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高精度基材支架举升设备及方法

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CN101065512B
CN101065512B CN 200580040817 CN200580040817A CN101065512B CN 101065512 B CN101065512 B CN 101065512B CN 200580040817 CN200580040817 CN 200580040817 CN 200580040817 A CN200580040817 A CN 200580040817A CN 101065512 B CN101065512 B CN 101065512B
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CN
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bushing
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CN 200580040817
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Inventor
基比·弗劳德
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应用材料股份有限公司
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10T74/18Mechanical movements
    • Y10T74/18568Reciprocating or oscillating to or from alternating rotary
    • Y10T74/18576Reciprocating or oscillating to or from alternating rotary including screw and nut
    • Y10T74/18752Manually driven

Abstract

一种用于调整介于一腔室体与一升举板之间的一间距的装置,至少包含有将被装设至该腔室体的一装设螺栓的升举板。该装设螺栓包括有一螺栓刻纹表面。一轴衬能够被固定至该升举板,并且包括有一轴衬刻纹表面。一调整螺丝具有第一刻纹表面与第二刻纹表面,其中该第一刻纹表面刻纹地卡合于该装设螺栓的该螺栓刻纹表面,该第二刻纹表面刻纹地卡合于该轴衬的该轴衬刻纹表面。当该轴衬被固定至该升举板且该调整螺丝被旋转时,该些刻纹表面是用以使得该调整螺丝相对于该装设螺栓以第一速率在第一方向移动且该轴衬相对于该调整螺丝以第二速率在第二方向移动,其中该第二方向是相反于该第一方向且该第二速率是不同于该第一速率。

Description

高精度基材支架举升设备及方法

技术领域

[0001] 本发明大致上是有关于半导体制造,且特别是有关于一种用以达到形成在一基材 上的一层次的一所希望厚度均勻性的方法与设备。

背景技术

[0002] 制造现代半导体元件的主要步骤之一是通过气体化学反应形成一薄膜在一半导 体基材上。这样的一沉积制程被称为化学气相沉积(CVD)。传统的热CVD制程是供应反应 性气体至基材表面,其中在该基材表面上热诱发化学反应会发生以产生所希望的薄膜。等 离子增强CVD制程通过施加射频(RF)能量至邻近基材表面的反应区域而促成了反应物气 体的激化与/或分解,藉此产生一高反应性物种的等离子体。所被释放物种的高反应性降 低了一化学反应发生所需要的能量,且因此记低了这样的CVD制程的所需要的温度。

[0003] 在腔室内进行处理的期间,例如形成一层次在基材上,基材停置在一基材支撑件 上。基材支撑件典型地为一基材加热器,该基材加热器在基材处理期间是支撑住且加热该 基材。基材停置于加热器表面上方,并且热被供给至基材底部。一些基材加热器是被电阻 式地加热,例如通过电性加热构件,譬如位于加热器表面下方或被嵌入在具有加热表面的 一平板内的电阻式线圈。来自基材加热器的热在热驱动制程中为能量的主要来源,其中 该热驱动制程是例如用以沉积包括有未掺杂硅玻璃(USG)、掺杂硅玻璃(譬如硼磷硅玻璃 (BPSG))等等层次的热CVD。

[0004] 基材支撑件典型地支撑住基材而相对于一气体分配面板,其中一反应物气体是被 供给通过该面板而至腔室。面板为用以供给一或多种气体至腔室的气体分配构件的一零 件。来自面板至基材的气体流影响形成在基材上层次的均勻性,例如层次的厚度。

发明内容

[0005] 本发明实施例是有关于调整介于基材支撑件与气体分配构件的面板之间的间距, 以达到形成在基材上的改善的层次的均勻性。基材支撑件与面板之间的间距影响了至基材 表面的气体流与形成在基材表面上的层次的均勻性。介于基材与面板之间的间距典型地约 为0. 2吋。在一些制程中,基材是被置放成非常邻近于面板(例如距离0. 1吋或更少)以 增加薄膜沉积速率。缩短间距使得薄膜厚度均勻性对于基材与面板之间的间距均勻性更为 敏感。

