CN101279251A - 一种嵌入异质结一维掺杂TiO2光催化剂及其制备和应用 - Google Patents
一种嵌入异质结一维掺杂TiO2光催化剂及其制备和应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101279251A CN101279251A CNA200810059777XA CN200810059777A CN101279251A CN 101279251 A CN101279251 A CN 101279251A CN A200810059777X A CNA200810059777X A CN A200810059777XA CN 200810059777 A CN200810059777 A CN 200810059777A CN 101279251 A CN101279251 A CN 101279251A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tio
- gas
- hetero
- presoma
- growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 31
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 title abstract description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 71
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims abstract description 5
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 66
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims description 52
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 51
- 238000002309 gasification Methods 0.000 claims description 49
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical group N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 19
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 16
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 16
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 claims description 13
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 9
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- QUVMSYUGOKEMPX-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CC(C)C[O-].CC(C)C[O-].CC(C)C[O-].CC(C)C[O-] QUVMSYUGOKEMPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- -1 formaldehyde, benzene series Chemical class 0.000 claims description 3
- HKJYVRJHDIPMQB-UHFFFAOYSA-N propan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound CCCO[Ti](OCCC)(OCCC)OCCC HKJYVRJHDIPMQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 abstract description 10
- 238000007146 photocatalysis Methods 0.000 abstract description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 19
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 13
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 9
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 9
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 8
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 5
- 239000012855 volatile organic compound Substances 0.000 description 5
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000003905 indoor air pollution Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000003915 air pollution Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000013033 photocatalytic degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000000809 air pollutant Substances 0.000 description 2
