CN101544932B - 用于干膜去除的剥离剂 - Google Patents

用于干膜去除的剥离剂 Download PDF

Info

Publication number
CN101544932B
CN101544932B CN2009101346379A CN200910134637A CN101544932B CN 101544932 B CN101544932 B CN 101544932B CN 2009101346379 A CN2009101346379 A CN 2009101346379A CN 200910134637 A CN200910134637 A CN 200910134637A CN 101544932 B CN101544932 B CN 101544932B
Authority
CN
China
Prior art keywords
preparaton
release agent
residue
resist
photo
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2009101346379A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101544932A (zh
Inventor
刘文达
李翊嘉
廖明吉
M·B·劳
M·I·厄比
许志民
M·W·莱根扎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Versum Materials US LLC
Original Assignee
Air Products and Chemicals Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Air Products and Chemicals Inc filed Critical Air Products and Chemicals Inc
Publication of CN101544932A publication Critical patent/CN101544932A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101544932B publication Critical patent/CN101544932B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/14—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions
    • C23G1/20—Other heavy metals
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Abstract

本发明涉及用于干膜去除的剥离剂，在优选实施方案中是光致抗蚀剂剥离剂配制剂，包括：羟胺；水；溶剂，选自二甲基亚砜、N-甲基吡咯烷酮、二甲基乙酰胺、二丙二醇一甲基醚、单乙醇胺和它们的混合物；基料，选自氢氧化胆碱、单乙醇胺、氢氧化四甲基铵、氨基乙基乙醇胺和它们的混合物；金属腐蚀抑制剂，选自邻苯二酚、没食子酸、乳酸、苯并三唑和它们的混合物；和槽池寿命延长剂，选自丙三醇、丙二醇和它们的混合物。本发明还是利用上述配制剂的方法，如在优选实施方案中例示。

