电化学保形沉积p型半导体层，沉积过程为：在5℃和-1.1V沉积35min。
(3)调整溶液温度为65℃，沉积电位为-0.7V，电化学沉积95min，将p型半导体自下向上充分填充到纳米棒阵列的空隙中。
(4)将沉积后的半导体异质结在低于120℃的空气或N2下干燥，在p型半导体层上表面溅射Au电极，制备出CuSCN/ZnO三维结构异质结，如图4所示。
实施例2
Cu2O/ZnO三维结构异质结的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)在Au导电基底上采用水热法生长ZnO纳米棒阵列，其中种子层的厚度为200nm，棒长度为1μm，棒间距为150nm。
(2)配制p型半导体前驱体溶液，其中含有0.3mol/L的CuSO4，1.2mol/L的乳酸，用NaOH调节溶液pH＝10；
在ZnO纳米棒表面电化学保形沉积p型半导体层，沉积过程为：在10℃和-1.0V沉积10min。
(3)调整溶液温度为45℃，沉积电位为-0.4V，电化学沉积60min，将p型半导体自下向上充分填充到纳米棒阵列的空隙中。
(4)将沉积后的半导体异质结在低于120℃的空气或N2下干燥，在p型半导体层的上表面溅射FTO导电层电极，制备出Cu2O/ZnO三维结构异质结，如图5所示。
实施例3
CdTe/ZnO三维结构异质结的制备方法，主要包括以下步骤：
(1)在Pt导电基底上采用水热法生长ZnO纳米棒阵列，其中种子层的厚度为150nm，棒直径为100-150nm，棒长度为2μm，棒间距为150nm。
(2)配制p型半导体前驱体溶液，其中含有0.2mol/L的CdCl2，0.1mmol/L的TeO2，用H2SO4调节溶液pH＝7.0；
在ZnO纳米棒表面电化学保形沉积p型半导体层，沉积过程为：在65℃和-0.7V沉积30min。
(3)然后调整溶液温度为75℃，pH为5.5，沉积电位为-0.8V，电化学沉积60min，将p型半导体自下向上充分填充到纳米棒阵列的空隙中。
(4)将沉积后的半导体异质结在低于120℃的空气或N2下干燥，在p型半导体层的上表面溅射Au导电层电极，制备出CdTe/ZnO三维结构异质结，如图6所示。
实施例4
Cu2O/ZnO三维结构异质结的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)在Au/Si基底上采用水热法生长ZnO纳米棒阵列，其中种子层的厚度为150nm，棒长度为5μm，棒间距为80nm。
(2)配制p型半导体前驱体溶液，其中含有0.05mol/L的CuCl2，0.2mol/L的二乙醇胺，用NaOH调节溶液pH＝9；
在ZnO纳米棒表面电化学保形沉积p型半导体层，沉积过程为：在25℃和-0.8V 沉积15min。
(3)调整溶液温度为65℃，沉积电位为-0.2V，电化学沉积50min，将p型半导体自下向上充分填充到纳米棒阵列的空隙中。
(4)将沉积后的半导体异质结在低于120℃的空气或N2下干燥，在p型半导体层的上表面溅射Au导电层电极，制备出Cu2O/ZnO三维结构异质结，其整流比为170(测试电压为+3.0V和-3.V)，在前向偏压+3.0V时的电流密度为300mA/cm2。
实施例5
CdTe/ZnO三维结构异质结的制备方法，主要包括以下步骤：
(1)在ITO导电基底上采用水热法生长ZnO纳米棒阵列，其中种子层的厚度为150nm，棒直径为100-150nm，棒长度为2μm，棒间距为150nm。
(2)配制p型半导体前驱体溶液，其中含有0.05mol/L的CdCl2，0.05mmol/L的TeO2，用H2SO4调节溶液pH＝6.5；
在ZnO纳米棒表面电化学保形沉积p型半导体层，沉积过程为：在65℃和-0.7V沉积20min。
(3)然后调整溶液温度为75℃，pH为6.0，沉积电位为-0.6V，电化学沉积90min，将p型半导体自下向上充分填充到纳米棒阵列的空隙中。
(4)将沉积后的半导体异质结在低于120℃的空气或N2下干燥，在p型半导体层的上表面溅射Au导电层电极，制备出CdTe/ZnO三维结构异质结，其整流比为255(测试电压为+3.0V和-3.V)，在前向偏压+3.0V时的电流密度为250mA/cm2。
实施例6
CuSCN/ZnO三维结构异质结的制备方法：
(1)在ITO导电基底上采用水热法生长ZnO纳米棒阵列，其中种子层的厚度为100nm，棒直径为100-150nm，棒长度为1.5μm，棒间距为50-100nm，纳米棒阵列薄膜的形貌如图2所示。
(2)配制p型半导体前驱体溶液，其中含有0.05mol/L的CuSO4，0.2mol/L的二乙醇胺，0.1mol/L的KSCN，pH＝8.7；
在ZnO纳米棒表面电化学保形沉积p型半导体层，沉积过程为：在15℃和-1.1V 沉积25min。
(3)调整溶液温度为55℃，沉积电位为-0.7V，电化学沉积95min，将p型半导体自下向上充分填充到纳米棒阵列的空隙中。
(4)将沉积后的半导体异质结在低于120℃的空气或N2下干燥，在p型半导体层上表面溅射Au电极，制备出CuSCN/ZnO三维结构异质结，其整流比为215(测试电压为+3.0V和-3.V)，在前向偏压+3.0V时的电流密度为1000mA/cm2。
Claims (6)
1.一种三维结构的异质结器件的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)在基体上生长取向n型ZnO纳米棒阵列薄膜；(2)将p型半导体从未被活化的前驱体溶液中电化学沉积在ZnO纳米棒表面，实现p型半导体对ZnO纳米棒的保形覆盖；(3)对上述前驱体溶液进行活化，将p型半导体自下而上充分填充到纳米棒阵列的空隙中；(4)在p型半导体层的上表面溅射金属或氧化物导电层电极，制备出三维结构的异质结器件；
所述p型半导体为CuSCN、Cu2O或CdTe；所述前驱体溶液的pH值为5.5～10.5。
2.根据权利要求1所述的三维结构的异质结器件的制备方法，其特征在于：所述n型ZnO纳米棒阵列的形貌特征为：种子层的厚度为100-200nm，棒直径为30-150nm，棒长度为1～10μm，棒间距为50～150nm。
3.根据权利要求1或2所述的三维结构的异质结器件的制备方法，其特征在于：所述金属或氧化物导电层电极Au、Pt、ITO、FTO、B:ZnO。