- 231100001243 air pollutant Toxicity 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 2
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000002371 ultraviolet--visible spectrum Methods 0.000 description 2
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001464837 Viridiplantae Species 0.000 description 1
- CQPFMGBJSMSXLP-UHFFFAOYSA-M acid orange 7 Chemical compound [Na+].OC1=CC=C2C=CC=CC2=C1N=NC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 CQPFMGBJSMSXLP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004887 air purification Methods 0.000 description 1
- 239000000987 azo dye Substances 0.000 description 1
- 238000005842 biochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004566 building material Substances 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001877 deodorizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000007646 directional migration Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000000802 nitrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical class [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 230000002186 photoactivation Effects 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Catalysts (AREA)
Abstract
本发明公开了一种嵌入异质结一维掺杂TiO2光催化剂及其制备和应用。该催化剂具有一维结构，经过非金属掺杂改性，含有TiO2/SnO2异质结结构，或含有TiO2/ZnO异质结结构，或同时含有TiO2/SnO2异质结结构与TiO2/ZnO异质结结构。该催化剂通过化学沉积的方法，在晶体生长催化剂存在条件下，交替切换不同的前驱体、掺杂气等气源，实现不同半导体的交替生长，从而制得所需催化剂。该催化剂在紫外、可见光下均具有较高的光催化降解室内污染物的能力。
Description
技术领域
本发明属于化工以及环保技术领域，涉及一种光催化剂及其制备和应用，尤其是指一种嵌入异质结一维掺杂TiO2光催化剂，以及该催化剂的制备方法及在室内空气污染方面的应用。
背景技术
随着工业化和城市化进程的加快，室内空气污染日益严，其中VOCs(可挥发性有机物)种类多、毒性大、浓度低，直接影响人们的健康和生命。为治理室内空气污染，人们多采用开窗通气、种植绿色植物、活性炭吸附等方法，但普通的治理方法效果并不理想。某些治理方法，比如活性炭吸附仅仅是把室内空气污染物从气相转移到固相，不能彻底清除污染物，需要再生使用，且存在着二次污染的危险。二十世纪九十年代，国际上开始尝试用光催化法去除VOCs。有研究发现，在VOCs的去除方面，气相光催化具有以下优点：反应可在常温常压下进行，并直接以大气中的氧气作氧化剂，反应效率高；催化剂易回收，可实现连续化处理；可使用能量较低的光源，光利用率高，易实现完全氧化；反应光源属冷光，对环境温度无显著影响；气相中分子的扩散速率高，反应速度快。所用TiO2光催化剂不仅具有活性高、热稳定性好、持续性长，对人体无害等优点而且还具有杀菌、除臭、自洁净等作用，在净化VOCs上具有很大的应用前景。
然而TiO2禁带较宽(3.2eV)，在可见光范围内没有响应，仅能吸收小于387nm的紫外光，对太阳光利用率低(约3～5％)；光生电子-空穴复合率高，光催化量子产率低，催化效率低，这两个方面制约了TiO2光催化材料的应用。因而近年来对TiO2光催化材料的研究主要集中在以下两个方面，一是通过表面光敏化、非金属掺杂或者金属掺杂拓展其可见光响应范围。二是通过控制TiO2粒径、贵金属沉积或者构建异质结等方法提高其光量子产率，进而提高其光催化效率。此外，最近相关研究表明，一维结构的TiO2光催化材料(比如TiO2纳米管、纳米棒)中的光生电子的转移不同于普通粉体TiO2光催化材料，呈现出优异的光催化性能。
在拓展TiO2可见光响应范围方面，非金属掺杂被认为是最有效及最有前景的技术，该技术通过引入掺杂能级，调控TiO2半导体的能带结构，实现光催化剂的可见光化，比如Asahi等(Asahi R，Morikawa T，Ohwaki T，Aoki K，Taga Y.Visible-Light photocatalysis innitrogen-doped titanium oxides.Science，2001，293：269-271)采用高温溅射法制备了氮掺杂TiO2薄膜及粉术，实现了TiO2的非金属掺杂，光响应拓展到600nm；专利《掺氮二氧化钛光催化剂的制备方法》(CN1257013C)提供了一种可见光响应的二氧化钛光催化剂的固相反应制备方法，该方法以尿素和TiO2或其前驱体发生反应，生成氮掺杂的二氧化钛光催化剂，降低了二氧化钛光催化剂的禁带宽度，具有对可见光的吸收能力。然而氮元素的掺杂易引入杂质能级，加快电子孔穴对复合。
