CN101479708B - 半导体存储装置管理系统、半导体存储装置、主机装置、程序、半导体存储装置的管理方法 - Google Patents

半导体存储装置管理系统、半导体存储装置、主机装置、程序、半导体存储装置的管理方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种作为硬盘装置的代替，用于实现能实用的半导体存储装置的半导体存储装置管理系统等。一种半导体存储装置管理系统SY，管理具有存储数据的半导体存储区域(15)、代替该半导体存储区域(15)内的不良块的不良块代替区域(16)的半导体存储装置(10)的装置寿命，具有：检测不良块代替区域(16)的消耗块数的存储装置侧控制器(12)；根据该检测结果，预测半导体存储装置(10)的装置寿命，报告该预测结果的主机侧控制器(31)。

Description

半导体存储装置管理系统、半导体存储装置、主机装置、程序、半导体存储装置的管理方法
技术领域
本发明涉及管理具有装置寿命的半导体存储装置的半导体存储装置管理系统、半导体存储装置、主机装置、程序、半导体存储装置的管理方法。
背景技术
近年，以NAND型闪存为代表的非易失性存储器作为存储媒体的半导体存储装置(硅盘)作为硬盘装置的代替，引人注目。作为其理由，与硬盘装置相比，列举：没有旋转机构等故障要素、低耗电、能24小时连续使用、没有工作音、具有对振动等的耐冲击性。可是，这种半导体存储装置在数据的改写次数上存在限制，通常在数万次到数十万次左右，成为装置寿命。而且，如果改写集中在特定的区域(存储元件)，寿命就进一步缩短。作为解决这样的问题的技术，知道专利文献1中记载的技术。
专利文献1：特开平05-204561号公报
在专利文献1中记载了在闪存内设置存储数据的数据存储区域、代替该数据存储区域内的错误区域的代替存储区域、把数据存储器中成为错误的数据存储器的代替存储器的地址作为错误信息具有的错误存储区域，并且具有进行向这些各区域的读写的存储器控制器的半导体存储装置(半导体盘)。在这样的结构中，存储器控制器读取错误存储区域的错误信息，数据存储区域正常时，向数据存储区域进行读写，异常时，向代替存储区域进行读写。在写入时，发生错误时，查找不良块代替区域的空区域，向空区域写入数据，并且更新有错误的存储区域的错误信息。通过进行这样的控制，救济闪存的改写引起的错误，谋求半导体存储装置的寿命延长。
可是，虽然专利文献1中记载的技术能实现半导体存储装置的寿命延 长，但是无法丧失寿命。此外，提出了用于回避装置寿命的各种技术(避免向特定区域的改写的集中的平滑化处理(ware leveling)等)，但是都不是能使寿命无限的技术。
因此，在以往技术中，无法现实地把半导体存储装置作为硬盘装置的代替来使用。当然，能作为禁止或限制改写的嵌入设备、具有改写次数的可推测程度的音频设备等的存储装置来利用，但是在应用和运用上产生限制。此外，也考虑事先计算寿命来使用，或者定期更换的方法，但是前者的时候，缺乏可靠性，后者的时候，在装置寿命前更换成为必要，都无法经受现实的应用。
发明内容
鉴于这样的问题，本发明的课题在于，提供作为硬盘装置的代替，用于实现能实用的半导体存储装置的半导体存储装置管理系统、半导体存储装置、主机装置、程序、半导体存储装置的管理方法。
本发明的半导体存储装置管理系统管理具有存储数据的半导体存储区域、代替该半导体存储区域内的不良块的不良块代替区域的半导体存储装置的装置寿命，其特征在于，包括：检测不良块代替区域的消耗块数的消耗块数检测单元；根据消耗块数检测单元的检测结果，预测半导体存储装置的装置寿命，报告该预测结果的寿命报告单元。
此外，本发明的半导体存储装置的管理方法中，半导体存储装置具有存储数据的半导体存储区域、代替该半导体存储区域内的不良块的不良块代替区域，其特征在于：根据不良块代替区域的消耗履历，预测半导体存储装置的装置寿命，报告该预测结果。
