CN100538867C - 存储电路装置及其制造方法 - Google Patents

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CN100538867C CN 200480011631 CN200480011631A CN100538867C CN 100538867 C CN100538867 C CN 100538867C CN 200480011631 CN200480011631 CN 200480011631 CN 200480011631 A CN200480011631 A CN 200480011631A CN 100538867 C CN100538867 C CN 100538867C
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Abstract

本发明涉及存储电路装置(10),其中存储器的部件位于两个不同的衬底上。其中存储单元阵列(16)位于一个衬底上。其中控制开关(38)位于另一衬底上。通过存储器的巧妙分割可以相当可观地减小其制造费用。

Description

絲电路装置及其制妙法

技术领域

本发明涉及存储电路装置,其具有用于存储单元阵列的衬底和用 于驱动存储单元阵列的逻辑电路的衬底.

背景技术

在存储电路装置的情况中,在非易失性存储电路和易失性存储电

路之间有区別:

-非易失性存储电路,甚至在切断存储电路的电源电压后还能恢复 它们的存储内容,例如ROM电路(只读存储器)或EEPROM电路(电 可擦除可编程只读存储器),

-易失性存储电路,在切断存储电路的电源电压之后丢失它们的存 储内容,例如DRAM电路(动态随机存取存储器)或SRAM (静态随 机存取存储器).

这些存储电路的共同之处是存储单元阵列和逻辑电路都位于一个 衬底上,例如一个半导体衬底上,特別是在一个硅衬底上,作为例子, 参见DE19819542。在所谓的嵌入系统中,将存储电路装置与处理器一 起制作在一个衬底上.另一方面,还存在所谓的封装内系统电路,在 该情况下,存储器芯片和处理器芯片设置在一个电路外壳中.在所谓 的多芯片组件的情况下, 一个电路也包含多个"标准电路",例如存 储电路和处理器电路,

发明内容

本发明的目的是规定一种能够简单且成本有效地制造的存储电路 装置以及用于制造存储电路装置的简单方法。

借助于具有在本专利的权利要求1中所规定的特征的电路装置, 可以获得涉及电路装置的目的。在从属权利要求中限定了其改进方案。

本发明是基于如下考虑:总生产费用关键取决于特定芯片区的生 产费用。依靠存储电路装置的单元的高技术分割,特别是由于技术考虑,甚至能够在考虑额外的装配费用时以简单的方式获得相当可观的 每芯片区的生产成本的减小,其中所述装配来将分开制造的组成部分 相互连接。作为举例,如果用于制造子电路的方法步骤数量减小到仅 在单个衬底上产生存储电路装置的三分之一,则该方法的实施变得简 单得多。例如,对于每一子电路,涉及芯片区的生产费用减小到不到 在单个衬底上制作存储电路装置时每一芯片区的生产费用的一半。用 于两部分芯片区的额外生产费用所产生的生产费用远小于当仅在一个 村底上制造集成电路装置时所导致的生产费用.

因此,根据本发明的存储电路装置包括单元阵列村底,其承栽包 含多个存储单元的集成存储单元阵列.每个存储单元包舍至少一个晶 体管,例如浮栅晶体管,或可选择包含晶体管和存储电容器.而且, 根据本发明的存储电路装置包含逻辑电路衬底,其承栽至少一个用于

电路。所述基本功能为读、写或擦除存储单元阵列中的一个或多个存 储单元的内容,在一种结构中,以取决于存在于存储电路的地址数据 的方式来对存储单元阵列中的特定存储单元的选择,也关系到存储电 路装置的基本功能.

在根据本发明的存储电路装置的情况中,逻辑电路衬底是与单元 阵列衬底不同的衬底,特別地,已经在相互独立的制造方法中,制造 了设置在两个衬底上的集成电路装置。

在根据本发明的电路装置的一个改进方案中,单元阵列村底具有 这样的衬底表面,这些表面仅在各側上围绕单元阵列衬底而不围绕逻 辑电路衬底.相反,逻辑电路衬底具有这样的衬底表面,这些表面仅 在各侧上围绕逻辑电路村底而不围绕单元阵列村底。特別地,衬底表 面为分开的区域或抛光的分开的区域.

在另一个改进方案中,存储单元阵列的存储单元为易失性存储单 元。在一个可选择的改进方案中,存储单元阵列的存储单元为非易失 性存储单元,特别地为所谓的快速存储单元,在该情况下,在每一擦 除操作期间擦除多个存储单元。特别地,非易失性存储单元在单元阵 列的制造中和外围电路的制造中展现出大量的技术差别。该差别随着 最小值特征尺寸的减小和新存储原理的利用而变大,例如,在铁电或储单元的情况下,

在下一个改进方案中,逻辑电路衬底承载控制电路,该控制电路 控制读取、写入以及擦除存储单元阵列中的存储单元时的顺序.特别

地,必须借助于控制电路来确保控制信号的顺序。作为举例,在NOR 型的非易失性存储器电路的情况下,将控制电路称为FACE(快速算 法控制引擎).在NAND型和其它类型的集成电路的情况下,存在相 似的用于控制存储电路功能的中央控制电路.

可选择地或附加地,在下一个改进方案中,逻辑电路衬底包含读 出放大器电路,借助于其可以确定存储单元的存储状态.

在另一改进方案中,逻辑电路村底包含至少一个译码电路,该译 码电路根据地址数据选择连接于存储单元阵列中的多个存储单元而不 是存储单元阵列的所有存储单元的共用线.连接于存储单元阵列中的 一行存储单元中的存储单元的共用线还被称为字线,字线连接于,例 如,存储单元的晶体管的栅电极.连接于存储单元阵列中的一列存储 单元中的存储单元的共用线还被称为位线.位线连接于,例如,存储 单元的场效应晶体管的源极/漏极区.此外,在该改进方案中,对于每 一个共用线,在单元阵列衬底与逻辑电路村底之间存在导电连接,特 别是下述连接类型中的一种连接:

-导电焊料焊接连接;

-导电粘性连接;

-导电熔接焊接连接;

-导电键合连接;

-通过固化含有溶剂的混合物产生的连接;例如根据 EP0610709A1,或者

-贯穿存储单元衬底的整个厚度或逻辑电路村底的整个厚度的金属 化连接,参见DE19904751C1。

该法改进方案中,在衬底之间的连接数量取决于字线的数量和/或 位线的数量。因此,作为举例,连接数量为1000以上、2000以上或3000 以上,这取决于存储单元阵列的存储容量,

在根据本发明的电路装置的另一改进方案中,逻辑电路衬底承载 至少一个处理器的电路装置,该处理器适合于处理程序指令,特别适 合于处理存储在存储单元阵列中的程序指令.此外处理器还包含运算逻辑单元和控制单元,例如,其中执行微程序,在一个改进方案中, 逻辑电路衬底包含用于两个处理器 一 即主处理器和协同处理器-的电 路装置。例如,协同处理器为执行用于加密数据的加密算法的处理器。 在一个结构中,将具有存储电路装置、处理器和协同处理器的电路装

置并入到所谓的厚度小2mm的智能卡中.

