CN101467269B - 薄外形侧面发光的发光二极管 - Google Patents

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Abstract

描述了一种薄外形的侧面发光的发光二极管(10)，在这里所有的光都是在大体上平行于发光有源层(14)表面的相对小的角度内有效地发射。发光二极管实现了用于背光照明液晶显示器的极薄背光源的产生。在一个实施例中，发光二极管是倒装芯片，n和p电极(18)在发光二极管的同一侧，并将发光二极管电极侧向下安装在次基台(22)上。在发光二极管的顶部表面上提供反射体(34)，使入射到反射体上的光朝向有源层(14)反射回来并最终通过发光二极管的侧表面发出。在半导体层(12、14、16)和反射体之间设置波导层(30)和/或一个或多个磷光体层，用于增加侧面发射面积，从而提高效率。可以得到厚度在0.2-0.4mm之间的侧面发光的发光二极管。

Description

薄外形侧面发光的发光二极管
技术领域
本发明涉及使用非激光的发光二极管(LED)的照明设备，更加具体地说，涉及对于使用侧面发光的发光二极管的背光源和其它类似照明设备进行改进的技术。
背景技术
在移动电话、个人数字助理(PDA)、膝上型计算机、台式监视器和电视应用中，常常使用液晶显示器(LCD)。本发明的一个实施例涉及需要背光源的彩色透射型液晶显示器，在这里背光源可以使用一个或多个发光二极管，发出白色或彩色光。发光二极管与激光二极管的区别在于发光二极管发出不相干的光。
在许多小型的显示器中，如对于移动电话、个人数字助理和其它设备，重要的是显示器很薄。进而，由于这样的小型显示器通常是电池操作的，所以重要的是，来自发光二极管的光要高效地耦合到液晶显示器的背面。
在大致平行于电路板的方向发出大多数光的发光二极管是公知的，并且已经用在背光源中。这在小型设备中是空间有效的，因为向LED供电的电路板平行于液晶显示器。侧面发射的光耦合到背光源波导的侧面中，使发光二极管的高度在使背光源更薄的过程中成为一个限制因素。
一种类型的侧面发光的发光二极管是“顶部发光的”发光二极管，该发光二极管被封装从而使发光二极管的发光有源层垂直于电路板的表面。通过在常规的发光二极管上方提供侧面发光的透镜，使光仅通过透镜的侧面反射出去，也可以制造侧面发光的发光二极管。这些类型的侧面发光的发光二极管不具有薄外形(low profile)。
因此，需要薄外形的侧面发光的发光二极管，以及加入这样的发光二极管的高效背光源。
发明内容
为了产生改进的背光源以便对液晶显示器进行背光照明，在这里描述了各种不同的非激光的发光二极管设计。背光源还可以用于其它的照明应用。发光二极管是侧面发光的，在大体上平行于发光有源层表面的相对小的角度内，有效地发出所有的光。不使用透镜产生侧面发射。发光二极管具有薄外形，使背光源极薄。
发光二极管包括n-型层、p-型层、和夹在n-型层和p-型层之间的有源层。发光二极管是倒装芯片，它的n和p电极在发光二极管的同一侧。
在发光二极管的与电极侧相反的表面上，形成数目任意的其它层，其中包括对有源层发出的光进行波长转变的磷光体层、光散射层、波导层、二向色镜和其它层。在这些其它层的上面提供反射体，使入射到反射体的光朝向有源层被反射回来并且最终从发光二极管的侧表面发射出去。重要的是，在半导体层和反射体之间提供附加层，以增加侧面发射面积，从而增加提取效率。磷光体层可以是红、绿、蓝、YAG、或磷光体的组合。
将发光二极管电极侧向下安装在次基台上。然后使次基台被表面安装在与电源耦合的印刷电路板上。
最终的发光二极管具有极薄的外形，因为它是倒装芯片并且不使用透镜进行侧面发射。发光二极管可以发出白光或任何其它颜色的光。