Description

用于干膜去除的剥离剂
相关申请的交叉参考
本申请要求于2008年3月7日提交的临时申请号61/034592的权益。
技术领域
本发明涉及用于干膜去除的剥离剂(stripper)。
背景技术
在晶片上半导体电路的制造中，晶片被周期性涂敷有光致抗蚀剂以制造电路、电子器件和通道以及互连的不同的层。在显影(develop)并使用光致抗蚀剂后，进行刻蚀和抛光(ashing，即灰化)，导致必须在进一步处理前去除的残留物。已经利用剥离剂来去除不需要的光致抗蚀剂和刻蚀和抛光的残留物。选择性地去除光致抗蚀剂、刻蚀残留物或抛光残留物而不损伤所需的电路结构是很困难的。剥离剂必须与介电和金属导电材料相兼容。这些不同类型材料的任一个的腐蚀速率必须在可接受的水平内。
对于厚的干膜(通常从70至120微米(μm)的范围)的去除应用商业上可得到的剥离剂包括二甲基亚砜(DMSO)和氢氧化四甲基铵(TMAH)的混合物。这些剥离剂通常在升高的温度下(＞90℃)操作并受到短的槽池寿命(bath-life)的影响。在该范围中的剥离剂在US 2005/0263743，US2006/0094613和US2006/0115970中描述。
发明内容
本发明是从半导体器件表面去除光致抗蚀剂、刻蚀残留物或抛光(ash，即灰化)残留物的光致抗蚀剂剥离剂配制剂，包括
羟胺；
水；
溶剂，选自二甲基亚砜、N-甲基吡咯烷酮、二甲基乙酰胺、二丙二醇一甲基醚、单乙醇胺和它们的混合物；
基料(base，即碱)，选自氢氧化胆碱、单乙醇胺、氢氧化四甲基铵；氨基乙基乙醇胺和它们的混合物；
金属腐蚀抑制剂，选自邻苯二酚、没食子酸、乳酸、苯并三唑和它们的混合物；和
槽池寿命延长剂，选自丙三醇、丙二醇和它们的混合物。
本发明还是利用上述配制剂剥离光致抗蚀剂、刻蚀残留物或抛光残留物的方法。
附图说明
图1是示出了利用表2中的配制剂的清洁性能的扫描电子显微镜(SEM)图像。
图2是示出了当使用表2中的配制剂时在75小时测试周期内铜损失的扫描电子显微镜(SEM)图像。
图3是示出了当使用表2中的配制剂时在75小时测试周期内有效槽池寿命的扫描电子显微镜(SEM)图像。
具体实施方式
已经在该领域内使用光致抗蚀剂剥离剂配制剂，但是目前这些配制剂受到高的铜导体刻蚀速率和较短的光致抗蚀剂剥离剂的有效槽池寿命和不希望的操作温度的影响。
在本发明中，研发出新的光致抗蚀剂剥离剂用于干膜去除的应用。为了改进这些问题，进行了一系列的测试，并发现了与干膜去除和铜保护非常相关的多个关键组份。与用于干膜清洁的商用剥离剂相比，该剥离剂可以在更温和的条件下(优选60℃30分钟)使用并具有相当的清洁性能和铜导线刻蚀速率。此外，在本发明中，有效的槽池寿命显著提高。
本发明中的配制剂具有一些明显的特征：
1.本发明的剥离剂显示出了在60℃下30分钟而没有搅拌时，干膜的良好的可清洁性；
2.通过扫描电子显微镜(SEM)的检查、利用本剥离剂处理的基底截面还显示出了在75小时测试周期内铜损失小于10％；
3.本发明的剥离剂的槽池寿命在60℃时高于75小时。
工作实施例
在工作实施例中，使用下面的缩写：
TMAH＝氢氧化四甲基铵；
DMSO＝二甲基亚砜；
HA＝羟胺；
NMP＝N-甲基吡咯烷酮；
DMAC＝二甲基乙酰胺；
DPM＝二丙二醇一甲基醚；
MEA＝单乙醇胺；
AEEA＝氨基乙基乙醇胺；
DIW＝去离子水；
BZT＝苯并三唑。
实施例1
本光致抗蚀剂剥离剂配制剂根据下面的表1进行制备。
表1
  加入顺序   原料中试装置   Wt.Pct   500g标度   最大温度(℃)
  1   水   5.72％   28.6   24
  2   TMAH(25％溶液)   22.87％   114.35   24
3 DMSO   57.18％ 285.9 37
  4   HA(50％)   8.26％ 41.3 39
  5   丙三醇   5.40％ 27 37
  6   邻苯二酚   0.57％ 2.85 37
本发明所得到的光致抗蚀剂剥离剂配制剂的一实施方案具有如表2中所述的组成，显示出了对于优选实施方案的组分含量的优选范围。
表2
  组分   优选实施方案   范围
DMSO   57.18   10％
  TMAH(25％溶液)   22.87   10％
HA(50％)   8.26   10％
DIW   5.72   10％
  丙三醇   5.40   10％
  邻苯二酚   0.57   5％
  总计   100.00
表2的优选实施方案在60℃30分钟的处理条件下，在基底上的离散图案化膜(干膜)上进行测试。从图1所示的SEM扫描图像中清楚地示出极好的清洁性能。
预期本发明的光致抗蚀剂配制剂的变化，包括但不限于下面表3中列出的类似物。
表3
  组分  类似物
  DMSO  NMP，DMAC，DPM，MEA等
  TMAH(25％)  氢氧化胆碱，MEA，AEEA等
  HA(50％)
  DIW
  丙三醇  丙二醇
  邻苯二酚  没食子酸，乳酸，BZT等
实施例2
表2的优选实施方案在60℃的处理条件下、对于下面的表4所示的时间间隔、在基底上的铜膜上进行测试。
表4
  时间   铜刻蚀(单位：埃)
  对照   4830
  0小时   4440
  20小时   4617
  27小时   4611
  45小时   4782
  75小时   4440
通过扫描电子显微镜(SEM)对铜损失进行检查。SEM数据在图2中示出。
图2和表4中所示的数据证明了本发明的剥离剂配制剂的本实施方案显示出了在宽范围的曝光时间下可接受的铜刻蚀水平。铜损失在75小时测试周期内小于10％。
实施例3
表2的优选实施方案在60℃的处理条件下，对于20小时、27小时、45小时和75小时的时间间隔，在基底上的离散图案化膜上进行测试。SEM图像在图3中示出。下面的表5显示出了基于膜从来自图像的图案化的几何结构去除，有效的槽池寿命的目测。
表5
  时间  高清晰度*  中间清晰度*  低清晰度*
  0小时   ×
  20小时   ×
  27小时   ×
  45小时   ×
  75小时   ×
“清晰度”＝在通过剥离剂去除不需要的周围材料时晶片上所需几何结构的保存，保留有锐利的角度和形状。
表5的结果显示出了如表2的实施方案所例示的本发明的剥离剂的有效槽池寿命在75小时的范围内具有有效的剥离能力。
基料另外的例子包括氢氧化苯甲基三甲铵，氢氧化二基二乙基铵，氢氧化乙基三甲铵，氢氧化甲基三乙铵，氢氧化四丁基铵氢氧化四乙基铵，氢氧化四丙基铵，和具有在铵基团上代替氢的类似有机基团的氢氧化铵，所述有机基团例如烷基和芳香基，其包括甲基、乙基、丙基、丁基、戊基和己基的多个组合。
工作实施例已经显示出研发了新的光致抗蚀剂剥离剂用于干膜去除的应用。发现了与干膜去除和铜保护非常相关的若干关键组份。在剥离配制剂中的羟胺与干膜起反应并增加溶解度，其允许显著降低的处理温度，一般下降到60℃；丙三醇和/或甘油减慢DIW蒸发速度并延长槽池寿命；和邻苯二酚防止铜腐蚀。
所述剥离配制剂已经证明了工作实施例中基底上离散图案化膜(干膜)上的剥离效果。然而，应当理解，剥离配制剂可以用于从任何半导体器件表面上去除光致抗蚀剂，和从刻蚀和抛光工序留下的残留物。
虽然已经详细描述了本发明的具体实施例，但是本领域技术人员可以理解根据公开内容的整体教导，这些细节的多种变形和可替换物可以得到。因此，公开的具体实施例仅是示例性的，并不限制本发明的范围，其由所附权利要求的全部精神和其所有等同物限定。