[0006] 根据本发明一实施例,一种用于调整介于一腔室体与一升举板之间的一间距的装 置,至少包含有将被装设至该腔室体的一装设螺栓的升举板。该装设螺栓包括有一螺栓刻 纹表面。一轴衬能够被固定至该升举板,并且包括有一轴衬刻纹表面。一调整螺丝具有第 一刻纹表面与第二刻纹表面,其中该第一刻纹表面刻纹地卡合于该装设螺栓的该螺栓刻纹 表面,该第二刻纹表面刻纹地卡合于该轴衬的该轴衬刻纹表面。当该轴衬被固定至该升举 板且该调整螺丝被旋转时,该些刻纹表面是用以使得该调整螺丝相对于该装设螺栓以第一 速率在第一方向移动且该轴衬相对于该调整螺丝以第二速率在第二方向移动,其中该第二方向是相反于该第一方向且该第二速率是不同于该第一速率。

[0007] 根据本发明另一实施例,一种用于调整介于一腔室体与一升举板之间的一间距的 方法,该方法至少包含将一装设螺栓设置至该腔室体。该装设螺栓包括有一螺栓刻纹表面; 该方法更包含提供一调整螺丝,该调整螺丝具有第一刻纹表面,其中该第一刻纹表面刻纹 地卡合于该装设螺栓的该螺栓刻纹表面;提供一轴衬,该轴衬具有一轴衬刻纹表面,其中该 轴衬刻纹表面刻纹地卡合于该调整螺丝的第二刻纹表面;可移动地将该轴衬耦接至该升举 板;以及通过将该调整螺丝旋转而进行该间距的粗糙调整,其中该调整螺丝相对于该装设 螺栓旋转,而该轴衬是与该调整螺丝一起旋转。接着,将该轴衬固定至该升举板。该方法更 包含通过将该调整螺丝旋转而进行该间距的精细调整,其中该调整螺丝相对于该装设螺栓 旋转以将该调整螺丝相对于该装设螺栓以第一速率在第一方向移动,且该调整螺丝相对于 该轴衬旋转以将该轴衬与该升举板相对于该调整螺丝以第二速率在第二方向移动,其中该 轴衬是固定至该升举板,而其中该第二方向是相反于该第一方向且该第二速率是不同于该 第一速率。

附图说明

[0008] 本发明的前述目的、特征与优点将可由前述说明与所伴随的图式而更佳了解,其 中:

[0009] 图1为根据本发明一实施例的一基材支撑件的简化前视图,其显示出一高度调整 机构;

[0010] 图2为图1的高度调整机构的部分侧视图,其显示出用于一测微计的沟槽;

[0011] 图3为图1的高度调整机构的部分侧视图,其显示出用于量测高度调整的一测微 计的使用;

[0012] 图4显示对于一半导体制程中,沉积速率(单位时间的厚度)对基材与面板之间 的间距的作图;

[0013] 图5显示对于另一半导体制程中,沉积速率(单位时间的厚度)对基材与面板之 间的间距的作图;

[0014] 图6为根据本发明一实施例的基材支撑件升举方法的流程图;

[0015] 图7为在一实例中形成在基材上的一层次的厚度图;

[0016] 图8为根据本发明一实施例的一高度调整装置的立体图,其中该高度调整装置被 装设至一升举板;

[0017] 图9为图8的高度调整装置的截面图;

[0018] 图10为图8的高度调整装置的一调整螺丝、一轴衬与一装设螺栓的截面图;

[0019] 图11为图8的高度调整装置以球形垫圈被装设至升举板的立体图;

[0020] 图12为图11所示高度调整装置的正视图;

[0021] 图13为图8的高度调整装置的立体图,其显示出用于将轴衬锁固至升举板的一锁 固板;

