AT15991U1 - Hochtemperaturkomponente - Google Patents

Hochtemperaturkomponente Download PDF

Info

Publication number
AT15991U1
AT15991U1 ATGM107/2017U AT1072017U AT15991U1 AT 15991 U1 AT15991 U1 AT 15991U1 AT 1072017 U AT1072017 U AT 1072017U AT 15991 U1 AT15991 U1 AT 15991U1
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
coating
temperature component
tungsten
base body
zrn
Prior art date
Application number
ATGM107/2017U
Other languages
English (en)
Inventor
Mayr-Schmölzer Bernhard
Wesemann Ingmar
Original Assignee
Plansee Se
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Plansee Se filed Critical Plansee Se
Priority to ATGM107/2017U priority Critical patent/AT15991U1/de
Priority to JP2019562316A priority patent/JP7093369B2/ja
Priority to DE112018002438.5T priority patent/DE112018002438A5/de
Priority to CN201880031334.1A priority patent/CN110612591B/zh
Priority to PCT/AT2018/000024 priority patent/WO2018204943A2/de
Priority to KR1020197036189A priority patent/KR102574124B1/ko
Publication of AT15991U1 publication Critical patent/AT15991U1/de
Priority to US16/680,567 priority patent/US11486032B2/en
Priority to JP2022092979A priority patent/JP7397913B2/ja

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/04Manufacture of electrodes or electrode systems of thermionic cathodes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C24/00Coating starting from inorganic powder
    • C23C24/08Coating starting from inorganic powder by application of heat or pressure and heat
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F5/00Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the special shape of the product
    • B22F5/006Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the special shape of the product of flat products, e.g. sheets
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/002Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of porous nature
    • B22F7/004Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of porous nature comprising at least one non-porous part
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/06Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/06Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
    • B22F7/08Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools with one or more parts not made from powder
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0641Nitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14Metallic material, boron or silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/16Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58After-treatment
    • C23C14/5806Thermal treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C24/00Coating starting from inorganic powder
    • C23C24/08Coating starting from inorganic powder by application of heat or pressure and heat
    • C23C24/082Coating starting from inorganic powder by application of heat or pressure and heat without intermediate formation of a liquid in the layer
    • C23C24/085Coating with metallic material, i.e. metals or metal alloys, optionally comprising hard particles, e.g. oxides, carbides or nitrides
    • C23C24/087Coating with metal alloys or metal elements only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02Main electrodes
    • H01J1/36Solid anodes; Solid auxiliary anodes for maintaining a discharge
    • H01J1/42Cooling of anodes; Heating of anodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J35/00X-ray tubes
    • H01J35/02Details
    • H01J35/04Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
    • H01J35/08Anodes; Anti cathodes
    • H01J35/10Rotary anodes; Arrangements for rotating anodes; Cooling rotary anodes
    • H01J35/105Cooling of rotating anodes, e.g. heat emitting layers or structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J35/00X-ray tubes
    • H01J35/02Details
    • H01J35/04Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
    • H01J35/08Anodes; Anti cathodes
    • H01J35/12Cooling non-rotary anodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02Details
    • H01J61/04Electrodes; Screens; Shields
    • H01J61/06Main electrodes
    • H01J61/073Main electrodes for high-pressure discharge lamps
    • H01J61/0735Main electrodes for high-pressure discharge lamps characterised by the material of the electrode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02Details
    • H01J61/52Cooling arrangements; Heating arrangements; Means for circulating gas or vapour within the discharge space
    • H01J61/523Heating or cooling particular parts of the lamp
    • H01J61/526Heating or cooling particular parts of the lamp heating or cooling of electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01KELECTRIC INCANDESCENT LAMPS
    • H01K1/00Details
    • H01K1/02Incandescent bodies
    • H01K1/04Incandescent bodies characterised by the material thereof
    • H01K1/10Bodies of metal or carbon combined with other substance
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F3/00Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
    • B22F3/24After-treatment of workpieces or articles
    • B22F2003/241Chemical after-treatment on the surface
    • B22F2003/242Coating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2998/00Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
    • B22F2998/10Processes characterised by the sequence of their steps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Hochtemperaturkomponente (1) aus einem Refraktärmetall oder einer Refraktärmetalllegierung mit einer Beschichtung (2) zur Erhöhung eines Emissionsgrades, wobei die Beschichtung im Wesentlichen besteht aus: Tantalnitrid und / oder Zirconiumnitrid; und Wolfram mit einem Wolfram-Gehalt zwischen 0 bis 98% gew. %.

Description

Beschreibung
HOCHTEMPERATURKOMPONENTE [0001] Die Erfindung betrifft eine Hochtemperaturkomponente aus einem Refraktärmetall mit den Merkmalen des Oberbegriffs von Anspruch 1 sowie ein Verfahren zur Herstellung einer Hochtemperaturkomponente.
[0002] In vielen Hochtemperaturanwendungen erfolgt ein Wärmeübergang überwiegend durch Wärmestrahlung. Ein bestimmender Faktor für die bei einer gegebenen Temperatur emittierten Wärmestrahlung ist die Emissivität, beziehungsweise der Emissionsgrad, der am Wärmeübergang beteiligten Oberflächen. Der Emissionsgrad gibt an, wieviel Strahlung ein Körper im Verhältnis zu einem idealen schwarzen Körper abgibt.
[0003] Je höher der Emissionsgrad einer Oberfläche, desto mehr thermische Strahlungsleistung kann ein Körper über diese Oberfläche abgeben.
[0004] Analoges gilt für die Absorption thermischer Strahlungsleistung: da Emissions- und Absorptionsvermögen eines Körpers proportional sind, absorbiert ein Körper mit hohem Emissionsgrad auch mehr Strahlungsleistung als ein Körper mit geringem Emissionsgrad.
[0005] Es ist daher das Bestreben bei technischen Oberflächen, über welche ein Wärmeübergang mittels Strahlung stattfinden soll, deren Emissionsgrad möglichst groß zu wählen. Durch einen hohen Emissionsgrad kann die gleiche Strahlungsleistung bei geringerer Bauteiltemperatur abgegeben werden.
[0006] Dies wird unmittelbar aus dem Stefan-Boltzmann-Gesetz ersichtlich, welches in einer Abwandlung auf Graue Körper die thermisch abgestrahlte Leistung eines Grauen Körpers in Abhängigkeit von seiner Temperatur angibt:
[0007] P = ε(Τ) σ T4 [0008] mit P der abgestrahlten Leistung, ε(Τ) dem gewichteten gemittelten Emissionsgrad über alle Wellenlängen, σ der Stefan-Boltzmann-Konstante und T der Temperatur in Kelvin.
[0009] Geringere Bauteiltemperaturen sind generell günstig in Hinblick auf eine Lebensdauer des Bauteils.
[0010] Im Stand der Technik gibt es verschiedene Vorschläge zur Erhöhung des Emissionsgrads von Hochtemperaturkomponenten:
[0011] In der US2014041589 (A1) ist ein Heizleiter beschrieben, der zumindest teilweise eine poröse Sinterbeschichtung aus Wolfram aufweist. Die Aufbringung der Beschichtung erfolgt über ein Slurry-Verfahren. Die poröse Sinterbeschichtung bewirkt eine Erhöhung des Emissionsgrades gegenüber einer glatten Wolfram-Oberfläche.