在提高其光量子产率方面，构建异质结以耦合不同半导体的能级结构，可实现电子空穴的定向迁移，降低电子空穴对复合几率，提高TiO2光催化性能，比如Vinodgopal等(KVinodgopal，Prashant V Kamat.Enhanced rates of photocatalytic degradation of an azo dye usingSnO2/TO2 coupled semiconductor Thin Films.Environ.Sci.Technol，1995，29：841-845)，构建SnO2/TiO2异质结，促进了电子—空穴的分离，光催化降解酸性橙II的能力较纳米TiO2高6倍以上；专利《一种制备二氧化锡/二氧化钛纳米复合材料的方法》(CN1872787A)提供了一种溶胶-凝胶法制备二氧化锡/二氧化钛纳米复合材料的方法。所得二氧化锡/二氧化钛纳米复合材料提高了系统的电荷分离效果，与纯的TiO2相比，表现出更高的光催化能力。然而该类材料在拓展可见光范围方面的应用尚未提及。
一维结构的TiO2光催化材料主要为TiO2纳米管、纳米棒、纳米线等，专利《一种制备二氧化钛纳米线的方法及由此制得的二氧化钛纳米线的用途》(CN1915835A)，提供了一种水热制备二氧化钛纳米线的方法，所得二氧化钛纳米线在光降解有机污染物方面具有很高的活性。然而该类材料尚需要进一步处理才可对可见光响应。
综上所述，为了将TiO2光催化剂更广泛的应用于室内空气治理领域，人们希望得到可见光化的高效光催化剂，并采用了大量的方法对TiO2光催化剂进行改性。由于技术方法的局限，大多数技术仅仅关注于促进光催化剂电子空穴分离或实现其可见光化的一个方面，尚没有一种催化剂或制备方法将这两个方面耦合应用，进而实现高效可见光催化剂的制备。此外，上述所提及的催化剂及方法在实际应用中还面临着光催化固定的问题。这些均制约了TiO2光催化剂在应用于室内空气治理领域的实际应用。
发明内容
本发明的目的是：根据非金属掺杂实现TiO2可见光化、嵌入异质结及一维结构促进TiO2光生电子空穴的分离的作用，提供一种大比表面积的可用于室内空气净化的“嵌入异质结一维掺杂TiO2光催化剂”。并提供制备这种光催化剂的方法及用途，更好地实现TiO2光催化材料在室内空气污染治理中的应用。
本发明提供了一种可用于室内空气污染治理的嵌入异质结一维掺杂TiO2光催化剂。
本发明还提供了制备该催化剂的方法。利用化学气相沉积(CVD)法，在负载有晶体生长催化剂的基材上生长TiO2纳米线，生长过程中通入非金属掺杂源以实现氮掺杂，生长完毕后切换气源，在TiO2纳米线顶端生长其他半导体纳米线，形成TiO2基异质结结构。生成该结构后继续切换气源，可继续生长TiO2纳米线。顺次气源，可实现嵌入异质结一维掺杂TiO2光催化剂的化学气相沉积法制备。
化学气相沉积法是半导体工业中应用最为广泛的多种材料沉积技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。该技术将气态原材料导入到一个反应室内，在一定的温度、压强条件下发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到基材表面上。其具有生长速度快，沉积温度低，沉积物质化学组分、形貌、晶向可控等特点，可满足嵌入异质结一维掺杂TiO2光催化剂制备的要求。
本发明进一步提供了上述光催化剂的用途。
本发明的一种嵌入异质结一维掺杂TiO2光催化剂的特点是：具有一维结构，经过非金属掺杂改性，含有TiO2/SnO2异质结结构，或含有TiO2/ZnO异质结结构，或同时含有TiO2/SnO2异质结结构与TiO2/ZnO异质结结构。
本发明提供一种应用化学气相沉积制备上述光催化剂的方法，包括以下步骤：
(1)选定合适的晶体生长催化剂、非金属掺杂源、TiO2前驱体、异质结对应半导体及其前驱体。
(2)控制TiO2前驱体至合适的温度，使各前驱体蒸发产生气相前驱体，并通过惰性气体带入反应系统。
(3)将负载晶体生长催化剂的基材置于管式炉中部恒温区，通入惰性气体，流量为100～500ml/min。升温使晶体生长催化剂液化为小液滴，一般为400～600℃，保温0.5h。
(4)开启阀门，由载气带入气化的TiO2前驱体，同时通入非金属掺杂源，在一定的沉积温度下生长TiO2纳米线，一般为300～600℃，生长时间为0.5～5.0h。
(5)通过阀门控制气源，停止通入气化的TiO2前驱体、非金属掺杂源，转而通入气化的异质结对应半导体前驱体，在(4)所得的材料上生长异质结对应半导体纳米线，生长温度一般为300～600℃，生长时间为0.2～1.0h。
(6)通过阀门控制气源，停止通入气化的异质结对应半导体前驱体，转而通入气化的TiO2前驱体、非金属掺杂源，在(5)所得的材料上生长TiO2纳米线，生长温度一般为300～600℃，生长时间为0.5～5.0h。
(7)停止除惰性气体外的气源通入；或者继续顺次切换气源，直至得到所需材料，但应保证最后通入气源为TiO2前驱体、非金属掺杂源。停止除惰性气体外的气源通入，停止加热，待炉管冷却至60℃以下后将所得光催化剂取出。
以上步骤(1)所述晶体生长催化剂为金、钴或铁其一；所述非金属掺杂源为氨气或一氧化二氮气其一；所述TiO2前驱体为四异丙醇钛、钛酸正丁酯、钛酸异丁酯、或钛酸丙酯其一；所述异质结对应半导体前驱体为氯化锡或者二乙基锌其一。
本发明的一种嵌入异质结一维掺杂TiO2光催化剂可以应用于降解空气中低浓度甲醛和苯系物。
制备过程中，所用晶体生长催化剂的种类、膜厚、液化温度控制其直径；气源的组分控制嵌入一维TiO2中其他半导体的种类纳米线的种类；生长时间可控制嵌入异质结一维掺杂TiO2光催化剂的长度。