[0022] 图14为图8的高度调整装置的立体图,其显示出用于将调整螺丝锁固至升举板的 一锁固盖罩;

[0023] 图15为图8的高度调整装置的立体图,其显示出用于将调整螺丝锁固至升举板的一锁固盖罩的另一实施例,其中该锁固盖罩具有一锁固螺帽;以及

[0024] 图16为一正视图,其显示出在图15的高度调整装置中锁固盖罩与锁固螺帽的使用。

[0025] 主要元件符号说明

[0026] 10基材支撑件

[0027] 12制程腔室

[0028] 13 基材

[0029] 14基材支撑件表面

[0030] 16气体分配构件

[0031] 18 轴

[0032] 20支撑结构或毂

[0033] 24促动器

[0034] 28 托架

[0035] 30升举板

[0036] 34调整构件

[0037] 36参考表面或底部表面

[0038] 40调整位置

[0039] 50量测位置

[0040] 54量测装置

[0041] 58参考表面的末端

[0042] 60锁固螺帽

[0043] 102形成层次于位于基材支撑件上的基材上

[0044] 104于三量测位置处量测层次厚度

[0045] 106计算三量测位置之间的厚度差异

[0046] 108将两量测位置与一参考量测位置之间的厚度差异除以沉积时间以获得沉积速 率微分

[0047] 110使用一先前决定的关联因子而将沉积速率微分转换成在两量测位置处介于基 材支撑件与面板之间的间距调整

[0048] 112对于基材支撑件进行间距调整以改善将被形成在基材上的层次的均勻性

[0049] 200高度调整装置

[0050] 202装设螺栓

[0051] 204螺栓刻纹表面

[0052] 206 轴衬

[0053] 208轴衬刻纹表面

[0054] 210调整螺丝

[0055] 212第一刻纹表面

[0056] 214第二刻纹表面

[0057] 222球形垫圈

[0058] 2¾球形垫圈[0059] 226 开 口

[0060] 228放大凹处

[0061] 230固持板或条

[0062] 270锁固盖罩

[0063] 272 凹槽开口

[0064] 274 沟槽

[0065] 280锁固盖罩

[0066] 282 开 口

[0067] 284 沟槽

[0068] 286锁固螺帽

具体实施方式

[0069] 如图1所示,一基材抓持件或支撑件10是被设置在一制程腔室12内,其中该制程 腔室12是用以处理被置放在基材支撑件表面14上的基材13。一气体分配构件16是大致 上被设置成相对于基材支撑表面14,其中该气体分配构件16典型地为具有用以导入气体 的数个孔洞的一面板。基材支撑件10包括有一轴18,该轴18被支撑在一支撑结构或毂20 上且可相对于毂20滑动以调整基材支撑件表面14与面板16之间的间距。毂20被设置于 腔室12之外。轴18是通过一促动器M而可垂直地移动。基材抓持件10的倾斜可以由毂 20的倾斜来定义,这是因为其两者相互连接。毂20连接至一托架观,该托架观是被设置 于一升举构件或升举板30。基材抓持件10的倾斜的调整是通过调整升举板的倾斜来达成。

[0070] 升举板30大致上被设置成平行于基材支撑件表面14。至少两调整构件34与一 连接构件(例如一球形轴承)被耦接在介于升举板30与一参考表面36之间。在所显示的 实施例中,参考表面36为腔室12的底部表面36,但是其可以为相对于面板16被固定住的 其他表面。参考表面36可以大致上平行于面板16。调整构件34是在数个调整位置40处 被连接至升举板30,其中该些调整位置40是分布于升举板30上。调整构件34是可以独 立调整的以改变在调整位置40处升举板30与参考表面36之间的间距。这会接着改变在 数个对应调整位置42处介于基材支撑件表面14与面板16之间的间距,藉此调整了基材支 撑件表面14相对于面板16的倾斜。在图1实施例中,基材支撑件表面14的对应调整位置 42为大致上对齐于升举板30的调整位置40,这是因为升举板30是大致上平行于基材支撑 件表面14。在特定实施例中,对应调整位置42相对于基材支撑件表面14中心而均勻地分 布于基材支撑件表面14周围。