在另一个改进方案中,单元阵列衬底承栽至少一个传感器,例如 电压传感器或电流传感器.另外或作为选择,在该改进方案中,单元 阵列村底包含模拟-数字转换器,例如用于将由传感器产生的模拟输 出信号转换成数字数据.

在下一个改进方案中,单元阵列衬底的主区域和逻辑电路衬底的 主区域位于两个相互平行的平面中,优选在垂直于一个主区域的方向 上重叠。在这种情况下,与边缘区域相比较,主区域的面积远远大于 边缘区域.在该改进的方案中,将两个衬底,如果适合,和电路装置 的另外的衬底一个接一个地叠置.然而,与先前的衬底叠层相比较, 在该方案的情况下,存储电路装置的组件位于村底叠层的不同衬底 上,

作为选择,还能够使用承栽衬底,作为举例,在该衬底上,将相 对于承栽衬底橫向定位的多个衬底排成行.在这种情况下,单元阵列 衬底的主区域相对于逻辑电路衬底的主区域横向放置.

本发明还涉及用于制造存储电路装置的方法,该方法具有下述步

骤:

-借助于第一系列方法步骤在存储单元衬底上制造集成存储单元阵

列,

-借助于不同于第一系列的第二系列方法步骤,在与存储单元衬底 分开的逻辑电路衬底上制造用于提供存储单元阵列的基本功能的集成 逻辑电路,

-布置集成存储单元阵列和集成电逻辑电路以形成存储电路装置。 特别地,这两个系列的方法步骤涉及不同的制造技术,例如具有 相互不同的最小特征尺寸的制造技术。在执行第二系列方法步猓之前 执行第一系列方法步骤。然而,相反,还能够在笫一系列方法步騍之 前执行第二系列方法步骤。也能够在相同的制造场所或不同的制造场 所同时执行两种方法步骤工序。当在相同的制造场所执行所述系列的方法步骤时,例如对于这两个方法的方法步骤使用不同的机器。当利 用相同的机器时,相继执行不同系列的方法步骤.

上述与根据本发明的存储电路装置相关的技术效果对于根据本发 明的方法同样是真实的.

在一个方案中,第 一 系列包括特别适合于存储单元阵列制造且在 逻辑电路制造中不需要的方法步骤,相反地,在附加的或可选择的方 案中,第二系列包含特別适合于逻辑电路制造且在存储单元阵列制造 中不需要的方法步骤.该过程给出了一种方法,该方法包括两部分方 法,且其总生产费用小于其中存储单元阵列和逻辑电路必须借助于相 同的技术来制造的方法,或者其中对于逻辑电路或存储单元阵列必须

法的费用。

附图说明

下面参考附图来阐迷本发明的示例性实施例,其中:

图1示出两个衬底之间的电^^装置的电路部件的划分,衬底之间 有少量连接位置;

图2示出两个村底之间的电路装置的电路部件的划分,在字线与 位线之间有多个连接位置;

图3示出在电路装置的制造期间具有三个衬底的衬底叠层的横截

面;

图4示出具有通过快速芯片安装技术连接的两个衬底的衬底叠层 的平面图;

图5示出具有两个衬底的衬底叠层的横截面。 具体实施方式

图1示出电路装置IO的电路方框图,存储电路的电路方框图位于 电路装置10的左手部分12中。除存储电路之外设置在电路装置10中 的附加电路位于电路装置10的右手部分14中,然而,附加电路在电 路装置10的操作期间利用存储电路。

例如,存储电路为具有以非易失性方式存储电荷或具有以易失性 方式存储电荷的存储单元的存储电路.在示例性的实施例中,存储电路包含两个或多个其中以矩阵型的方式按照行和列来排列存储单元的

存储单元阵列16、 18。将一行中的存储单元分別通过字线连接到存储 单元阵列16和18的左手边缘处的字线驱动晶体管21、 22,另一方面, 位线将存储单元阵列16和18的一列中的存储单元分别连接到存储单 元阵列18的下边缘处的位线驱动晶体管24.驱动晶体管20至24用于 电平变换。

开关晶体管组26设置在两个存储单元阵列16和18之间.另一开 关晶体管組28位于存储单元阵列16上方,开关晶体管组26和28的开 关晶体管用于将存储单元阵列中的内部位线、或者所谓的本地位线连 接到越过或穿过多个存储单元阵列16、 18的位线,字线驱动晶体管20 和字线驱动晶体管22分別由字线译码电路30和字线译码电路32驱 动。译码电路30和32以取决于用于指定字线的地址数据的方式(例 如通过仅向被选择的字线施加电压)来选择字线。

位线驱动晶体管24由位线译码电路来驱动,该位线译码电路以取 决于用于标明位线的地址数据的方式来选择位线.位线译码电路为用 于提供存储电路的基本功能的多个逻辑电路34中的一个.作为举例, 逻辑电路34还包括所谓的读出放大器,借助于其可以确定存储单元的 存储状态。

该存储电路还包括电荷泵36,其可以用于产生擦或写存储单元阵 列中的存储单元所需的电压。此外,为了提供其基本功能,存储电路 包括控制电路38,其在存储电路中执行高级控制功能,特别地:

-对编程、读取和/或擦除的控制,和

画对译码电路30、 32、逻辑电路3 4和/或电荷泵36的控制。

在示例性的实施例中,电路装置IO的右手部分包括:

-处理器40,例如构造成像商用微处理器那样,

-加密协同处理器42,其根据例如RSA算法(Revist, Schamirand Adlemarm)或根据DES算法(数据加密标准)来工作,和

-传感器阵列44,具有多个电流和电压传感器且还具有用于将模拟 传感信号转换为数字数据的多个模拟-数字转换器。

根据笫一实例性实施例,在两个不同的衬底之间划分图1中示出 的电路装置10的电路方框图,使得一个衬底承栽传感器阵列44和存 储电路中除控制电路38之外的所有部件,也就是说,由图l中的单个边界框起来的所有功能块,即: 腸存储单元阵列l6、 l8, 陽字线驱动晶体管20、 22, -位线驱动晶体管24, 一字线译码电路30、 32, -逻辑电路34, -电荷泵36,和

-传感器阵列44的传感器和转换器.