4.根据权利要求1或2所述的三维结构的异质结器件的制备方法，其特征在于：步骤(2)所述未被活化的p型半导体前驱体溶液为：
对p型Cu2O半导体，其前驱体溶液pH＝9.0～10.5，其中含有0.05～0.4mol/L的CuSO4或CuCl2、浓度为Cu2+浓度4倍的乙醇胺、二乙醇胺或乳酸作为络合剂；
对p型CuSCN半导体，其前驱体溶液含有0.01mol/L～0.2mol/L的CuSO4或CuCl2、离子浓度为Cu2+浓度4倍的二乙醇胺、二乙醇胺或乳酸作为络合剂、0.01～0.4mol/L的KSCN或NaSCN；
对p型CdTe半导体，其前驱体溶液pH＝5.5～7.0，含有0.05～0.2mol/L的CdCl2、0.1～5mmol/L的TeO2。
5.根据权利要求1或2所述的三维结构的异质结器件的制备方法，其特征在于：步骤(2)所述的电化学沉积条件为：
对p型CuSCN和Cu2O半导体，溶液温度为5-30℃，沉积电位为-0.7～-1.2V；对p型CdTe半导体，溶液的pH＝5.5-6，温度为65～75℃，沉积电位为-0.6～-0.8V；所述电位指的是相对于饱和Ag/AgCl参比电极。
6.根据权利要求1或2所述的三维结构的异质结器件的制备方法，其特征在于：步骤(3)所述的对前驱体溶液进行活化的方法为：
对p型CuSCN和Cu2O半导体，调整溶液温度为35-65℃，沉积电位为-0.2～-0.8V；
对p型CdTe半导体，调整溶液温度为75～95℃，pH值为5.5-6.0，沉积电位为-0.8～-1.0V。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009100162166A CN101577228B (zh) | 2009-06-16 | 2009-06-16 | 一种三维结构的异质结器件的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009100162166A CN101577228B (zh) | 2009-06-16 | 2009-06-16 | 一种三维结构的异质结器件的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101577228A CN101577228A (zh) | 2009-11-11 |
| CN101577228B true CN101577228B (zh) | 2011-08-24 |
Family
ID=41272116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009100162166A Expired - Fee Related CN101577228B (zh) | 2009-06-16 | 2009-06-16 | 一种三维结构的异质结器件的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101577228B (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101717980B (zh) * | 2009-12-15 | 2011-07-06 | 天津大学 | 交流电沉积法制备氧化亚铜/二氧化钛核壳结构阵列薄膜的方法 |
| CN102266775B (zh) * | 2011-06-09 | 2013-06-19 | 中国科学院理化技术研究所 | 基于氧化亚铜量子点修饰的氧化锌纳米线阵列光催化材料的制备方法 |
| CN102732927A (zh) * | 2012-07-17 | 2012-10-17 | 西北工业大学 | 氧化锌/氧化亚铜异质结的制备方法 |
| CN102732928A (zh) * | 2012-07-18 | 2012-10-17 | 西北工业大学 | 氧化亚铜半导体薄膜材料的制备方法 |
| CN102751318B (zh) * | 2012-07-18 | 2015-02-04 | 合肥工业大学 | 一种ZnO同质pn结及其制备方法 |
| CN106645351B (zh) * | 2017-01-19 | 2019-01-15 | 济南大学 | 一种基于Au@Ag异质结纳米棒的玉米赤霉烯酮免疫传感器的构建 |
| CN108043410B (zh) * | 2017-11-07 | 2020-05-19 | 国家纳米科学中心 | 顶端修饰Cu2O的ZnO纳米棒异质结及其制备方法与应用 |
| CN108400535A (zh) * | 2018-03-01 | 2018-08-14 | 深圳众厉电力科技有限公司 | 带有太阳能发电功能的户外配电箱 |
| CN113405685B (zh) * | 2021-05-17 | 2022-12-16 | 清华大学 | 一种基于PEDOT-ZnO纳米异质结的温度传感器及其制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101127371A (zh) * | 2007-09-20 | 2008-02-20 | 复旦大学 | 一种纳米结构薄膜太阳能电池及其制备方法 |
-
2009
- 2009-06-16 CN CN2009100162166A patent/CN101577228B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101127371A (zh) * | 2007-09-20 | 2008-02-20 | 复旦大学 | 一种纳米结构薄膜太阳能电池及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101577228A (zh) | 2009-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101577228B (zh) | 一种三维结构的异质结器件的制备方法 | |
| US8877541B2 (en) | Nanostructure and photovoltaic cell implementing same | |
