AT221412B - Verfahren zur Herstellung halbleitender keramischer Glasuren - Google Patents
Verfahren zur Herstellung halbleitender keramischer GlasurenInfo
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<Desc/Clms Page number 1> Verfahren zur Herstellung halbleitender keramischer Glasuren EMI1.1 <Desc/Clms Page number 2> werden, wodurch die in der Glasur enthaltenen höheren Oxyde der Schwermetalle in niedere Oxyde reduziert und Spinelle gebildet werden, die Träger der Halbleitfähigkeit sind. Es wurde festgestellt, dass Silber in der Glut eine bedeutende Reduktionswirkung aufweist ; es lässt sich daher durch Zusatz einer bestimmten Menge von Silber in die Glasur (z. B. 2%) eine ständig gleiche Bildung der betreffenden Spinelle und damit ein-ständig gleicher elektrischer Wert der Glasur erzielen, wobei die Reduktionsperioden beim Ausbrennen sehr kurz und schwach gehalten werden können bzw. die Glasuren in reiner Oxydationsatmosphäre ausgebrannt werden können. Das Silber oder die Silberverbindung kann direkt der Rohglasur zugesetzt werden. Es kann aber auch die ganze Menge des Silbers oder der Silberverbindung oder ein Teil derselben gemeinsam mit den spinellbildenden Oxyden und mit einem Teil der glasbildenden Anteile gefrittet und diese Fritte nach dem Vermahlen der Grundglasur zugesetzt werden. Als Grundglasur lassen sich die laufenden Porzellanspatglasurenverwenden,z.B.infolgendermolarerZusammeusetzung : 0, 7 CaO, MgO 0, 3K2O. Na2O # 0.5 - 1.2 Al2O3 # 5 - 12 SiO2 Nachstehend seien zwei Beispiele der Zusammensetzung der Glasur nach der vorstehenden Erfindung angeführt : Beispiel 1 : EMI2.1 100% Beispiel 2 : 75 - 850/0 Grundglasur 10- 20% Fe203 0-6% cru 0- 5% MnO2 0- 5% CuO 0-5% NiO 0-3% Sb 0,1-5%Ag2CO3 Dazu sei bemerkt, dass sich der Silbergehalt in der Glasur in den Grenzen von 0, 1 bis 400/0, bezogen auf den ausgeglühten Zustand, bewegt. PATENTANSPRÜCHE : 1. Verfahren zur Herstellung halbleitender keramischer Glasuren, dadurch gekennzeichnet, dass den Glasurbildnern fein verteiltes Silber oder Silberverbindungen zugesetzt werden, wodurch die in der Glasur enthaltenen höheren Oxyde der Schwermetalle in niedere Oxyde reduziert und Spinelle gebildet werden, die Träger der Halbleitfähigkeit sind.
Claims (1)
- 2. Verfahren zur Herstellung der Glasuren nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass sich der Silbergehalt in der Glasur in den Grenzen von 0, 1 bis 40%, bezogen auf den ausgeglühten Zustand, bewegt.3. Verfahren zur Herstellung der Glasuren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Silber oder die Silberverbindung direkt der Rohglasur zugesetzt wird.4. Verfahren zur Herstellung der Glasuren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass die ganze Menge des Silbers oder der Silberverbindung oder ein Teil derselben gemeinsam mit den spinellbildenden Oxyden und mit einem Teil der glasbildenden Anteile gefrittet und diese Fritte nach dem Vermahlen der Grundglasur zugesetzt wird. <Desc/Clms Page number 3>5. Verfahren zur Herstellung der Glasuren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die auf das keramische Erzeugnis in allgemein bekannter Weise aufgetragene Glasur zum Aufschmelzen der Glasur in oxydierender, neutraler oder schwach reduzierender Atmosphäre ausgebrannt wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CS221412X | 1958-06-04 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
AT221412B true AT221412B (de) | 1962-05-25 |
Family
ID=5451060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
AT415759A AT221412B (de) | 1958-06-04 | 1959-06-03 | Verfahren zur Herstellung halbleitender keramischer Glasuren |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
AT (1) | AT221412B (de) |
-
1959
- 1959-06-03 AT AT415759A patent/AT221412B/de active
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