[0012] Auch für Hochtemperaturkomponenten in anderen Anwendungen gibt es Beispiele zur Erhöhung des Emissionsgrades:
[0013] Die EP1019948 (A1) beschreibt eine Beschichtung für eine Anode einer Hochdruckentladungslampe aus einem dendritischen Metall oder einer Metallverbindung, wodurch Werte für den Emissionsgrad (ausgedrückt über den Emissionskoeffizienten) von über 0.8 erhalten werden sollen. Als dafür besonders geeignet wird Rhenium genannt, da sich damit eine dendritische Struktur besonders gut erzeugen lässt.
[0014] Einen ähnlichen Ansatz verfolgt die EP0791950 (A2), gemäß welcher um eine Spitze einer Hochdruckentladungslampe feinkörniges Wolfram aufgesintert wird.
[0015] In der DE1182743 (B) erfolgt eine Erhöhung des Emissionskoeffizienten einer Anode für eine Hochdruckentladungslampe über Kühlriefen und in einer Ausführungsform zusätzlich über aufgesintertes Tantalkarbid.
/19
AT15 991 U1 2018-10-15 österreichisches
Patentamt [0016] Die Steigerung des Emissionsgrades gegenüber einer unbeschichteten Anode aus Wolfram erfolgt gemäß diesen Schriften also in erster Linie durch eine Vergrößerung der Oberfläche.
[0017] Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine verbesserte Hochtemperaturkomponente sowie ein Verfahren zur Herstellung derselben bereitzustellen.
[0018] Die Aufgabe wird gelöst durch eine Hochtemperaturkomponente mit den Merkmalen von Anspruch 1 bzw. durch ein Verfahren mit den Merkmalen von Anspruch 10. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
[0019] Die im Rahmen dieser Anmeldung betrachteten Anwendungen sind Anwendungen mit Betriebstemperaturen von typischerweise 1000-2500°C oder darüber. Darunter fallen insbesondere Anwendungen in der Lichttechnik (etwa Elektroden in Hochdruckentladungslampen), der Ofentechnik (etwa Heizleiter, Ofeneinbauten, Chargiereinrichtungen, Tiegel), und der Medizintechnik (etwa Röntgendrehanoden).
[0020] Die beteiligten Komponenten mit hohen Betriebstemperaturen werden im Zusammenhang dieser Anmeldung als Hochtemperaturkomponenten bezeichnet.
[0021] Für genannte Hochtemperaturanwendungen werden in der Regel Refraktärmetalle oder Refraktärmetalllegierungen eingesetzt. Unter Refraktärmetallen werden im Zusammenhang mit der vorliegenden Anmeldung die Metalle der 4. Gruppe (Titan, Zirconium und Hafnium), der 5. Gruppe (Vanadium, Niob, Tantal) und der 6. Gruppe (Chrom, Molybdän, Wolfram) des Periodensystems sowie Rhenium verstanden. Unter Refraktärmetalllegierungen sind Legierungen mit wenigstens 50 at. % des betreffenden Elements gemeint. Diese Werkstoffe weisen unter anderem eine ausgezeichnete Formbeständigkeit bei hohen Einsatztemperaturen auf.
[0022] Blanke Metalle haben in der Regel einen sehr geringen Emissionsgrad.
[0023] So liegt der Emissionsgrad von Wolfram bei Raumtemperatur im Wellenlängenbereich 1700-2500 nm bei etwa 0.2.
[0024] Eine gattungsgemäße Hochtemperaturkomponente weist eine Beschichtung zu Erhöhung des Emissionsgrades auf. Dabei kann die Beschichtung auf der ganzen Komponente oder nur auf Teilen davon aufgebracht sein. Erfindungsgemäß ist die Beschichtung zur Erhöhung des Emissionsgrades im Wesentlichen aus Zirconiumnitrid und / oder Tantalnitrid sowie Wolfram zu einem Gehalt von 0 bis 98 gew. % gebildet.
[0025] „Im Wesentlichen“ bedeutet hier, dass die Hauptbestandteile Zirconiumnitrid und / oder Tantalnitrid sowie gegebenenfalls Wolfram sind. Die Schicht kann in geringen Mengen andere Bestandteile sowie übliche Verunreinigungen enthalten. Als Verunreinigungen können beispielsweise Oxide oder Karbide, sowie metallisches Tantal bzw. Zirconium enthalten sein. Der Anteil der Hauptbestandteile Zirconiumnitrid und / oder Tantalnitrid sowie gegebenenfalls Wolfram liegt bei über 98 gew. % .
[0026] In der Regel entspricht das Zirconiumnitrid der chemischen Verhältnisformel ZrN und das Tantalnitrid der chemischen Verhältnisformel TaN, es könnten aber auch andere Nitride oder sub- oder überstöchiometrische Verbindungen mit Stickstoff sein. Der Einfachheit halber ist jedoch in der Anmeldung jeweils von ZrN bzw. TaN die Rede.
[0027] Die Beschichtung kann entweder ausschließlich (ausgenommen ggfs, die oben angeführten Bestandteile sowie Verunreinigungen) aus ZrN und / oder TaN gebildet sein. Alternativ kann die Schicht bis 98 gew. % Wolfram enthalten.
[0028] Gemäß einer ersten Ausführungsform ist die Beschichtung als PVD-Schicht (von engl, physical vapour deposition für physikalische Dampfabscheidung) ausgebildet.
[0029] In diesem Fall wird die Beschichtung über ein geeignetes Sputter-Target in einem physikalischen Dampfabscheide-Verfahren auf dem Substrat (einer Oberfläche der Hochtemperaturkomponente) erzeugt. Eine PVD-Schicht ist in der Regel glatt und dicht, weist also keine Poren auf. Zur Vergrößerung der Oberfläche kann das Substrat vor der Beschichtung durch ein me2/19
AT15 991 U1 2018-10-15 österreichisches
Patentamt chanisches, chemisches oder thermisches Verfahren strukturiert werden.
[0030] Alternativ ist die Beschichtung als Sinter-Schicht ausgebildet. Unter Sinter-Schicht wird eine Schicht verstanden, die durch ein pulvermetallurgisches Beschichtungsverfahren erhalten wird. Als Beispiel für ein pulvermetallurgisches Beschichtungsverfahren sei eine SlurryBeschichtung genannt. Nach dem eigentlichen Auftrag des Beschichtungsstoffs in Form von Partikeln wird der Schichtauftrag durch Sintern konsolidiert. Eine Sinter-Schicht ist in der Regel porös und weist eine raue Oberfläche auf.
[0031] Bevorzugt ist die Beschichtung als Kompositschicht aus fein verteilten Zirconiumnitridund / oder Tantalnitrid-Partikeln und Wolfram-Partikeln ausgebildet. Unter Kompositschicht wird eine Schicht verstanden, die aus einer Mischung aufgebaut ist, und in welcher die Grundbestandteile in ihren ursprünglichen Festkörpereigenschaften vorliegen. Dieses Merkmal ist insbesondere dann realisierbar, wenn die Beschichtung als Sinter-Schicht ausgebildet ist.
[0032] PVD- und Sinter-Schichten lassen sich wegen der sehr unterschiedlichen Oberflächenbeschaffenheiten einfach unterscheiden.