描述了一种背光源，所述的背光源包括薄的聚合物波导，所述的波导具有底部反射表面和顶部发射表面。液晶层定位在波导的顶部表面上。将大体上正方形的侧面发光的发光二极管插入背光源中的开口，在这里发光二极管的发光侧面相对于波导的反射后侧壁成大约45度的角度。从发光二极管发出的光有效地耦合到波导，并且通过波导的顶部向液晶层反射出去。
附图说明
图1是按照本发明的第一实施例的发光二极管的侧视图；
图2是按照本发明的第二实施例的发光二极管的侧视图；
图3是按照本发明的第三实施例的发光二极管的侧视图；
图4是按照本发明的第四实施例的发光二极管的侧视图；
图5是按照本发明的第五实施例的发光二极管的侧视图；
图6是按照本发明的第六实施例的发光二极管的断面图；
图7是表示侧面发光的发光二极管的优选位置的薄背光源的自上而下视图；
图8是在这个背光源中图7的发光二极管的近视图；
图9、10和11是在图7的背光源中的不同类型发光二极管的侧视剖面图；
图12是安装在杯形反射体中的侧面发光的发光二极管的剖面图。
用相同的数字代表各个附图中相似或相同的元件。
具体实施方式
本发明的实施例包括薄外形的侧面发光的发光二极管，可以实现液晶显示器应用和其它应用的薄背光源结构。
图1是侧面发光的发光二极管10的第一实施例的侧视图。在一个实施例中，侧发光表面的厚度是0.2-0.4mm。在另一个实施例中，侧发光表面的厚度为0.2-0.6mm。
本发明可应用到任何材料系统构成的发光二极管，例如A1InGaP(通常用于发射红到黄光)或GaN(通常用于发射绿到紫外光)。在起始生长衬底上形成发光二极管，所述起始生长衬底如蓝宝石、SiC、或GaAs，取决于要形成的发光二极管的类型。在一般情况下，先形成n-型层12，而后形成有源层14，然后再形成p-型层16。对于p-型层16进行蚀刻，以便露出下面的n-型层14的一部分。然后在发光二极管的表面上形成反射金属电极18(如银、铝、或合金)从而与n-型层和p-型层接触。当二极管正向偏置时，有源层14发光，发光的波长由有源层的组分决定。形成这样的发光二极管是公知的，不需要更加详细地描述。在美国专利No.6828596(授予Steigerwald等人)和美国专利No.6876008(授予Bhat等人)中描述了所有可见波长的发光二极管的形成、在次基台上安装这样的发光二极管和经由印刷电路板向发光二极管供电，这两个专利都转让给本发明受让人，并且在这里参照引用。
发光二极管的半导体层的总厚度通常小于100微米(0.1毫米)。
然后将发光二极管安装在次基台22上，成为倒装芯片。次基台22包含金属电极24，金属电极24是经由焊球26焊接到或者超声焊接到发光二极管上的金属18上的。还可以使用其它类型的接合。次基台电极24电连接到(例如经由通孔)位于次基台底部的焊盘上，使得次基台可以被表面安装到与电源耦合的印刷电路板上。次基台22可以由任何合适的材料形成，例如陶瓷、硅、铝等。如果次基台材料是导电的，要在次基台材料上方形成绝缘层，并且在绝缘层上方形成金属电极图案。次基台的作用是机械支撑，在发光二极管芯片上的精巧的n和p电极与电源之间提供电接口，并且可以提供散热。如果使用多个发光二极管作为光源，次基台还提供发光二极管之间的相互连接。次基台是公知的。
为使发光二极管10具有极薄的外形，并且为了防止光被生长衬底吸收，可以去掉生长衬底，例如通过CMP。在一个实施例中，生长衬底的去除是在发光二极管安装在它们的次基台上之后并且在发光二极管和次基台被切割之前进行。
在有选择地去除生长衬底之后，在n-型层12上形成光学元件，所述光学元件强化了发光二极管10的侧面发射。在一个实施例中，光学元件包括：透明的波导层30、加入了反射颗粒或者粗糙/棱镜表面的散射层32和顶部反射层34。波导层30可以由任何合适的、透明的或半透明的有机或无机材料形成。下层36可以是二向色镜或单向镜，从而使由反射层34向下反射的光不会被半导体层吸收。
如果生长衬底是透明的，如蓝宝石，可以在生长衬底上形成光学层，蓝宝石衬底在这里用作波导。生长衬底的厚度也可以减小而不被全部去除。
