CN101252083A - 多晶硅栅表面的清洗方法 - Google Patents

多晶硅栅表面的清洗方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101252083A
CN101252083A CNA2008100351182A CN200810035118A CN101252083A CN 101252083 A CN101252083 A CN 101252083A CN A2008100351182 A CNA2008100351182 A CN A2008100351182A CN 200810035118 A CN200810035118 A CN 200810035118A CN 101252083 A CN101252083 A CN 101252083A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon gate
polycrystalline silicon
cleaning
gate
multicrystal silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2008100351182A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101252083B (zh
Inventor
孙震海
韩瑞津
汤志伟
郭国超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Original Assignee
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp filed Critical Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority to CN2008100351182A priority Critical patent/CN101252083B/zh
Publication of CN101252083A publication Critical patent/CN101252083A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101252083B publication Critical patent/CN101252083B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

本发明公开了一种多晶硅栅表面的清洗方法,其应用于在多晶硅栅表面沉积硅化钨层之前。现有的清洗方法不能去掉多晶硅栅表面的偏磷酸晶体,影响器件的良率。本发明的清洗方法:采用氟化氢清洗多晶硅栅表面;采用硫酸与双氧水的混合物清洗多晶硅栅表面。采用本发明提供的清洗方法可以有效清除形成于多晶硅栅表面上的自然氧化层和偏磷酸晶体,有效提高了多晶硅栅与硅化钨的粘附性能,减少两者界面上的缺陷,提高产品的良率。

Description

多晶硅斥册表面的清洗方法技术领域本发明涉及半导体领域的清洗工艺,具体地说,涉及一种在硅化鴒沉积前 对多晶硅栅表面进行清洗的方法。,支术硅化鴒(WuSix)薄膜在大规模集成电路制造中有着极其广泛的应用,由于 高熔点和低电阻率的优点,它常常被用来改善金属电极与源漏极区的硅(Si)之 间的欧姆接触,以及提升金属氧化物半导体(MOS, Metal Oxide Semiconductor) 晶体管栅极导电层的导电性能。为了提高MOS晶体管栅极导电层的导电性,多 晶硅栅中还往往掺有施主杂质磷(P),且掺杂浓度比较高。硅化鴒沉积在多晶 硅上面共同组成栅极的多晶硅化金属层,两者之间的粘附性能非常重要。多晶 硅表面的自然氧化层不仅影响两者的接触势垒,还会导致多晶硅与硅化鴒之间 的粘附性能变差,造成硅化鴒在后续的高温制程中脱落的现象。因此,在沉积 硅化鴒之前的清洗必须保证多晶硅表面的自然氧化层尽量少。另一方面,多晶 硅表面缺陷密度和自由能级都比体内高,有向能量较低的稳定状态转变的趋势, 掺杂的P会一定程度从Si-P键的相态中分离出来,形成能量更低的Si-Si键和 P-P键,P在多晶硅表面聚集并被迅速氧化,随后与空气中的H20结合,形成偏 磷酸晶体。因此,多晶硅体内和表面的P浓度形成一个梯度,掺杂的P会持续 的向表面扩散,随着时间的推移,多晶硅表面形成的偏磷酸晶体越来越多,一 般清洗方法去不掉,会严重影响器件的良率。发明内容有鉴于此,本发明解决的技术问题在于提供一种多晶硅栅表面的清洗方法, 其不仅可以有效清除多晶硅栅表面的自然氧化层,也可以有效清除多晶硅栅表 面的偏磷酸晶体。为解决上述技术问题,本发明提供了一种新的多晶硅栅表面的清洗方法,其应用于在多晶硅栅表面沉积硅化鴒层之前。所述清洗方法包括:采用氟化氬 清洗多晶硅栅表面;采用硫酸与双氧水的混合物清洗多晶硅栅表面。与现有技术相比,采用本发明提供的清洗方法可以有效清除形成于多晶硅 栅表面上的自然氧化层和偏磷酸晶体,有效提高了多晶硅栅与硅化鴒的粘附性 能,减少两者界面上的缺陷,提高产品的良率。附图说明图1是制作MOS器件的硅片的部分截面结构图;图2是本发明多晶硅栅表面的清洗方法的较佳实施例的流程图。具体实施方式以下对本发明多晶硅栅表面的清洗方法的较佳实施例进行描述,以期进一 步理解本发明的目的、具体结构特征和优点。图l是制作MOS器件的硅片的部分截面结构图。该^fe片包括衬底l、形成 于衬底1上面的栅氧化层2和多晶硅栅3。为了提高多晶硅栅3的导电性能,需 要在多晶硅栅3的表面沉积硅化鴒层4。为了提高多晶硅栅3和硅化鴒层4之间 的粘附性能,在沉积硅化鴒层4之前,需要对多晶硅栅3表面进行本发明提供 的清洗方法。请参阅图2结合图1,本发明提供的清洗方法包括:首先,用气态氢氟酸(也 就是氟化氢,HF)清洗多晶硅栅3的表面。具体方法是将含有一定量水汽(H20) 的氮气和氟化氢气体通入反应腔体中。氮气和氟化氢的比例是58: 1,其中水汽 的比重以可以使混合气体对二氧化珪(自然氧化层)的蚀刻率在3卯0〜4700A(埃) /min(分钟)之间为准。氟化氲将多晶硅栅3表面的自然氧化层蚀刻掉,生成气 态副产物。进行抽气步骤,所述气态副产物通过大量的氮气被带走。然后将硅 片放入SPM ( Sulfbric國acid Peroxide Mixture )即^U克酸(H2S04)与双氧水(H202) 的混合物中清洗,其中浓^L酸的浓度为96%,浓硫酸和双氧水的比例是4: 1。 由于浓硫酸的作用,双氧水的温度升高形成具有一定温度的热水。多晶硅栅3 表面的偏磷酸晶体与热水结合,以磷酸(H3P04)的形式溶在SPM中。清洗结束之后,控制等待时间,不要等待太久再去沉积硅化钨,以避免自然氧化层和磷化物(偏磷酸晶体)的再次生成,所以将等待时间一般控制在8个小时之内。 上述描述,仅是对本发明较佳实施例的具体描述,并非对本发明的任何限 定,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据上述揭示内容进行简单修改、 添加、变换,且均属于权利要求书中保护的内容。