[0033] Auf Grund der Herstellung weist eine Sinter-Schicht bevorzugt eine Stärke zwischen 2 pm und 300 pm, weiter bevorzugt zwischen 3 pm und 100 pm, besonders bevorzugt zwischen 5 pm und 50 pm auf.
[0034] Im Falle von PVD-Schichten kann die Stärke auch deutlich darunter liegen. Typische Stärken von PVD-Schichten liegen zwischen 10nm und 4 pm.
[0035] Die Dicke der Beschichtung ist nicht entscheidend für die Funktion.
[0036] Bevorzugt ist die Beschichtung deckseitig auf der Hochtemperaturkomponente ausgebildet. Das bedeutet, dass die Beschichtung die äußerste Lage an der Oberfläche der Hochtemperaturkomponente bildet. In einem Einsatz der Hochtemperaturkomponente ist diese Lage dazu vorgesehen, an einem Wärmeübergang mittels Strahlung teilzunehmen.
[0037] Darunterliegend können weitere Schichten vorhanden sein.
[0038] Besonders bevorzugt ist die Beschichtung aus ZrN und Wolfram mit einem Gehalt von ZrN in Gewichtsprozent zwischen 2 gew. % und 75 gew. % ZrN, bevorzugt zwischen 3 gew. % und 60 gew. % ZrN, besonders bevorzugt zwischen 5 gew. % und 45 gew. % ZrN gebildet.
[0039] In Versuchen der Anmelderin hat sich gezeigt, dass eine Beschichtung aus einer Mischung von ZrN und Wolfram besonders günstige Werte für den Emissionsgrad aufweist. Überraschend hat sich herausgestellt, dass eine Beschichtung aus einer Mischung von ZrN und Wolfram einen höheren Emissionskoeffizienten als den von reinem ZrN und den von reinem Wolfram aufweist.
[0040] Das Maximum für den Emissionsgrad wurde bei rund 36 gew. % ZrN erzielt.
[0041] Hier konnte ein Emissionskoeffizient ε von rund 0.8 bei Raumtemperatur erreicht werden. Der Emissionskoeffizient ε von reinem ZrN liegt bei etwa 0.5, der Emissionskoeffizient von blankem Wolfram bei etwa 0.2. Es konnte daher keineswegs erwartet werden, dass der Emissionskoeffizient einer Mischung von ZrN und Wolfram einen höheren Wert aufweist als die Reinformen der Spezies.
[0042] Darüber hinaus erlaubt dies eine besonders wirtschaftliche Darstellung der Beschichtung, da an dem den Emissionsgrad fördernden Stoff - hier ZrN - gespart werden kann.
[0043] Außerdem bewirkt das Vorhandensein von Wolfram in der Beschichtung eine gute Kompatibilität zu dem Refraktärmetall, welches das Substrat für die Beschichtung bildet.
[0044] ZrN ist zudem wesentlich billiger als TaN. Deshalb stellt die Beschichtung auf Basis ZrN eine besonders wirtschaftliche Variante dar.
[0045] Eine den Emissionsgrad erhöhende Schicht auf Basis von Nitriden ist für Anwendungen besonders günstig, bei denen eine Getter-Wirkung für Sauerstoff gewünscht ist. Von der An3/19
AT15 991 U1 2018-10-15 österreichisches
Patentamt melderin wurde beobachtet, dass die Nitride bei hohen Temperaturen Sauerstoff aufnehmen. Damit kann die Hochtemperaturkomponente vor Oxidation geschützt werden.
[0046] Bevorzugt ist die Beschichtung porös ausgebildet. Mit porös ist hier gemeint, dass die Beschichtung einen beträchtlichen Porenanteil von beispielsweise über 5% aufweist. Durch die im Volumen der Beschichtung vorliegenden Poren ist auch die Oberfläche der Beschichtung gegenüber der rein geometrischen Oberfläche vergrößert, wodurch der Emissionsgrad weiter erhöht wird. Dieses Merkmal ist insbesondere für Sinter-Schichten zutreffend.
[0047] In einer Variante ist die Oberfläche der Hochtemperaturkomponente unterhalb der Beschichtung strukturiert, sodass die Oberfläche der Beschichtung gegenüber der rein geometrischen Oberfläche vergrößert ist. Dadurch wird der Emissionsgrad weiter erhöht. Hier ist also die Beschichtung selbst nicht notwendigerweise porös. Die Erhöhung der Oberfläche ergibt sich durch die Strukturierung des Substrats (der Hochtemperaturkomponente). Dies ist insbesondere dann relevant, wenn die Beschichtung als PVD-Schicht ausgebildet ist.
[0048] Bevorzugt ist vorgesehen, dass die Hochtemperaturkomponente als Elektrode einer Hochdruckentladungslampe ausgebildet ist. Die Anwendung der Beschichtung auf eine Elektrode, insbesondere die Anode einer Hochdruckentladungslampe, ist besonders vorteilhaft. Durch die Beschichtung zu Erhöhung eines Emissionsgrades auf einer Elektrode, insbesondere der Anode, kann diese eine höhere thermische Strahlungsleistung abgeben, wodurch sich die Lebensdauer erhöht. In anderen Worten kann die solcherart ausgebildete Elektrode im Betrieb mehr Wärme abgeben, was zu einer verringerten Bauteiltemperatur führt.
[0049] Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die Hochtemperaturkomponente als Heizleiter ausgebildet. Im Rahmen dieser Anmeldung sind mit Heizleitern metallische Widerstandsheizer gemeint, wie sie in Wärmebehandlungsanlagen Anwendung finden. Heizleiter können aus Blech, Stabmaterial, verdrilltem Draht, gebündeltem Draht oder aus Drahtgeflecht gebildet sein. Bei flächigen Heizleitern, also Heizleitern, deren Grundform einem Blech entstammt, kann es gewünscht sein, die Beschichtung lediglich auf jener Seite des Heizleiters vorzusehen, die im Betrieb des Heizleiters einem Inneren eines Ofens zugewandt ist.
[0050] Die Beschichtung bewirkt in der Anwendung auf einem Heizleiter, dass dieser eine vorgegebene Heizleistung bei geringerer Temperatur erbringen kann. Eine niedrigere Betriebstemperatur des Heizleiters ist günstig, da beispielsweise dadurch ein Kriechen verringert werden kann. Besonders interessant ist die Beschichtung zu Erhöhung des Emissionsgrades auf Heizleitern, die in Beschichtungsanlagen, insbesondere MOCVD-Anlagen (von engl, metalorganic Chemical vapour deposition) eingesetzt werden. Hier kann eine zu hohe Temperatur des Heizleiters zu einem Abdampfen des Grundwerkstoffs des Heizleiters (etwa Wolfram) und in Folge zu einer Kontamination des zu beschichtenden Substrats führen. Mit einem größeren Emissionsgrad kann der Heizleiter bei gleicher Heizleistung bei geringerer Temperatur betrieben werden, wodurch das Risiko einer Kontamination des zu beschichtenden Substrats verringert wird. Insbesondere kommt hier zugute, dass der Dampfdruck von ZrN und TaN vergleichbar mit dem von Wolfram ist. Das heißt, eine Beschichtung auf Basis von ZrN bzw. TaN erlaubt einen Betrieb des so ausgerüsteten Heizleiters bei geringerer Temperatur, ohne dass der Effekt der verringerten Temperatur des Heizleiters durch einen höheren Dampfdruck der Beschichtung kompensiert würde. Insgesamt verlängert eine niedrigere Betriebstemperatur die Lebensdauer einer Hochtemperaturkomponente.