根据这些结构，根据代替半导体存储区域内的不良块的不良块代替区域的消耗块数(消耗履历)，预测半导体存储装置的装置寿命，报告该预测结果，所以用户能把握半导体存储装置的装置寿命。据此，能捕捉消耗品，在适当的时期更换半导体存储装置，所以不会违背用户的意思，半导体存储装置到达装置寿命，不会失去数据的可靠性或者损失。
此外，根据不良块代替区域的消耗块数(消耗履历)，预测装置寿命，所以与把改写次数计数从而预测装置寿命的情形相比，能更正确地进行寿 命预测。此外，没必要把改写次数计数，所以计数器等的电路结构和用于存储计数值的存储器能变为不要。
在所述半导体存储装置管理系统中，还具有：阶段地报告从消耗块数检测单元的检测结果取得的不良块代替区域的消耗率或剩余率的阶段报告单元。
根据该结构，用户能阶段地把握不良块代替区域的消耗率或剩余率。即用户能确认半导体存储装置到达装置寿命的原委，所以能放心使用半导体存储装置。
在所述的半导体存储装置管理系统中，还具有把对半导体存储区域内的各块的改写次数平滑化的平滑化单元。
根据该结构，通过平滑化处理，能延长装置寿命。
在所述的半导体存储装置管理系统中，半导体存储区域和不良块代替区域由非易失性存储器构成。
根据该结构，使用非易失性存储器，所以在电源遮断后，也能保持数据。即使用易失性存储器时成为必要的麻烦的处理(在电源遮断前把半导体存储区域和不良块代替区域的数据暂时写入其他非易失性存储器中的处理)、后备电池等变为不必要。
在所述的半导体存储装置管理系统中，寿命报告单元和/或阶段报告单元使用画面的显示、声音的输出、发送电子邮件、发送命令、电话中的任意一种的方法，报告。
根据该结构，使用画面的显示、声音的输出、发送电子邮件、发送命令、电话的方法，对用户能报告装置寿命或不良块代替区域的消耗数。
在所述的半导体存储装置管理系统中，寿命报告单元根据不良块代替区域的单位时间的后天性不良块发生数的最坏值、平均值或者现在值中的任意一个，预测装置寿命。
根据该结构，根据不良块代替区域的单位时间的后天性不良块发生数(从不良块代替区域的消耗块数(不良块总数)减去工厂出厂时的先天性不良块数所得到的值)，预测装置寿命，所以能进行消除先天性不良块数的影响的更正确的预测。此外，使用最坏值进行预测，能在成为装置寿命之前，可靠地报告装置寿命。此外，使用平均值预测，即使后天性不良块 发生数不均一地增加时，也能报告装置寿命。此外，使用现在值预测，就没必要保存过去取得的后天性不良块数，在假定后天性不良块发生数均一增加时，能进行适合于实际使用环境的报告。
在所述的半导体存储装置管理系统中，半导体存储装置管理系统由半导体存储装置、访问半导体存储装置的主机装置构成，半导体存储装置具有用于实现消耗块数检测单元和平滑化单元的存储装置侧控制器，主机装置具有用于实现寿命报告单元、阶段报告单元的主机侧控制器。
根据该结构，主机侧控制器实现寿命报告单元、阶段报告单元，所以存储装置侧控制器可以只实现消耗块数检测单元和平滑化单元。即能实现半导体存储装置的控制负荷减轻和低廉化。
在所述半导体存储装置管理系统中，主机侧控制器轮询存储装置侧控制器，取得消耗块数检测单元的检测结果。
根据该结构，主机侧控制器轮询存储装置侧控制器，能取得消耗块数检测单元的检测结果(不良块代替区域的消耗块数)，所以存储装置侧控制器只对它响应就可以了。据此，能进一步减轻存储装置侧控制器(半导体存储装置侧)的控制负荷。
本发明的半导体存储装置的特征在于：适用于所述半导体存储装置管理系统。
本发明的主机装置的特征在于：适用于所述半导体存储装置管理系统。
本发明的程序的特征在于：用于使计算机作为所述半导体存储装置管理系统的各单元来工作。
