CN101560639A - 有机淀积设备及利用该设备淀积有机物质的方法 - Google Patents

有机淀积设备及利用该设备淀积有机物质的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101560639A
CN101560639A CN 200810180037 CN200810180037A CN101560639A CN 101560639 A CN101560639 A CN 101560639A CN 200810180037 CN200810180037 CN 200810180037 CN 200810180037 A CN200810180037 A CN 200810180037A CN 101560639 A CN101560639 A CN 101560639A
Authority
CN
China
Prior art keywords
described
substrate
mask
processing space
mouthful
Prior art date
Application number
CN 200810180037
Other languages
English (en)
Other versions
CN101560639B (zh
Inventor
安泳雄
郑基泽
池钟烈
金相烈
Original Assignee
爱德牌工程有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to KR1020080034224 priority Critical
Priority to KR20080034224A priority patent/KR101060652B1/ko
Priority to KR10-2008-0034224 priority
Application filed by 爱德牌工程有限公司 filed Critical 爱德牌工程有限公司
Publication of CN101560639A publication Critical patent/CN101560639A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101560639B publication Critical patent/CN101560639B/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material

Abstract

本发明提供了一种有机材料淀积系统和方法。有机材料淀积设备可包括内部形成有处理空间的腔室和供给源装置,该供给源装置生成有机源并通过设于所述处理空间中的喷淋头将所述有机源注入并扩散进所述处理空间中。所述衬底由载台装置支撑,该载台装置在所述处理空间中向上和向下移动该衬底以调整所述衬底与所述喷淋头之间的距离。抽取口设于所述处理空间的上部的上端,提供将气流经所述处理空间导向所述载台装置的真空排气路径。这使得厚度均匀的有机薄膜能够利用构造较为简单的设备进行淀积。

Description

有机淀积设备及利用该设备淀积有机物质的方法

技术领域

本发明涉及一种有机淀积设备以及利用该设备的淀积方法,更具体地说, 涉及一种在衬底上淀积有机薄膜的设备及利用该设备的淀积方法。

背景技术

近来向信息社会的转变,支持了显示技术的重要性,显示技术允许通过 以用户能可视化感知的文本和图像方式显示数据,以使数据能够随时随地地

被访问。由于更早的阴极射线管(CRT)显示器相对较大的尺寸和较大的重 量,显示装置市场的客户倾向反映出对平板显示器,诸如液晶显示器(LCD)、 等离子体显示器(PDP)、以及有机电致发光显示器(organic light emitting diodes, OLED)日益增长的需求。

LCD是使用单独光源的被动型器件。LCD具有一些技术缺陷,如视角、 响应时间、对比度等等。PDP在视角和响应时间方面可提供比LCD更佳的特 性。然而,PDP更难以小型化,更费电,而且制造成本更高。

有机电致发光显示器(下文中称为OLED)是自发光的,因此无需单独 的光源。OLED的耗电更小,响应时间更短,几乎没有无视角的缺陷,并且 可以将任意类型的小型移动图像在大屏幕上逼真地再现出来。而且,OLED 的结构更容易制造,并且能够最终制造出超薄(厚度l毫米或更小)和超轻 的显示器。此外,在柔软的衬底例如塑料上制造这种显示器的研究正在进行 中,以便生产出更薄,更轻且更不易破碎的柔软的显示器。改进的制造系统 和方法,包括那些旨在在衬底上淀积材料的系统和方法,将帮助提高这种技 术的发展。

发明内容

本发明提供了 一种有机淀积设备和利用该设备的淀积方法,该设备和方 法能够利用具有相对简单结构的设备淀积厚度均匀的有机薄膜。

如本申请所包含并概括性描述的一种有机淀积设备可包括:供给源单元,被构造成通过蒸发待淀积于衬底上的有机物质生成有机源,并被构造成通过

置于处理空间下方的喷淋头向处理空间的上方注入并扩散所述有^u源;置于 处理空间上方的载台单元,用于支撑被传输进处理空间中的所述衬底,并将 该衬底向上和向下移动以调整该衬底与该喷淋头之间的距离;以及置于腔室 上方的抽取口,该抽取口用于为处理空间提供真空排气路径,以便将处理空 间的气流导向所述载台单元。