综上所述，本发明的一种可用于室内空气污染治理的嵌入异质结一维掺杂TiO2光催化剂，该催化剂具有一维结构，经过非金属掺杂改性，含有TiO2/SnO2异质结结构，或含有TiO2/ZnO异质结结构，或同时含有TiO2/SnO2异质结结构与TiO2/ZnO异质结结构。
本发明上述方案进一步叙述如下：
一种可用于室内空气污染治理的嵌入异质结一维掺杂TiO2光催化剂，采用气相沉积(CVD)法在中温管式炉内沉积制备，具体步骤为：
(1)选定合适的晶体生长催化剂、非金属掺杂源、TiO2前驱体、异质结对应半导体及其前驱体。
(2)控制TiO2前驱体至合适的温度，使各前驱体蒸发产生气相前驱体，并通过惰性气体带入反应系统。
(3)将负载晶体生长催化剂的基材置于管式炉中部恒温区，通入惰性气体，流量为100～500ml/min。升温使晶体生长催化剂液化为小液滴，一般为300～600℃，保温0.5h。
(4)开启阀门，由载气带入气化的TiO2前驱体，同时通入非金属掺杂源，在一定的沉积温度下生长TiO2纳米线，一般为300～600℃，生长时间为0.5～5.0h。
(5)通过阀门控制气源，停止通入气化的TiO2前驱体、非金属掺杂源，转而通入气化的异质结对应半导体前驱体，在(4)所得的材料上生长异质结对应半导体纳米线，生长温度一般为300～600℃，生长时间为0.2～1.0h。
(6)通过阀门控制气源，停止通入气化的异质结对应半导体前驱体，转而通入气化的TiO2前驱体、非金属掺杂源，在(5)所得的材料上生长TiO2纳米线，生长温度一般为400～600℃，生长时间为0.5～5.0h。
(7)停止除惰性气体外的气源通入；或者继续顺次切换气源，直至得到所需材料，但应保证最后通入气源为TiO2前驱体、非金属掺杂源。停止除惰性气体外的气源通入，停止加热，待炉管冷却至60℃以下后将所得光催化剂取出。
所述晶体生长催化剂为金、钴或铁。
所述非金属掺杂源为氨气或一氧化二氮气。
所述TiO2前驱体为四异丙醇钛、钛酸正丁酯、钛酸异丁酯、或钛酸丙酯。
所述异质结对应半导体为氧化锡或氧化锌。
所述异质结对应半导体前驱体为氯化锡或者二乙基锌。
所述惰性气体可以是为氦气、氮气、氖气中的一种或者是混合气体。
所述载气可以是为氦气、氮气、氖气中的一种或者是混合气体。
上述的纳米光催化剂可应用于降解空气中低浓度甲醛、苯系物。
本发明的优点：
1、产品具有可见光响应、具有大的比表面积和吸附性能，可高效降解室内空气污染物。
2、产品可牢固负载于基材表面，提高了其加工性能。
3、应用范围广泛，可用于室内空气净化器或光催化建材等产品。
4、实现光催化剂同步制备与负载，简化了生产工艺，有较好的应用前景。
具体实施方式
实施例1
选定金为晶体生长催化剂、氨气为非金属掺杂源、四异丙醇钛为TiO2前驱体、氧化锡为异质结对应半导体、氯化锡为氧化锡的前驱体。加热四异丙醇钛至60℃、氯化锡至40℃。将负载金的玻璃置于管式炉中部恒温区，通入氦气，流量为100ml/min。升温至400℃，保温0.5h。开启阀门，由氦气带入气化的四异丙醇钛，同时通入氨气，流量为150ml/min，生长TiO2纳米线，生长温度为400℃，生长时间为0.5h。通过阀门控制气源，停止通入气化的四异丙醇钛、氨气，转而通入气化的氯化锡，在TiO2纳米线顶端生长SnO2纳米线，生长温度为400℃，生长时间为0.2h。通过阀门控制气源，停止通入气化氯化锡，转而通入气化的四异丙醇钛、氨气，在SnO2纳米线顶端所得的材料上生长TiO2纳米线，生长温度为350℃，生长时间为0.5h。停止除氦气外的气源通入，停止加热，待炉管冷却至60℃以下后将所得材料取出。
实施例2
选定钴为晶体生长催化剂、一氧化二氮为非金属掺杂源、钛酸正丁酯为TiO2前驱体、氧化锌为异质结对应半导体、二乙基锌为氧化锌的前驱体。加热钛酸正丁酯至95℃、二乙基锌保温为-18℃。将负载钴的陶瓷置于管式炉中部恒温区，通入氮气，流量为200ml/min。升温至450℃，保温0.5h。开启阀门，由氮气带入气化的钛酸正丁酯，同时通入一氧化二氮，流量为80ml/min，生长TiO2纳米线，生长温度为450℃，生长时间为3.0h。通过阀门控制气源，停止通入气化的钛酸正丁酯、一氧化二氮，转而通入气化的二乙基锌，在TiO2纳米线顶端生长ZnO纳米线，生长温度一般为450℃，生长时间为0.1h。通过阀门控制气源，停止通入气化二乙基锌，转而通入气化的钛酸正丁酯、一氧化二氮，在ZnO纳米线顶端生长TiO2纳米线，生长温度一般为450℃，生长时间为3.0h。停止除氮气外的气源通入，停止加热，待炉管冷却至60℃以下后将所得材料取出。
实施例3
选定铁为晶体生长催化剂、氨气为非金属掺杂源、钛酸正丁酯为TiO2前驱体、氧化锡为异质结对应半导体、氯化锡为氧化锡的前驱体。加热钛酸正丁酯至85℃、氯化锡至55℃。将负载金的玻璃置于管式炉中部恒温区，通入氮气，流量为200ml/min。升温至400℃，保温0.5h。开启阀门，由氮气带入气化的钛酸正丁酯，同时通入氨气，流量为150ml/min，生长TiO2纳米线，生长温度为500℃，生长时间为4.0h。通过阀门控制气源，停止通入气化的钛酸正丁酯、氨气，转而通入气化的氯化锡，在TiO2纳米线顶端生长SnO2纳米线，生长温度一般为500℃，生长时间为0.6h。通过阀门控制气源，停止通入气化氯化锡，转而通入气化的钛酸正丁酯、氨气，在SnO2纳米线顶端生长TiO2纳米线，生长温度一般为450℃，生长时间为4.0h。继续切换气源，停止通入气化的钛酸正丁酯、氨气，转而通入气化的氯化锡，在TiO2纳米线顶端生长SnO2纳米线，生长温度一般为500℃，生长时间为0.6h。再次切换气源，停止通入气化氯化锡，转而通入气化的钛酸正丁酯、氨气，在SnO2纳米线顶端生长TiO2纳米线，生长温度一般为450℃，生长时间为4.0h。停止除氮气外的气源通入，停止加热，待炉管冷却至60℃以下后将所得材料取出。
实施例4：