这些光学层可以包括平面的磷光体层，用于转换有源层14发出的光的波长。平面的磷光体层可以预先形成为陶瓷片，并且将其固定到发光二极管层上，或者，磷光体颗粒可以是例如通过电泳被薄膜式淀积。如果使用磷光体层，有源层14通常发出蓝光或紫外光，磷光体将这个波长转换成一个或多个其它的颜色，以便产生白光或其它的颜色。下面描述使用磷光体的其它实施例。
反射体34可以是镜面的或漫射的。镜面反射体可以是分布式的布喇格反射体(DBR)，由有机层或无机层形成。镜面反射体还可以是一层铝或其它的反射金属，或者是分布式布喇格反射体和金属的组合。漫射反射体可以由在粗糙表面淀积的金属或诸如合适的白色颜料之类的漫射材料形成。
在另一个实施例中，在n-型层12和反射体34之间只有一个波导层。
实际上，由有源层14发出的所有光或者通过发光二极管的侧面直接发射，或者在一次或多次内反射之后通过所述的侧面发射，在这里所述的侧面基本上垂直于有源层14的主表面。入射到波导层30侧面的小于临界角的光将要反射回来进入发光二极管。因此，通过使光在多个角度反射并且最终在小于临界角的角度反射，散射层32或漫反射体34通常改善侧面发射效率。由于这种内反射，来自发光二极管10的光输出相对于有源层的平面来说将是小角度的。
最终的发光二极管10具有极薄的外形。通过使发光二极管侧面增厚，效率将会提高。在半导体层上面的各个层应该至少像半导体层那样厚，以便实质性地增加侧面发射区域的高度。因此，大部分光是通过半导体层上面的各个层的侧面发出的。
图2是侧面发光的发光二极管40的第二实施例的侧视图，在这里有源层14发出蓝光。Ce：YAG制成的磷光体层42当通过蓝光激励时发出黄光。所发的蓝光与这个黄光组合产生白光。发射光的光谱在很大程度上取决于磷光体中铈(Ce)的掺杂以及磷光体层42的厚度。磷光体层42可以是烧结的磷光体颗粒或者透明或半透明粘结剂中的磷光体颗粒，磷光体颗粒可以是有机的或无机的。磷光体层42还能散射光。层44是透明的或具有散射性的分隔层，该分隔层通过增加侧面面积来提高发光二极管40的效率。层44的厚度也影响发光二极管40发出的黄光和蓝光的混合。层46是二向色镜，二向色镜使蓝光通过但将黄光反射回去。顶部反射体34保证所有的光都通过侧面发出。
图3是发出白光或任何其它颜色光的侧面发光的发光二极管50的第三实施例的侧视图。有源层14发出蓝光或紫外光。对于紫外光的实施例，将红色磷光体层51、绿色磷光体层52和蓝色磷光体层53堆叠起来。磷光体层可以是预先形成的烧结层或在粘结剂中的磷光体颗粒。磷光体层允许某些紫外光通过至上述层。还有，从下面的磷光体发出的光可以激励上面的磷光体层。磷光体层的厚度和组分决定所发光的白点。
如果有源层14发出蓝光，蓝色磷光体层53可以省去或用透明的或散射性的分隔层代替。
在单独的一个层内还可以混合不同的磷光体。所有这里提到的磷光体都是公知的类型，在市场上可以得到。
可以使用二向色镜56，二向色镜使有源层的光通过但将其它波长反射，从而防止向下反射的光被半导体层吸收。
如果只打算将发光二极管50用于发射蓝光，则可以使用非吸收性的光学元件如蓝宝石或硅酮来代替所述的各层，将非吸收性的光学元件用作波导和分隔层以提高效率。
图4是侧面发光的发光二极管60的第四实施例的侧视图。发光二极管60发射白光。有源层14发射蓝色光。透明的波导62和反射体34使蓝色光从波导62的侧面和半导体层的侧面发射出来。发光二极管60涂有一层Ce：YAG磷光体63，磷光体63受到蓝色光的激励时发射黄色光。磷光体可以是包在硅酮中的电泳淀积的磷光体颗粒。磷光体向下转换一部分蓝色光以产生黄光，蓝光和黄光混合以产生白光。
在所有的实施例中的反射体34可以是镜面的或漫射性的。如在所有的实施例中那样，增加侧面的面积将增加光的提取效率。
图5是侧面发光的发光二极管64的第五实施例的侧视图，发光二极管64发白光。有源层14发蓝光。在半导体层上形成透明的波导层65之前，用Ce：YAG磷光体层66覆盖半导体层。磷光体层66可以是包在硅酮中的电泳淀积的磷光体颗粒。被激励的磷光体发黄光。蓝光与黄光混合，使发光二极管64发白光。磷光体层66的厚度和组分决定黄光和蓝光的混合。