通过使用它们，作为硬盘装置的代替，能提供用于实现能实用的半导体存储装置的半导体存储装置管理系统。
附图说明
图1是表示本发明一个实施例的半导体存储装置管理系统的系统结构的框图。
图2是表示管理工具的显示例的图。
图3是说明半导体存储装置的消耗率、剩余率和装置寿命的计算处理 的图。
图4是表示半导体存储装置的管理处理的程序流程图。
图5是说明在半导体存储装置侧计算不良块代替区域的消耗率的情形的图。
具体实施方式
以下，说明本发明的一个实施例的半导体存储装置管理系统、半导体存储装置、主机装置、程序、半导体存储装置的管理方法。图1是表示半导体存储装置管理系统SY的系统结构的框图。半导体存储装置管理系统SY由作为硬盘装置的代替而使用的半导体存储装置(例如硅盘)10、访问该半导体存储装置10的主机装置(例如个人电脑)30、该主机装置30的周边设备即显示器36和扬声器37构成。
半导体存储装置10具有I/F块11、存储装置侧控制器12、ROM13、RAM14和NAND型闪存20，它们由未图示的内部总线连接。此外，NAND型闪存20具有作为存储媒体存储数据的半导体存储区域15、和代替该半导体存储区域15内的不良块的不良块代替区域16。
NAND型闪存20在位单价和容量的方面是有利的，所以是作为存储装置用途常常使用的存储器。
另外，对NAND型闪存20通常使用称作SLC(单水平单元)的1单元1位的闪存。在本实施例中，因为能进行寿命管理，所以也能使用改写次数的限制或可靠性差的称作MLC(多水平单元)的增加1单元的位数的闪存。通过这样使用MLC，能实现大容量化并且提高成本优点。
此外，在NAND型闪存20以外，也能用AND型闪存或带后备电池的SRAM构成半导体存储区域15和不良块代替区域16。
I/F块11进行与主机装置30的数据传送，为了把该数据传送速度高速化，具有用于缓存来自主机装置30的读出/写入数据和命令的存储器(缓存器，省略图示)。另外，I/F块11按照用途，能采用IDE、SCSI、串行ATA等数据传送规格。
存储装置侧控制器12除了CPU21，还具有由该CPU21读写的地址变换表22、代替区域管理表23和代替区域信息24。
地址变换表22是进行CPU21用于与主机装置30交换的逻辑块地址与实际用于对半导体存储装置10内写入数据的物理块地址的关联时参照的对应列表。
如上所述，本实施例的半导体存储装置10采用NAND型闪存20，但是该NAND型闪存20无法进行数据的覆盖，所以进行数据的改写时，进行对已删除块写入新数据，删除改写前的数据写入的块的处理。CPU21每当数据的改写，按照地址变换表22的内容，改写相应块的数据(地址变换表定义了来自主机装置30的逻辑块地址和半导体存储装置10的物理块地址的对应关系)。这时，CPU21对每块(物理块地址)把改写次数或删除次数计数，如果它们变为某设定数以上，就把数据替换到改写次数少的块。即进行向半导体存储区域15内的各块的改写次数平滑化地使块的数据移动到其它块，改写相应的地址变换表22的平滑化处理(平滑化单元)。
此外，由于改写次数的增加，有时在半导体存储区域15发生写入错误，但是发生这样的写入错误时，CPU21把相应的半导体存储区域15内的不良块的地址分配给不良块代替区域16内的代替块，以后进行访问不良块代替区域16的处理。另外，在工作时(通常使用时)发生写入错误的不良块(以后称作“后天性不良块”)的地址写入代替区域管理表23，禁止以后的访问。而在NAND型闪存20，有时在工厂出厂时已经存在不良块，但是在代替区域管理表23也写入该先天性不良块的地址。
代替区域信息24是用于管理半导体存储装置10的装置寿命的数据，具体而言，是关于不良块代替区域16的不良块总数(A)、工厂出厂时的先天性不良块数(B)、在工作时变为不良的后天性不良块数(C)、单位时间中的后天性不良块的发生数(D)的数据(参照图3)。
