CN101569060A - 旋转接触元件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本文提供旋转接触元件及其制造方法。在一个实施例中，一种旋转接触元件包括：针尖，其具有被配置成接触要测试器件的第一面和相反的第二面；以及多个变形的构件，其从针尖的第二面延伸且围绕其中心轴排列，其中针尖在多个变形的构件被压缩时基本围绕该中心轴旋转。

Description

旋转接触元件及其制造方法
技术领域
本发明的各实施例一般涉及对部分或全部完工的半导体器件的测试，更具体地说涉及用于测试这样的器件的弹性接触元件。
背景技术
当测试在半导体衬底上形成的诸如集成电路等等之类的部分或全部完工的半导体器件时，通常使接触元件与要测试的器件——也称为受测器件(或DUT)接触。接触元件通常是接合到测试机构的探针卡组件的一部分或其它类似器件，它们根据预定的测试协议向DUT上的端子提供电信号。
当接触DUT的端子时，通常要求接触元件突破形成在端子上的氧化物层。因此，通常用足够大的力来将接触端子按压在DUT的表面上，以使接触元件摩擦DUT表面，以突破氧化物层并与其建立可靠的电接触。然而，随着器件大小不断缩小，可用于摩擦DUT的端子的运动范围同样不断缩小，从而增大了与DUT表面建立可靠电连接的难度。
因此，在本领域中存在对改进的接触元件的需求。
发明内容
本文提供了旋转接触元件及其制造方法。在一个实施例中，一种旋转接触元件包括：针尖，其具有被配置成接触要测试器件的第一面和相反的第二面；以及多个变形的构件，其从针尖的第二面延伸且围绕其中心轴排列，其中针尖在多个变形的构件被压缩时基本围绕该中心轴旋转。
在本发明的某些实施例中，提供了一种用于测试半导体的探针卡组件。在某些实施例中，该探针卡组件包括探针基板和至少一个接触元件，该接触元件包括：针尖，该针尖具有被配置成接触要测试器件的第一面和相反的第二面；以及多个变形的构件，其从针尖的第二面延伸且围绕其中心轴排列，其中该针尖在多个变形的构件被压缩时基本围绕该中心轴旋转。
在本发明的某些实施例中，提供了一种制造弹性接触元件的方法。在某些实施例中，制造弹性接触元件的方法包括：提供具有围绕中心轴排列的多个构件、且具有接合至第一层的各个第一端和接合至第二层的各个第二端的组件；以及分离第一和第二层以使多个构件变形并形成弹性接触元件。
在本发明的某些实施例中，提供了一种旋转接触元件。在某些实施例中，可通过以下步骤形成旋转接触元件：提供具有围绕中心轴排列的多个构件、且具有接合至第一层的各个第一端和接合至第二层的各个第二端的组件；以及分离第一和第二层以使多个构件变形并形成弹性接触元件。
在本发明的某些实施例中，提供了一种测试半导体器件的方法。在某些实施例中，该测试方法包括：提供具有至少一个接触元件的探针卡组件，该至少一个接触元件包括具有被配置成接触要测试器件的第一面和相反的第二面的针尖、以及从针尖的第二面延伸且围绕其中心轴排列的多个变形的构件，其中该针尖在多个变形的构件被压缩时基本围绕该中心轴旋转；使器件的至少一个端子与至少一个接触元件的相应针尖接触；以及通过探针卡组件向至少一个端子提供一个或多个电信号。
在本发明的某些实施例中，提供了一种半导体器件。在某些实施例中，通过以下步骤测试该半导体器件：提供具有至少一个接触元件的探针卡组件，该至少一个接触元件包括具有被配置成接触要测试器件的第一面和相反的第二面的针尖、以及从针尖的第二面延伸且围绕其中心轴排列的多个变形的构件，其中该针尖在多个变形的构件被压缩时基本围绕该中心轴旋转；使器件的至少一个端子与至少一个接触元件的相应针尖接触；以及通过探针卡组件向至少一个端子提供一个或多个电信号。
附图说明