[0071] 如图2所更详细显示者,升举板30包括有数个量测位置50以监控量测装置于量 测升举板30与参考表面36之间的间距。如图2与图3所示,量测位置50包括有用以装设 量测装置M的沟槽,其中该量测装置M可以为测微计(micrometer)。当调整升举板30 时,测微计M可以暂时地被装设在量测位置50,并且在调整结束后被移除。典型地,每一量 测位置50具有一对应量测位置40,并且每一量测位置50被设置于接近或邻近于对应量测 位置40。例如,介于每一量测位置50与对应量测位置40之间的距离为实质上小于基材13 的直径(例如小于约基材直径的10% )。在替代实施例中,量测位置50与调整位置40的 数目与邻近性可以改变。可以使用不同的量测技术。[0072] 每一调整构件34包括有调整螺丝,调整螺丝刻纹地耦接至升举板30且具有抵顶 住制程腔室12的参考表面36的末端58。一突出锁固螺帽60刻纹地耦接至每一调整螺丝 34,且抵顶住升举板30的底部表面。另一突出锁固螺帽62亦可以被提供以刻纹地耦接至 调整螺丝34且抵顶住升举板30的顶部表面。突出锁固螺帽较佳地提供了足够的微调以达 到升举板30与基材支撑件表面14的倾斜调整的所希望精确性(例如调整约4密尔)。一 Allren扳手或类似工具可被用以旋转该突出锁固螺帽以进行调整。当然,其他适当的调整 机构可以被用于替代的实施例中。

[0073] 实验已经证明层次在一基材13上的沉积速率是与基材13及面板16之间的间距 相关联,因此形成在基材13上层次的厚度均勻性可以通过改变基材支撑件表面14的倾斜 来调整,其中基材13停置于该基材支撑件表面14上。图4与图5是显示出两组试验的实 验结果。

[0074] 在图4中,改变基材与面板之间的间距而形成BPSG薄膜在基材上。薄膜是使用He、 TEOS, TEB、TEPO作为制程气体于约550°C温度与约200托耳压力而被形成。图4绘制出沉 积速率(A /min)与间距(mils)的关系图。当间距增加时,沉积速率降低约27. 953 A / min,其为用以计算出对于特定制程的一关联因子的线的斜率。

[0075] 在图5中,改变基材与面板之间的间距而形成BPSG薄膜在基材上。薄膜是使用 He、TEOS、TEB、TEPO作为制程气体于约550°C温度与约200托耳压力而被形成。当间距增加 时,沉积速率降低约23. 169 A /min,其为用以计算出对于特定制程的一关联因子的线的斜 率。图4与图5的相当小差异是归因于升举机构的可变性、液体流变化、实验室温度等等。

[0076] 根据沉积速率与基材及面板之间的间距的关联,以下将描述三点计算倾斜程序 (three point counter-tilt)以调成基材支撑件表面的倾斜而改善均勻性,其中该关联是 被建立用于牵涉的特定形式制程。如图6的流程图100所示,在将基材支撑件定位于距离 面板的一所希望间距之后,一层次形成于基材上(步骤10¾。在步骤104,量测层次厚度, 其可以在原位完成。图7显示一厚度图90的范例,该厚度图具有49个点以产生在基材上 该层次的一厚度曲线。基材上三点92、94、96在位置上对应于升举板30上的三量测位置 50以使用图3中测微计M来量测间距。该三点92、94、96典型地为接近基材边缘,且角度 上相对于基材中心而大致上均勻地相隔开。例如,该三点92、94、96相对于基材中心隔开约 120°,且每一者距离基材边缘有小于基材半径的10%的距离。