通过比较,在第一示例性实施例中,第二衬底承栽由图1中的双 线框包围的功能块,即: -控制电路38, -处理器40,和 -加密协同处理器42.

因此,仅存储电路的控制电路38位于第二衬底上,使得仅须在两 个衬底上的电路之间制造相对较小数量的导电连接,例如小于100个 连接,即所谓的焊料焊接突起,

图2示出根据本发明第二实施例的两个衬底之间的电路装置10的 功能块的划分。在第二示例性实施例中, 一个衬底包含由图2中的单 个框包围的电路装置10的功能块,即:

-存储单元阵列16、 18,

-字线驱动晶体管20、 22,

-位线驱动晶体管24,

电荷泵36,和

传感器阵列44的传感器和转换器.

通过比较,根据第二示例性实施例,第二衬底包含由图2中的双 线框包围的功能块,即: 一字线译码电路30、 32, -逻辑电路34, -控制电路38, -处理器40,和 -加密协同处理器42。

在第二示例性实施例中,两村底之间的连接数量非常大,因为存储电路的每个字线和每个位线都被分配有连接,作为举例,几千个连 接用来连接两个衬底。

图3示出在电路装置制造期间衬底叠层50的横截面,该电路装置 包含例如与电路装置10中的那些相同或相似的功能块。衬底叠层50 包含下面的底部衬底52、设置在底部衬底52上的中间衬底54和设置 在中间衬底上的顶部衬底56.在图3示出的制造状态的情况下,底部 村底52仍为包含多个底部衬底52的半导体晶片的一部分,其中,在 制造工艺结尾,将多个该底部衬底52相互分离开.作为举例,底部衬 底52的厚度至少为中间衬底54或顶部衬底56的两倍。在第一示例性 实施例中,中间衬底54和底部衬底56已经被单个化.在另一示例性 实施例中,中间衬底54为承栽多个中间村底54的半导体晶片的一部 分.顶部衬底56为承栽多个顶部衬底56的半导体晶片的一部分.在 这种情况下,中间衬底54和顶部村底56与底部衬底52 —起被单个化.

底部衬底52、中间衬底54和顶部衬底56分別承栽互连62、 64和 66。在示意性实施例中,互连62、 64和66分别位于底部村底52、中 间衬底54和底部衬底56的上部区域上,在另一示意性实施例中,在 每一衬底中存在多层互连.在又一示意性实施例中,互连还位于底部 衬底、中间衬底和/或顶部衬底56的背侧.不同衬底52至56的互连由 垂直金属化68互连,例如通过底部衬底52与中间衬底54之间的金属 化,或者通过顶部衬底56与底部村底52之间的金属化(未示出).

例如由固态电介质(诸如二氧化硅),填充的绝缘间隔位于底部 衬底52与中间衬底54之间且还位于中间衬底54与顶部村底56之间, 例如,存储电路的部件位于底部衬底52上。相反,同一存储电路的其 它部件位于中间村底54上-

图4示出包含设置于其上的底部衬底72和顶部衬底74的叠层70 的平面图。在叠层70中没有包含更多的衬底.作为举例,由图l中的 单边框起来的功能块位于底部村底72上而由图1中的双边框起来的功 能块位于顶部村底74上。沿着其外围,底部衬底72承栽用于连接键 合引线的键合岛状物76,所述键合引线预定通向用于封装叠层70的外 壳的连接管脚。例如,键合岛状物76具有大于50jim (微米)的长度 和大于50ym的宽度,通常在各情况中为100pm。

例如,三行焊料焊接连接78位于底部村底72与顶部衬底74之间,在示例性实施例中,总共有24个焊料焊接连接78。焊料焊接连接78 终止于焊料焊接乌状物上,作为举例,该焊料焊接岛状物的宽度小于 20pm且长度小于20Mm,通常尺寸为10 p mX10 ju m,:恨据快速芯片 安装技术来制造焊料焊接连接78,该技术还被称为倒装技术或面对面 (face to face)技术《

图5示出沿着一系列焊料焊接连接78的村底叠层70的横截面。由 底部村底72承载的互连80与由顶部衬底74承载的互连82相对放置.

在另 一示例性实施例中,以与上述不同的方式在两个衬底之间分 割电路装置IO的功能块.在另一示例性实施例中,电路装置10还包 含其它功能块。

当制造具有小于250nm (纳米)且特別是小于或等于65nm的最小 值特征尺寸的工艺时,使用上述制造方法可以高度受益.

由于应用本发明,将到目前为止已经制作在一个芯片上的电路装 置考虑到制造费用而最优地分割成两个或更多局部芯片.然后通过三 维集成来连接局部芯片.产品的性能保持相同或者甚至于有所提高。 如此决定选择标准以使得每一个局部芯片仅包含有限数量的相互不同 的部件。

可以在所谓的大块衬底的情况下或SOI (绝缘体上硅)衬底的情 况下使用本发明.

下表示出在列1中列出的所谓的嵌入工艺与根据列2和3中列出 的根据本发明的方法之间工艺步壤的比较,在所谓的嵌入工艺中,将 非易失性存储电路和处理器安置在一个芯片上,而在根据本发明的方 法中,制造两个局部芯片并稍后将其连接.