所述载台单元可包括置于处理空间上方用于支撑所述衬底的衬底夹具以 及一侧结合到衬底夹具而另 一侧延伸穿过腔室上方的支承轴。

所述有机淀积设备还可包括固定在所述支承轴的另 一侧且与所述衬底夹 具相平行的平板。

所述有机淀积设备还可包括构造成支撑所述平板并在一平面内移动该平 板的对齐单元。

所述载台单元也可包括置于所述腔室与所述平板之间用于支撑所述衬底 的升降台以及结合到所述腔室的側面用于支撑所述升降台并向上和向下移动 该升降台的夹具升降模块。

所述载台单元也可包括构造成支撑处理空间中的图案化的掩模的升起臂 以及掩模升降模块,该掩模升降模块包括被构造成向着所述衬底夹具移动该 升起臂的升起驱动单元。

所述掩模升降模块可被提供有多个,用以支撑所述掩模的边缘部分,其 中所述多个掩模移动模块可单独操作用于单独调整所述升起臂的升降距离。

发生器以及置于所述源发生器和所述喷淋头之间用于将该源发生器生成的所 述有机源与用于运送该有机源的载气混合的混合器。

所述喷淋头可包括构造成扩散自所迷源发生器提供的所述有机源的扩散 室和>^人该扩散室向所述处理空间延伸的多个注入孔。

如本申请所包含并概括性描述的一种淀积有机物质的方法可包括:执行 衬底支撑操作,用于将衬底引入处理空间中并支撑该衬底;执行遮蔽操作, 用于遮蔽所述处理空间;执行排气操作,用于通过所述处理场的上方和下方 将该处理空间抽成真空;以及执行沉积操作,用于在停止通过所述处理空间 的下方对该处理空间进行抽真空,但维持通过所述处理场上方对该处理空间 进行抽真空之后,将有机源向所述衬底注入。在所述衬底支撑操作和所述遮蔽搡作之间,所述方法还可包括:执行掩

模引入操作,用于将图案化的掩模引入所述处理空间中;以及执行接触操作,

用于使该掩模与所述村底相接触。

所述接触操作可包括:执行测定操作,用于测定所述衬底与所述掩模之 间的对齐状态;以及执行对齐操作,用于通过单独向上和向下移动所述掩模

的边缘部分而调整所述衬底与所述掩模之间的距离,并通过相对所述掩模在 一平面内移动所述衬底而将该衬底与该掩模对齐。

在所述淀积操作之前,所述方法还可包括执行衬底升降操作,用以通过 向上和向下移动该衬底调整所述有^L源的注入距离。

附图说明

下面将参照附图详细描述实施例,其中,相同的附图标记表示相同的元 件。附图中,

图1是本申请所包含并概括性描述的有机材料淀积设备的透视图; 图2是如图1所示有机材料淀积设备的载台部分的分解透4见图; 图3是如图i所不^机材料淀积设备沿I-I'线的剖视图; 图4是本申请所举例并概括性描述的有机材料淀积方法的流程图;以及 图5至图7是示出本申请所举例并概括性描述的有机材料淀积设备操作 的操作图。

具体实施方式

OLED—般具有包括铟锡氧化物(ITO)阳极、有机薄膜、和阴极电极的 结构。有机薄膜可由单一材料形成,但可具有包括空穴传输层(HTL)、发 射层(EML)、电子传输层(ETL)等层的多层结构。在具有上述多层结构 的OLED中,空穴可从空穴传输层被提供,电子可从电子传输层被提供,并 且空穴和电子可被传输至发射层以形成耦合的空穴电子对激子,这些激子在 该发射层上恢复基态以释放发光的能量。

气相淀积(VD)法可被用于制造具有多层结构的OLED中的薄膜淀积。 在气相淀积期间,存储有机材料的供给源可被加热,从而从该有机材料生成 有机源,输送气体可被注入该供给源中,并且,有机源可被供给到里面执行 淀积工艺的腔室中。根据有机源的供给位置,这种淀积方法可^^皮分类为向上法、向下法、或横向法。

向上法包括在处理空间的上部放置衬底,以及从该处理空间的底部向上 放出有机源。向下法包括在处理空间的下部放置衬底,以及从该处理空间的 顶部向下》文出有机源。横向法包括在处理空间的下部放置衬底,以及从该处 理空间的 一侧将有机源放出至放置在该处理空间中的衬底上面。

尽管这些方法对薄膜淀积是有效的,向上法和横向法可将衬底旋转以获 得厚度均匀的淀积的薄膜,因此使得该设备的结构更加复杂。这些方法也难 以应用到大规模的衬底应用中。在向下法中,颗粒从处理空间的上部降至衬 底上面,从而可能对衬底造成污染。为了在不同大小和不同类型的衬底上提