Claims (4)

1.一种多晶硅栅表面的清洗方法,其应用于在多晶硅栅表面沉积硅化钨层之前,其特征在于,所述清洗方法包括:采用氟化氢清洗多晶硅栅表面;采用硫酸与双氧水的混合物清洗多晶硅栅表面。
2. 如权利要求1所述的多晶硅栅表面的清洗方法,其特征在于,所述采用氟化 氩清洗多晶硅栅表面的步骤是:首先将含有水汽的氮气和氟化氢输入反应腔内; 氟化氢与多晶硅栅表面的自然氧化层发生反应以将其蚀刻掉。
3. 如权利要求2所述的多晶硅栅表面的清洗方法,其特征在于,所述氮气和氟 化氢的比例是58: 1。
4. 如权利要求1所述的多晶硅栅表面的清洗方法,其特征在于,所述辟b酸和双 氧水的混合物的比例是4: 1。
CN2008100351182A 2008-03-25 2008-03-25 多晶硅栅表面的清洗方法 Active CN101252083B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008100351182A CN101252083B (zh) 2008-03-25 2008-03-25 多晶硅栅表面的清洗方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008100351182A CN101252083B (zh) 2008-03-25 2008-03-25 多晶硅栅表面的清洗方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101252083A true CN101252083A (zh) 2008-08-27
CN101252083B CN101252083B (zh) 2012-07-04

Family

ID=39955403

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008100351182A Active CN101252083B (zh) 2008-03-25 2008-03-25 多晶硅栅表面的清洗方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101252083B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102543666A (zh) * 2010-12-08 2012-07-04 无锡华润上华科技有限公司 多晶硅的制程方法
CN102810458A (zh) * 2011-05-31 2012-12-05 无锡华润上华半导体有限公司 Wsi线性颗粒的解决方法
CN103137559A (zh) * 2011-12-02 2013-06-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 伪多晶硅的移除方法及cmos金属栅极的制作方法
CN104517823A (zh) * 2014-05-29 2015-04-15 上海华虹宏力半导体制造有限公司 硅化钨成膜工艺方法
CN108281382A (zh) * 2018-01-22 2018-07-13 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板的制作方法及显示基板