选定钴为晶体生长催化剂、一氧化二氮为非金属掺杂源、四异丙醇钛为TiO2前驱体、氧化锌为异质结对应半导体、二乙基锌为氧化锌的前驱体。加热钛酸正丁酯至50℃、二乙基锌瓶温为-16℃。将负载钴的陶瓷置于管式炉中部恒温区，通入氦气，流量为300ml/min。升温至350℃，保温0.5h。开启阀门，由氦气带入气化的四异丙醇钛，同时通入一氧化二氮，流量为80ml/min，生长TiO2纳米线，生长温度为550℃，生长时间为1.0h。通过阀门控制气源，停止通入气化的四异丙醇钛、一氧化二氮，转而通入气化的二乙基锌，在TiO2纳米线顶端生长ZnO纳米线，生长温度一般为550℃，生长时间为0.6h。通过阀门控制气源，停止通入气化二乙基锌，转而通入气化的四异丙醇钛、一氧化二氮，在ZnO纳米线顶端生长TiO2纳米线，生长温度一般为550℃，生长时间为1.0h。通过阀门控制气源，停止通入气化的四异丙醇钛、一氧化二氮，转而通入气化的二乙基锌，在TiO2纳米线顶端生长ZnO纳米线，生长温度一般为550℃，生长时间为0.6h。通过阀门控制气源，停止通入气化二乙基锌，转而通入气化的四异丙醇钛、一氧化二氮，在ZnO纳米线顶端生长TiO2纳米线，生长温度一般为450℃，生长时间为1.0h。停止除惰性气体外的气源通入，停止加热，待炉管冷却至60℃以下后将所得材料取出。
实施例5：
选定钴为晶体生长催化剂、氨气为非金属掺杂源、四异丙醇钛为TiO2前驱体、氧化锡为异质结对应半导体、氧化锌为异质结对应半导体、氯化锡为氧化锡的前驱体、二乙基锌为氧化锌的前驱体。加热四异丙醇钛50℃、二乙基锌瓶温为-16℃。将负载钴的陶瓷置于管式炉中部恒温区，通入氦气，流量为150ml/min。升温至350℃，保温0.5h。开启阀门，由氦气带入气化的四异丙醇钛，同时通入氨气，流量为150ml/min，生长TiO2纳米线，生长温度为450℃，生长时间为1.0h。通过阀门控制气源，停止通入气化的四异丙醇钛、氨气，转而通入气化的氯化锡，在TiO2纳米线顶端生长SnO2纳米线，生长温度一般为450℃，生长时间为0.5h。通过阀门控制气源，停止通入气化氯化锡，转而通入气化的四异丙醇钛、氨气，在SnO2纳米线顶端生长TiO2纳米线，生长温度一般为450℃，生长时间为1.0h。通过阀门控制气源，停止通入气化的四异丙醇钛、氨气，转而通入气化的二乙基锌，在TiO2纳米线顶端生长ZnO纳米线，生长温度一般为450℃，生长时间为0.6h。通过阀门控制气源，停止通入气化二乙基锌，转而通入气化的四异丙醇钛、氨气，在ZnO纳米线顶端生长TiO2纳米线，生长温度一般为450℃，生长时间为1.0h。停止除惰性气体外的气源通入，停止加热，待炉管冷却至60℃以下后将所得材料取出。
实施例1～5所得光催化剂产品的性能测试
催化剂性能评价及其降解室内VOCs的实验在连续流动光催化反应系统中进行。
催化剂的负载量根据重量法测定，其可见光响应范围由紫外可见光谱(UV-vis)测得。光催化降解试验以室内空气典型污染物甲苯、甲醛为目标污染物，采用连续流，实验条件为：甲苯初始浓度5.0mg/m3，甲醛初始浓度3.0mg/m3，初始相对湿度60％，氧气含量21％，光源分别采用50W紫外灯(紫外光源)和150W氙灯(可见光源)。以表观反应速率为参数，测试所得光催化剂在紫外光及可可见光下的催化能力，并与相同条件下商业催化剂P25及经过氮掺杂的P25相对照，计算制备的光催化剂表观反应速率的增强倍数，对催化剂活性进行评价，具体结果见表1。
表1 实施例1～5所得光催化剂产品性能测试结果
由表1可见，嵌入异质结一维掺杂TiO2光催化剂无论是在外光下还是在见光下，均具备较高的光催化活性，是一种性能优异、负载量好的高效可见光光催化剂。
Claims (4)
1、一种嵌入异质结一维掺杂TiO2光催化剂，其特征在于：该催化剂具有一维结构，经过非金属掺杂改性，含有TiO2/SnO2异质结结构，或含有TiO2/ZnO异质结结构，或同时含有TiO2/SnO2异质结结构与TiO2/ZnO异质结结构。
2、如权利要求1所述一种嵌入异质结一维掺杂TiO2光催化剂的制备方法，其特征在于以下步骤：
(1)选定合适的晶体生长催化剂、非金属掺杂源、TiO2前驱体、异质结对应半导体及其前驱体；
(2)控制TiO2前驱体至合适的温度，使各前驱体蒸发产生气相前驱体，并通过载气带入反应系统；
(3)将负载晶体生长催化剂的基材置于管式炉中部恒温区，通入惰性气体，流量为50～1000ml/min，升温使晶体生长催化剂液化为小液滴，一般为300～600℃，保温0.5h；
(4)开启阀门，由惰性气体带入气化的TiO2前驱体，同时通入非金属掺杂源，在一定的沉积温度下生长TiO2纳米线，一般为300～600℃，生长时间为0.5～5.0h；
(5)通过阀门控制气源，停止通入气化的TiO2前驱体、非金属掺杂源，转而通入气化的异质结对应半导体前驱体，在步骤(4)所得的材料上生长异质结对应半导体纳米线，生长温度一般为300～600℃，生长时间为0.2～1.0h；
(6)通过阀门控制气源，停止通入气化的异质结对应半导体前驱体，转而通入气化的TiO2前驱体、非金属掺杂源，在步骤(5)所得的材料上生长TiO2纳米线，生长温度一般为300～600℃，生长时间为0.5～5.0h；
(7)停止除惰性气体外的气源通入；或者继续顺次切换气源，直至得到所需材料，但应保证最后通入气源为TiO2前驱体、非金属掺杂源；
(8)停止除惰性气体外的气源通入，停止加热，待炉管冷却至60℃以下后将所得材料取出。
3、如权利要求2所述一种嵌入异质结一维掺杂TiO2光催化剂的制备方法，其特征在于：步骤(1)所述晶体生长催化剂为金、钴或铁其一；所述非金属掺杂源为氨气或一氧化二氮气其一；所述TiO2前驱体为四异丙醇钛、钛酸正丁酯、钛酸异丁酯、或钛酸丙酯其一；所述异质结对应半导体前驱体为氯化锡或者二乙基锌其一。
4、如权利要求1所述一种嵌入异质结一维掺杂TiO2光催化剂在降解空气中低浓度甲醛、苯系物的应用。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200810059777XA CN101279251B (zh) | 2008-02-27 | 2008-02-27 | 一种嵌入异质结一维掺杂TiO2光催化剂及其制备和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200810059777XA CN101279251B (zh) | 2008-02-27 | 2008-02-27 | 一种嵌入异质结一维掺杂TiO2光催化剂及其制备和应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101279251A true CN101279251A (zh) | 2008-10-08 |