参照各实施例来对上面简述的本发明进行更具体的描述，以能详细地理解本发明的上述特征以及下述的其它特征，其中一些实施例示于附图中。但是，应当注意，附图仅仅示出本发明的典型实施例，因此不能将之认为是对其范围的限制，因为本发明可容许其它等效实施例。
图1示出根据本发明的某些实施例的接触元件的示意性侧视图。
图1A描述根据本发明的某些实施例的接触元件的针尖的细节。
图2A-2B示出根据本发明的某些实施例的接触元件的(部分按照剖面)俯视图。
图3描述具有根据本发明的某些实施例的弹性接触元件的探针卡组件。
图4A-G描述根据本发明的某些实施例的弹性接触元件的制造阶段。
图5示出用于制造图4A-G中所描述的弹性接触元件的流程图。
图6示出根据本发明的某些实施例的测试衬底的方法的流程图。
在可能之处，本文中使用相同的附图标记来指示各附图共有的相同元件。出于说明性的目的对附图中所用的图像作了简化，且这些图像不一定按比例绘制。
具体实施方式
本发明提供旋转接触元件和包括旋转接触元件的探针卡组件的一些实施例。还提供了旋转接触元件和探针卡组件的制造和使用方法。与常规接触元件相比，旋转接触元件可有利地改进受测器件的电接触并减小摩擦。而且，本文中公开的旋转接触元件可有利地提供更紧密的接触元件间距，从而提供更高的接触元件阵列密度。
图1描述了根据本发明的某些实施例的旋转接触元件100。该旋转接触元件100通常包括通过设置在中间的弹性部分106接合在一起的基座102和针尖104。通常将基座102配置成被固定至基板(诸如图3中所示的基板)，以支承旋转接触元件100并便于在使用期间控制它。
针尖104可包括在其下表面上形成的一个或多个触点110。通常将针尖104和/或触点110配置成与要测试期间的表面建立可靠的临时电接触(例如，在与受测器件表面接触时突破在该表面上形成的氧化层)。可以设想，触点110的几何尺寸形状、数量、以及排列可采取适合于提供如上所述的可靠临时电接触的多种形式。例如，图1A示意性地描述了具有沿针尖104的两侧设置的两个触点112的针尖104。还可构想出触点的数量和几何形状的其它变型例。
弹性部分106通常包括多个变形的构件108。变形的构件108具有分别接合至基座102和针尖104的两端。变形的构件108可与基座102和针尖104中的一个或多个整体地形成(例如接触元件100的基座102、针尖104、以及弹性部分106可由单种材料形成或由一种或多种材料的多层组成)。或者，变形的构件108也可用诸如粘接之类的其它合适方法接合至基座102和针尖104中的一个或多个。
多个变形的构件108围绕中心轴150排列，该中心轴150与基座102、针尖104、以及在针尖104上形成的任何触点110、112中的任一个的中心轴(未示出)可以重合或可以不重合。当将基座102和针尖104移动得彼此更靠近时，诸如当针尖104在测试器件与DUT的表面接触时，多个变形的构件108产生使针尖104相对于基座102旋转的扭矩。例如，图2A和2B示出了根据本发明的某些实施例的接触元件200A、200B的旋转接触元件100的俯视图。在图2A所描述的实施例中，针尖204A具有从其处延伸且围绕中心轴250A排列的四个变形的构件208A。在图2B所描述的实施例中，接触元件200B具有圆形针尖204B，其具有围绕中心轴250B设置的三个变形的构件208B。具有圆形针尖的实施例有利于毗邻的旋转接触元件之间的间隔更紧密，而不会在旋转时干扰相应针尖的任何角落。
旋转接触元件的基座、弹性部分、针尖以及触点可由相同或不同材料制造，而且可包括一种或多种导电和/或不导电材料。合适的导电材料的示例包括金属和导电聚合物。在某些实施例中，导电材料可包括镍、铜、钴、铁、金、银、铂族元素、贵金属、半贵金属、钯族元素、钨、钼、铍等以及它们的合金(诸如镍钴合金、铜铍合金等)。