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当考虑到它们各自的每种情况并当总体考虑时,根据表中的列2 和3的工艺没有根据列1的工艺复杂。可以在不同的制造场所执行根 据列2和3的工艺。

作为举例,在制作场所A根据列2使用铝金属化和氧化物金属间 电介质-速度优化地-制造非易失性电路.相比较,在制作场所B根 据列3使用铜金属化和介电常数小于3.9的电介质制造逻辑电路.与根 据列1的方法相比较,该工序使得成本大大地降低。此外,在存储电 路的局部芯片的情况下,能够使用深沟槽隔离,以最优化所占的区域. 不能容易地将这种深沟槽和逻辑电路所需的浅沟槽隔离一起制造.因 此,相当可观地减小了每mm2 (平方米)硅衬底的成本。用于子电路 连接的成本,例如借助于面对面技术,比作为分割成两个工艺的结果 所节省的成本小。

局部芯片之间的连接数量取决于分割.在存储电路的情况下,字 线和位线译码器包含逻辑晶体管.在上述第一示例性实施例的情况 下,两个局部芯片都包含逻辑晶体管。然而,所选定的分割使得能够 获得具有近80个连接的筒单接口,然而,工艺复杂度高于第二示例性 实施例中的。

第二示例性实施例包括通过字线部分和通过位线部分的分离。用 于字线和位线译码器的逻辑晶体管安置在逻辑电路芯片上,而高电压 和中电压晶体管安置在单元阵列衬底上,第二示例性实施例的情况中 的工艺复杂度远远低于在第一示例性实施例的情况下的工艺复杂度。 然而,在衬底之间需要更多的连接,从成本的立场出发,第二示例性 实施例为优选的实施例.可以实现大量的连接,而在存储电路的存取 时间方面,或通常而言在性能方面,没有任何损失或存在可接受的损 失。

然而,在两个示例性实施例中,制造的总成本远远小于相应的嵌 入技术的成本,该陈述对于非常小的芯片面积也保持真实,例如两个 衬底的芯片面积总和小于5mm2 。本发明不仅可以应用于存储电路的分离还可以用于到目前为止仅

制作在单个衬底上的其它电路,例如:

-可以将BICMOS电路(双极互补金属氧化物半导体)分成在一个 衬底上的CMOS电路和在另一个局部衬底上的双极电路,或者

-可以将所谓的独立的快速存储器分割成在一个局部芯片上的状况 机(state machine)和在另一个局部芯片上的单元阵列和译码器,

当创新方法用于制造最小特征尺寸小于或等于65nm的处理器 时,所阐述的方法尤其可以用于在多个衬底上制作电路.这些技术实 质上与用于制造快速存储电路的技术需求是不兼容的.

此外,由于物理约束,高电压或中电压晶体管不能受益于最小特 征尺寸的减小,也就是说,用于制造逻辑电路的昂贵的掩模对于制造 存储电路是没有利的.对于数字信号处理器同样如此,其中,模拟部 件或电路不受益于数字信号处理器的逻辑电路的最小特征尺寸的减 小。依靠在局部衬底之间分割可以避免这些缺点.

相比较,能够在一个衬底上,例如用于处理器40和系统处理器44 的逻辑村底上,制造分別具有处于低、中和高电压范围(例如0.1V (伏)、0.3V和0,5V)的阈值电压的逻辑晶体管。

特别地,利用多个芯片之间的有技巧的分割,可以更加简单地解 决下述问题:

-涉及介电常数大于3.9的栅电介质的问题,特别是下述问题: -在叠置栅电极的化学机械抛光过程中的问题; -在基于ONO叠层(氣化物氮化物氣化物)的具有高介电常 数的电介质的实现中的问题,特別是关于数据保持时间;

-这些电介质的各向异性蚀刻方法的获得问题,特別是各向异 性离子蚀刻方法;

-在侧壁氣化的实现中的问题,例如电介质会结晶, 國介电常数小于3.9的金属间电介质,例如其对于较高电压的适用 性,或者当键合到位于介电常数低的电介质中的薄互连上时的问题, -硅的应变,例如由于ONO方法而受应力的硅的热不稳定性, -特別是,如果用高温氧化物替换ONO叠层的顶部氧化物; -由于侧壁氧化而受应力的硅的热不稳定性; -由位错导致的硅应变,这影响数据保持时间-上升的源或漏区以及所谓的移动位速率中的相关增加,度或者在 硅-锗上的集成,

Claims (9)