| CN101279251B CN101279251B (zh) | 2010-12-08 |
Family
ID=40012031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200810059777XA Active CN101279251B (zh) | 2008-02-27 | 2008-02-27 | 一种嵌入异质结一维掺杂TiO2光催化剂及其制备和应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101279251B (zh) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101704511B (zh) * | 2009-11-20 | 2013-04-03 | 哈尔滨工业大学 | 具有可见光催化活性的二氧化钛纳米管或二氧化钛纳米线阵列异质结的制备方法 |
| CN105013320A (zh) * | 2014-04-24 | 2015-11-04 | 吴明番 | 一种可见及近红外光led光触媒装置及其制备方法 |
| CN107185580A (zh) * | 2017-06-12 | 2017-09-22 | 青岛科技大学 | 一种g‑C3N4/ZnO纳米片多级异质结构光催化剂及其制备方法 |
| CN107377005A (zh) * | 2017-08-02 | 2017-11-24 | 盐城工学院 | 一种可见光复合光催化剂的制备方法及其对织物整理方法 |
| CN108434986A (zh) * | 2018-06-03 | 2018-08-24 | 常州德维勒新材料科技有限公司 | 一种高效除甲醛喷剂的制备方法 |
| CN108686641A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-10-23 | 西安工程大学 | 0d-2d型金属氧化物/钛酸纳米片光催化剂的制备方法 |
| CN109713137A (zh) * | 2018-12-30 | 2019-05-03 | 华北电力大学 | 用于钙钛矿太阳电池传输层的元素气相掺杂方法 |
| CN115084555A (zh) * | 2022-07-07 | 2022-09-20 | 青岛科技大学 | 一种碳包覆的花状氧化钛/二氧化钛异质结构负载钌催化剂及其制备和应用 |
-
2008
- 2008-02-27 CN CN200810059777XA patent/CN101279251B/zh active Active
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101704511B (zh) * | 2009-11-20 | 2013-04-03 | 哈尔滨工业大学 | 具有可见光催化活性的二氧化钛纳米管或二氧化钛纳米线阵列异质结的制备方法 |
| CN105013320A (zh) * | 2014-04-24 | 2015-11-04 | 吴明番 | 一种可见及近红外光led光触媒装置及其制备方法 |
| CN107185580A (zh) * | 2017-06-12 | 2017-09-22 | 青岛科技大学 | 一种g‑C3N4/ZnO纳米片多级异质结构光催化剂及其制备方法 |
| CN107185580B (zh) * | 2017-06-12 | 2020-07-03 | 青岛科技大学 | 一种g-C3N4/ZnO纳米片多级异质结构光催化剂 |
| CN107377005A (zh) * | 2017-08-02 | 2017-11-24 | 盐城工学院 | 一种可见光复合光催化剂的制备方法及其对织物整理方法 |
| CN107377005B (zh) * | 2017-08-02 | 2020-09-04 | 盐城工学院 | 一种可见光复合光催化剂的制备方法及其对织物整理方法 |
| CN108686641A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-10-23 | 西安工程大学 | 0d-2d型金属氧化物/钛酸纳米片光催化剂的制备方法 |
| CN108434986A (zh) * | 2018-06-03 | 2018-08-24 | 常州德维勒新材料科技有限公司 | 一种高效除甲醛喷剂的制备方法 |
| CN109713137A (zh) * | 2018-12-30 | 2019-05-03 | 华北电力大学 | 用于钙钛矿太阳电池传输层的元素气相掺杂方法 |
| CN115084555A (zh) * | 2022-07-07 | 2022-09-20 | 青岛科技大学 | 一种碳包覆的花状氧化钛/二氧化钛异质结构负载钌催化剂及其制备和应用 |
| CN115084555B (zh) * | 2022-07-07 | 2023-04-25 | 青岛科技大学 | 一种碳包覆的花状氧化钛/二氧化钛异质结构负载钌催化剂及其制备和应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101279251B (zh) | 2010-12-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101279251B (zh) | 一种嵌入异质结一维掺杂TiO2光催化剂及其制备和应用 | |
| CN110152741B (zh) | 一种核壳结构的高效复合可见光催化剂及其制备方法和应用 | |