| Peng et al. | Platinum nanoparticle decorated silicon nanowires for efficient solar energy conversion | |
| CN104201221A (zh) | 基于石墨烯-金属纳米颗粒复合材料的太阳能电池 | |
| CN103296123A (zh) | P-型碳量子点/n-型硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法 | |
| Mao et al. | P-type CoO nanowire arrays and their application in quantum dot-sensitized solar cells | |
| CN109252179A (zh) | 一种用于光解水的双吸收层光阳极及制备方法 | |
| CN102867916A (zh) | 一种聚合物太阳能电池及其制备方法 | |
| Chen et al. | Photoelectrochemistry of ultrathin, semitransparent, and catalytic gold films electrodeposited epitaxially onto n-silicon (111) | |
| Guo et al. | Electrodeposited CuInSe2 counter electrodes for efficient and stable quantum dot-sensitized solar cells | |
| Xie et al. | Sulfate-Functionalized Core–Shell ZnO/CdS/Ag2S Nanorod Arrays with Dual-Charge-Transfer Channels for Enhanced Photoelectrochemical Performance | |
| Esmaeili-Zare et al. | CIS/CdS/ZnO/ZnO: Al modified photocathode for enhanced photoelectrochemical behavior under visible irradiation: Effects of pH and concentration of electrolyte solution | |
| US9129751B2 (en) | Highly efficient dye-sensitized solar cells using microtextured electron collecting anode and nanoporous and interdigitated hole collecting cathode and method for making same | |
| Yao et al. | PbS quantum-dot depleted heterojunction solar cells employing CdS nanorod arrays as the electron acceptor with enhanced efficiency | |
| Chen et al. | An in situ inward etching strategy for constructing a pp heterojunction Cu2S/Cu2-xSe material based on brass as an effective counter electrode for quantum dot sensitized solar cells | |
| CN108963003A (zh) | 太阳能电池 | |
| Kim et al. | Toward robust photoelectrochemical operation of cuprous oxide nanowire photocathodes using a strategically designed solution-processed titanium oxide passivation coating | |
| US20080314435A1 (en) | Nano engineered photo electrode for photoelectrochemical, photovoltaic and sensor applications | |
| KR20160127253A (ko) | 금속 나노선을 광전극으로 포함하는 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| Schierhorn et al. | Fabrication and electrochemical photovoltaic response of CdSe nanorod arrays | |
| Sudhagar et al. | Quantum dot-sensitized solar cells | |
| WO2012103667A1 (en) | Quantum dot solar cell | |
| US8372678B2 (en) | Counter electrode for solar cell | |
| CN103715280A (zh) | 一种微米/纳米二级阵列结构薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
| Ying et al. | Enhancing the Efficiency and Stability of NiO x-Based Silicon Photoanode via Interfacial Engineering |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110824 Termination date: 20140616 |
|
| EXPY | Termination of patent right or utility model |