[0051] Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel ist die Hochtemperaturkomponente als Tiegel ausgebildet. Tiegel aus Refraktärmetall werden beispielsweise zur Erschmelzung von Aluminiumoxid bei der Herstellung von Saphir-Einkristallen verwendet. Dazu werden die Tiegel in einem Hochtemperaturofen platziert und dort von Heizleitern über Strahlungswärme erwärmt. Der Wärmeübergang findet hauptsächlich über die Mantelflächen des Tiegels statt, welche die Strahlungswärme absorbieren und an das zu erschmelzende Gut weitergeben. Durch die erfindungsgemäße Beschichtung koppelt ein größerer Anteil der von Heizleitern abgegebenen Wärme in den Tiegel ein.
4/19
AT15 991 U1 2018-10-15 österreichisches
Patentamt [0052] Bevorzugt besteht die Hochtemperaturkomponente zu wenigstens 98 gew.% aus Wolfram. Wolfram hat sich für die relevanten Hochtemperaturkomponenten als besonders geeignet erwiesen.
[0053] Schutz wird auch begehrt für ein Verfahren zur Herstellung einer Hochtemperaturkomponente. Erfindungsgemäß umfasst das Verfahren zur Herstellung einer Hochtemperaturkomponente die Schritte:
[0054] - Bereitstellen eines Grundkörpers der Hochtemperaturkomponente, [0055] i) [0056] - Vergrößern einer Oberfläche des Grundkörpers der Hochtemperaturkomponente, [0057] - Beschichten des Grundkörpers mit ZrN und / oder TaN sowie gegebenenfalls Wolfram über physikalische Gasphasenabscheidung [0058] oder [0059] ii) [0060] - Beschichten des Grundkörpers mit Zr-haltigem und / oder Ta-haltigem Pulver sowie gegebenenfalls Wolfram über ein pulvermetallurgisches Verfahren, [0061] - Wärmebehandlung des beschichteten Grundkörpers in einer Stickstoffhaltigen Atmosphäre [0062] oder [0063] iii) [0064] - Beschichten des Grundkörpers mit ZrN und / oder TaN sowie gegebenenfalls Wolfram über ein pulvermetallurgisches Verfahren, [0065] - Wärmebehandlung des beschichteten Grundkörpers in einer Stickstoffhaltigen und / oder Argon-haltigen Atmosphäre.
[0066] Als Grundkörper wird die Hochtemperaturkomponente oder das Halbzeug, aus dem die Komponente hergestellt wird, vor Beschichtung verstanden.
[0067] Es werden also drei verschiedene Verfahrensvarianten vorgeschlagen.
[0068] Gemäß der Verfahrensvariante i) wird eine Oberfläche des Grundkörpers der Hochtemperaturkomponente zunächst so vorbehandelt, dass die Oberfläche gegenüber der geometrischen Oberfläche vergrößert wird. Dieses „Aufrauen“ kann beispielsweise durch eine SlurryBeschichtung erfolgen.
[0069] Bei einem Slurry-Verfahren werden pulverförmige Bestandteile in einer Flüssigkeit aufgeschlämmt. Mit der erhaltenen Suspension, die in der Regel auch Binder enthält, können Komponenten (hier der Grundkörper einer Hochtemperaturkomponente) durch Tauchen, Sprühen oder Pinseln oder Ähnlichem beschichtet werden. Nach einer Trocknung wird die Beschichtung in der Regel gesintert. Die so gebildete Beschichtung ist in der Regel porös und rau. Sie bildet eine günstige Unterlage für eine darauffolgende Beschichtung mit Wolfram und ZrN und / oder TaN über physikalische Gasphasenabscheidung (PVD). Die Slurry-Beschichtung kann beispielsweise auf Wolfram-Pulver basieren.
[0070] Alternativ oder zusätzlich kann die Oberfläche durch ein mechanisches, chemisches oder thermisches Verfahren strukturiert werden. Als Beispiel für ein mechanisches Verfahren sei ein Strahlen, etwa Sandstrahlen genannt. Ein Beispiel für ein chemisches Verfahren stellt das Ätzen oder Beizen dar. Als Beispiel für ein thermisches Verfahren sei ein LaserStrukturieren erwähnt.
[0071] Danach wird ZrN und / oder TaN sowie gegebenenfalls Wolfram auf den in seiner Oberfläche vergrößerten Grundkörper abgeschieden. Als Quelle für die Beschichtung kann ein Sputter-Target mit entsprechender Zusammensetzung verwendet werden. Durch geeignete Wahl
5/19
AT15 991 U1 2018-10-15 österreichisches
Patentamt der Target-Zusammensetzung kann die bevorzugte Schichtzusammensetzung eingestellt werden. Bei Beschichtungen mit ZrN ist eine Zusammensetzung der PVD-Beschichtung von ZrN und Wolfram mit zwischen 2 gew. % und 75 gew. % ZrN, bevorzugt zwischen 3 gew. % und 60 gew. % ZrN, besonders bevorzugt zwischen 5 gew. % und 45 gew. % ZrN besonders vorteilhaft.
[0072] Für TaN bewirkt eine Mischung mit Wolfram eine Verringerung des Emissionsgrades gegenüber reinem TaN, während für ZrN der Emissionsgrad von Mischungen mit Wolfram überraschend über dem der jeweiligen reinen Spezies liegt.
[0073] Die Vergrößerung der Oberfläche bewirkt eine zusätzliche Erhöhung des Emissionsgrades über den vom Beschichtungsstoff herrührenden Beitrag hinaus.
[0074] Diese Verfahrensvariante (PVD-Route) kann vorteilhaft sein, wenn beispielsweise eine Rekristallisation des Grundmaterials vermieden werden soll, um bestimmte mechanische Eigenschaften zu erhalten. Darüber hinaus kann durch diese Verfahrensvariante auch der Verzug von Bauteilen mit engen Bauteiltoleranzen vermieden werden. Die PVD-Beschichtung erfolgt nämlich bei moderaten Temperaturen und erfordert keinen Wärmebehandlungsschritt der Beschichtung.
[0075] Gemäß der Verfahrensvariante ii) wird der Grundkörper zunächst mit Zr-haltigem und / oder Ta-haltigem Pulver und gegebenenfalls Wolfram über ein pulvermetallurgisches Verfahren beschichtet und anschließend einer Wärmebehandlung in einer Stickstoff-haltigen Atmosphäre unterzogen.
[0076] Das pulvermetallurgische Verfahren kann ein Slurry-Verfahren sein. Zr-haltig bzw. Tahaltig bedeutet hier, dass das Pulver des pulvermetallurgischen Verfahrens Zirconium bzw. Tantal enthält. Es kann beispielsweise metallisches Zirconium bzw. metallisches Tantal sein. Insbesondere für Zirconium hat sich aber auch eine Darreichungsform als Hydrid bewährt. Günstig sind Mischungen der Zr-haltigen bzw. Ta-haltigen Pulver mit Wolfram. Insbesondere gilt das für Zirconium.