虽然在图1-2中描述了旋转接触元件的特定实施例，但可设想还可利用上述原理来构造许多其它的实施例。例如，可设置更多或更少的变形的构件，变形的构件的几何尺寸形状或排列可以不同，底座、针尖、及其上所形成的任何触点的大小和形状也可不同等等。
图3描述采用根据本发明的某些实施例的一个或多个旋转接触元件的探针卡组件300。图3所示的示例性探针卡组件300可用来测试一个或多个电子器件(用受测器件或DUT 328表示)。DUT 328可以是任何电子设备或要被测试的设备。合适的DUT的非限制性示例包括未单片化的半导体晶片的一个或多个管芯、从晶片单片化所得的一个或多个半导体管芯(已封装或未封装)、设置在载体或其它保持器件中的单片化半导体管芯的阵列、一块或多块多管芯电子电路模块、一块或多块印刷电路板、或任何其它类型的电子器件或一些器件。如本文所使用的术语DUT指的是一个或多个这样的电子器件。
探针卡组件300一般作为测试仪(未示出)和DUT 328之间的接口。测试仪可以是计算机或计算机系统，其通常例如通过生成要输入到DUT328的测试数据、并接收和评估由DUT 328响应于测试数据而生成的响应数据来控制DUT 328的测试。探针卡组件300包括电连接器304，其可被配置成与来自测试仪的多个通信信道(未示出)建立电连接。探针卡组件300还包括一个或多个旋转接触元件100，它们被配置成压抵DUT 328的一个或多个输入和/或输出端子320从而与它们建立临时电连接。旋转接触元件100可类似于本文中公开的多个实施例，并通常被配置成对应于DUT 328的端子320，并被排列成所需几何尺寸形状的一个或多个阵列。
探针卡组件300可包括一块或多块基板，所述的一块或多块基板用来支承连接器304和旋转接触元件100并提供它们之间的电连接。图3中所示的示例性探针卡组件300具有三块这样的基板，不过在其他实施中探针卡组件300可具有更多或更少的基板。在图3所描述的实施例中，探针卡组件300包括布线基板302、插入基板308以及探针基板324。布线基板302、插入基板308以及探针基板324一般可由任何类型的合适的材料或多种材料中的任意类型制成，诸如但并不限于印刷电路板、陶瓷、有机或无机材料等或它们的组合。
另外，在某些实施例中，探针卡组件300可包括设置在其下表面上的一个或多个有源或无源的电子组件(诸如电容器、电阻器等)、以及多个旋转接触元件100。例如，如图3所示，组件330设置在布线基板324的下表面上。如图可见，旋转接触元件100有利地不会因为旋转接触元件100的针尖与DUT 328接触时产生的垂直偏移而物理地干扰组件330。因此，旋转接触元件100可有利地更密集地配置，同时又可防止在工作期间彼此和与任意其它组件330接触。
通常从连接器304通过多个不同的基板来将导电路径(未示出)提供给旋转接触元件100。例如，在图3所述的实施例中，可从连接器304通过布线基板302将导电路径(未示出)提供给多个导电弹簧互连结构306。可从弹簧互连结构306通过插入基板308来将其它导电路径(未示出)提供给多个导电弹簧互连结构319。还可从弹簧互连结构319通过探针基板324来将再其它的导电路径(未示出)提供给旋转接触元件100和/或任何组件330。通过布线基板302、插入基板308以及探针基板324的导电路径可包括设置在布线基板302、插入基板308以及探针基板324之上、之内、和/或之中的导电通孔、迹线等。