Claims (10)

1.从半导体器件表面去除光致抗蚀剂、刻蚀残留物或抛光残留物的光致抗蚀剂剥离剂配制剂，所述光致抗蚀剂剥离剂配制剂由以下组成：
2.5至5.0wt％的羟胺；
5至10wt％的水；
40至70wt％的溶剂，所述溶剂选自二甲基亚砜；N-甲基吡咯烷酮；二甲基乙酰胺；二丙二醇一甲基醚；单乙醇胺和它们的混合物；
5至7.5wt％的基料，所述基料选自氢氧化胆碱、单乙醇胺、氢氧化四甲基铵、氨基乙基乙醇胺和它们的混合物；
0.25至1.0wt％的金属腐蚀抑制剂，所述金属腐蚀抑制剂选自邻苯二酚、没食子酸、乳酸、苯并三唑和它们的混合物；和
2.0至10wt％的槽池寿命延长剂丙三醇。
2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂剥离剂配制剂，所述光致抗蚀剂剥离剂配制剂由以下组成：
5至10wt％的羟胺，其为50％水溶液；
5至10wt％的水；
40至70wt％的二甲基亚砜；
20至30wt％的氢氧化四甲基铵，其为25％水溶液；
0.25至1.0wt％的邻苯二酚；和
2至10wt％的丙三醇。
3.根据权利要求2所述的光致抗蚀剂剥离剂配制剂，所述光致抗蚀剂剥离剂配制剂由以下组成：
8.26wt％的羟胺，其为50％水溶液；
5.72wt％的水；
57.18wt％的二甲基亚砜；
22.87wt％的氢氧化四甲基铵，其为25％水溶液；
0.57wt％的邻苯二酚；和
5.4wt％的丙三醇。
4.从半导体器件表面去除光致抗蚀剂、刻蚀残留物或抛光残留物的方法，包括利用光致抗蚀剂剥离剂配制剂接触所述光致抗蚀剂、刻蚀残留物或抛光残留物，该光致抗蚀剂剥离剂配制剂由以下组成：
2.5至5.0wt％的羟胺；
5至10wt％的水；
40至70wt％的溶剂，所述溶剂选自二甲基亚砜；N-甲基吡咯烷酮；二甲基乙酰胺；二丙二醇一甲基醚；单乙醇胺和它们的混合物；
5至7.5wt％的基料，所述基料选自氢氧化胆碱、单乙醇胺、氢氧化四甲基铵；氨基乙基乙醇胺和它们的混合物；
0.25至1.0wt％的金属腐蚀抑制剂，所述金属腐蚀抑制剂选自邻苯二酚、没食子酸、乳酸、苯并三唑和它们的混合物；和
2.0至10wt％的槽池寿命延长剂丙三醇。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述光致抗蚀剂剥离剂配制剂由以下组成：
5至10wt％的羟胺，其为50％水溶液；
5至10wt％的水；
40至70wt％的二甲基亚砜；
20至30wt％的氢氧化四甲基铵，其为25％水溶液；
0.25至1.0wt％的邻苯二酚；和
2至10wt％的丙三醇。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述光致抗蚀剂剥离剂配制剂由以下组成：
8.26wt％的羟胺，其为50％水溶液；
5.72wt％的水；
57.18wt％的二甲基亚砜；
22.87wt％的氢氧化四甲基铵，其为25％水溶液；
0.57wt％的邻苯二酚；和
5.4wt％的丙三醇。
7.根据权利要求4的方法，其中光致抗蚀剂、刻蚀残留物或抛光残留物在低于70℃的温度下与所述配制剂接触。
8.根据权利要求7的方法，其中光致抗蚀剂、刻蚀残留物或抛光残留物在60℃与所述配制剂接触。
9.根据权利要求4的方法，其中光致抗蚀剂、刻蚀残留物或抛光残留物与所述配制剂接触的时间小于60分钟。
10.根据权利要求9的方法，其中光致抗蚀剂、刻蚀残留物或抛光残留物与所述配制剂接触的时间不大于30分钟。
CN2009101346379A 2008-03-07 2009-03-06 用于干膜去除的剥离剂 Active CN101544932B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US3459208P 2008-03-07 2008-03-07
US61/034592 2008-03-07
US12/394183 2009-02-27
US12/394,183 US8357646B2 (en) 2008-03-07 2009-02-27 Stripper for dry film removal