[0077] 请参阅图6,下一步骤106是计算该三点间的厚度差异。例如,点92是被选作为一 参考位置,且计算参考点92与在剩下位置的其他点94、96之间的厚度差异。在步骤108,厚 度差异(点94与92之间及点96与92之间)通过沉积时间被分割以获得参考点92与剩下 点94、96之间的沉积速率微分。一先前决定的关联因子接着被用来将沉积速率微分转换成 在剩下点94、96处之间距调整以改善均勻性(步骤110)。如果在剩下点的厚度大于在参考 点92的厚度的话,则间距调整为正的以增加在剩下点处的基材支撑件与面板之间的间距。 相反地,如果在剩下点的厚度小于在参考点92的厚度的话,则间距调整为负的以减少在剩 下点处的基材支撑件与面板之间的间距。在步骤112,进行间距调整,且校正基材支撑件以 对于所选择特定制程来形成改善均勻性的层次。

[0078] 关联因子正比于沉积速率对间距作图(如图4与图5)的斜率。亦即,关联因子正 比于间距改变除以层次沉积厚度速率的比值。典型地,关联因子将不等于斜率,但是将必须被修正以解释三点计算倾斜程序与间距调整之间的差异。为了获得图,基材向上或向下移 动而不倾斜。然而,在三点计算倾斜程序中,在剩下点的其一者的间距相对于参考点被调整 以将基材倾斜。因此,关联因子将等于一关联因子或常数乘以图斜率,其可以通过进行许多 实验而经验性决定以获得关联因子而达到薄膜厚度均勻性。

[0079] 不同实验被进行以确定三点计算倾斜程序的重复性,以达到改善对于特定半导体 制程形成在基材上层次的厚度均勻性。

[0080] 图8与图9显示出用于在一特定位置处调整腔室体12与升举板30之间的间距的 一高度调整装置200。高度调整装置200提供了对于基材支撑件的高解析升举的粗糙的与 精细的调整。高度调整装置200能够根据本发明升举方案而被使用于任何至少两高度调整 位置中。在一特定实施例中,两高度调整装置200被用于两位置处,且具有一连接构件(例 如一球形耦接件)的一相当简单的附件被提供在第三位置处。

[0081] 高度调整装置200包括有例如通过与腔室体12的一刻纹连接而设置在腔室体12 的一装设螺栓202。装设螺栓202具有一螺栓刻纹表面204。可被固定至升举板30的一轴 衬206包括有一轴衬刻纹表面208。一调整螺丝210具有刻纹地与螺栓刻纹表面204卡合 的第一刻纹表面212,以及刻纹地与轴衬刻纹表面208卡合的第二刻纹表面214。在第8_10 图所显示的实施例中,螺栓刻纹表面204为装设螺栓202的一外表面,轴衬刻纹表面208为 轴衬206的一内表面,第一刻纹表面212为调整螺丝210的一凹处中的一内表面,并且第二 刻纹表面214为调整螺丝210的一外表面。一对球形垫圈222、2M被设置在介于轴衬206 与升举板30之间,如第9、11、12图中所示。

[0082] 当组装时,调整螺丝210延伸穿过升举板30的一开口 226,其中该升举板30包括 一放大凹处228以接收轴衬206与球形垫圈222、224,如图9所示。一锁固盖罩270压迫球 形垫圈222、224与轴衬206而抵住升举板30,并且调整螺丝刻纹地与轴衬206卡合且相对 于轴衬206及升举板30为可移动的。对于粗糙的调整,调整螺丝相对于装设螺栓202被旋 转,并且轴衬206是与螺丝210移动。移动速率是由螺纹或每吋螺纹的转圈所决定,其中该 螺纹是介于调整螺丝210的第一刻纹表面212与装设螺栓202的螺栓刻纹表面204之间的 连接。在一实例中,刻纹连接每吋具有M螺纹,且移动速率为调整螺丝210相对于装设螺 栓202的每一旋转为1Λ4吋。