布线基板302、插入基板308、以及探针基板324可通过一个或多个支架322和/或其它合适的装置(诸如通过螺栓、螺母、或其他合适的紧固件)固定在一起。图3所示的探针卡组件300的配置仅是示例性的，且为便于说明和讨论而将器件简化了，可构想许多变型、改型和添加物。例如，探针卡组件可具有比图3所示的探针卡组件300更少或更多的基板(例如302、308、324)。作为另一示例，探针卡组件可具有一块以上的探针基板(例如324)，且每一个这样的探针基板是可单独调整的。2005年6月24日提交的美国专利申请S/N 11/165,833中公开了具有多块探针基板的探针卡组件的非限制性示例。作为另一示例，探针基板和/或多个探针基板可具有设置于其上的一种以上类型的接触元件。例如，探针基板可具有如本文中公开的旋转接触元件和诸如悬臂型接触元件之类的其它类型的弹性接触元件等。在1999年11月2日授权的美国专利No.5,974,662、2003年1月21日授权的美国专利No.6,509,751以及上述美国专利申请S/N 11/165,833中示出了探针卡组件的另外的非限制性示例。可以设想，在那些专利和申请中所描述的探针卡组件的多个特征可以图3中所示的探针卡组件300的形式来实现，而且在上述专利和申请中描述的探针卡组件可从本文所公开的本发明的弹性接触元件的使用中得益。
在操作中，通过移动DUT 328或探针卡组件300中的至少一个来使旋转接触元件100与DUT 328的端子320接触。通常，可将DUT 328设置在测试系统所设置的可动支承件(未示出)上，该可动支承件使DUT 328与旋转接触元件100充分接触以提供与端子320的可靠电接触。然后可按照测试仪存储器中所包含的预定协议来测试DUT 328。例如，测试仪可产生电力和测试信号，并通过探针卡组件300将它们发送至DUT 328。同样通过探针卡组件300来将DUT 328响应于测试信号而产生的响应信号传送给测试仪，然后测试仪分析响应信号并确定DUT 328是否对测试信号正确地作出反应。
当移动DUT 328以接触探针卡组件的旋转接触元件100时，DUT 328通常继续向探针卡组件300移动，直到所有的旋转接触元件100与端子320充分接触。由于设置在探针卡组件300上的旋转接触元件100的各个的针尖的不平坦性和端子320的高度变化，DUT 328在第一旋转接触元件100刚接触DUT 328之后继续向探针卡组件300移动附加约1-4密耳(约25.4-102μm)的非限制示例性范围(有时候称为超行程)。实际的超行程量取决于旋转接触元件100各个的针尖的不平坦特征和/或端子320的高度变化。因此，某些旋转接触元件100比其它旋转接触元件会承受更多的挠曲。
在悬臂型接触元件中，接触元件的摩擦由针尖在接触DUT的表面之后移动的前向距离来限定。当用有时候将针尖移动的前向距离除以接触元件在刚与DUT接触之后向下移动的距离，而将其称为摩擦比。然而在本发明中，DUT表面的摩擦是旋转的而不是直线的。因此，不论旋转接触元件的垂直偏移如何，旋转接触元件100有利地减小了操作中的摩擦距离(或摩擦比)。而且，与悬臂型接触元件相比，旋转接触元件还有利地便于旋转接触元件彼此或与其它组件的间隔更紧密，从而有利于提高给定基板上的组件和接触元件的封装密度。
例如，根据本发明的某些实施例的旋转接触元件的直径(或垂直于旋转轴的最大截面尺寸)在一个非限制性示例中可小于1mm，或在另一非限制性示例中可小于500μm，或在又一非限制性示例中可小于200μm。而且，根据本发明的某些实施例的旋转接触元件阵列的针尖到针尖间隔、或间距在一个非限制性示例中可小于1mm，或在另一非限制性示例中小于500μm，或在又一非限制性示例中可小于200μm。而且，根据本发明的某些实施例的旋转接触元件的阵列的径向节距或平面面积上可具有如上所述的针尖到针尖间隔(例如如悬臂型接触元件所需的线性度相比，旋转接触元件可在平面面积上、或沿从旋转接触元件延伸的任一半径紧密地间隔)。
图4A-G示出根据本发明的某些实施例的接触元件在各个构造阶段期间的侧视图和俯视图。图5描述了根据本发明的某些实施例的用于制造图4A-G中所示的接触元件的过程500。虽然关于图4-5的以下讨论反映了具有特定构造的单个接触元件的制造，但可以设想，可利用所公开的方法来制造具有其它构造的接触元件或单块基板上的多个接触元件。