[0077] Bevorzugt wird die pulvermetallurgisch aufgetragene Schicht gesintert oder vorgesintert.
[0078] Man erhält also zunächst eine Schicht, die Zirconium bzw. Tantal elementar oder in einer Verbindung enthält. Im darauffolgenden Wärmebehandlungsschritt des beschichteten Grundkörpers in einer Stickstoff-haltigen Atmosphäre wird die Zr-haltige bzw. Ta-haltige Spezies zu dem jeweiligen Nitrid umgewandelt. Die Einstellung der Nitride zur Erhöhung des Emissionsgrades erfolgt gemäß dieser Verfahrensvariante also in situ.
[0079] Die Stickstoff-haltige Atmosphäre kann ein Gasgemisch mit Stickstoff (N2) sein. Auch Ammoniak (NH3) ist als Stickstoff-Quelle geeignet.
[0080] Durch Einstellen des Verhältnisses von Zr-haltigem bzw. Ta-haltigem Pulver zu Wolfram kann die gewünschte Schicht-Zusammensetzung eingestellt werden. Wie bereits ausgeführt, ist eine Zusammensetzung von ZrN und Wolfram mit zwischen 2 gew. % und 75 gew. % ZrN, bevorzugt zwischen 3 gew. % und 60 gew. % ZrN, weiter bevorzugt zwischen 5 gew. % und 45 gew. % ZrN besonders interessant.
[0081] Diese Verfahrensvariante kann vorteilhaft sein, wenn beispielsweise Anlagen für eine nitrierende Wärmebehandlung ohnehin verfügbar sind.
[0082] Diese Variante kann auf Grund einer Verfügbarkeit von Anlagen und vor allem auf Grund der Verfügbarkeit von Zr- und Ta-haltigen Pulvern einen kostentechnischen Vorteil gegenüber den Verfahrensvarianten i) oder iii) bieten. Zum anderen ermöglicht dieses Verfahren auch Bereiche mit einer Nitrid haltigen Schicht zu versehen, die durch ein klassisches PVDVerfahren nicht zu beschichten sind (Abschattungseffekte bei der PVD-Beschichtung).
[0083] Gemäß der Verfahrensvariante iii) erfolgt die Beschichtung des Grundkörpers mit ZrN und / oder TaN und gegebenenfalls Wolfram über ein pulvermetallurgisches Verfahren und eine darauffolgende Wärmebehandlung des beschichteten Grundkörpers in einer Stickstoff-haltigen
6/19
AT15 991 U1 2018-10-15 österreichisches
Patentamt und / oder Argonhaltigen Atmosphäre. Das pulvermetallurgische Verfahren kann wieder ein Slurry-Verfahren sein.
[0084] Die Beschichtung kann entweder mit ZrN oder TaN alleine, Mischungen davon oder mit Mischungen von ZrN und / oder TaN und Wolfram erfolgen.
[0085] Als besonders interessant haben sich Mischungen von ZrN und Wolfram erwiesen, insbesondere Mischung von ZrN und Wolfram mit zwischen 2 gew. % und 75 gew. % ZrN, bevorzugt zwischen 3 gew. % und 60 gew. % ZrN, besonders bevorzugt zwischen 5 gew. % und 45 gew. % ZrN.
[0086] In dieser Verfahrensvariante werden also die jeweiligen Nitride direkt in dem pulvermetallurgischen Beschichtungsschritt eingebaut. Die Wärmebehandlung dient hier vorwiegend der mechanischen Konsolidierung der Schicht. Die Atmosphäre muss daher nicht zwingend nitrierend sein.
[0087] Die Wärmebehandlung in einer Stickstoff- oder Argon-haltigen Atmosphäre erfolgt vorzugsweise bei Temperaturen über 1400°C. Die Stickstoff- oder Argon-haltige Atmosphäre kann etwa ein Gasgemisch mit Stickstoff (N2) sein.
[0088] Diese Verfahrensvariante ist auf Grund der einfachen Herstellung vorteilhaft. Je nach Verfügbarkeit von Anlagen und Rohstoffen kann diese Variante kostengünstiger als die zuvor vorgestellten Verfahrensvarianten sein. Darüber hinaus kann durch diese Variante der Aufbau der Schicht gesteuert werden. Die Nitride werden direkt verarbeitet und können so gradiert oder gleichmäßig über die gesamte Schichtdicke verteilt werden.
[0089] Einzelne Verfahrensvarianten seien in nachfolgenden Herstellungsbeispielen näher erläutert.
HERSTELLUNGSBEISPIEL I:
[0090] Zur Herstellung einer verbesserten Hochtemperaturkomponente wurden WolframProben mit Slurries verschiedener Pulvermischungen beschichtet.
[0091] Dazu wurden zunächst in einen Binder von 2.8 gew. % Ethylcellullose in Ethanol Wolfram- bzw. ZrN- bzw. TaN-Pulver zu einem Gesamt-Feststoffgehalt von 55 ± 2 gew. % eingewogen. Das Einrühren erfolgte mit einem Netzsch Multimaster bei 1500 U/min für 15 Minuten. Danach wurde für 1,5 Minuten in einem Bandelin HD 2200 Ultraschall-Homogenisator dispergiert.
[0092] Folgende Schicht-Zusammensetzungen wurden untersucht:
[0093] 100 gew. % TaN [0094] 80 gew. % TaN, Rest Wolfram [0095] 66 gew. % TaN, Rest Wolfram [0096] 50 gew. % TaN, Rest Wolfram [0097] 33 gew. % TaN, Rest Wolfram [0098] 100 gew. % Wolfram [0099] 6 gew. % ZrN, Rest Wolfram [00100] 9 gew. % ZrN, Rest Wolfram [00101] 13 gew. % ZrN, Rest Wolfram [00102] 23 gew. % ZrN, Rest Wolfram [00103] 36 gew. % ZrN, Rest Wolfram [00104] 50 gew. % ZrN, Rest Wolfram
7/19
AT15 991 U1 2018-10-15 österreichisches
Patentamt [00105] 76 gew. % ZrN, Rest Wolfram [00106] 100 gew. % ZrN [00107] Die hier angeführten Gewichtsprozente beziehen sich auf die Einwaage der Festbestandteile ZrN, TaN bzw. Wolfram.
[00108] Die Einwaage von 36 gew.% ZrN entspricht einem Molverhältnis von etwa 1:1 bezogen auf Zirconium und Wolfram.
[00109] Eine anschließende Sprühbeschichtung erfolgte manuell mit ca. 20 cm Abstand auf Wolfram-Plättchen zu einer Ziel-Schichtmasse von 15 mg/cm2. Die Trocknung erfolgte bei Raumluft.
[00110] Die angetrocknete Schicht wurde anschließend einer Wärmebehandlung (Glühung) unterzogen. In dieser Wärmebehandlung wird zunächst die Organik (Binder) entfernt und dann die Schicht konsolidiert bzw. gesintert.
[00111] Die Wärmebehandlung erfolgte jeweils bei 1900°C für eine Stunde. Zum Studium des Einflusses der Sinter-Atmosphären wurden diese variiert: es wurde unter Argon (Ar), Stickstoff (N2) und Hochvakuum gesintert.
