CN101097912A - 提高平板电容容量的电容结构 - Google Patents
提高平板电容容量的电容结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101097912A CN101097912A CNA2006100284507A CN200610028450A CN101097912A CN 101097912 A CN101097912 A CN 101097912A CN A2006100284507 A CNA2006100284507 A CN A2006100284507A CN 200610028450 A CN200610028450 A CN 200610028450A CN 101097912 A CN101097912 A CN 101097912A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- capacitance
- pole plate
- insulating barrier
- flat
- insulation layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明公开了一种提高平板电容容量的电容结构,包括:第一极板、第二极板和第一绝缘层,所述第一极板和第二极板被第一绝缘层隔开,且所述第一绝缘层位于第一极板上,所述第二极板位于第一绝缘层上,它还包括:设置在第二极板上的第二绝缘层;设置在第二绝缘层上的第三极板。本发明的提高平板电容容量的电容结构能在原有PIP结构基础上将有效电容增加约一倍。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件制造技术领域,尤其涉及一种能提高平板电容容量的新型电容结构。
背景技术
目前使用的平板电容PIP(或MIM)结构如附图1,它仍旧以工艺简单在Logic器件中广泛使用。随着半导体芯片的集成度越来越高,必定要求Gate(栅极)和Capacitance(电容)的尺度也越来越精细。如果电容依旧维持这种简便工艺结构,电容的大小将达不到设计要求。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种在原有PIP结构基础上只增加两步CVD(化学汽相沉积),就可有效增加电容容量的电容结构。
为了解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:
一种提高平板电容容量的电容结构,包括:第一极板、第二极板和第一绝缘层,所述第一极板和第二极板被第一绝缘层隔开,且所述第一绝缘层位于第一极板上,所述第二极板位于第一绝缘层上,它还包括:
a.设置在第二极板上的第二绝缘层;
b.设置在第二绝缘层上的第三极板。
由于采用上述技术方案,本发明的提高平板电容容量的电容结构能将有效电容增加约一倍。
附图说明
图1是现有平板电容PIP结构示意图;
图2是本发明的电容和栅极结构的剖面示意图;
图3是本发明的电容结构的俯视图;
图4是制造本发明电容结构的步骤示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明做进一步详细说明。
如图2、3所示,本发明的提高平板电容容量的电容结构,包括:第一极板(Poly1)、第二极板(Poly2)和第一绝缘层(Isolation1),所述第一极板和第二极板被第一绝缘层隔开,且所述第一绝缘层位于第一极板上,所述第二极板位于第一绝缘层上,它还包括:设置在第二极板上的第二绝缘层(Isolation2);设置在第二绝缘层上的第三极板(Poly3)。所述第一极板、第二极板和第三极板由多晶硅制成。再利用两步光刻和刻蚀形成电容和栅极(Gate),所述第三极板与第二极板形成一个新的电容,且该电容和原先第一极板与第二极板的电容并联。
图4为制造本发明的提高平板电容容量的电容结构的步骤示意图,首先在氧化层(Field Oxide)上依次生长第一极板(Poly1)、第一绝缘层(Isolation1)、第二极板(Poly2)、第二绝缘层(Isolation2)及第三极板(Poly3)(见图4.1),再通过第一步光刻和刻蚀形成Poly3和Poly2结合的上方结构(见图4.2),然后利用第二步光刻和刻蚀使Poly1成为下极板,并形成栅极,同时在Poly2上产生接触孔(Contact window)(见图4.3)。接着,在Poly1、Poly2和Poly3之间用金属连线组成两个并联电容。
Claims (3)
1.一种提高平板电容容量的电容结构,包括:第一极板、第二极板和第一绝缘层,所述第一极板和第二极板被第一绝缘层隔开,且所述第一绝缘层位于第一极板上,所述第二极板位于第一绝缘层上,其特征在于,它还包括:
a.设置在第二极板上的第二绝缘层;
b.设置在第二绝缘层上的第三极板。
2.如权利要求1所述的提高平板电容容量的电容结构,其特征在于,所述第一极板、第二极板和第三极板由多晶硅制成。
3.如权利要求1所述的提高平板电容容量的电容结构,其特征在于,所述第一极板、第二极板、第三极板和第一绝缘层、第二绝缘层经两步光刻和刻蚀形成电容和栅极。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNA2006100284507A CN101097912A (zh) | 2006-06-30 | 2006-06-30 | 提高平板电容容量的电容结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNA2006100284507A CN101097912A (zh) | 2006-06-30 | 2006-06-30 | 提高平板电容容量的电容结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101097912A true CN101097912A (zh) | 2008-01-02 |
Family
ID=39011577
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2006100284507A Pending CN101097912A (zh) | 2006-06-30 | 2006-06-30 | 提高平板电容容量的电容结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101097912A (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103441061A (zh) * | 2013-08-29 | 2013-12-11 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 电容器结构及其制作方法 |
CN103943634A (zh) * | 2014-03-17 | 2014-07-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示装置及其电容结构 |
WO2024031834A1 (zh) * | 2022-08-12 | 2024-02-15 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构及其制备方法 |
-
2006
- 2006-06-30 CN CNA2006100284507A patent/CN101097912A/zh active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103441061A (zh) * | 2013-08-29 | 2013-12-11 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 电容器结构及其制作方法 |
CN103943634A (zh) * | 2014-03-17 | 2014-07-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示装置及其电容结构 |
WO2024031834A1 (zh) * | 2022-08-12 | 2024-02-15 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103503139A (zh) | 具有集成在同一电介质层中的电容器和金属布线的半导体结构 | |
JP2009502042A5 (zh) | ||
KR100663001B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 구조 및 그 제조 방법 | |
CN102544107A (zh) | 一种改进型终端结构的功率mos器件及其制造方法 | |
CN101197371A (zh) | 一种耦接电容结构及其制造方法 | |
CN103730450A (zh) | 有机电激发光二极体储存电容结构及其制备方法 | |
CN103346148A (zh) | 一种直立式电容结构及其制作方法 | |
CN101097912A (zh) | 提高平板电容容量的电容结构 | |
CN202473933U (zh) | 一种改进型终端结构的功率mos器件 | |
CN103700645A (zh) | Mom电容及其制作方法 | |
CN102130126A (zh) | 动态随机存储器及其制作方法 | |
CN103021956A (zh) | 分栅式快闪存储器的pip电容及制备方法 | |
CN100446254C (zh) | 半导体电容 | |
CN206134689U (zh) | 高集成度的低压沟槽栅dmos器件 | |
CN103022000B (zh) | 平面电感器及其制造方法、半导体器件及其制造方法 | |
CN102446709B (zh) | 一种金属-氮化硅-金属电容的制造方法 | |
CN103426728A (zh) | 电容器结构及其制作方法 | |
CN104409441A (zh) | 运用多导体硅通孔的三维螺线管式电感与变压器结构 | |
CN108091641A (zh) | Mim电容器及其制作方法 | |
CN208142178U (zh) | 半导体存储单元 | |
CN106340537A (zh) | 高集成度的低压沟槽栅dmos器件及制造方法 | |
CN102332447A (zh) | 电容器及其形成方法 | |
CN108123040A (zh) | Mim电容器及其制作方法 | |
CN104779294A (zh) | 沟槽型功率mos晶体管及其制造方法和集成电路 | |
CN104659113A (zh) | Rfldmos器件的内匹配电容及制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20080102 |