示例性过程500从510处开始，其中提供了具有在其中形成有凹部404的第一基板402(如图4A所示)。该基板可包括诸如硅、金属、导电材料、塑料等之类的任何合适的基板。可将凹部404在几何尺寸形状上被构造成对应于要在接触元件上形成的触点。可供选的是，可在512处在第一基板402中形成凹部404。可通过任何合适的工艺在第一基板402中形成凹部404，诸如通过光刻和蚀刻工艺(例如块材微加工、表面微加工等等)、其它加工工艺(诸如放电加工(EDM)等)、或纳米制造技术(诸如纳米压印光刻等)等或它们的组合。虽然图4A-G示出了与要形成的一种类型的触点相对应的一种类型的凹部404，但还可构想出可用于本发明的多个实施例的其它几何尺寸形状。
接着，在520处，可在第一基板402上形成第一层412。在某些实施例中，可在522处在第一基板402上沉积释放层405(如图4B所示)。释放层405便于在完成旋转接触元件的制造时从第一基板402释放第一层412。释放层405可包括铜、二氧化硅(SiO2)等。
在某些实施例中，可在524处在第一基板402上沉积籽层406(如图4B所示)。籽层406通常包括便于第一层412形成、且可通过化学或物理气相沉积(CVD或PVD)、原子层沉积(ALD)等来沉积的材料。适合于籽层406的材料的非限制性示例包括铜、钯、钛、钨、银、以及它们的组合或合金。可供选的是，释放层405可起到籽层406的作用(即单一层既提供释放层功能又提供籽层功能)。
可在526处在第一基板402上形成第一掩模层408(如图4B所示)。可在籽层406(如果有的话)之前或之后形成第一掩模层408，而且第一掩模层408一般限定对应于第一层412的形状的图案410。掩模层408可包括诸如光敏光刻胶等之类的任一合适的掩模材料，而且可通过任一合适的工艺来沉积和图案化。
在528处，可将第一层412沉积到图案408中以形成第一层412(如图4C所示)。在图4A-G的实施例中，图4B中描述的图案410对应于图4C中描述的第一层412(例如形成针尖450，在其各个第一端454处具有连接至针尖的多个构件452，构件452以与针尖450成隔开关系向各个第二端456延伸)。可通过将第一层412沉积在凹部404中来形成触点440。第一层412可包括材料或材料组合(或材料层或材料组合的层)，所述材料包括以上关于图1-2所讨论的导电材料中的至少一种。可通过电镀、化学或物理气相沉积(CVD或PVD)等沉积第一层412。可供选的是，可将第一材料沉积到凹部404中以形成触点440，而将第二材料沉积于其上和由第一掩模层408限定的图案410的余下部分中以形成第一层412。
接着，可在530处在第一层412上形成第二层420。在某些实施例中，可在532和534处沉积和图案化第二掩模层414和第三掩模层416(如图4D所示)。可如上所述关于第一掩模层408所述同样地沉积和图案化第二和第三掩模层414、416。第二和第三掩模层414、416一般覆盖第一层412，从而留下多个开口418，在所述开口处期望使第一层412连接至第二层420(例如在构件452各个第二端456处)，并提供将第二层420形成到其中的图案。可将材料和多种材料的组合沉积到由第二和第三掩模层414、416提供的图案中，以如上对于第一层412所述那样在536处(如图4E所示)形成第二层420。尽管一般可从形成第一层412的相同材料组中选择形成第二层420的材料，但第一和第二层412、420并不必须由相同的材料来制造。
因此，第二层420可通过沉积在多个开口418中的材料连接至第一层412。例如，在图4A-G中所描述的实施例中，第一层412包括在多个构件452的各个第一端454处连接至多个构件452的针尖450，而第二层420接合至多个构件452和其各个第二端456。