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101544932A CN101544932A (zh) 2009-09-30
CN101544932B true CN101544932B (zh) 2013-07-17

Family

ID=40551968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009101346379A Active CN101544932B (zh) 2008-03-07 2009-03-06 用于干膜去除的剥离剂

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8357646B2 (zh)
EP (1) EP2098911B1 (zh)
JP (1) JP4955723B2 (zh)
KR (2) KR20090096369A (zh)
CN (1) CN101544932B (zh)
MY (1) MY158089A (zh)
SG (1) SG155159A1 (zh)
TW (1) TWI420262B (zh)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8357646B2 (en) 2008-03-07 2013-01-22 Air Products And Chemicals, Inc. Stripper for dry film removal
US8361237B2 (en) 2008-12-17 2013-01-29 Air Products And Chemicals, Inc. Wet clean compositions for CoWP and porous dielectrics
KR101778313B1 (ko) * 2009-05-07 2017-09-13 바스프 에스이 레지스트 박리 조성물 및 전기 디바이스의 제조 방법
US8110535B2 (en) * 2009-08-05 2012-02-07 Air Products And Chemicals, Inc. Semi-aqueous stripping and cleaning formulation for metal substrate and methods for using same
JP5646882B2 (ja) * 2009-09-30 2014-12-24 富士フイルム株式会社 洗浄組成物、洗浄方法、及び半導体装置の製造方法
EP2850651A4 (en) * 2012-05-18 2016-03-09 Entegris Inc AQUEOUS CLEANING SOLUTION HAVING LOW COPPER ATTACK SPEED FOR MORE EFFICIENT REMOVAL OF ORGANIC RESIDUES
KR101406761B1 (ko) * 2012-10-22 2014-07-02 주식회사 케이씨텍 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법
JP5885041B1 (ja) * 2014-10-27 2016-03-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 レジスト剥離液
US9401336B2 (en) 2014-11-04 2016-07-26 International Business Machines Corporation Dual layer stack for contact formation
JP5885043B1 (ja) * 2014-12-05 2016-03-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 レジスト剥離液とその製造方法
US10073351B2 (en) * 2014-12-23 2018-09-11 Versum Materials Us, Llc Semi-aqueous photoresist or semiconductor manufacturing residue stripping and cleaning composition with improved silicon passivation
JP5885045B1 (ja) * 2015-01-27 2016-03-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 レジスト剥離液とその製造方法
JP5885046B1 (ja) * 2015-03-24 2016-03-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 レジスト剥離液
CN108026491B (zh) * 2015-08-03 2021-08-13 富士胶片电子材料美国有限公司 清洁组合物
JP2017075992A (ja) * 2015-10-13 2017-04-20 ナガセケムテックス株式会社 フォトレジスト剥離液
KR102067444B1 (ko) * 2015-12-11 2020-01-17 후지필름 가부시키가이샤 반도체 디바이스용 처리액의 보관 방법, 처리액 수용체
KR102121759B1 (ko) * 2015-12-11 2020-06-11 후지필름 가부시키가이샤 세정액, 기판 세정 방법, 및 반도체 디바이스의 제조 방법
CN105549129B (zh) * 2015-12-11 2017-04-05 西安交通大学 一种提高大面积微透镜阵列均匀成形的方法
CN106919011B (zh) * 2015-12-25 2021-12-17 安集微电子科技（上海）股份有限公司 一种富含水的羟胺剥离清洗液
WO2017205134A1 (en) * 2016-05-23 2017-11-30 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Stripping compositions for removing photoresists from semiconductor substrates
US11175587B2 (en) * 2017-09-29 2021-11-16 Versum Materials Us, Llc Stripper solutions and methods of using stripper solutions
EP3721297B1 (en) * 2017-12-08 2024-02-07 Henkel AG & Co. KGaA Photoresist stripper compostion
CN109270808A (zh) * 2018-10-25 2019-01-25 健鼎（湖北）电子有限公司 一种去除干膜的方法
CN115094423B (zh) * 2022-08-24 2022-11-08 深圳市板明科技股份有限公司 一种适用于铝基材线路板的无机退膜液及其应用