| Saqlain et al. | Visible light-responsive Fe-loaded TiO2 photocatalysts for total oxidation of acetaldehyde: Fundamental studies towards large-scale production and applications | |
| CN107321341B (zh) | 一种硅藻土/(GR+TiO2)复合光催化剂的制备方法 | |
| WO2022089669A1 (zh) | 锶掺杂有序介孔锰酸镧负载贵金属钯的复合材料及其制备方法与在催化氧化甲苯中的应用 | |
| CN103084196B (zh) | 钽基分级结构空心纳米光催化材料制备方法及其应用 | |
| CN107376905B (zh) | 一种可降解甲醛的Ag/ZnO复合材料的制备方法 | |
| US20180169622A1 (en) | Preparation method of alumina supported cerium oxide powder material | |
| CN102553562B (zh) | 多重改性复合光催化剂及其制备方法 | |
| CN107497427B (zh) | 一种可降解甲醛的银/石墨烯/氧化锌复合材料制备方法 | |
| CN113289652B (zh) | 一种Bi2O3/(BiO)2CO3异质结半导体光催化剂及其制备方法 | |
| CN100415365C (zh) | 具分子印迹功能的纳米光催化剂、制备方法及其用途 | |
| KR102562529B1 (ko) | 전이금속이 도핑된 이산화티탄 광촉매 복합체 및 이의 제조방법 | |
| CN111229217B (zh) | 复合p-n型异质结光催化剂的制备方法及VOCs光催化降解方法 | |
| JP4163374B2 (ja) | 光触媒膜 | |
| CN112774703A (zh) | 一种高效光催化分解水制氢的单质红磷负载的二氧化钛复合催化剂 | |
| CN112371102A (zh) | Rgo与稀土掺杂二氧化钛复合的纳米光催化复合材料及制备方法与空气净化应用 | |
| CN109482171B (zh) | 一种Bi/β-Bi2O3纳米花球状光催化剂及其制备方法 | |
| CN101380572B (zh) | 一种纳米复合光催化剂薄膜的制备方法 | |
| CN111450869A (zh) | 一种超薄S,B共掺杂g-C3N4光催化剂及其制备方法 | |
| CN116689006A (zh) | 一种氮化碳纳米片复合材料及其制备方法和应用 | |
| CN114653356B (zh) | 镧掺杂二氧化铈催化剂材料的制备方法和去甲醛复合物 | |
| CN101133743A (zh) | 一种可见光下光催化杀菌抗菌剂的制备方法 | |
| CN108559939B (zh) | 一种纳米二氧化钛催化涂层及其制备方法与应用 | |
| CN113522307B (zh) | 一种用于净化空气中有机气体污染物及抑菌的z型异质结光热催化剂 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Free format text: FORMER OWNER: ZHEJIANG TIANLAN ENVIRONMENTAL PROTECTION TECHNOLOGY CO., LTD. Owner name: ZHEJIANG TIANLAN ENVIRONMENTAL PROTECTION TECHNOLO Free format text: FORMER OWNER: ZHEJIANG UNIVERSITY Effective date: 20110224 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 310027 INSTITUTE OF ENVIRONMENTAL ENGINEERING, YUQUAN CAMPUS, ZHEJIANG UNIVERSITY, XIHU DISTRICT, HANGZHOU CITY, ZHEJIANG PROVINCE TO: 311202 XINGYI VILLAGE, BEIGAN SUBDISTRICT, XIAOSHAN DISTRICT, HANGZHOU CITY, ZHEJIANG PROVINCE |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 310027 Environmental Engineering Research Institute, Zhejiang University, Yuquan campus, Hangzhou, Zhejiang, Xihu District Co-patentee after: ZHEJIANG TIANLAN ENVIRONMENTAL PROTECTION TECHNOLOGY Co.,Ltd. Patentee after: ZHEJIANG University Address before: 310027 Environmental Engineering Research Institute, Zhejiang University, Yuquan campus, Hangzhou, Zhejiang, Xihu District Co-patentee before: Zhejiang Tianlan Desulphurization & Dust-Removal Co.,Ltd. Patentee before: Zhejiang University |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20110224 Address after: Hangzhou City, Zhejiang province Xiaoshan District 311202 North Street Xingyi Village Patentee after: ZHEJIANG TIANLAN ENVIRONMENTAL PROTECTION TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 310027 Environmental Engineering Research Institute, Zhejiang University, Yuquan campus, Hangzhou, Zhejiang, Xihu District Co-patentee before: ZHEJIANG TIANLAN ENVIRONMENTAL PROTECTION TECHNOLOGY Co.,Ltd. Patentee before: Zhejiang University |