[00112] Die Messung des Emissionsgrades der Schichten erfolgte mit einem Solar 410 Reflectometer der Fa. Surface Optics Corporation bei Raumtemperatur. Die erfindungsgemäßen Schichten wurden dabei einer unbeschichteten Wolfram-Oberfläche sowie aus dem Stand der Technik bekannten Beschichtungen zur Erhöhung des Emissionsgrads gegenübergestellt.
[00113] Es wurden mehrere Wellenlängen-Bereiche untersucht. Zum Vergleich der Emissionsgrade wurden die Ergebnisse der Messungen im Bereich zwischen 1700-2500 nm herangezogen, da dieser Bereich zur Beurteilung der thermischen Abstrahlung eines Körpers besonders relevant ist.
[00114] Eine Auswahl von Ergebnissen ist in Tabelle 1 zusammengefasst:
Probe Emissionsgrad ε Bemerkung
1 Wolfram (blank) 0,21 Stand der Technik
2 Wolfram- porös 0,34 Stand der Technik
3 TaN (100 gew.%) 0,90 erfindungsgemäß (Ausführungsbeispiel)
4 Wolfram + 36 gew. % ZrN 0,78 erfindungsgemäß (Ausführungsbeispiel)
Tabelle 1: Vergleich des Emissionsgrads für verschiedene Beschichtungen [00115] Eine unbeschichtete blanke Wolfram-Oberfläche, Probe Nr. 1, zeigte im untersuchten Wellenlängenbereich zwischen 1700-2500 nm einen gemittelten Emissionsgrad von 0,21.
[00116] Eine durch einen 100%igen Wolfram-Slurry erhaltene poröse Wolfram-Beschichtung (Probe Nr. 2) wies einen Emissionsgrad von 0,34 auf.
[00117] Bei der Probe Nr. 3, TaN (100 gew.%), wurde ein Emissionsgrad von 0,90 gemessen. In diesem Fall bestand die Beschichtung rein aus TaN, d.h. ohne Zugabe von Wolfram. Bei der Herstellung dieser Probe wurde TaN über ein Slurry-Verfahren aufgebracht und anschließend einer Wärmebehandlung bei 1900°C für 1h unter N2 unterzogen.
[00118] Probe Nr. 4 wies eine Beschichtung aus 36 gew. % ZrN, Rest Wolfram auf. Das Pulvergemisch aus ZrN und W wurde über Slurry-Verfahren auf die Probe aufgebracht und bei 1900°C für 1h unter N2 versintert. Der Emissionsgrad wurde mit 0,78 bestimmt.
8/19
AT15 991 U1 2018-10-15 österreichisches
Patentamt
HERSTELLUNGSBEISPIEL II:
[00119] Eine alternative Darstellung der Beschichtung zur Erhöhung eines Emissionsgrades besteht in der Herstellung einer Sinter-Schicht mit Zr bzw. Ta und anschließender Nitrierung. In dem Herstellungsbeispiel wurde eine Ta-Slurry-Schicht aufgebracht und diese anschließend in einer NH3-Atmosphäre nitriert. Durch die Nitrierungsbehandlung wird zumindest ein Teil des Tantals in ein Tantalnitrid umgewandelt. An so hergestellten Proben wurde eine Erhöhung des Emissionsgrads gegenüber einer porösen Ta-Schicht festgestellt.
[00120] Analog kann eine ZrN-Schicht durch eine Nitrierbehandlung einer zuvor aufgebrachten W-Zr-Beschichtung realisiert werden.
HERSTELLUNGSBEISPIEL III:
[00121] Eine weitere Variante zur Darstellung der Beschichtung zur Erhöhung eines Emissionsgrades besteht in der Aufbringung der Beschichtung aus ZrN und / oder TaN durch PVD. In dem Herstellungsbeispiel wurde das Substrat zunächst mit einer herkömmlichen Slurryschicht zur Erhöhung der Oberfläche versehen. Darauf wurde in diesem Beispiel reines TaN über PVD abgeschieden. Mit dieser Beschichtung aus 100 gew.% TaN konnte ein Emissionskoeffizient ε von 0.9 bei Raumtemperatur erreicht werden.
[00122] Die Erfindung wird im Folgenden durch Figuren näher erläutert. Dabei zeigt bzw. zeigen:
[00123] Fig. 1a-1c [00124] Fig. 2a-2c [00125] Fig. 3a-3b [00126] Fig. 4 [00127] Fig. 5 [00128] Fig. 6 [00129] Fig. 7 [00130] Fig. 8a-c rasterelektronenmikroskopische Aufnahmen von TaN-beschichteten Oberflächen nach verschiedenen Glüh-Behandlungen rasterelektronenmikroskopische Aufnahmen von 36 gew. % ZrN, Rest Wolfram beschichteten Oberflächen nach verschiedenen Glüh-Behandlungen rasterelektronenmikroskopische Aufnahmen von Bruchflächen ein Diagramm des Emissionsgrades Epsilon (ε) für verschiedene Beschichtungen schematisch eine Hochdruckentladungslampe als Ausführungsbeispiel einer Hochtemperaturkomponente einen Heizleiter als Ausführungsbeispiel einer Hochtemperaturkomponente einen Tiegel als Ausführungsbeispiel einer Hochtemperaturkomponente schematisch den Ablauf von Ausführungsbeispielen des erfindungsgemäßen Verfahrens.
[00131] Figur 1a zeigt eine rasterelektronenmikroskopische Aufnahme einer TaN-beschichteten Oberfläche, die bei 1900°C für eine Stunde unter Stickstoff-Atmosphäre geglüht wurde. Die Beschichtung wurde durch eine Slurry-Beschichtung mit TaN-Pulver realisiert.
[00132] Die Betrachtungsrichtung ist normal zu beschichteten Oberfläche.
[00133] Im Gegensatz zu Glühungen unter Argon (Figur 1b) und Hochvakuum (Figur 1c) blieb die Schicht in Stickstoff-Atmosphäre stabil und zeigte keine Einformung und Glättung.
[00134] Unter Argon und insbesondere unter Hochvakuum wurde eine Einformung und Glättung durch Oxidation und Versinterung beobachtet.
[00135] Für einen hohen Emissionsgrad wird eine poröse Oberflächenbeschaffenheit wie der TaN-Oberfläche in Figur 1 a angestrebt.
[00136] Die Bestimmung des Emissionsgrades ε an der TaN-Schicht nach den verschiedenen Glüh-Behandlungen ergab insbesondere für die Vakuum-Glühung eine starke Abnahme des
9/19
AT15 991 U1 2018-10-15 österreichisches
Patentamt
Emissionsgrades auf 0,77 gegenüber 0,90 der unter Stickstoff geglühten Probe.
[00137] Figuren 2a bis 2c zeigen analog zu Figuren 1a bis 1c rasterelektronenmikroskopische Aufnahmen von beschichteten Oberflächen mit 36 gew. % ZrN, Rest Wolfram, nach unterschiedlichen Glüh-Behandlungen.
[00138] Die Beschichtung wurde durch eine Slurry-Beschichtung mit ZrN-Pulver und WolframPulver realisiert.
[00139] Die Probe in Figur 2a wurde unter N2 geglüht, die Probe von Figur 2b unter Ar, die Probe von Figur 2c unter Hochvakuum.
[00140] Die 36 gew. % ZrN, Rest Wolfram-Proben zeigten nach einer Glühung unter Hochvakuum eine deutliche Einformung und Oxidation. Für einen hohen Emissionsgrad wird eine poröse Oberflächenbeschaffenheit wie in Figur 2a angestrebt.