在540处，第一层412和第二层420可相对于彼此移开以使多个构件452变形，从而形成旋转接触元件(如图4G中所示)。通过将第一层412或第二层420中的任一层或两层相对于彼此按照相反方向移动就可使多个构件452变形。在某些实施例中，这可通过固定第一层412或第二层420中的任一层或两层、并提供足以使多个构件452的第一和第二端454、456沿相反方向运动的力来实现。在某些实施例中，可固定第一层412或第二层420中的一层，而且重力足以沿相反方向移动所述端。
例如，在某些实施例中，可在542处将第二层420固定至第二基板422(如图4F所示)。可按照诸如夹紧、钎焊、粘接、焊接等之类的任何适合的方式将第二层420固定至第二基板422。第二基板422便于对旋转接触元件进行最终制造阶段的处理，并可包括如将在探针卡组件中使用的同一基板(诸如图3中示出的探针基板324)。
可在分离第一和第二层412、420以使多个构件452变形之前(未示出)，在544处去除第一、第二和第三掩模层408、414、416。可通过诸如抛光等之类的任何合适的方法来去除掩模层408、414、416。可供选的是，可在将第二层420固定至第二基板422之前将第一、第二以及第三掩模层408、414、416去除。
可供选的是，可在546处将重量件(未示出)固定至第一基板402以增大因重力而施加的力。可按照诸如用螺栓固定、夹紧、粘接等之类的任一合适的方式将重量件固定至第一基板402。
在某些实施例中，可在多个构件452的变形期间使旋转接触元件经受热处理，例如诸如在分开第一和第二层412、420之前(例如预加热)、在移动第一和第二层412、420期间(例如在变形期间加热)、或在将第一和第二层412、420保持成所要求的分开关系时(例如在变形之后加热)或用其组合来对构件452的至少一部分加热。可以诸如通过用辐射源(例如红外线、X射线、激光等)照射、使电流流过构件452、将旋转接触元件放置到烤箱中等等之类的任意合适的方式来对构件452进行加热。
热工艺还可包括加热和冷却构件452同时又保持第一和第二层412、420之间的分开关系的热循环。该热循环可包括将构件452的温度升高至比使构成构件452的材料再结晶的温度更高的温度。然后可将构件452冷却至低于构成构件452的材料的再结晶温度的温度、同时又保持构件452所要求的变形，以便在去除变形力时保持构件452的变形形状。可将温度保持为充分低的水平，以防止第二层420与第二基板422分离(例如，当第二层420粘接至第二基板422时)。热循环可包括温度缓升时间、温度保持时间以及温度缓降时间。该热循环一般至少包括足以使构件452在去除变形力时永久变形的温度保持时间。例如，在图5所描述的实施例中，可在548处进行热循环以使多个构件452永久变形。
一旦使构件452经受热循环，则可形成旋转接触元件400。接着，可如图4G所示在550处将第一层412从第一基板402释放。可通过诸如蚀刻掉释放层405之类的任何合适的方式将第一层412从第一基板402释放。
现在旋转接触元件400已准备好按要求例如实现为用于测试DUT的探针基板。如上所述，可同时将多个旋转接触元件400形成为所要求的结构，并将它们附连至诸如探针基板之类的、适合于实现为探针卡组件的基板。
例如，图6描述了根据本发明的某些实施例利用以上关于图1-3所描述的探针卡组件300来测试半导体器件或DUT的过程600。过程600在602处开始，其中探针卡组件300设置有与其接合的多个旋转接触元件100。可将多个旋转接触元件100设置成与DUT上所要求的测试位置(诸如图3中所示的端子320)相对应的一个或多个阵列。