供厚度均匀的淀积的薄膜,如图1至图3所示的有机材料淀积设备100可包 括腔室110、供给源装置130、载台装置150、以及真空形成装置190。

腔室IIO可由减小振动的减振架110a支撑,并可提供用于在衬底S上淀 积有机材料的处理空间101。腔室IIO可被分为上腔室lll和下腔室113。上 腔室111可由腔室打开模块110b所支撑,该腔室打开模块举例而言,如设于 下腔室113边缘部分的液压缸、升降丝杠或其它适用机构。上腔室111可面 向下腔室113下降以密封处理空间101,并且上腔室111可净皮提高而离开下 腔室113,从而打开处理空间101。在一替换实施例中,腔室可被替换地设于 具有内部处理空间的整体結构中,并且可在该整体腔室的一个側面安装门, 从而使衬底S和掩模M可被装载入该处理空间中。

供给源装置130可蒸发待淀积于衬底S上的有机材料,并向处理空间101 提供有机源。供给源装置130可包括源发生器131、混合器133、以及具有类 似诸如喷淋头或喷嘴结构的散布装置或者淀积装置135。源发生器131可设 于处理空间101的外部,并可蒸发有机材料从而生成气态有机源。混合器133 可混合输送气体(帮助有机源自源发生器131传输至处理空间101)和有机 源,并将该混合物供给喷淋头135。

喷淋头135可被放置于,例如,处理空间101的下部,从而将通过混合 器133供给的有机源向载台装置150扩散并排放。喷淋头135可包括:扩散 室135a,在扩散室135a中有机源被被其内壁反射并扩散(参见图7);以及 多个注入孔135b,有机源可通过这些注入孔135b被排放,从而使有机源被 均匀地排》文进处理空间101中。

在替换实施例中,加热器(图中未示出)可随喷淋头135和腔室IIO被

9提供,以防止气态的有机源不小心被淀积于喷淋头135和腔室110的内壁上。 载台装置150可支撑载入处理空间101中的衬底S,并可将上面形成图

案的掩模M贴合至衬底S上。载台装置150可包括村底夹具151 、支承轴153、

平板155、移动台157、以及掩模移动模块159。

衬底夹具151可被设于处理空间101的上部以支撑-陂载入处理空间101

中的衬底S。村底夹具151可以是例如利用静电力保持衬底S的静电夹具 (ESC),并且,在替换实施例中,可包括内置磁铁,该内置磁铁利用贴近

贴合在静电夹具上的衬底S施加的磁力支撑掩模M。掩模M可包括其中的

磁性成分。

支承轴153的一端可结合到处理空间101中的衬底夹具151,并且其另 一端可穿过上腔室111的顶部。

在替换实施例中,冷却装置(图中未示出)可随衬底夹具151被提供, 从而通过对贴合在衬底夹具151上的衬底S进行冷却,使气态的有机源能够 很容易地被淀积至衬底S上。冷却装置(图中未示出)可包括,如插入衬底 夹具151中的循环管,以允许沿支承轴153供给的冷却剂,诸如冷却水或氦 气可在循环管中循环。

平板155,与上腔室111隔开并且与衬底夹具151平行,可被固定于支 承轴153的另一端。平板155可利用下文描述的对齐装置173纵向地对齐村 底S和掩模M。

移动台157可与上腔室111隔开,并被放于上腔室111与平板155之间。 移动台157可包括位于其中央、支承轴153穿过的通孔。移动台157可由象 诸如液压缸或升降丝杠的夹具移动模块157a支撑,夹具移动模块157a结合 至上腔室111的边缘部分。移动台157可按照能够相对于上腔室可选地被升 高或降低的方式被安装。

对齐装置173可被设于移动台157与平板155之间,使移动台157支撑 对齐装置173,并且对齐装置173支撑平板155。因此,移动台157可被夹具 移动模块157a升高或降低,因此允许衬底夹具151被升高或降低。通过这种 方式,由于衬底夹具151随着移动台157被升高或降低而被升高或降低,所 以,载台装置150可调整位于喷淋头135与贴合在衬底夹具151上的衬底S 之间的距离。

掩模移动模块159可包括支撑处理空间101中的掩模M的臂部159a以及向着衬底夹具151升高或降低臂部159a的驱动器159b。驱动器159b可被 安装在移动台157上。臂部159a可被安装成使其穿过移动台157和上腔室 111,并在处理空间101中被升高或降低。可设置多个掩模移动模块159和臂 部159b,从而通过单个或一起调整各臂部159b的位置支撑掩模M相应的边 缘部分。