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1715389A (zh) * 2004-07-01 2006-01-04 气体产品与化学公司 用于清除和清洗的组合物及其用途

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3407835B2 (ja) 1995-03-09 2003-05-19 東京応化工業株式会社 基板端縁部被膜の除去方法及び除去装置
JP2950407B2 (ja) 1996-01-29 1999-09-20 東京応化工業株式会社 電子部品製造用基材の製造方法
JPH11282176A (ja) 1998-03-26 1999-10-15 Toray Fine Chemical Kk フォトレジスト剥離用組成物
JP3773227B2 (ja) 1997-10-16 2006-05-10 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法
US7579308B2 (en) 1998-07-06 2009-08-25 Ekc/Dupont Electronics Technologies Compositions and processes for photoresist stripping and residue removal in wafer level packaging
US6831048B2 (en) * 2000-04-26 2004-12-14 Daikin Industries, Ltd. Detergent composition
KR100742119B1 (ko) 2001-02-16 2007-07-24 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 리무버 조성물
US7543592B2 (en) 2001-12-04 2009-06-09 Ekc Technology, Inc. Compositions and processes for photoresist stripping and residue removal in wafer level packaging
JP2003228179A (ja) 2002-01-31 2003-08-15 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 銅配線基板向けアミン含有レジスト剥離液および剥離方法
KR101017738B1 (ko) 2002-03-12 2011-02-28 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 포토레지스트 박리제 조성물 및 세정 조성물
AU2003225178A1 (en) 2002-04-24 2003-11-10 Ekc Technology, Inc. Oxalic acid as a cleaning product for aluminium, copper and dielectric surfaces
JP4085262B2 (ja) 2003-01-09 2008-05-14 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト剥離剤
US6951710B2 (en) 2003-05-23 2005-10-04 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions suitable for removing photoresist, photoresist byproducts and etching residue, and use thereof
US20060003910A1 (en) 2004-06-15 2006-01-05 Hsu Jiun Y Composition and method comprising same for removing residue from a substrate
US9217929B2 (en) * 2004-07-22 2015-12-22 Air Products And Chemicals, Inc. Composition for removing photoresist and/or etching residue from a substrate and use thereof
US20060094613A1 (en) 2004-10-29 2006-05-04 Lee Wai M Compositions and processes for photoresist stripping and residue removal in wafer level packaging
JP4678673B2 (ja) 2005-05-12 2011-04-27 東京応化工業株式会社 ホトレジスト用剥離液
US7700533B2 (en) 2005-06-23 2010-04-20 Air Products And Chemicals, Inc. Composition for removal of residue comprising cationic salts and methods using same
US7674755B2 (en) * 2005-12-22 2010-03-09 Air Products And Chemicals, Inc. Formulation for removal of photoresist, etch residue and BARC
JP4906516B2 (ja) 2006-01-11 2012-03-28 東進セミケム株式会社 Ｔｆｔ−ｌｃｄ用カラーレジスト剥離液組成物
KR101328097B1 (ko) * 2006-01-11 2013-11-13 주식회사 동진쎄미켐 티에프티 엘시디용 칼라 레지스트 박리액 조성물
US7534753B2 (en) 2006-01-12 2009-05-19 Air Products And Chemicals, Inc. pH buffered aqueous cleaning composition and method for removing photoresist residue
JP2008007660A (ja) 2006-06-30 2008-01-17 Sanyo Chem Ind Ltd 洗浄剤
FR2912151B1 (fr) 2007-02-05 2009-05-08 Arkema France Formulation de dimethylsulfoxyde en melange avec un additif permettant d'abaisser le point de cristallisation de ce dernier, et applications de ce melange
WO2009058181A2 (en) * 2007-10-31 2009-05-07 Ekc Technology, Inc. Compounds for photoresist stripping
US8357646B2 (en) 2008-03-07 2013-01-22 Air Products And Chemicals, Inc. Stripper for dry film removal