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW418444B (en) * 1996-12-16 2001-01-11 Shinetsu Handotai Kk The surface treatment method of silicon single crystal and the manufacture method of the silicon single crystal thin film
CN100419959C (zh) * 2005-10-28 2008-09-17 南开大学 浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用
CN100483663C (zh) * 2006-01-24 2009-04-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种cdsem校准用样品的制作方法
CN100468780C (zh) * 2006-06-09 2009-03-11 北京大学 一种nrom闪存单元的制备方法
JP6045275B2 (ja) * 2012-09-27 2016-12-14 株式会社Lixil バルコニー

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102543666A (zh) * 2010-12-08 2012-07-04 无锡华润上华科技有限公司 多晶硅的制程方法
CN102810458A (zh) * 2011-05-31 2012-12-05 无锡华润上华半导体有限公司 Wsi线性颗粒的解决方法
CN103137559A (zh) * 2011-12-02 2013-06-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 伪多晶硅的移除方法及cmos金属栅极的制作方法
CN103137559B (zh) * 2011-12-02 2015-08-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 伪多晶硅的移除方法及cmos金属栅极的制作方法
CN104517823A (zh) * 2014-05-29 2015-04-15 上海华虹宏力半导体制造有限公司 硅化钨成膜工艺方法
CN104517823B (zh) * 2014-05-29 2019-01-04 上海华虹宏力半导体制造有限公司 硅化钨成膜工艺方法
CN108281382A (zh) * 2018-01-22 2018-07-13 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板的制作方法及显示基板

Also Published As

Publication number Publication date
CN101252083B (zh) 2012-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101252083B (zh) 多晶硅栅表面的清洗方法
CN103403875A (zh) 用于太阳能电池发射体的湿化学反向蚀刻的方法
US7449417B2 (en) Cleaning solution for silicon surface and methods of fabricating semiconductor device using the same
CN103314449A (zh) 用于太阳能电池发射体的湿化学反向蚀刻的方法
CN104505437A (zh) 一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理液、制绒预处理方法和制绒预处理硅片及其应用
CN102117761B (zh) 改善浅沟槽隔离顶部倒角圆滑性的湿法工艺方法
CN108573866A (zh) 氧化膜去除方法和装置以及接触部形成方法和系统
CN104752551A (zh) 一种太阳能硅片的清洗方法
US8753528B2 (en) Etchant for controlled etching of Ge and Ge-rich silicon germanium alloys
CN103000520B (zh) Mos表面栅极侧壁层的刻蚀方法
US8889536B2 (en) Method for forming a dopant profile
CN103924305B (zh) 一种准单晶硅片绒面的制备方法
WO2012001874A1 (ja) 太陽電池基板用半導体ウェーハの洗浄方法
CN102468127A (zh) 一种双多晶电容工艺中清洗晶圆的方法
CN102637586B (zh) 金属栅极的形成方法
CN105551940A (zh) 去除含有颗粒缺陷的光刻抗反射层的方法
CN103871850B (zh) PMOS制造工艺中减少e‑SiGe晶格缺陷的方法
CN111180544A (zh) 一种钝化接触晶体硅太阳能电池及其制作方法
CN107516693B (zh) 一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法
JP2009194081A (ja) 窒化物半導体装置の製造方法
CN102054687B (zh) 表面氧化物的去除方法
CN103824771A (zh) 栅氧化层的形成方法
CN102103992B (zh) 栅氧化层制作方法
CN103151256B (zh) 去除栅极边墙下残留多晶硅的干法刻蚀方法
CN211404509U (zh) 一种窄腐蚀沟道芯片

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SHANGHAI HUAHONG GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

Free format text: FORMER OWNER: HONGLI SEMICONDUCTOR MANUFACTURE CO LTD, SHANGHAI

Effective date: 20140424

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20140424

Address after: 201203 Shanghai Zhangjiang hi tech park Zuchongzhi Road No. 1399

Patentee after: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation

Address before: 201203 Shanghai Guo Shou Jing Road, Zhangjiang hi tech Park No. 818

Patentee before: Hongli Semiconductor Manufacture Co., Ltd., Shanghai