支承轴153和臂部159a可被安装成使其穿过移动台157和上腔室111被 升高或降〗氐。相应地,象例如波紋管等的密封件157b可被设于上腔室111 与移动台157之间以对处理空间101进行密封,这是由于支承轴153和臂部 159a贯穿处理空间101。

尽管在上述实施例中用于形成有机薄膜困案的掩模被传输进处理空间 101中,且栽台装置150包括调整掩模位置的掩模移动模块159,但在替换实 施例中,如果无需形成待淀积于衬底S上的有机薄膜图案,掩模移动模块159 可被省去。

多个摄像机171可被设于上腔室111的顶部。摄像机171可通过贯穿上 腔室111的拍摄孔llla和在衬底S上形成的对齐孔Sa拍摄掩才莫M的对齐标 记Ma的图像,因此使测定衬底S与掩模M之间的对齐状态成为可能。

对齐装置173可根据摄像机171拍摄的图像,使衬底夹具151相对掩模 M纵向地在衬底夹具151/衬底S所在平面范围内在一个平面上移动,从而将 掩模M和衬底S在一个平面上对齐。衬底S与掩模M之间的间隔的调整可 由单独调整臂部159a的位置实现。于是,有机淀积设'备100可利用对齐装置 173对齐衬底S与掩模M,并可利用掩模移动模块159调整衬底S与掩模M 之间的间隔。

真空形成装置190可包括设于上腔室111的上抽取口 191,以及设于下 腔室113的下抽取口 193。上抽取口 191和下抽取口 193可^皮连4妻至对处理 空间101真空排气的真空泵(未示出),并可提供排气路径以在密闭的处理 空间101中形成真空。此外,上抽取口 191和下抽取口 193在处理空间101 的真空排气期间可控制处理空间101中的空气流动方向。

在处理空间101中已经建立了真空状态后,在有机源注入期间,上抽取 口 191可允许处理空间101中的空气自底部流向顶部。此外,上抽取口 191 可加快从喷淋头135注入的有机源的上升速度,从而减少有才几源淀积至衬底

S上的时间。这使得有机源可共形地淀积到衬底S上。进一步地,上抽取口191和下抽取口 193可执行排气操作,以在有机源淀积之前和/或之后清洁处 理空间101。

根据本申请概括性描述的实施例的衬底贴合设备的操作将参照图4至图 7进4亍更if细的描述。

在操作Sll中(还参见图5),在上腔室111被提升且处理空间101被 打开的状态下,衬底S被传输进处理空间101中,并且衬底S可随后被贴合 到衬底夹具151上。 一旦衬底S被贴合到村底夹具151,掩才莫M可被引入处 理空间101中,其中掩模M由臂部159a支撑。

此时,摄像机171通过上腔室111中的拍t聂孔llla和衬底S中的对齐孔 Sa拍摄在掩模M上形成的对齐标记Ma的图像,以便摄像机171拍摄衬底S 和掩模M之间对齐状态的图像。

如果对齐标记Ma与拍摄孔11 la和对齐孔Sa未对齐,则掩模移动模块 159和对齐装置173各自执行村底S和掩模M之间的对齐。即,多个掩模移 动模块159可单独操作或一起操作以升高/降低掩模M的各边缘部分,从而 调整掩模M与衬底S之间的间隔。此外,对齐装置173可使平板155在其平 面内纵向移动,从而使衬底夹具151在其平面内纵向移动。通过这种方式, 衬底S相对于掩模M的位置可被调整和控制。

当衬底S与掩模M之间的对齐被执行时,多个掩模移动模块159在均衡 各臂部159b的位置后可升起掩模M,使掩模随后接触衬底S。

其后,在操作S13中(还参见图6),当掩模M被升起以接触衬底S时, 上腔室111下降并且处理空间101 ;陂遮蔽,或^L密封。当处理空间101 :陂遮 蔽时,真空形成装置190对处理空间执行真空排气操作。

在操作S15中,真空形成装置190通过上抽取口 191和下抽取口 193这 两个抽取口执行处理空间101的真空排气操作。因此,通过利用上抽取口 191 和下抽取口 193这两个抽取口,有可能减少处理空间101的真空排气时间, 并且提高处理空间101的真空效率,因为处理空间101的真空排气是同时地 通过上抽取口 191和下抽取口 193执行的。