图6是产生红光的侧面发光的发光二极管68的第六实施例的断面图。发光二极管包括：厚的n-型GaP层69(用作波导)、n-型A1InGaP包层(cladding layer)70、有源层71、p-型A1InGaP包层72和p-型GaP层73。对于这些层进行蚀刻，露出一部分导电的n-型GaP层69。在层70-74的侧面上方形成绝缘层74，然后淀积金属层75，使其与n-型GaP层69接触。反射金属层76与p-型GaP层73接触。通过金属层75、76的电流使有源层71发出红光。
对于n-型GaP层69的外表面77进行蚀刻，使其表面粗糙化以便散射光，比如形成多孔、波纹、棱锥或任何其它类型的粗糙化。这样做增加了光从芯片侧面的提取。发光二极管的外表面的这样的处理方法还可以在这里的描述的发光二极管的其它实施例上进行，以便增加光的提取。在蚀刻n-型GaP层69之后形成的顶部反射体34保证了所有的光都从侧面发出。
n-型GaP层69的粗糙化侧面的深度优选小于n-型GaP层的粗糙化顶部的深度。这是因为在所有的方向上离开顶部表面散射光是比较重要的。入射到侧壁的散射光将通过侧壁的粗糙化表面发射出去。通过使粗糙化侧壁的深度较薄，侧面发光的发光二极管的发射角较小。
侧面发光的倒装芯片发光二极管当用在照明系统时有一系列优点。在背光源中，侧面发光的倒装芯片发光二极管由于较好的将光耦合到波导中，允许使用较薄的波导、较少的发光二极管、较好的照射均匀性和较高的效率。
图7是2英寸显示器背光源80的自上而下视图，背光源80可用在移动电话的彩色液晶显示器中。按照这里描述的任何一个实施例的单个倒装芯片侧面发光的发光二极管82都可加入透明波导84中，如图7所示。这样的结构在整个背光源上提供极其均匀的亮度。波导84可以由聚合物形成。在一般情况下发光二极管82是正方形的，它的侧面相对于波导84的内反射表面成大约45度角。
图8是发光二极管82和波导84的近视图。波导84被模制为在靠近后表面处具有正方形的孔86。波导84的侧壁涂以反射材料88(图7)。波导84的底部表面也可以涂以反射金属，或者波导底部表面可以形成角度(像楔形)，从而通过全内反射向上反射光。在发光二极管82和波导材料之间存在小的空气间隙。
由于发光二极管82形成角度，如图7所示，来自四个侧面的光反射到波导84的壁并且在波导内部混合。由于发光二极管的侧面与波导84的反射表面都不平行，所以不存在通过波导84回到发光二极管中的反射。
如果来自常规的发光二极管的光简单地耦合到波导的侧面，则波导材料的折射率可能会压缩光的角度。因此，可能需要多个隔开的发光二极管，并且混合可能很少，导致整个背光源的亮度均匀性差。
由于通过倒装芯片结构实现的发光二极管的发射表面和波导84之间的窄的间隙以及发光二极管82的薄的外形，进入波导84中的光耦合效率很高。
图9-11是在图7所示的波导的开口中安装在次基台上的侧面发光的发光二极管的侧视剖面图。
在图9中，发光二极管90具有顶部反射体34，因此光从发光二极管90的侧面发出。在波导84的非发射表面上形成的反射金属部分88、92、93使所有的光只通过波导顶部发出到液晶层96中。由于在发光二极管90和次基台22之间没有引线接合并且没有外围材料，如透镜，所以在发光二极管90的发射壁和波导84之间的间隔非常靠近或者直接接触。由于发光二极管的薄的外形，所以发光表面可以是0.2-0.4mm高，这个高度与薄波导(如0.4-0.65mm)的耦合表面一样高或者更小些。与常规的发光表面高度为0.6mm或更大些的侧面发光的发光二极管相比，这样的薄外形在侧面发光的发光二极管的光耦合方面存在优势。
图9的整个设备是彩色的、透射型的液晶显示器(LCD)，背光源在这里发出包括红、绿、蓝光分量的白光。