[0083] 在粗糙调整使得升举板能距离腔室体12在一所希望范围的间距内之后,即进行 精细调整。为了预备调整装置以用于精细调整,轴衬206被锁固至升举板30。可以使用任 何适当的锁固机构。在图13中,一固持构件(例如一固持板或条230)是接附至升举板30 的侧面以在轴衬206内锁固至升举板30。固持构件230抵顶住轴衬206的一平坦表面,用 以避免其相对于升举板30旋转,且避免升举板30相对于调整螺丝210的侧至侧移动。固 持构件230可以通过固定件(例如螺丝)而接附至升举板30。

[0084] 由于调整螺丝210刻纹地耦接至装设螺栓202与轴衬206且被装设在至升举板 30 (如图9与图13所示),则可以达到升举板30相对于腔室体12的精细调整(通过利用 锁固盖罩270或类似构件)。当调整螺丝210旋转时(例如顺时钟方向),调整螺丝210经 由介于调整螺丝210的第一刻纹表面212与装设螺栓202的螺栓刻纹表面204之间的刻纹 连接,而相对于装设螺栓202在第一方向移动(例如图9中的向上方向)。同时,轴衬206 与升举板30经由调整螺丝210的第二刻纹表面214与轴衬206的轴衬刻纹表面208之间的刻纹连接,而相对于调整螺丝20在第二方向移动(例如向下方向),其中第二方向是相 反于第一方向。调整螺丝210相对于装设螺栓202以第一速率(例如对于每吋M螺纹的 一刻纹连接为每转1Λ4吋)在第一方向移动。轴衬206与升举板30相对于调整螺丝210 以第二速率在第二方向移动。在实例中,调整螺丝210与轴衬206之间的刻纹连接每吋具 有观螺纹,使得移动于每转1/¾吋的第二速率。移动的净速率为第一速率与第二速率的 差异,即每转1/M-1/28吋,为每转0.006吋在第一方向移动(向上方向)。移动于相反方 向可以通过将调整螺丝210旋转于相反方向(例如逆时钟方向)来达到。该两刻纹连接的 高解析度移动可以使升举板30相对于腔室体12精细调整。球形垫圈222、2M补足了升举 板30相对于腔室体12的任何不当对准。

[0085] 在所希望的精细调整完成后,高度调整装置200则被锁固于固定位置。可以使用 许多适当的锁固机构。第8、9、14图显示了锁固盖罩270的使用,其中该锁固盖罩270是耦 接于调整螺丝210与升举板30。锁固盖罩270包括有一凹槽开口 272,其中该凹槽开口 272 是卡合或紧密配合于调整螺丝210之外表面。锁固盖罩270更包括有一对沟槽274,固定件 可以被使用而穿过沟槽274以将锁固盖罩270固定至升举板30。这样的一锁固机构将调 整螺丝210锁固至升举板30,且避免了调整螺丝210相对于升举板30的旋转。在图15与 图16所显示的另一实施例中,锁固盖罩280具有一开口 282与一对沟槽观4,其中该开口 282没有紧密地配合于调整螺丝210周围(例如一圆形开口)。锁固盖罩280被设置在轴 衬206与升举板30的一侧上,且一锁固螺帽286被设置在轴衬206与升举板30的另一相 反侧上。锁固盖罩观0自一侧将轴衬206抵顶住升举板30,且锁固螺帽286刻纹地耦接于 调整螺丝210以自相反侧刻纹地抵顶住升举板30,藉此将轴衬206与调整螺丝210锁固抵 住升举板30而避免调整螺丝210旋转。

[0086] 前述设备与方法仅是为了说明本发明原理与其他实施例之用,在不脱离权利要求 所定义的本发明精神与范围下是可以进行变更的。例如,调整螺丝与装设螺栓上的刻纹表 面可以被建构成在不同的内表面与外表面为不同的。因此,本发明范围不应该通过参照前 述说明而来决定,而是应该参照权利要求与其均等物范围而加以决定。

Claims (20)