不良块总数(A)是预先为了代替半导体存储区域15内的不良块而准备的不良块代替区域16的块总数。此外，先天性不良块数(B)是按照制造商的检测规格，在工厂出厂时检测出，登记的值。此外，后天性不良块数(C)是每当取得不良块代替区域16，把CPU21取得的块数相加，改写的值。单位时间中的后天性不良块的发生数(D)例如把每10分钟后天性不良块的发生数计数，根据与上次的计数值的差分，计算出。另外，后面描述装置寿命的详细的计算方法等。
此外，CPU21因为本实施例的半导体存储装置10作为硬盘的代替而使用，所以进行分析硬盘用的命令，分配给NAND型闪存20的处理。
另外，只要地址变换表22、代替区域管理表23和代替区域信息24都非易失地存储就可以，存储装置侧控制器12不一定是具有它们的结构。即也可以搭载用于存储它们的通用存储器芯片(EEPROM等)。
而ROM13具有存储装置内固件26。在该存储装置内固件26中除了存储装置侧控制器12(CPU21)用于实现所述各处理的控制程序，还记录用于进行通常处理(与主机装置30的读/写、对来自主机装置30的命令发送的状态的回信、电源接通时的初始化(电源遮断时的回避处理)等)的控制程序。
此外，RAM14作为CPU21的处理时的工作区使用，存储各种标记等。例如CPU21在后天性不良块在单位时间内急剧增加时，或者在半导体存储装置10发生异常时，把表示这些错误信息的标记反映到RAM14，并且报告主机装置30。如果主机装置30收到该错误信息的报告，就禁止向半导体存储装置10的写入，报告该意思。
半导体存储区域15把先天性不良块和后天性不良块发生作为前提，组成该写入算法。此外，错误检测中，不使用奇偶，使用具有订正功能的ECC。
不良块代替区域16如上所述，代替半导体存储区域15内的不良块，但是在几乎消耗了全部区域的时刻，由主机装置30判定为装置寿命。换言之，也作为用于判定装置寿命的指标使用。
接着，说明主机装置30侧的结构。主机装置30具有主机侧控制器31和主机侧管理程序32。主机侧控制器31根据主机侧管理程序32，定期地轮询存储装置侧控制器12，根据对它的存储装置侧控制器12的响应，取得所述代替区域信息24或各种错误信息。此外，根据取得的信息，预测(计算)半导体存储装置10的装置寿命，报告该预测结果(寿命报告单元)。此外，同样根据取得的信息，计算不良块代替区域16的消耗率或剩余率，阶段地报告该消耗率或剩余率(阶段报告单元)。
另外，“阶段地报告该消耗率或剩余率”不是消耗率或剩余率超过某给定值时进行给定的报告，是指与这些值的大小无关，用户能判断值变化 的原委地定期报告(例如百分率的条线显示或圆显示等)。此外，“报告装置寿命或不良块代替区域16的消耗率或剩余率”是指在显示器36上显示这些值，或者通过扬声器37输出声音(声音引导或给定的电子音的发生)。此外，主机装置30具有因特网连接功能时，通过发送电子邮件，对成为其发送对象的个人电脑或各种信息终端报告，或者通过发送命令，对用网络连接的服务器等报告(也可以是来自服务器的远程监视)。进而，主机装置30具有电话连接功能时，通过电话，对成为其通话对象的对方报告。
此外，主机侧控制器31把从半导体存储装置10取得的代替区域信息24作为存储装置管理数据41记录，每当轮询时更新。例如，用户使用未图示的操作单元(键盘或鼠标等)，查询半导体存储装置10的装置寿命、不良块代替区域16的消耗率或剩余率时，根据该存储装置管理数据41，通过画面的显示或声音的输出等，报告它们的值。
主机侧管理程序32存储主机侧控制器31用于进行所述各种处理、或者与半导体存储装置10的通常处理的控制程序。此外，用于报告半导体存储装置10的装置寿命、不良块代替区域16的消耗率或剩余率，或者进行关于它们的各种设定的管理工具也包含在主机侧管理程序32中。