液晶各个层96通常包括：偏振片、红绿蓝滤光片、液晶层、薄膜晶体管阵列层和接地平面层。在每个像素位置通过选择性地激励在每个像素位置的薄膜晶体管所产生的电场使液晶层在每个像素位置改变白光的偏振状态。红绿蓝滤光片只允许白光的红、绿或蓝分量在对应的红、绿、蓝像素位置发射。液晶显示器是众所周知的，不需要在这里进一步描述。
图10说明了没有反射顶层的侧面发光的发光二极管98。作为替换，波导的反射表面92使所有的光改变方向，沿侧面进入液晶各个层96下面的波导部分。
图11表示发光二极管98，它的顶部表面与波导的反射表面92邻接，产生侧面发射。将波导的反射体92用于侧面发射，简化了发光二极管的制造。在图11中，将次基台22部分地插入波导84的孔中。
侧面发光的发光二极管的概念对于紧凑照明器的使用也是有优势的，例如可用于照相机的闪光灯，尤其是用在移动电话照相机的微型闪光灯中。
图12表示发光二极管100的侧面发射的光是如何收集的以及如何通过成形的反射表面102(例如抛物面反射体)被改变方向的。反射体可以是带有中心孔的铝杯，中心孔用于容纳发光二极管100。这样的设置在移动电话的紧凑型闪光灯应用中是有益的，这里的薄外形的发射体和反射光学元件大幅度地减小了封装高度。如参照图2-5描述的，通过使用一种或多种磷光体，发光二极管100发出白光。现有技术的用于移动电话的闪光灯通常是利用菲涅尔透镜的顶部发射的发光二极管。与这样的现有技术系统相比，本发明是有优势的，并且避免透镜的使用。
此外，在使用具有YAG磷光体的蓝色发光二极管的现有技术闪光灯中，磷光体的黄色不太醒目。图12的闪光灯设计避免了YAG磷光体层的视觉醒目性问题，这是因为反射层34覆盖了磷光体的缘故。通过允许选择发光二极管的顶部表面的颜色，顶部反射体34甚至于给出了设计的机会，所述的选择颜色是通过在反射层34的顶部附着任何有颜色的表面来实现的。
虽然已经详细地描述了本发明，但本领域的普通技术人员应该认识到，在给出了本公开的情况下，在不偏离这里描述的精神和发明性构思的前提下可以对本发明进行改进。因此本发明的范围并非旨在受限于这里说明和描述的特定实施例。

Claims (31)

1.一种发光器件，包括：
侧面发射的非激光的发光二极管(LED)，所述的发光二极管包括：
第一类型的第一半导体层；
第二类型的第二半导体层；和
在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层，所述有源层具有主表面；
与所述第一半导体层接触的第一电极；
与所述第二半导体层接触的第二电极，所述第一电极和所述第二电极位于所述发光二极管的第一侧，用于直接连接到次基台上的电极，所述发光二极管是倒装芯片；
具有侧面的第一层，所述侧面基本上垂直于所述有源层的主表面，在所述有源层中产生的大部分光通过所述侧面发射；和
在所述第一层上方的反射体，使入射到所述反射体上的基本上所有的光被改变方向回到所述发光二极管中，所述发光二极管从所述发光二极管的所有侧面发射光，所述发光二极管的所有侧面基本上垂直于所述有源层的主表面；
其中：所述第一层包括磷光体，用于向下转变所述有源层发出的光的波长，所述发光二极管还包括位于所述第一层和所述第一半导体层之间的二向色镜，用于将所述磷光体发出的光的波长反射回到所述第一层内，但是使所述有源层发出的光的波长通过；
其中发光二极管安装到具有顶部和底部表面的光导上，使得至少所述第一层位于所述顶部和底部表面之间，从所述第一层的侧面发射的光耦合进入所述光导。
2.权利要求1的器件，还包括次基台，所述发光二极管安装在所述次基台上。
3.权利要求1的器件，其中：所述第一层包括波导。
4.权利要求1的器件，其中：所述第一层包括至少一种类型的磷光体。
5.权利要求1的器件，其中：所述第一层包括波导，所述发光二极管还包括磷光体层，所述磷光体层至少覆盖在所述发光二极管的侧表面上。
6.权利要求1的器件，其中：所述第一层包括至少一种类型的磷光体和波导。