1. 一种用于调整介于一腔室体与一升举板之间的一间距的装置,该装置至少包含: 一装设螺栓,被建构以被装设至该腔室体,该装设螺栓包括有一螺栓刻纹表面;一轴衬,能够被固定至该升举板,该轴衬包括有一轴衬刻纹表面;以及 一调整螺丝,延伸穿越该升举板中的一开口并具有第一刻纹表面与第二刻纹表面,其 中该第一刻纹表面刻纹地卡合于该装设螺栓的该螺栓刻纹表面,该第二刻纹表面刻纹地卡 合于该轴衬的该轴衬刻纹表面,所述开口提供所述调整螺丝和所述升举板之间的间隙以使 该调整螺丝不刻纹地卡合于该升举板;其中当该轴衬被固定至该升举板且该调整螺丝被旋转时,该些刻纹表面是用以使得该 调整螺丝相对于该装设螺栓以第一速率在第一方向移动且该轴衬相对于该调整螺丝以第 二速率在第二方向移动,其中该第二方向是相反于该第一方向且该第二速率是不同于该第 一速率。
2.如权利要求1所述的装置,其中该螺栓刻纹表面为该装设螺栓的一外表面。
3.如权利要求2所述的装置,其中该第一刻纹表面为该调整螺丝的一凹处内的一内表
4.如权利要求3所述的装置,其中该第二刻纹表面为该调整螺丝的一外表面。
5.如权利要求1所述的装置,其中该调整螺丝的该第一刻纹表面与该装设螺栓的该螺 栓刻纹表面是在该调整螺丝的每转预设时的第一速率下而互相相对地移动,其中该调整螺 丝的该第二刻纹表面与该轴衬的该轴衬刻纹表面是在该调整螺丝的每转预设时的第二速 率下而互相相对地移动,且其中该第一速率是高于该第二速率。
6.如权利要求1所述的装置,其中该轴衬能够通过装设至该升举板的一固持构件而被 固定至该升举板且将该轴衬抵顶住该升举板以避免该轴衬相对于该升举板旋转。
7.如权利要求6所述的装置,该装置更包含球形垫圈,该些球形垫圈设置在介于该轴 衬与该升举板之间。
8.如权利要求1所述的装置,该装置更包含一锁固机构,该锁固机构是用以将该调整 螺丝锁固至该升举板,用以避免该调整螺丝相对于该升举板旋转。
9.如权利要求8所述的装置,其中该锁固机构至少包含一锁固盖罩,该锁固盖罩是紧 密地配置在该调整螺丝的一外表面上且接附至该升举板,用以避免该调整螺丝相对于该升 举板旋转。
10.如权利要求8所述的装置,其中该锁固机构至少包含一锁固板与一锁固螺帽,其中 该锁固板是位于该轴衬与该升举板的一侧上且该锁固螺帽是位于该轴衬与该升举板的一 相反侧上,该锁固板自该一侧接附至该升举板且将该轴衬抵顶住该升举板,并且该锁固螺 帽刻纹地耦接于该调整螺丝以自该相反侧刻纹地抵顶住该升举板藉此将该轴衬与该调整 螺丝锁固抵顶住该升举板。
11. 一种用于调整介于一腔室体与一升举板之间的一间距的装置,该装置至少包含:一装设螺栓,被建构以被装设至该腔室体,该装设螺栓包括有一螺栓刻纹表面;一轴衬,包括有一轴衬刻纹表面;用以可释放地将该轴衬固定至该升举板的机制:一调整螺丝,延伸穿越该升举板中的一开口并具有第一刻纹表面与第二刻纹表面,其 中该第一刻纹表面刻纹地卡合于该装设螺栓的该螺栓刻纹表面,该第二刻纹表面刻纹地卡合于该轴衬的该轴衬刻纹表面,所述开口提供所述调整螺丝和所述升举板之间的间隙以使 该调整螺丝不刻纹地卡合于该升举板;其中当该轴衬被固定至该升举板且该调整螺丝被旋转时,该些刻纹表面是用以使得该 调整螺丝相对于该装设螺栓以第一速率在第一方向移动且该轴衬相对于该调整螺丝以第 二速率在第二方向移动,其中该第二方向是相反于该第一方向且该第二速率是不同于该第 一速率。