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1715389A (zh) * 2004-07-01 2006-01-04 气体产品与化学公司 用于清除和清洗的组合物及其用途

Also Published As

Publication number Publication date
US8357646B2 (en) 2013-01-22
US20090227483A1 (en) 2009-09-10
EP2098911A3 (en) 2011-03-09
JP4955723B2 (ja) 2012-06-20
KR101384106B1 (ko) 2014-04-10
TW200943004A (en) 2009-10-16
MY158089A (en) 2016-08-29
SG155159A1 (en) 2009-09-30
TWI420262B (zh) 2013-12-21
EP2098911B1 (en) 2013-09-11
JP2009217267A (ja) 2009-09-24
CN101544932A (zh) 2009-09-30
KR20090096369A (ko) 2009-09-10
EP2098911A2 (en) 2009-09-09
KR20120062650A (ko) 2012-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101544932B (zh) 用于干膜去除的剥离剂
CN101454872B (zh) 光刻胶剥离剂组合物和用该光刻胶剥离剂组合物剥离光刻胶的方法
JP5590364B2 (ja) フォトレジスト剥離液組成物
CN1985217B (zh) 含果糖的非水性微电子清洁组合物
JP4369284B2 (ja) レジスト剥離剤
KR20060064441A (ko) 비수성 비부식성 마이크로전자 세정 조성물
CN101093364A (zh) 光致抗蚀剂用剥离液以及使用该剥离液的基板处理方法
KR100554685B1 (ko) 레지스트박리제 조성물
KR20090121650A (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법
EP1994134A1 (en) Stabilized, non-aqueous cleaning compositions for microelectronics substrates
KR101304723B1 (ko) 아미드계 화합물을 포함하는 포토레지스트 박리액 및 이를이용한 박리 방법
KR100544889B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
KR100363271B1 (ko) 포토레지스트 리무버 조성물
KR20160030835A (ko) 레지스트 박리액 조성물
KR100440484B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
KR20090080206A (ko) 포토레지스트 박리용 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트박리 방법
CN107239006B (zh) 抗蚀剂剥离液组合物、平板及其制造方法和显示装置
KR102572751B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
CN111781808A (zh) 抗蚀剂剥离液组合物、平板显示器基板及其制造方法
CN1682155B (zh) 光刻胶剥离剂组合物
KR101082011B1 (ko) 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR20080017848A (ko) 포토레지스트 박리액 및 이를 이용한 박리 방법
KR20150000183A (ko) 플랫 패널 디스플레이 제조용 레지스트 박리액 조성물
KR102092922B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR20140044479A (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20170623

Address after: Arizona, USA

Patentee after: Versum Materials US, LLC

Address before: American Pennsylvania

Patentee before: Air Products and Chemicals, Inc.

TR01 Transfer of patent right