当处理空间101中已建立真空后,移动台157被夹具移动模块157a降低。 随着移动台157的下降,由移动台157所支撑的对齐装置173下降,且由对 齐装置173所支撑的平板155下降。随着平板155的下降,支承轴153下降, 并且结合到支承轴153的衬底夹具151也下降。因此,如图6所示,衬底夹具151与喷淋头135之间的距离减小,导致 通过喷淋头135注入的有机源到达衬底S的距离减小,从而提高有机源的注 入效率。

随后,如图7所示,供给源装置130蒸发存储于源发生器131中的有机 材料,并将气化的有机源供给提供有载气的混合器133。在混合器133中与 载气混合的有机源被供给喷淋头135,在喷淋头135处,由于提供给混合器 133的载气的压力,与载气混合的有机源在扩散室135a中被扩散并经过注入 孔135b基本均等地散布。在某些实施例中,喷淋头135可被加热器(未示出) 加热,从而使有机源不会不小心被淀积于喷淋头135的内壁上。

当有机源最初从喷淋头135被散布时,下抽取口 193停止执行真空排气, 但上抽取口 191继续执行真空排气。这样做,结合有机源中加入的栽气的压 力,抽吸气流向上穿过处理空间101,使得有机源的流速加快并且^^皮淀积于 衬底S上,并使其被共形地淀积于村底S上成为可能。在某些实施例中,衬 底夹具151可被冷却装置(未示出)冷却,从而使有机源能够更有效地淀积 于衬底S上。

如本申请所包含并概括性描述的一种有机淀积系统和方法,能够利用具

有相对简单结构的设备淀积厚度均匀的有机薄膜。

如本申请所包含并概括性描述的一种有机淀积系统和方法,能够容易地

在大型衬底上执行有机薄膜淀积。

在本说明书中所谈到的"一个实施例"、"实施例"、"示例性实施例"、 "某些实施例"、"替换性实施例"等等,指的是结合该实施例描述的具体 特征、结构或者特点包括在本申请概括性描述的至少一个实施例中。在说明 书中任何地方出现这种表述不是一定都指的是该同一个实施例。进一步,结 合任一实施例描述一个具体特征、结构或者特点时,所要主张的是结合其他 实施例来实现这种特征、结构或者特点,落在本领域技术人员的范围内。

尽管参照本发明的多个示例性实施例对本发明进行了描述,但是,应该 理解,本领域技术人员可以设计出很多其他的修改和实施方式,这些修改和

实施方式将落在本申请公开的原则范围和精神之内。更具体地说,在本申请 公开、附图和权利要求的范围内,可以对主题组合布局的组成部件和/或布局 进行多种变型和改进。除了对组成部件和/或布局进行的变型和改进外,对于 本领域技术人员来说,其他的用途也将是明显的。

Claims (18)