[00141] Figur 3a zeigt eine rasterelektronenmikroskopische Aufnahme einer Bruchfläche normal zur Oberfläche einer Probe mit einer Beschichtung aus mit 36 gew. % ZrN, Rest Wolfram. Die Beschichtung wurde durch eine Slurry-Beschichtung mit ZrN-Pulver und Wolfram-Pulver realisiert.
[00142] Im unteren Teil des Bildes erkennt man das Substrat aus Wolfram-Blechmaterial. Darüber ist die Beschichtung 2 zu Erhöhung eines Emissionsgrades zu erkennen. Gut zu erkennen ist die Porosität der Beschichtung 2. Die Porosität trägt weiter zu einer Erhöhung des Emissionsgrades bei.
[00143] Figur 3b zeigt einen Ausschnitt einer Bruchfläche der gleichen Probe bei höherer Vergrößerung. Darin zu erkennen sind die Wolfram-Partikel („W“) in einer Matrix aus ZrN. Es handelt sich also um eine Kompositschicht aus Zirconiumnitrid-Partikeln und Wolfram-Partikeln.
[00144] Der Volumenanteil (gemessen über quantitative Gefügeanalyse) der besonders vorteilhaften Variante beträgt ca. 80% ZrN und 20% W.
[00145] Figur 4 zeigt ein Diagramm des Emissionsgrades Epsilon (ε) für verschiedene Beschichtungen 2 auf Basis ZrN mit variierenden Gehalten an ZrN.
[00146] Auf der horizontalen Achse (Abszisse) ist der Gehalt von ZrN in gew.%, auf der vertikalen Achse (Ordinate) der resultierende Emissionsgrad Epsilon (ε) aufgetragen. Die Punkte im Diagramm bezeichnen die jeweiligen Messwerte. Der Messwert für 0% ZrN entspricht dem Emissionsgrad einer blanken Wolfram-Oberfläche (ε = 0,21), der Messwert für 100% ZrN entspricht dem Emissionsgrad einer reinen ZrN-Beschichtung ohne Wolfram (ε = 0,50). Strichliert ist eine schematische Trendlinie eingezeichnet.
[00147] Man erkennt, dass die Emissionsgrade einer Beschichtung aus einer Mischung von ZrN und Wolfram nicht wie erwartet entlang einer Geraden zwischen den Werten für reines Wolfram und reines ZrN verlaufen, wie durch die punktierte Linie „sth“ angedeutet. Vielmehr zeigt eine Beschichtung aus einer Mischung von ZrN und Wolfram einen Maximalwert im Bereich von rund 36 gew.% ZrN. Dabei ist der Emissionsgrad bezüglich noch geringerer Gehalte von ZrN wenig sensitiv, d.h. auch bei Gehalten bis etwa 5 gew.% ZrN konnten immer noch attraktiv hohe Werte für den Emissionsgrad erhalten werden. Bei Gehalten über 40 gew.% ZrN hingegen fällt der Emissionsgrad stark ab. Wie aus dem Diagramm ersichtlich, ist eine Zusammensetzung von ZrN und Wolfram mit zwischen 2 gew. % und 75 gew. % ZrN, bevorzugt zwischen 3 gew. % und 60 gew. % ZrN, weiter bevorzugt zwischen 5 gew. % und 45 gew. % ZrN besonders interessant.
[00148] Figur 5 zeigt schematisch eine Hochdruckentladungslampe 5. Zwischen den Elektroden - einer Kathode 4 und einer Anode 3 - bildet sich im Betrieb ein Entladungsbogen. Die Anode 3 ist im vorliegenden Ausführungsbeispiel die Hochtemperaturkomponente 1 und ist mit einer erfindungsgemäßen Beschichtung 2 zur Erhöhung eines Emissionsgrades versehen.
[00149] Durch die Beschichtung 2 kann die Anode 3 eine höhere thermische Strahlungsleistung abgeben, wodurch sich die Lebensdauer erhöht.
10/19
AT15 991 U1 2018-10-15 österreichisches patentamt [00150] Ebenfalls kann die Kathode 4 oder sowohl die Anode 3 als auch die Kathode 4 mit der Beschichtung 2 versehen sein.
[00151] Hier exemplarisch an einer Hochdruckentladungslampe 5 gezeigt, kann die Beschichtung 2 zur Erhöhung eines Emissionsgrades auch für andere Lampentypen eingesetzt werden.
[00152] Figur 6 zeigt einen Heizleiter 6 aus einem Refraktärmetall in einer beispielhaften Anordnung als Bodenheizer eines Hochtemperaturofens. Der Heizleiter 7 wird durch direkten Stromdurchgang beheizt und erwärmt das Innere des Hochtemperaturofens durch Abgabe von Strahlungswärme.
[00153] Der Heizleiter 6 bildet im vorliegenden Ausführungsbeispiel die Hochtemperaturkomponente 1 und ist mit einer erfindungsgemäßen Beschichtung 2 zur Erhöhung eines Emissionsgrades versehen. Die Beschichtung 2 bewirkt in der Anwendung auf einem Heizleiter 6, dass dieser eine vorgegebene Heizleistung bei geringerer Temperatur erbringen kann. Dies verringert ein Kriechen des Heizleiters 6 und verlängert die Lebensdauer.
[00154] Figur 7 zeigt schematisch einen Tiegel 7 aus Refraktärmetall. Tiegel aus Refraktärmetall werden beispielsweise zur Erschmelzung von Aluminiumoxid bei der Herstellung von Saphir-Einkristallen verwendet. Dazu werden die Tiegel in einem Hochtemperaturofen platziert und dort von Heizleitern über Strahlungswärme erwärmt. Der Wärmeübergang findet hauptsächlich über die Mantelfläche des Tiegels statt, welche die Strahlungswärme absorbieren und an das zu erschmelzende Gut weitergeben. Der Tiegel 7 bildet im vorliegenden Ausführungsbeispiel die Hochtemperaturkomponente 1 und ist mit einer erfindungsgemäßen Beschichtung 2 zur Erhöhung eines Emissionsgrades versehen.
[00155] Die Beschichtung 2 in der Anwendung auf einen Tiegel 7 bewirkt, dass ein größerer Anteil der von Heizleitern abgegebenen Wärme in den Tiegel 7 einkoppelt. Der Tiegel 7 reagiert dadurch rascher auf einen Wärmeeintrag von Heizleitern.
[00156] Die Anwendung der Beschichtung 2 ist keineswegs auf die hier gezeigten Beispiele beschränkt. Die Beschichtung 2 ist generell für Hochtemperaturkomponenten vorteilhaft, an welchen ein Wärmeübergang mittels Strahlung stattfinden soll.
[00157] Figuren 8a-c zeigen schematisch den Ablauf von Ausführungsbeispielen des erfindungsgemäßen Verfahrens.
[00158] Figur 8a zeigt den Ablauf der Verfahrensvariante i).
[00159] Auf der linken Bildhälfte ist der Grundkörper der Hochtemperaturkomponente 1 gezeigt, dessen Oberfläche durch eine Behandlung vergrößert wurde. Die Maßnahme der Oberflächenvergrößerung dient zur Erhöhung des Emissionsgrades.