接着，在604处使DUT 328的多个端子320与旋转接触元件100的相应的针尖接触。例如，可将DUT 328升高至一个位置，在该处至少某些端子320刚刚接触至少某些旋转接触元件100。然后可将DUT 328进一步升高至一个位置，在该位置处所有要求的端子320与所有要求的旋转接触元件100充分接触。DUT 328相对于旋转接触元件100的定位使各个针尖104通过变形的构件108的各个弹性部分106的挠曲而向它们各自的底座102靠近。如上所述，此挠曲使针尖104旋转，从而形成必要的摩擦，而与DUT328的端子320建立可靠的电接触。接着，在306处，通过旋转接触元件100向DUT 328的至少一个端子320提供一个或多个电信号(例如，作为包含DUT和探针卡组件的测试系统中所实施的测试程序的一部分)。
因此，在本文中提供了适用于测试具有减小的构件尺寸的器件的测试方法和装置及其制造方法。本发明的装置和方法便于利用对受测器件表面的减小的摩擦来测试这些器件，还便于接触元件和间隔更紧凑，从而便于测试具有减小的构件尺寸和更密集构件的DUT。
尽管上文涉及本发明的一些实施例，但可在不背离本发明的基本范围的情况下设计本发明的其它和进一步的实施例，本发明的范围由所附权利要求书确定。

Claims (34)

1.一种旋转接触元件，包括：
针尖，具有被配置成接触将要测试的器件的第一面和相反的第二面；以及
多个变形的构件，从所述针尖的第二面延伸且围绕其中心轴线排列，其中所述针尖在所述多个变形的构件被压缩时基本围绕所述中心轴线旋转。
2.如权利要求1所述的元件，其特征在于，还包括接合到所述多个变形的构件的与针尖相反的相应端部的底座。
3.如权利要求1所述的元件，其特征在于，所述针尖还包括从其第一面延伸的一个或多个触点。
4.如权利要求1所述的元件，其特征在于，所述针尖还包括从其第一面的中心延伸的一个触点。
5.如权利要求1所述的元件，其特征在于，所述针尖还包括从其第一面延伸的多个触点。
6.如权利要求5所述的元件，其特征在于，所述多个触点中的每一个与所述多个变形的构件中相应的一个对准。
7.如权利要求1所述的元件，其特征在于，所述针尖和所述多个变形的构件是一体的。
8.如权利要求1所述的元件，其特征在于，所述针尖和变形的构件包括镍、钴、铜或铍中的至少一种。
9.一种用于测试半导体的探针卡组件，包括：
探针基板；以及
至少一个接触元件，包括：
针尖，具有被配置成接触将要测试的器件的第一面和相反的第二面；
以及
多个变形的构件，从所述针尖的第二面延伸且围绕其中心轴线排列，
其中所述针尖在所述多个变形的构件变形时基本围绕所述中心轴线旋转。
10.如权利要求9所述的组件，其特征在于，还包括接合至所述多个变形的构件的与针尖相反的相应端部的底座。
11.如权利要求9所述的组件，其特征在于，所述针尖还包括从其第一面延伸的一个或多个触点。
12.如权利要求9所述的组件，其特征在于，所述针尖和所述多个变形的构件是一体的。
13.如权利要求9所述的组件，其特征在于，所述针尖和变形的构件包括镍、钴、铜或铍中的至少一种。
14.如权利要求9所述的组件，其特征在于，还包括多个接触元件。
15.如权利要求14所述的组件，其特征在于，所述多个接触元件被安排成对应于设置在将要测试的器件上的多个端子。
16.如权利要求9所述的组件，其特征在于，所述探针卡组件被配置成使通往和来自所述接触元件的各自的针尖的电信号通至设置在所述探针卡组件上的多个电连接器。
17.一种制造弹性接触元件的方法，包括：
a)提供具有围绕中心轴线排列的多个构件、且具有接合至第一层的各个第一端和接合至第二层的各个第二端的组件；以及
b)分离所述第一和第二层以使所述多个构件变形，并且形成所述弹性接触元件。
18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述步骤b)还包括：
加热所述组件。