7.权利要求1的器件，其中：所述发光二极管的发光侧面的高度在0.2-0.4mm之间。
8.权利要求1的器件，其中：所述第一层包括Ce:YAG磷光体。
9.权利要求1的器件，其中：所述第一层至少包括红色和绿色发射磷光体。
10.权利要求9的器件，其中：所述红色和绿色发射磷光体作为所述第一层的部分形成为不同的层。
11.权利要求1的器件，其中：所述有源层发出蓝色光。
12.权利要求1的器件，其中：所述有源层发出紫外光。
13.权利要求1的器件，其中：所述第一层包括波导，所述发光二极管还包括磷光体层，所述磷光体层位于所述第一半导体层和所述波导之间。
14.权利要求1的器件，其中：所述第一层具有外表面，所述第一层的至少侧壁被粗糙化以便散射光。
15.权利要求1的器件，其中：所述第一层具有位于所述反射体之下的顶部表面，所述顶部表面被粗糙化以便散射光。
16.权利要求1的器件，还包括背光源，所述背光源包括波导，在所述波导内安装有所述发光二极管，以便将来自所述发光二极管的侧面发射耦合到所述波导中。
17.权利要求16的器件，其中：所述发光二极管具有侧面平直的长方形形状，并且其中：所述背光源的波导具有相对于所述发光二极管的侧面是倾斜的侧面。
18.权利要求16的器件，其中：所述背光源的波导具有反射侧面。
19.权利要求16的器件，还包括：在所述背光源上的液晶层，用于选择性地控制显示屏幕中的像素。
20.权利要求16的器件，其中：在所述第一层上面的反射体是在所述背光源波导上的反射表面。
21.权利要求1的器件，其中：在所述第一层上面的反射体是在所述第一层上形成的。
22.权利要求1的器件，还包括：包围所述发光二极管的弯曲的反射体，用于使来自所述发光二极管的侧面发射光改变方向。
23.权利要求22的器件，其中：所述发光二极管是用于照相机的闪光灯。
24.权利要求1的器件，其中：所述发光二极管发射白光。
25.权利要求1的器件，其中：去除了用于所述第一半导体层和所述第二半导体层的生长衬底。
26.一种发光器件，包括：
侧面发射的非激光的发光二极管(LED)，所述的发光二极管包括：
第一类型的第一半导体层；
第二类型的第二半导体层；和
在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层，所述有源层具有主表面；
与所述第一半导体层接触的第一电极；
与所述第二半导体层接触的第二电极，所述第一电极和所述第二电极位于所述发光二极管的第一侧，用于直接连接到次基台上的电极，所述发光二极管是倒装芯片；
具有侧面的第一层，所述侧面基本上垂直于所述有源层的主表面，在所述有源层中产生的大部分光通过所述侧面发射；和
在所述第一层上方的反射体，使入射到所述反射体上的基本上所有的光被改变方向回到所述发光二极管中，所述发光二极管从所述发光二极管的所有侧面发射光，所述发光二极管的所有侧面基本上垂直于所述有源层的主表面；
其中：所述第一层至少包括红色和绿色发射磷光体，所述红色和绿色发射磷光体作为所述第一层的部分形成为不同的层；
其中发光二极管安装到具有顶部和底部表面的光导上，使得至少所述第一层位于所述顶部和底部表面之间，从所述第一层的侧面发射的光耦合进入所述光导。
27.权利要求26的器件，还包括背光源，所述背光源包括波导，在所述波导内安装有所述发光二极管，以便将来自所述发光二极管的侧面发射耦合到所述波导中。
28.权利要求27的器件，其中：所述发光二极管具有侧面平直的长方形形状，并且其中：所述背光源的波导具有相对于所述发光二极管的侧面是倾斜的侧面。
29.权利要求27的器件，其中：所述背光源的波导具有反射侧面。
30.权利要求27的器件，还包括：在所述背光源上的液晶层，用于选择性地控制显示屏幕中的像素。
31.权利要求27的器件，其中：在所述第一层上面的反射体是在所述背光源波导上的反射表面。
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