12.如权利要求10所述的装置,该装置更包含用以将该调整螺丝锁固至该升举板以避 免该调整螺丝相对于该升举板旋转的机制。
13. 一种用于调整介于一升举板与一腔室体之间的一间距的方法,该方法至少包含:将一装设螺栓设置至该腔室体,该装设螺栓包括有一螺栓刻纹表面;提供一调整螺丝,该调整螺丝延伸穿越该升举板中的一开口,所述开口提供所述调整 螺丝和所述升举板之间的间隙以使该调整螺丝不刻纹地卡合于该升举板,该调整螺丝具有 第一刻纹表面,其中该第一刻纹表面刻纹地卡合于该装设螺栓的该螺栓刻纹表面;提供一轴衬,该轴衬具有一轴衬刻纹表面,其中该轴衬刻纹表面刻纹地卡合于该调整 螺丝的第二刻纹表面;可移动地将该轴衬耦接至该升举板;通过将该调整螺丝旋转而进行该升举板与该腔室体之间的该间距的粗糙调整,其中该 调整螺丝相对于该装设螺栓旋转,而该轴衬是与该调整螺丝一起旋转;将该轴衬固定至该升举板;以及通过将该调整螺丝旋转而进行该升举板与该腔室体之间的该间距的精细调整,其中该 调整螺丝相对于该装设螺栓旋转以将该调整螺丝相对于该装设螺栓以第一速率在第一方 向移动,且该调整螺丝相对于该轴衬旋转以将该轴衬与该升举板相对于该调整螺丝以第二 速率在第二方向移动,其中该轴衬是固定至该升举板,而其中该第二方向是相反于该第一 方向且该第二速率是不同于该第一速率。
14.如权利要求13所述的方法,其中该调整螺丝的该第一刻纹表面为该调整螺丝的一 凹处内的一内表面,该螺栓刻纹表面为该装设螺栓的一外表面,其中该第一刻纹表面刻纹 地卡合于该螺栓刻纹表面。
15.如权利要求13所述的方法,其中该调整螺丝的该第二刻纹表面为一外表面,该轴 衬刻纹表面为该轴衬的一内表面,其中该第二刻纹表面刻纹地卡合于该轴衬刻纹表面。
16.如权利要求13所述的方法,其中该调整螺丝的该第一刻纹表面为与该装设螺栓的 该螺栓刻纹表面是在该调整螺丝的每转预设时的第一速率下而互相相对地移动,其中该调 整螺丝的该第二刻纹表面与该轴衬的该轴衬刻纹表面是在该调整螺丝的每转预设时的第 二速率下而互相相对地移动,且其中该第一速率是高于该第二速率。
17.如权利要求13所述的方法,其中将该轴衬固定至该升举板至少包含将一固持构件 接附至该升举板,以将该轴衬抵顶住该升举板,用以避免该轴衬相对于该升举板旋转。
18.如权利要求13所述的方法,其中可移动地将该轴衬耦接至该升举板至少包含置放 球形垫圈于介于该轴衬与该升举板之间。
19.如权利要求13所述的方法,该方法更包含将该调整螺丝锁固至该升举板,以在进 行该升举板与该腔室体之间的间距的精细调整之后避免该调整螺丝相对于该升举板旋转。
20.如权利要求19所述的方法,其中将该调整螺丝锁固至该升举板至少包含将一锁固 盖罩接附至该升举板与自该升举板的一侧将该轴衬抵顶住该升举板,以及将一锁固螺帽刻 纹地耦接于该调整螺丝以自该升举板的一相反侧刻纹地抵顶住该升举板藉此将该轴衬与 该调整螺丝锁固抵顶住该升举板。
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