1、一种存储电路装置(10),具有单元阵列衬底(52),其承载包含于存储电路(12)中且包括多个存储单元的集成存储单元阵列(16);具有逻辑电路衬底(54),其承载至少一个集成逻辑电路(30、38),该集成逻辑电路在存储电路装置(10)的基本功能范围内来控制存储单元的存取;逻辑电路衬底(54)为与单元阵列衬底(52)不同的衬底;逻辑电路为包含于存储电路(12)中的控制电路(38),该控制电路控制读取和/或写入存储单元阵列(16)的存储单元的内容时的顺序;或者逻辑电路(30)为包含于存储电路(12)中的译码电路(30、34),该译码电路以取决于地址数据的方式选择连接到存储单元阵列(16)的多个存储单元的字线或位线。
2、 如权利要求1所述的电路装置(10),其特征在于,单元阵列 村底(52)的村底表面在各侧面仅包围单元阵列衬底(52)而不包围 逻辑电路衬底(54),和/或其特征在于存储单元为易失性或非易失性 存储单元,特别是快速存储器的存储单元。
3、 如权利要求1或2所述的电路装置(10),其特征在于,控制 电路(38)控制擦除存储单元阵列(16)中的存储单元的内容时的顺 序,和/或其特征在于,逻辑电路衬底(54)承载读出放大器电路(34), 借助于该读出放大器电路可以确定存储单元的存储状态。
4、 如前述权利要求l或2所述的电路装置(10),其特征在于, 字线连接到存储单元阵列(16)中的一行存储单元中的存储单元,和/ 或其特征在于,位线连接到存储单元阵列(16)中的一列存储单元中 的存储单元,和/或对于每一共用线通过单元阵列衬底(52)与逻辑电 路衬底(54)之间的导电连接。
5、 如前述权利要求1或2所述的电路装置(10),其特征在于, 逻辑电路衬底(54)承载至少一个处理器(40、 42)的电路装置,该 处理器适合于处理程序指令,特别适合于处理存储在存储单元阵列中 的程序指令,特别地,处理器(42)为在操作期间执行加密程序的程 序指令,特别是存储在存储单元阵列(16)中的程序指令的加密处理器,和/或其特征在于单元阵列衬底(52)承载至少一个模拟电路,特 别是电压传感器单元,和/或电流传感器单元(44),和/或至少一个模 拟-数字转换器单元,和/或数字-模拟转换器单元。
6、 如前述权利要求1或2所述的电路装置(10),其特征在于, 单元阵列衬底(52)的主区域和逻辑电路衬底(54)的主区域位于相 互平行的两个平面内,优选在垂直于主区域的方向上重叠,或其特征 在于,单元阵列衬底的主区域相对于逻辑电路衬底的主区域横向放置。
7、 一种用于制造集成电路装置(10)的方法,特别是用于制造如 前述权利要求之一所述的电路装置的方法,其中执行下述步骤,而不 受所指出的顺序的限制:在存储单元阵列衬底(52)上制造集成存储单元阵列(16);在与存储单元衬底(52)分开的逻辑电路村底(54)上制造用于 提供存储单元阵列(16)的基本功能的集成逻辑电路;布置集成存储单元阵列(52)和集成逻辑电路(54)以形成存储 电路装置(10、 50);逻辑电路为包含于存储电路(12)中的控制电路(38),该控制 电路控制读取和/或写入存储单元阵列(16)的存储单元的内容时的顺 序;或者逻辑电路(30)为包含于存储电路(12)中的译码电路(30、 34),该译码电路以取决于地址数据的方式选择连接到存储单元阵列 (16)的多个存储单元的字线或位线。
8、 如权利要求7所述的方法,其特征在于:制造集成存储单元阵 列包含不包括在制造集成逻辑电路中的下述方法步骤中的至少一个:制造深沟槽,特别是深度大于lpm或大于2pm的深沟槽; 制造用于大于6伏的电压的至少一个n型阱或n型层和/或至少一个p型阱或p型层,特别是具有适合于所述边缘处电压的掺杂梯度的所述阱或层;制造隧道氧化物;在两层氧化物层之间制造被绝缘的电极; 除去上述被绝缘电极上的所选电极; 制造厚度大于50nm的氧化物区; 制造用于大于6伏的电压的沟道连接区;和/或其特征在于,制造集成逻辑电路包含不包括在制造集成存储单元阵列中的下述方法步骤中的至少一个:制造浅沟槽,特别是深度小于lpm或小于0.5^im的浅沟槽; 制造用于小于5伏或小于2.5伏的电压的至少一个n型阱或n型层和/或至少一个p型阱或p型层;制造用于小于5伏或小于2.5伏的电压的沟道连接区;比制造集成存储单元阵列至少多制造一层金属化层。
9、如权利要求7或8所述的方法,其特征在于下述步骤:借助于快速芯片安装技术或借助于3D集成方法布置存储单元衬底(52)和逻辑电路衬底(54)。
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WO (1) WO2004097838A2 (zh)