19.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述步骤b)还包括：
施加变形力以分离所述第一和第二层。
20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，还包括：
将重量件固定至所述组件以增大所述变形力。
21.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述步骤b)还包括：
利用热循环加热所述组件，所述热循环包括温度高于构成所述多个构件的材料的重构温度的至少一段时间。
22.如权利要求21所述的方法，其特征在于，还包括：
将所述组件冷却至温度低于构成所述多个构件的所述材料的重构温度，同时保持所述多个构件所要求的变形。
23.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述步骤a)还包括：
提供其中形成有凹部的第一基板；
在所述第一基板上形成第一层，所述第一层填充所述凹部且包括主体和从其延伸的多个构件；以及
在所述第一层上形成第二层，将所述第二层接合至所述多个构件中的每一个各自的第二端。
24.如权利要求23所述的方法，其特征在于，所述形成所述第一层的步骤包括：
在所述第一基板上沉积和图案化第一掩模层；以及
将第一材料沉积到由所述第一掩模层提供的所述图案中。
25.如权利要求24所述的方法，其特征在于，还包括：
在沉积所述第一材料之前在所述第一基板上沉积籽层。
26.如权利要求23所述的方法，其特征在于，所述形成第二层的步骤包括：
在所述第一层上沉积和图案化第二掩模层，所述第二掩模层限定对应于所述多个构件的第二端的多个开口；
在所述第二掩模层上沉积并图案化第三掩模层；以及
将第二材料沉积到由所述第二和第三掩模层提供的所述图案中。
27.如权利要求23所述的方法，其特征在于，还包括：
将所述第二层固定至第二基板；
将重量件固定至所述第一层以将所述第一层从所述第二层分离；以及
使所述组件经受热循环。
28.如权利要求23所述的方法，其特征在于，还包括：
从所述第一基板释放所述第一层。
29.一种通过如权利要求17所述的方法形成的探针卡接触元件。
30.一种测试半导体器件的方法，包括：
提供具有至少一个接触元件的探针卡组件，所述接触元件包括：针尖，具有被配置成接触将要测试器件的第一面和相反的第二面；以及多个变形的构件，从所述针尖的所述第二面延伸且围绕其中心轴线排列，其中所述针尖在所述多个变形的构件被压缩时基本围绕所述中心轴线旋转；
使所述器件的至少一个端子与所述至少一个接触元件的相应针尖接触；以及
通过所述探针卡组件将一个或多个电信号提供给所述至少一个端子。
31.如权利要求30所述的方法，其特征在于，所述接触步骤还包括：
移动所述探针卡组件或所述器件中的至少一个，以在所述器件的所述多个端子与所述接触元件的所述针尖之间建立初始接触；以及
进一步移动所述探针卡组件或所述器件中的至少一个，以在所述器件的所述多个端子与所述接触元件的所述针尖之间建立所要求的接触压力。
32.如权利要求30所述的方法，其特征在于，相比于悬臂型接触元件，所述弹性接触元件在接触所述器件时具有更小的摩擦距离。
33.如权利要求30所述的方法，其特征在于，所述接触元件在接触所述器件时产生旋转摩擦。
34.一种通过如权利要求30所述的方法进行测试的半导体器件。
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PB01 Publication
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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