图2表示基于该管理工具的报告例(显示例)50。这里，显示了不良块代替区域16的合计大小51、表示不良块代替区域16的消耗区域和残存区域以及它们的比例的圆显示(消耗率和剩余率)52、催促半导体存储装置10(硅盘)的更换的警告显示53、装置寿命的计算结果54。
另外，警告显示53是在判断不良块代替区域16的消耗率为60％～90％时显示的。在不良块代替区域16的消耗率超过90％时，代替警告显示53，进行表示禁止向半导体存储装置10的写入的危险显示。可是，在不良块代替区域16的消耗率超过90％时，通过管理工具，能设定是否禁止写入。
此外，在图2的显示例中，关于装置寿命54，显示2年～0日，但是也可以通过管理工具，设定小时单位或日数单位等显示的装置寿命54的单位。此外，也可以装置寿命54变为1个月以下时使其显示，也可以设定显示装置寿命54的基准。
此外，图2所示的基于管理工具的显示50在主机装置30的起动时常驻OS(省略图示)，存储在任务栏上，也可以通过主机侧管理程序32(管 理工具)的起动来使其显示。进而，在管理工具中可以搭载用于进行警告显示或危险显示的阈值的设定功能、报告单元(半导体存储装置管理系统SY的管理公司的服务通话、向管理者的电子邮件、远程通信、电话等)的选择功能。也可以搭载半导体存储装置10的更换引导功能(基于动画的画面显示、声音的输出等)、用于半导体存储装置10的更换的复制功能(经由存储器的存储/恢复)。
下面，参照图3，说明基于所述主机侧控制器31的半导体存储装置10的消耗率、剩余率和装置寿命的计算处理。另外，以下(a)和(b)所示的计算算法包含在主机侧管理程序32中。此外，以下(c)所示的计算算法包含在存储装置内固件26中。
此外，不良块代替区域16的不良块总数(A)、工厂出厂时的先天性不良块数(B)、在工作时变为不良的后天性不良块数(C)、单位时间中的后天性不良块的发生数(D)的各值如上所述，是主机侧控制器31从半导体存储装置10取得的代替区域信息24中包含的数据。
如图3(a)所示，不良块代替区域16的消耗块数由先天性不良块(B)和后天性不良块数(C)相加来计算。此外，不良块代替区域16的消耗率是不良块代替区域16的消耗块数除以不良块代替区域16的不良块总数(A)而得到的值，即根据计算式(B+C)/A*100来计算。进而，不良块代替区域16的剩余率根据计算式(A-B-C)/A*100来计算。
此外，如图3(b)所示，如果是E＝1小时的后天性不良块的发生数，就根据计算式(A-B-C)/E，计算装置寿命，即到达半导体存储装置10变为不能使用的剩余时间。另外，根据单位时间的后天性不良块的发生数(D)*把记录后天性不良块的发生数的单位时间变换为1小时的常数(α)，计算1小时的后天性不良块的发生数(E)。例如记录后天性不良块的发生数的单位时间如果为10分钟，α＝1小时/10分钟＝6，变为E＝6*D。
此外，单位时间的后天性不良块的发生数(D)能采用最坏值(D1)、平均值(D2)、现在值(合计的最新值，D3)中的任意一个。在本实施例中，作为半导体存储装置10的存储媒体，使用NAND型闪存20，由于该存储器特性和平滑化处理的影响，能够预测后天性不良块均一地增加。因此，采用适合于实际使用环境的现在值(D3)。
另外，使用最坏值(D1)计算装置寿命时，在成为装置寿命之前能可靠地报告装置寿命。此外，使用平均值(D2)计算时，即使后天性不良块发生数不均一地增加时，也能报告大致的装置寿命。因此，按照存储器特性或使用用途，决定使用D1～D3中的任意一个值或者采用D1～D3中的任意的组合。此外，也可以在管理工具搭载选择的功能。
此外，如图3(c)所示，根据D＝上次的后天性不良块数(C)-这次的后天性不良块数(C)，计算单位时间的后天性不良块的发生数(D)。可是，存储装置侧控制器12进行图3(c)所示的计算处理，把计算结果的D的值作为代替区域信息24提供给主机装置30。