1.一种有机淀积设备,包括: 内部形成有处理空间的腔室,所述处理空间包括第一端和与所述第一端相对的第二端; 供给源装置,所述供给源装置生成有机源并将所述有机源通过设于所述处理空间的所述第二端的散布装置供给到所述处理空间中; 载台装置,所述载台装置设于所述处理空间的所述第一端,与所述散布装置相对,其中所述载台装置支撑所述处理空间中的衬底并移动所述衬底,从而调整所述衬底与所述散布装置之间的距离;以及 第一口,设于所述腔室一端,对应于所述处理空间的所述第一端,其中,所述第一口提供穿过所述处理空间将气流导向所述载台装置和所述处理空间外部的真空排气路径。
2,如权利要求l所述的设备,其中,所述栽台装置包括:支撑所述衬底的衬底夹具;以及支承轴,所述支承轴具有对应于所述处理空间的所述第一端向外延伸穿 过所述腔室外壁的第 一端以及结合至所述衬底夹具的第二端。
3. 如权利要求2所述的设备,其中,所述载台装置进一步包括: 结合至所述支承轴的所迷第一端并且方向与所述衬底夹具平行的平板; 放置于所述腔室与所述平板之间的移动台;以及 结合至所述腔室侧面的夹具移动模块,其中,所述夹具移动模块支撑所述移动台并向上和向下移动所述移动台。
4. 如权利要求2所述的设备,其中,所述栽台装置进一步包括: 在所述处理空间中支撑图案化的掩模的至少一个臂部;以及至少 一个对应的掩模移动模块,所述至少 一个掩膜移动模块包括至少一 个驱动器,所述至少一个驱动器移动所迷至少一个臂部从而相对于所述衬底 移动所述掩模。
5. 如权利要求4所述的设备,其中,所述至少一个掩模移动模块包括多 个掩模移动模块,所述多个掩膜移动模块移动各自支撑所述掩模的相应边缘 部分的对应的多个臂部,其中所述多个掩模移动模块单独操作从而调整对应 臂部的伸出距离。
6. 如权利要求l所述的设备,其中,所述供给源装置包括:蒸发有机物质以生成所述有机源的源发生器;以及放置于所述源发生器和所述散布装置之间的混合器,其中,所述混合器 将所述源发生器生成的所述有机源与载气混合,所述载气运送所述有机源穿 过所述散布装置并进入所述处理空间中。
7. 如权利要求l所述的设备,其中,所述散布装置包括: 扩散空间,所述扩散空间接收并扩散来自所述源发生器的所述有机源;以及多个散布孔,所述多个散布孔自所述扩散空间延伸进所述处理空间中, 从而将所述有机源散布进入所述处理空间中。
8. 如权利要求1所述的设备,进一步包括对应于所述处理空间的所述第 二端设于所述腔室一端的第二口,其中,在真空操作期间所述第一口和所述 第二口均为打开,并且,当所述有机源经所述散布装置被供给进所述处理空 间中时,所述第一口保持打开,而所述第二口被关闭,从而将气流从所述处 理空间的所述第二端导向所述第一端,并抽吸所述有机源越过由所述载台装 置保持的所述衬底。
9. 如权利要求8所迷的设备,其中,所述处理空间的所述第一端位于所 述腔室的上部,并且所述处理空间的所述第二端位于所述腔室的下部,使有 机源被散布进入所述处理空间的下部,并被朝着所述打开的第一口向上抽吸 越过所述衬底。
10. —种在平板显示器面板的衬底上淀积有机物质的方法,该方法包括: 将衬底提供至处理空间,并在放置于所述处理空间中的夹具上支撑所述村底;密封所述处理空间;通过设于所述处理空间的第一端的第一口和第二端的第二口对所述处理 空间排气,从而在所述处理空间中形成真空;关闭所述第二口,从而终止通过该口的所迷排气,而让所述第一口打开 从而保持通过该口的所述排气;以及通过散布装置将有机源注入所述处理空间中,并将所述有机源淀积于所 述衬底上。
11. 如权利要求IO所述的方法,进一步包括:将掩模引入所述处理空间中,并在将所述衬底支撑在所述夹具上之后、 密封所述处理空间之前,移动所述掩模使其接触所述衬底。
12. 如权利要求11所述的方法,其中,移动所述掩模使其接触所述衬底 包括:测定所述衬底与所述掩模之间的对齐;以及调整所述衬底与所述掩模之间的距离,并调整所述衬底相对于所述掩模 的纵向位置,从而对齐所述衬底与所述掩模。
13. 如权利要求12所述的方法,其中,调整所述衬底与所述掩模之间的 距离包括相对于所述衬底单独地向上和向下移动所述掩模的边缘部分,并且, 其中调整所述衬底相对于所述掩模的纵向位置包括相对于所述掩模在所述衬 底的平面内纵向移动所述衬底。
14. 如权利要求12所述的方法,其中,测定所述衬底与所述掩模之间的 对齐包括比较所述衬底上的对齐标记和所述掩模上的对齐标记的位置。
15. 如权利要求IO所述的方法,进一步包括在向所述处理空间注入所述 有机源并且将所述有机源淀积于所述衬底上之前,调整所述衬底与所述散布 装置之间的距离。
16. 如权利要求15所述的方法,其中,.调整所述村底与所述散布装置之 间的距离包括相对于所述散布装置的散布表面向上或向下移动所述衬底。
17. 如权利要求IO所述的方法,其中,通过散布装置将有机源注入所述 处理空间中并将所述有机源淀积于所述衬底上包括:在源发生器中蒸发有机物质并生成所述有机源;在混合器中混合所述有机源与载气,并将所述有机源供给所述散布装置;以及通过在所述散布装置中形成的散布孔将所述有机源入注进所述处理空间 中,并将所述有机源淀积于所述衬底上。
18. 如权利要求17所述的方法,其中,所述第一口和所述衬底被置于所 述处理空间的上端,并且所述第二 口和所述散布装置被置于所述处理空间的 下端,并且,其中,关闭所述第二口从而终止通过该口的所述排气,而让所 述第一口打开从而保持通过该口的所述排气,该过程包括:通过所述散布装置将所述有机源注入所述处理空间中; 由于由所述关闭的第二口和所述打开的第一口产生的气流路径,从所述处理空间的所述下部向着所述上部向上抽吸所述有机源;当所述有机源经所述处理空间被向上抽吸经过所述衬底时,在所述衬底上淀积所述有机源;以及通过所述打开的第一口对所述处理空间排气。
CN 200810180037 2008-04-14 2008-11-20 有机淀积设备及利用该设备淀积有机物质的方法 CN101560639B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080034224 2008-04-14
KR20080034224A KR101060652B1 (ko) 2008-04-14 2008-04-14 유기물 증착장치 및 이를 이용한 증착 방법
KR10-2008-0034224 2008-04-14