Families Citing this family (157)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7186569B2 (en) * 2002-08-02 2007-03-06 Unity Semiconductor Corporation Conductive memory stack with sidewall
US7884349B2 (en) * 2002-08-02 2011-02-08 Unity Semiconductor Corporation Selection device for re-writable memory
DE10319271A1 (de) * 2003-04-29 2004-11-25 Infineon Technologies Ag Speicher-Schaltungsanordnung und Verfahren zur Herstellung
US7082052B2 (en) 2004-02-06 2006-07-25 Unity Semiconductor Corporation Multi-resistive state element with reactive metal
US9058300B2 (en) * 2005-03-30 2015-06-16 Unity Semiconductor Corporation Integrated circuits and methods to control access to multiple layers of memory
US20060171200A1 (en) * 2004-02-06 2006-08-03 Unity Semiconductor Corporation Memory using mixed valence conductive oxides
US7538338B2 (en) * 2004-09-03 2009-05-26 Unity Semiconductor Corporation Memory using variable tunnel barrier widths
US7619945B2 (en) * 2006-08-18 2009-11-17 Unity Semiconductor Corporation Memory power management
US7539811B2 (en) * 2006-10-05 2009-05-26 Unity Semiconductor Corporation Scaleable memory systems using third dimension memory
US7742323B2 (en) * 2007-07-26 2010-06-22 Unity Semiconductor Corporation Continuous plane of thin-film materials for a two-terminal cross-point memory
US7897951B2 (en) * 2007-07-26 2011-03-01 Unity Semiconductor Corporation Continuous plane of thin-film materials for a two-terminal cross-point memory
US7995371B2 (en) * 2007-07-26 2011-08-09 Unity Semiconductor Corporation Threshold device for a memory array
US7813210B2 (en) * 2007-08-16 2010-10-12 Unity Semiconductor Corporation Multiple-type memory
US7996600B2 (en) 2007-08-30 2011-08-09 Unity Semiconductor Corporation Memory emulation in an electronic organizer
US8164656B2 (en) * 2007-08-31 2012-04-24 Unity Semiconductor Corporation Memory emulation in an image capture device
US7688665B2 (en) * 2007-09-25 2010-03-30 Qimonda North America Corp. Structure to share internally generated voltages between chips in MCP
US8165621B2 (en) * 2007-10-10 2012-04-24 Unity Semiconductor Corporation Memory emulation in a cellular telephone
US7593284B2 (en) * 2007-10-17 2009-09-22 Unity Semiconductor Corporation Memory emulation using resistivity-sensitive memory
US7796451B2 (en) * 2007-12-10 2010-09-14 Unity Semiconductor Corporation Integrated circuits and methods to compensate for defective memory in multiple layers of memory
US7822913B2 (en) * 2007-12-20 2010-10-26 Unity Semiconductor Corporation Emulation of a NAND memory system
US7751221B2 (en) * 2007-12-21 2010-07-06 Unity Semiconductor Corporation Media player with non-volatile memory
US7877541B2 (en) * 2007-12-22 2011-01-25 Unity Semiconductor Corporation Method and system for accessing non-volatile memory
US20090172350A1 (en) * 2007-12-28 2009-07-02 Unity Semiconductor Corporation Non-volatile processor register
US7990762B2 (en) * 2008-02-06 2011-08-02 Unity Semiconductor Corporation Integrated circuits to control access to multiple layers of memory
US8208284B2 (en) * 2008-03-07 2012-06-26 Unity Semiconductor Corporation Data retention structure for non-volatile memory
US8314024B2 (en) 2008-12-19 2012-11-20 Unity Semiconductor Corporation Device fabrication
US8027215B2 (en) 2008-12-19 2011-09-27 Unity Semiconductor Corporation Array operation using a schottky diode as a non-ohmic isolation device
US8003511B2 (en) * 2008-12-19 2011-08-23 Unity Semiconductor Corporation Memory cell formation using ion implant isolated conductive metal oxide
US8031509B2 (en) * 2008-12-19 2011-10-04 Unity Semiconductor Corporation Conductive metal oxide structures in non-volatile re-writable memory devices
US8222090B2 (en) * 2009-08-04 2012-07-17 Fairchild Semiconductor Corporation Modular die and mask for semiconductor processing
KR101094917B1 (ko) * 2009-11-30 2011-12-15 주식회사 하이닉스반도체 전원 회로 및 이를 이용한 반도체 메모리 회로
US8045364B2 (en) * 2009-12-18 2011-10-25 Unity Semiconductor Corporation Non-volatile memory device ion barrier
US7832090B1 (en) 2010-02-25 2010-11-16 Unity Semiconductor Corporation Method of making a planar electrode
CN104137405A (zh) * 2012-02-28 2014-11-05 松下电器产业株式会社 升压电路
US8728947B2 (en) * 2012-06-08 2014-05-20 Tel Epion Inc. Gas cluster ion beam process for opening conformal layer in a high aspect ratio contact via
US9158667B2 (en) 2013-03-04 2015-10-13 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing logical operations using sensing circuitry
US8964496B2 (en) 2013-07-26 2015-02-24 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing compare operations using sensing circuitry
US8971124B1 (en) 2013-08-08 2015-03-03 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing logical operations using sensing circuitry
US9153305B2 (en) 2013-08-30 2015-10-06 Micron Technology, Inc. Independently addressable memory array address spaces
US9019785B2 (en) 2013-09-19 2015-04-28 Micron Technology, Inc. Data shifting via a number of isolation devices
US9449675B2 (en) 2013-10-31 2016-09-20 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for identifying an extremum value stored in an array of memory cells
US9430191B2 (en) 2013-11-08 2016-08-30 Micron Technology, Inc. Division operations for memory
CN103794238B (zh) * 2014-03-07 2017-01-04 中国科学院微电子研究所 闪存式存储器电路及其布局方法
JP2015188071A (ja) * 2014-03-14 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9934856B2 (en) 2014-03-31 2018-04-03 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for comparing data patterns in memory
US9449674B2 (en) 2014-06-05 2016-09-20 Micron Technology, Inc. Performing logical operations using sensing circuitry
US9496023B2 (en) 2014-06-05 2016-11-15 Micron Technology, Inc. Comparison operations on logical representations of values in memory
US9910787B2 (en) 2014-06-05 2018-03-06 Micron Technology, Inc. Virtual address table
US9704540B2 (en) 2014-06-05 2017-07-11 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for parity determination using sensing circuitry
US9711207B2 (en) 2014-06-05 2017-07-18 Micron Technology, Inc. Performing logical operations using sensing circuitry
US10074407B2 (en) 2014-06-05 2018-09-11 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing invert operations using sensing circuitry
US9830999B2 (en) 2014-06-05 2017-11-28 Micron Technology, Inc. Comparison operations in memory
US9786335B2 (en) 2014-06-05 2017-10-10 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing logical operations using sensing circuitry
US9711206B2 (en) 2014-06-05 2017-07-18 Micron Technology, Inc. Performing logical operations using sensing circuitry
US9455020B2 (en) 2014-06-05 2016-09-27 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing an exclusive or operation using sensing circuitry
US9779019B2 (en) 2014-06-05 2017-10-03 Micron Technology, Inc. Data storage layout
US9747961B2 (en) 2014-09-03 2017-08-29 Micron Technology, Inc. Division operations in memory
US9847110B2 (en) 2014-09-03 2017-12-19 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for storing a data value in multiple columns of an array corresponding to digits of a vector
US10068652B2 (en) 2014-09-03 2018-09-04 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for determining population count
US9898252B2 (en) 2014-09-03 2018-02-20 Micron Technology, Inc. Multiplication operations in memory
US9740607B2 (en) 2014-09-03 2017-08-22 Micron Technology, Inc. Swap operations in memory
US9904515B2 (en) 2014-09-03 2018-02-27 Micron Technology, Inc. Multiplication operations in memory
US9589602B2 (en) 2014-09-03 2017-03-07 Micron Technology, Inc. Comparison operations in memory
US9940026B2 (en) 2014-10-03 2018-04-10 Micron Technology, Inc. Multidimensional contiguous memory allocation
US9836218B2 (en) 2014-10-03 2017-12-05 Micron Technology, Inc. Computing reduction and prefix sum operations in memory
US10163467B2 (en) 2014-10-16 2018-12-25 Micron Technology, Inc. Multiple endianness compatibility
US10147480B2 (en) 2014-10-24 2018-12-04 Micron Technology, Inc. Sort operation in memory
US9779784B2 (en) 2014-10-29 2017-10-03 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing logical operations using sensing circuitry
US9747960B2 (en) 2014-12-01 2017-08-29 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for converting a mask to an index
US10073635B2 (en) 2014-12-01 2018-09-11 Micron Technology, Inc. Multiple endianness compatibility
US10032493B2 (en) 2015-01-07 2018-07-24 Micron Technology, Inc. Longest element length determination in memory
US10061590B2 (en) 2015-01-07 2018-08-28 Micron Technology, Inc. Generating and executing a control flow
US9583163B2 (en) 2015-02-03 2017-02-28 Micron Technology, Inc. Loop structure for operations in memory
CN107408404A (zh) 2015-02-06 2017-11-28 美光科技公司 用于存储器装置的设备及方法以作为程序指令的存储
WO2016126472A1 (en) 2015-02-06 2016-08-11 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for scatter and gather
WO2016126474A1 (en) 2015-02-06 2016-08-11 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for parallel writing to multiple memory device locations