下面，参照图4，说明基于所述主机侧控制器31的半导体存储装置10的管理处理流程。主机侧控制器31在主机装置30的电源接通时，以及根据由管理工具设定的轮询间隔(计数器设定值)，对存储装置侧控制器12轮询，取得代替区域信息24(所述A～D的数据)(S01)。
接着，根据取得的代替区域信息24、图3(a)和(b)所示的计算式，计算不良块代替区域16的剩余率和装置寿命(S02)。然后，判别不良块代替区域16的剩余率是否低于10％(是否危险状态)(S03)，不低于10％时(S03：No)，判定为还不是危险状态。
判定为不是危险状态时，进而判别不良块代替区域16的剩余率是否低于40％(是否警告状态)(S04)，是低于40％时(S04：Yes)，判定为警告状态，与警告报告53一起报告装置寿命等(不良块代替区域16的消耗区域、剩余区域和它们的比例52、装置寿命54)(S05，参照图2)。此外，不良块代替区域16的剩余率为40％以上时(S04：No)，判定为还未变为警告状态，报告警告报告以外的装置寿命等(S06)。
报告后，参照计数器设定值(S07)，在计数器的值低于设定值时，成为轮询等待状态。此外，计数器的值是设定值以上时，更新存储装置管理数据41(S08)，再次对存储装置侧控制器12轮询(S01)。
而在S03中，判定为危险状态时(不良块代替区域16的剩余率低于10％时)(S03：Yes)，与危险报告一起报告装置寿命等(S09)。这里，作为危险报告(例如基于管理工具的显示50)，报告禁止向半导体存储装置10的写入的意思或不能保障的意思。此外，通过管理工具，设定为在危险 状态禁止写入时(S10：Yes)，进行了用于禁止写入的处理之后(S11)，结束半导体存储装置10的管理处理。
如上所述，根据本实施例，根据不良块代替区域16的消耗块数(消耗履历)，预测半导体存储装置10的装置寿命，报告该预测结果，所以用户能把握半导体存储装置10的装置寿命。据此，不会违背用户的意思，半导体存储装置10到达装置寿命，不会失去数据的可靠性、或者损失。此外，根据消耗块数(消耗履历)预测装置寿命，与把改写次数计数而预测装置寿命时相比，能更正确地预测寿命。此外，没必要把改写次数计数，所以计数器等的电路结构或用于存储计数值的存储器能变为不要，能够简化装置结构。
此外，阶段地报告不良块代替区域16的消耗率或剩余率，所以用户能确认半导体存储装置10到达装置寿命的原委，能放心使用。
此外，根据不良块代替区域16的单位时间的后天性不良块发生数，计算装置寿命，所以能更正确地预测装置寿命。使用单位时间的后天性不良块发生数的现在值(D3)预测，所以没必要保存过去取得的后天性不良块数，如NAND型闪存20那样，假定后天性不良块发生数均一地增加时，能进行适合于实际使用环境的报告。
此外，如果在NAND型闪存20中采用MLC(多水平单元)，对1单元就能写入多值，能实现大容量化并且提高成本优点。此外，MLC与SLC(单水平单元)相比，关于读写电压或温度的容限少，所以具有错误率高，装置寿命(耐久性)差的缺点(在现在的技术水准下，SLC是10万次的改写次数保证值，而MLC是1万次以下)，但是根据本实施例，能预测装置寿命，所以能掩盖这样的缺点。
此外，在主机装置30侧执行关于不良块代替区域16的消耗率或半导体存储装置10的装置寿命的报告，所以半导体存储装置10侧仅检测消耗块数就好，能够减轻控制负荷，抑制成本。
另外，在所述的实施例中，在主机装置30侧，计算不良块代替区域16的消耗率等，但是也可以在半导体存储装置10侧进行。这时，如图5所示，存储装置侧控制器12内的CPU21参照不良块代替区域16，检测不良块总数，计算不良块代替区域16的消耗率。此外，把关于计算的消耗 率的信息(在图示的例子中，20％)写入存储装置侧控制器12内的状态寄存器25中。而主机侧控制器31定期轮询存储装置侧控制器12，取得关于不良块代替区域16的消耗率的数据，从该值求出不良块代替区域16的剩余率，反映(显示)到显示器36上。