|
| C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Hangzhou City, Zhejiang province Xiaoshan District 311202 North Street Xingyi Village Patentee after: ZHEJIANG TIANLAN ENVIRONMENTAL PROTECTION TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: Hangzhou City, Zhejiang province Xiaoshan District 311202 North Street Xingyi Village Patentee before: ZHEJIANG TIANLAN ENVIRONMENTAL PROTECTION TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SUZHOU XINQIUSHI ENVIRONMENTAL PROTECTION TECHNOLO Free format text: FORMER OWNER: ZHEJIANG TIANLAN ENVIRONMENTAL PROTECTION TECHNOLOGY CO., LTD. Effective date: 20140903 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 311202 HANGZHOU, ZHEJIANG PROVINCE TO: 215163 SUZHOU, JIANGSU PROVINCE |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20140903 Address after: Suzhou City, Jiangsu province 215163 Suzhou New District kolding Road No. 78 Patentee after: SUZHOU XIN QIU SHI ENVIRONMENTAL PROTECTION TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: Hangzhou City, Zhejiang province Xiaoshan District 311202 North Street Xingyi Village Patentee before: ZHEJIANG TIANLAN ENVIRONMENTAL PROTECTION TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20160317 Address after: 311800, Zhejiang City, Shaoxing province Zhuji Wang Zhen Town Lake Village Patentee after: ZHEJIANG ERMA ENVIRONMENTAL TECHNOLOGY CO.,LTD. Address before: Suzhou City, Jiangsu province 215163 Suzhou New District kolding Road No. 78 Patentee before: SUZHOU XIN QIU SHI ENVIRONMENTAL PROTECTION TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20230620 Address after: 311800 Yanghu village, Wangjiajing Town, Zhuji City, Shaoxing City, Zhejiang Province Patentee after: ZHEJIANG ZHONGDE INDUSTRIAL Co.,Ltd. Address before: 311800 Yanghu village, Wangjiajing Town, Zhuji City, Shaoxing City, Zhejiang Province Patentee before: ZHEJIANG ERMA ENVIRONMENTAL TECHNOLOGY CO.,LTD. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: A one-dimensional doped TiO2 photocatalyst embedded in heterojunction and its preparation and application Effective date of registration: 20230707 Granted publication date: 20101208 Pledgee: Zhejiang Zhuji Rural Commercial Bank Co.,Ltd. Pledgor: ZHEJIANG ZHONGDE INDUSTRIAL Co.,Ltd. Registration number: Y2023980047788 |