US10522212B2 (en) 2015-03-10 2019-12-31 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for shift decisions
US9898253B2 (en) 2015-03-11 2018-02-20 Micron Technology, Inc. Division operations on variable length elements in memory
US9741399B2 (en) 2015-03-11 2017-08-22 Micron Technology, Inc. Data shift by elements of a vector in memory
CN107430874A (zh) 2015-03-12 2017-12-01 美光科技公司 用于数据移动的设备及方法
US10146537B2 (en) 2015-03-13 2018-12-04 Micron Technology, Inc. Vector population count determination in memory
US10049054B2 (en) 2015-04-01 2018-08-14 Micron Technology, Inc. Virtual register file
US10140104B2 (en) 2015-04-14 2018-11-27 Micron Technology, Inc. Target architecture determination
US9959923B2 (en) 2015-04-16 2018-05-01 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods to reverse data stored in memory
US10073786B2 (en) 2015-05-28 2018-09-11 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for compute enabled cache
US9704541B2 (en) 2015-06-12 2017-07-11 Micron Technology, Inc. Simulating access lines
US9921777B2 (en) 2015-06-22 2018-03-20 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for data transfer from sensing circuitry to a controller
US9996479B2 (en) 2015-08-17 2018-06-12 Micron Technology, Inc. Encryption of executables in computational memory
US9905276B2 (en) 2015-12-21 2018-02-27 Micron Technology, Inc. Control of sensing components in association with performing operations
US9952925B2 (en) 2016-01-06 2018-04-24 Micron Technology, Inc. Error code calculation on sensing circuitry
US10048888B2 (en) 2016-02-10 2018-08-14 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for partitioned parallel data movement
US9892767B2 (en) 2016-02-12 2018-02-13 Micron Technology, Inc. Data gathering in memory
US9971541B2 (en) 2016-02-17 2018-05-15 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for data movement
US9899070B2 (en) 2016-02-19 2018-02-20 Micron Technology, Inc. Modified decode for corner turn
US9697876B1 (en) 2016-03-01 2017-07-04 Micron Technology, Inc. Vertical bit vector shift in memory
US10262721B2 (en) 2016-03-10 2019-04-16 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for cache invalidate
US9997232B2 (en) 2016-03-10 2018-06-12 Micron Technology, Inc. Processing in memory (PIM) capable memory device having sensing circuitry performing logic operations
US10379772B2 (en) 2016-03-16 2019-08-13 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for operations using compressed and decompressed data
US9910637B2 (en) 2016-03-17 2018-03-06 Micron Technology, Inc. Signed division in memory
US10388393B2 (en) 2016-03-22 2019-08-20 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for debugging on a host and memory device
US10120740B2 (en) 2016-03-22 2018-11-06 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for debugging on a memory device
US10474581B2 (en) 2016-03-25 2019-11-12 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for cache operations
US10074416B2 (en) 2016-03-28 2018-09-11 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for data movement
US10430244B2 (en) 2016-03-28 2019-10-01 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods to determine timing of operations
US10453502B2 (en) 2016-04-04 2019-10-22 Micron Technology, Inc. Memory bank power coordination including concurrently performing a memory operation in a selected number of memory regions
US10607665B2 (en) 2016-04-07 2020-03-31 Micron Technology, Inc. Span mask generation
US9818459B2 (en) 2016-04-19 2017-11-14 Micron Technology, Inc. Invert operations using sensing circuitry
US9659605B1 (en) 2016-04-20 2017-05-23 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing corner turn operations using sensing circuitry
US10153008B2 (en) 2016-04-20 2018-12-11 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing corner turn operations using sensing circuitry
US10042608B2 (en) 2016-05-11 2018-08-07 Micron Technology, Inc. Signed division in memory
US9659610B1 (en) 2016-05-18 2017-05-23 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for shifting data
US10049707B2 (en) 2016-06-03 2018-08-14 Micron Technology, Inc. Shifting data
US10387046B2 (en) 2016-06-22 2019-08-20 Micron Technology, Inc. Bank to bank data transfer
US10037785B2 (en) 2016-07-08 2018-07-31 Micron Technology, Inc. Scan chain operation in sensing circuitry
US10388360B2 (en) 2016-07-19 2019-08-20 Micron Technology, Inc. Utilization of data stored in an edge section of an array
US10387299B2 (en) 2016-07-20 2019-08-20 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for transferring data
US9972367B2 (en) 2016-07-21 2018-05-15 Micron Technology, Inc. Shifting data in sensing circuitry
US9767864B1 (en) 2016-07-21 2017-09-19 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for storing a data value in a sensing circuitry element
US10303632B2 (en) 2016-07-26 2019-05-28 Micron Technology, Inc. Accessing status information
US10468087B2 (en) 2016-07-28 2019-11-05 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for operations in a self-refresh state
US9990181B2 (en) 2016-08-03 2018-06-05 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for random number generation
US10606587B2 (en) 2016-08-24 2020-03-31 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods related to microcode instructions indicating instruction types
US10466928B2 (en) 2016-09-15 2019-11-05 Micron Technology, Inc. Updating a register in memory
US10387058B2 (en) 2016-09-29 2019-08-20 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods to change data category values
US10014034B2 (en) 2016-10-06 2018-07-03 Micron Technology, Inc. Shifting data in sensing circuitry
US10529409B2 (en) 2016-10-13 2020-01-07 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods to perform logical operations using sensing circuitry
US9805772B1 (en) 2016-10-20 2017-10-31 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods to selectively perform logical operations
CN207637499U (zh) 2016-11-08 2018-07-20 美光科技公司 用于形成在存储器单元阵列上方的计算组件的设备
US10423353B2 (en) 2016-11-11 2019-09-24 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for memory alignment
US9761300B1 (en) 2016-11-22 2017-09-12 Micron Technology, Inc. Data shift apparatuses and methods
CN108428464A (zh) * 2017-02-13 2018-08-21 群联电子股份有限公司 解码方法、存储器储存装置及存储器控制电路单元
US10402340B2 (en) 2017-02-21 2019-09-03 Micron Technology, Inc. Memory array page table walk
US10268389B2 (en) 2017-02-22 2019-04-23 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for in-memory operations
US10403352B2 (en) 2017-02-22 2019-09-03 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for compute in data path
US10185674B2 (en) 2017-03-22 2019-01-22 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for in data path compute operations
US10049721B1 (en) 2017-03-27 2018-08-14 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for in-memory operations
US10147467B2 (en) 2017-04-17 2018-12-04 Micron Technology, Inc. Element value comparison in memory
US10043570B1 (en) 2017-04-17 2018-08-07 Micron Technology, Inc. Signed element compare in memory
US9997212B1 (en) 2017-04-24 2018-06-12 Micron Technology, Inc. Accessing data in memory
US10236038B2 (en) 2017-05-15 2019-03-19 Micron Technology, Inc. Bank to bank data transfer
US10068664B1 (en) 2017-05-19 2018-09-04 Micron Technology, Inc. Column repair in memory
US10013197B1 (en) 2017-06-01 2018-07-03 Micron Technology, Inc. Shift skip
US10152271B1 (en) 2017-06-07 2018-12-11 Micron Technology, Inc. Data replication
US10262701B2 (en) 2017-06-07 2019-04-16 Micron Technology, Inc. Data transfer between subarrays in memory
US10318168B2 (en) 2017-06-19 2019-06-11 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for simultaneous in data path compute operations
US10162005B1 (en) 2017-08-09 2018-12-25 Micron Technology, Inc. Scan chain operations
US10534553B2 (en) 2017-08-30 2020-01-14 Micron Technology, Inc. Memory array accessibility
US10416927B2 (en) 2017-08-31 2019-09-17 Micron Technology, Inc. Processing in memory
US10346092B2 (en) 2017-08-31 2019-07-09 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for in-memory operations using timing circuitry
US10741239B2 (en) 2017-08-31 2020-08-11 Micron Technology, Inc. Processing in memory device including a row address strobe manager
US10409739B2 (en) 2017-10-24 2019-09-10 Micron Technology, Inc. Command selection policy
US10522210B2 (en) 2017-12-14 2019-12-31 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for subarray addressing
US10332586B1 (en) 2017-12-19 2019-06-25 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for subrow addressing
US10614875B2 (en) 2018-01-30 2020-04-07 Micron Technology, Inc. Logical operations using memory cells
US10437557B2 (en) 2018-01-31 2019-10-08 Micron Technology, Inc. Determination of a match between data values stored by several arrays
US10440341B1 (en) 2018-06-07 2019-10-08 Micron Technology, Inc. Image processor formed in an array of memory cells
US10483978B1 (en) 2018-10-16 2019-11-19 Micron Technology, Inc. Memory device processing