在半导体存储装置10侧能搭载计算不良块代替区域16的消耗率的功能。此外，不仅消耗率，在半导体存储装置10侧还能计算剩余率，或者计算装置寿命。进而，还能搭载根据这些计算结果，在半导体存储装置10侧报告的功能。如果是在半导体存储装置10侧进行装置寿命的计算和报告的结构，则只用半导体存储装置10就能实现本发明的半导体存储装置管理系统SY，所以在主机装置30侧不需要特别的结构(主机侧管理程序32(管理工具))。
此外，还能把所述实施例所示的半导体存储装置管理系统SY的各构成要素(各功能)作为程序提供。此外，还能把该程序在各种记录媒体(CD-ROM、闪存等)中存储从而提供。即将半导体存储装置管理系统SY的各构成要素(各功能)进行程序化的程序、记录它的记录媒体也包含在本发明的权利范围中。
此外，不限制于所述实施例，半导体存储装置10以及主机装置30的装置结构或处理步骤等在不脱离本发明的范围中能适当变更。

Claims (10)

1.一种对半导体存储装置的装置寿命进行管理的半导体存储装置管理系统，该半导体存储装置具有存储数据的半导体存储区域、和代替该半导体存储区域内的不良块的不良块代替区域；该半导体存储装置管理系统具有：
消耗块的数量检测单元，其对所述不良块代替区域的消耗块的数量进行检测；和
寿命报告单元，其基于所述消耗块的数量检测单元的检测结果，对所述半导体存储装置的装置寿命进行预测，并报告该预测结果，
所述寿命报告单元，基于所述不良块代替区域的单位时间中的后天性不良块发生数量的最坏值，对所述装置寿命进行预测。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置管理系统，其特征在于，还具有：
阶段报告单元，其对从所述消耗块的数量检测单元的检测结果得到的所述不良块代替区域的消耗率或剩余率进行阶段性报告。
3.根据权利要求2所述的半导体存储装置管理系统，其特征在于，还具有：
平滑化单元，其对所述半导体存储区域内各块的改写次数进行平滑化。
4.根据权利要求3所述的半导体存储装置管理系统，其特征在于，
所述半导体存储区域和所述不良块代替区域由非易失性存储器构成。
5.根据权利要求3所述的半导体存储装置管理系统，其特征在于，
所述寿命报告单元和/或所述阶段报告单元，利用画面显示、声音输出、电子邮件发送、命令发送、电话中的任一方式进行报告。
6.根据权利要求3所述的半导体存储装置管理系统，其特征在于，
所述半导体存储装置管理系统，由所述半导体存储装置和访问所述半导体存储装置的主机装置构成；所述半导体存储装置，具有用以实现所述消耗块的数量检测单元和所述平滑化单元的存储装置侧控制器；所述主机装置，具有用以实现所述寿命报告单元和所述阶段报告单元的主机侧控制器。
7.根据权利要求6所述的半导体存储装置管理系统，其特征在于，
所述主机侧控制器，轮询所述存储装置侧控制器，取得所述消耗块的数量检测单元的检测结果。
8.一种半导体存储装置，其适用于权利要求1～7中任意一项所述的半导体存储装置管理系统。
9.一种主机装置，其适用于权利要求6所述的半导体存储装置管理系统。
10.一种半导体存储装置的管理方法，该半导体存储装置具有存储数据的半导体存储区域、和代替该半导体存储区域内的不良块的不良块代替区域，
所述管理方法基于所述不良块代替区域的单位时间中的后天性不良块发生数量的最坏值，对所述半导体存储装置的装置寿命进行预测，并报告该预测结果。
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