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2013102013425A Division CN103276359A (zh) 2008-04-14 2008-11-20 在平板显示器面板的衬底上淀积有机物质的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101560639A true CN101560639A (zh) 2009-10-21
CN101560639B CN101560639B (zh) 2013-10-02

Family

ID=41164220

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 200810180037 CN101560639B (zh) 2008-04-14 2008-11-20 有机淀积设备及利用该设备淀积有机物质的方法
CN2013102013425A CN103276359A (zh) 2008-04-14 2008-11-20 在平板显示器面板的衬底上淀积有机物质的方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2013102013425A CN103276359A (zh) 2008-04-14 2008-11-20 在平板显示器面板的衬底上淀积有机物质的方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8617314B2 (zh)
KR (1) KR101060652B1 (zh)
CN (2) CN101560639B (zh)
TW (1) TWI382105B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103597625A (zh) * 2011-06-17 2014-02-19 应用材料公司 用于有机发光二极管处理的化学气相沉积掩模对准
CN103866261A (zh) * 2012-12-12 2014-06-18 三星显示有限公司 沉积装置、薄膜形成方法和制造有机发光显示装置的方法
CN104109845A (zh) * 2013-04-18 2014-10-22 三星显示有限公司 沉积设备
CN104218187A (zh) * 2013-05-29 2014-12-17 三星显示有限公司 用于刻蚀有机层的装置和方法
WO2016141673A1 (zh) * 2015-03-10 2016-09-15 京东方科技集团股份有限公司 用于有机材料蒸汽的增压喷射沉积装置及方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101107179B1 (ko) * 2009-09-25 2012-01-25 삼성모바일디스플레이주식회사 마스크 정렬 장치 및 마스크 정렬 방법
JP5783811B2 (ja) * 2010-07-06 2015-09-24 キヤノン株式会社 成膜装置
WO2012126016A2 (en) * 2011-03-17 2012-09-20 Kateeva, Inc. Apparatus and methods for depositing one or more organic materials on a substrate
KR20130004830A (ko) * 2011-07-04 2013-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JP2014056987A (ja) * 2012-09-13 2014-03-27 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2014179419A (ja) * 2013-03-14 2014-09-25 Alpha- Design Kk 電子部品の接合方法
CN105887033B (zh) * 2016-06-02 2018-10-23 京东方科技集团股份有限公司 夹持设备及其工作方法、磁控溅射装置
DE102016120006A1 (de) 2016-10-20 2018-04-26 Aixtron Se Beschichtungsvorrichtung mit in Schwerkraftrichtung unter dem Substrat angeordnetem Gaseinlassorgan
DE102017120529A1 (de) * 2017-09-06 2019-03-07 Aixtron Se Vorrichtung zum Abscheiden einer strukturierten Schicht auf einem Substrat unter Verwendung einer Maske
KR101993532B1 (ko) * 2017-11-29 2019-06-26 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막장치, 성막방법, 및 전자 디바이스 제조방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7378127B2 (en) * 2001-03-13 2008-05-27 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition methods
JP4292777B2 (ja) 2002-06-17 2009-07-08 ソニー株式会社 薄膜形成装置
JP2004022400A (ja) 2002-06-18 2004-01-22 Sony Corp 有機膜形成装置および有機膜形成方法
JP4365785B2 (ja) * 2002-07-10 2009-11-18 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP4080392B2 (ja) * 2003-07-17 2008-04-23 東京エレクトロン株式会社 ガス化モニタ、ミストの検出方法、成膜方法、成膜装置
JP4013859B2 (ja) 2003-07-17 2007-11-28 富士電機ホールディングス株式会社 有機薄膜の製造装置
JP2005072196A (ja) 2003-08-22 2005-03-17 Masayuki Tsuda 薄膜成膜装置
JP4596794B2 (ja) 2004-02-27 2010-12-15 日立造船株式会社 真空蒸着用アライメント装置
JP4510609B2 (ja) 2004-12-21 2010-07-28 株式会社アルバック 基板とマスクのアライメント方法および有機薄膜蒸着方法ならびにアライメント装置
JP4609754B2 (ja) * 2005-02-23 2011-01-12 三井造船株式会社 マスククランプの移動機構および成膜装置
JP4624236B2 (ja) * 2005-10-25 2011-02-02 日立造船株式会社 真空蒸着用アライメント装置
WO2008069259A1 (en) * 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus, film formation method, manufacturing apparatus, and method for manufacturing light-emitting device