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5386623A (en) * 1990-11-15 1995-02-07 Hitachi, Ltd. Process for manufacturing a multi-chip module
US5218569A (en) * 1991-02-08 1993-06-08 Banks Gerald J Electrically alterable non-volatile memory with n-bits per memory cell
TW231343B (zh) * 1992-03-17 1994-10-01 Hitachi Seisakusyo Kk
WO1995009438A1 (en) * 1993-09-30 1995-04-06 Kopin Corporation Three-dimensional processor using transferred thin film circuits
JPH08167703A (ja) * 1994-10-11 1996-06-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法、ならびにメモリコアチップ及びメモリ周辺回路チップ
US5838603A (en) * 1994-10-11 1998-11-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method for fabricating the same, memory core chip and memory peripheral circuit chip
US5763943A (en) * 1996-01-29 1998-06-09 International Business Machines Corporation Electronic modules with integral sensor arrays
US6424016B1 (en) * 1996-05-24 2002-07-23 Texas Instruments Incorporated SOI DRAM having P-doped polysilicon gate for a memory pass transistor
JP3310174B2 (ja) * 1996-08-19 2002-07-29 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路
US5760478A (en) * 1996-08-20 1998-06-02 International Business Machines Corporation Clock skew minimization system and method for integrated circuits
US6076170A (en) * 1996-09-16 2000-06-13 Motorola Method and apparatus for selectively programming access time in a data processor
DE19819542C2 (de) * 1998-04-30 2002-10-24 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung mit einem Sensorelement und einem nichtflüchtigen Speichermittel
US6055178A (en) * 1998-12-18 2000-04-25 Motorola, Inc. Magnetic random access memory with a reference memory array
GB9903490D0 (en) * 1999-02-17 1999-04-07 Memory Corp Plc Memory system
JPWO0051184A1 (zh) * 1999-02-23 2002-06-11
JP4614481B2 (ja) * 1999-08-30 2011-01-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置
JP3815936B2 (ja) * 2000-01-25 2006-08-30 株式会社ルネサステクノロジ Icカード
JP2001256318A (ja) * 2000-03-14 2001-09-21 Sony Corp コンテンツ取り引きシステムおよびコンテンツ取り引き方法、並びにプログラム提供媒体
JP2002026280A (ja) * 2000-06-30 2002-01-25 Seiko Epson Corp 強誘電体メモリ及びその製造方法
JP2002043504A (ja) * 2000-07-27 2002-02-08 Sharp Corp 複合デバイス
KR100537552B1 (ko) * 2000-07-31 2005-12-16 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자 및 그의 제조 방법
JP3934867B2 (ja) * 2000-09-29 2007-06-20 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置および不揮発性半導体メモリシステム
US6560156B2 (en) * 2001-02-08 2003-05-06 Integrated Device Technology, Inc. CAM circuit with radiation resistance
JP2002245777A (ja) * 2001-02-20 2002-08-30 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2003133444A (ja) * 2001-08-10 2003-05-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置およびその製造方法
JP2003256282A (ja) * 2002-02-28 2003-09-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd メモリカード
JP3665633B2 (ja) * 2002-09-20 2005-06-29 株式会社東芝 半導体集積回路
DE10319271A1 (de) * 2003-04-29 2004-11-25 Infineon Technologies Ag Speicher-Schaltungsanordnung und Verfahren zur Herstellung
JP4729861B2 (ja) * 2004-04-02 2011-07-20 株式会社日立製作所 半導体記憶装置
US7870472B2 (en) * 2007-01-31 2011-01-11 Sandisk 3D Llc Methods and apparatus for employing redundant arrays to configure non-volatile memory

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