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103597625A (zh) * 2011-06-17 2014-02-19 应用材料公司 用于有机发光二极管处理的化学气相沉积掩模对准
KR102072127B1 (ko) * 2011-06-17 2020-01-31 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Oled 캡슐화를 위한 마스크 관리 시스템 및 방법
CN103597625B (zh) * 2011-06-17 2017-07-11 应用材料公司 用于有机发光二极管处理的化学气相沉积掩模对准
KR20190016603A (ko) * 2011-06-17 2019-02-18 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Oled 캡슐화를 위한 마스크 관리 시스템 및 방법
CN103866261A (zh) * 2012-12-12 2014-06-18 三星显示有限公司 沉积装置、薄膜形成方法和制造有机发光显示装置的方法
CN104109845A (zh) * 2013-04-18 2014-10-22 三星显示有限公司 沉积设备
CN104218187A (zh) * 2013-05-29 2014-12-17 三星显示有限公司 用于刻蚀有机层的装置和方法
WO2016141673A1 (zh) * 2015-03-10 2016-09-15 京东方科技集团股份有限公司 用于有机材料蒸汽的增压喷射沉积装置及方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101060652B1 (ko) 2011-08-31
KR20090108887A (ko) 2009-10-19
US20090258142A1 (en) 2009-10-15
CN101560639B (zh) 2013-10-02
TW200942638A (en) 2009-10-16
TWI382105B (zh) 2013-01-11
US8617314B2 (en) 2013-12-31
CN103276359A (zh) 2013-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9899635B2 (en) System for depositing one or more layers on a substrate supported by a carrier and method using the same
US9550383B2 (en) Apparatus and method for control of print gap
JP6642936B2 (ja) Oled封止用のマスク管理システム及び方法
KR101927925B1 (ko) 유기 재료를 위한 증발 소스, 유기 재료를 위한 증발 소스를 갖는 진공 챔버에서 유기 재료를 증착하기 위한 증착 장치, 및 유기 재료를 증발시키기 위한 방법
CN102286727B (zh) 薄膜沉积设备、制造有机发光显示装置的方法及显示装置
US8186299B2 (en) Evaporation apparatus and thin film forming method using the same
CN203440443U (zh) 用于沉积的掩模
US20140084263A1 (en) Organic layer deposition apparatus, organic light-emitting display apparatus, and method of manufacturing the organic light-emitting display apparatus
CN103779380B (zh) 有机发光装置及其制造方法
JP5190253B2 (ja) 混合層の作製方法、発光装置の作製方法
JP2014205919A (ja) 成膜装置
DE112012006742B4 (de) OLED-Bauelemente
CN1766157B (zh) 用于制作显示装置的设备
CN1986224B (zh) 显示装置的制造装置及显示装置的制造方法
KR100838065B1 (ko) 박막증착기용 고정장치와 이를 이용한 고정방법
KR20070105595A (ko) 유기박막 증착장치
KR20080061666A (ko) 유기 박막 증착 장치
CN102165095B (zh) 磁性地保持在基片保持器上的阴影掩模
TW576125B (en) OLED device and a method for fabricating the same
TWI506720B (zh) 用於基板對準之裝置,用於具有該基板對準之裝置的基板處理之裝置,及基板對準方法
US7666570B2 (en) Laser induced thermal imaging method and fabricating method of organic light-emitting diode using the same
CN100559630C (zh) 有机电致发光器件及其制造方法
DE112009002468B4 (de) Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung, organische EL-Element-Herstellungsvorrichtung und organische Dünnschicht-Niederschlagsverfahren
JP2017500447A5 (ja) 処理デバイス用の処理装置、及び処理真空チャンバから保守真空チャンバへ又は保守真空チャンバから処理真空チャンバへ蒸発源を移送するための方法
KR20020095096A (ko) 에어리얼 기판 코팅 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20131002

Termination date: 20161120