[00160] Gemäß dem oberen Bild wurde die Oberfläche durch Aufträgen einer Slurry-Schicht vergrößert. In dem Beispiel erfolgte der Auftrag der Slurry-Schicht mit Wolfram-Pulver („W“). Anstelle eines Wolfram-Slurries können auch andere zum Substrat kompatible SlurryZusammensetzungen verwendet werden. Nach der Slurry-Beschichtung wird der Pulverauftrag gesintert, was nicht eigens dargestellt ist.
[00161] Gemäß dem unteren Bild erfolgte die Vergrößerung der Oberfläche durch eine mechanische, chemische oder thermische Strukturierung.
[00162] In beiden Fällen des Ausführungsbeispiels ist das Substrat, also der Grundkörper der Hochtemperaturkomponente 1, aus Wolfram.
[00163] Der Grundkörper der Hochtemperaturkomponente 1 wird darauf mit Wolfram und ZrN und / oder TaN über physikalische Gasphasenabscheidung beschichtet. Der Sputter-Prozess ist in der Bildmitte über ein Sputter-Target 8 schematisch angedeutet. Das Target 8 kann entweder aus den Komponenten der Schicht bestehen, oder alternativ kann das Nitrid auch während des Prozesses gebildet werden.
[00164] Das Ergebnis, die Hochtemperaturkomponente 1 mit einer Beschichtung 2 zur Erhö11 /19
AT15 991 U1 2018-10-15 österreichisches
Patentamt hung des Emissionsgrades, ist in der rechten Bildhälfte dargestellt. Die Zusammensetzung der PVD-Schicht kann über die Wahl der Sputter-Target-Zusammensetzung bestimmt werden. Die PVD-Schicht ist in der Regel nur etliche nm oder wenige pm stark.
[00165] Figur 8b zeigt den Ablauf der Verfahrensvariante ii).
[00166] In der linken Bildhälfte ist dargestellt, dass der Grundkörper der Hochtemperaturkomponente 1 über ein pulvermetallurgisches Verfahren eine Beschichtung mit einem Zr-haltigem und / oder Ta-haltigem Pulver und gegebenenfalls Wolfram erhält. Ein Beispiel für ein pulvermetallurgisches Verfahren zur Beschichtung ist ein Slurry-Verfahren.
[00167] Im mittleren Bild ist die nachfolgende Wärmebehandlung des beschichteten Grundkörpers der Hochtemperaturkomponente 1 in einer Stickstoff-haltigen Atmosphäre dargestellt. Der Buchstabe „N“ in der angedeuteten Wärmebehandlungseinrichtung 9 symbolisiert die Stickstoffhaltige Atmosphäre. Durch die Wärmebehandlung werden Zirconium bzw. Tantal in die entsprechenden Nitride umgewandelt und die Beschichtung konsolidiert.
[00168] Man erhält, wie in der rechten Bildhälfte dargestellt, eine Hochtemperaturkomponente 1 mit der Beschichtung 2 zur Erhöhung des Emissionsgrades.
[00169] Figur 8c zeigt den Ablauf der Verfahrensvariante iii).
[00170] Links dargestellt ist der Grundkörper der Hochtemperaturkomponente 1 mit einer über ein pulvermetallurgisches Verfahren aufgebrachten Schicht mit ZrN und / oder TaN und gegebenenfalls Wolfram.
[00171] Im mittleren Bild ist die nachfolgende Wärmebehandlung des beschichteten Grundkörpers der Hochtemperaturkomponente 1 in einer Stickstoff-haltigen und / oder Argon-haltigen Atmosphäre dargestellt. Der Buchstabe „N“ in der angedeuteten Wärmebehandlungseinrichtung 9 symbolisiert die Stickstoffhaltige Atmosphäre, „Ar“ die Argon-haltige Atmosphäre. Durch die Wärmebehandlung wird die Beschichtung konsolidiert.
[00172] Man erhält, wie in der rechten Bildhälfte dargestellt, eine Hochtemperaturkomponente 1 mit der Beschichtung 2 zur Erhöhung des Emissionsgrades.
LISTE DER VERWENDETEN BEZUGSZEICHEN:
Hochtemperaturkomponente
Beschichtung zur Erhöhung eines Emissionsgrades
Anode
Kathode
Hochdruckentladungslampe
Heizleiter
Tiegel
Sputter-Target
Wärmebehandlungseinrichtung
12/19
AT15 991 U1 2018-10-15 österreichisches
Patentamt

Claims (19)

  1. Ansprüche
    1. Hochtemperaturkomponente (1) aus einem Refraktärmetall oder einer Refraktärmetalllegierung mit einer Beschichtung (2) zur Erhöhung eines Emissionsgrades, wobei die Beschichtung im Wesentlichen besteht aus: Tantalnitrid und / oder Zirconiumnitrid; und Wolfram mit einem Wolfram-Gehalt zwischen 0 bis 98% gew. %.
  2. 2. Hochtemperaturkomponente (1) nach Anspruch 1, wobei die Beschichtung (2) als PVDSchicht ausgebildet ist.
  3. 3. Hochtemperaturkomponente (1) nach Anspruch 1, wobei die Beschichtung (2) als SinterSchicht ausgebildet ist.
  4. 4. Hochtemperaturkomponente (1) nach Anspruch 1 oder 3, wobei die Beschichtung (2) als Kompositschicht aus Tantalnitrid- und / oder Zirconiumnitrid-Partikeln und WolframPartikeln ausgebildet ist.
  5. 5. Hochtemperaturkomponente (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Beschichtung (2) aus Zirconiumnitrid und Wolfram mit zwischen 2 gew. % und 75 gew. % Zirconiumnitrid gebildet ist.
  6. 6. Hochtemperaturkomponente (1) nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die Beschichtung (2) porös ausgebildet ist.
  7. 7. Hochtemperaturkomponente (1) nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die Beschichtung (2) deckseitig auf der Hochtemperaturkomponente (1) ausgebildet ist.
  8. 8. Hochtemperaturkomponente (1) nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die Hochtemperaturkomponente (1) als Elektrode (3, 4) einer Hochdruckentladungslampe (5) ausgebildet ist.
  9. 9. Hochtemperaturkomponente (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Hochtemperaturkomponente (1) als Heizleiter (6) ausgebildet ist.
  10. 10. Hochtemperaturkomponente (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Hochtemperaturkomponente (1) als Tiegel (7) ausgebildet ist.
  11. 11. Verfahren zur Herstellung einer Hochtemperaturkomponente (1) mit einer Beschichtung (2) zu Erhöhung eines Emissionsgrades, umfassend die Schritte:
    - Bereitstellen eines Grundkörpers der Hochtemperaturkomponente (1), i) o Vergrößern einer Oberfläche des Grundkörpers der Hochtemperaturkomponente (1), o Beschichten des Grundkörpers mit ZrN und / oder TaN sowie gegebenenfalls Wolfram über physikalische Gasphasenabscheidung oder
    ü) o Beschichten des Grundkörpers mit Zr-haltigem und / oder Ta-haltigem Pulver sowie gegebenenfalls Wolfram über ein pulvermetallurgisches Verfahren, o Wärmebehandlung des beschichteten Grundkörpers in einer Stickstoffhaltigen Atmosphäre oder iii) o Beschichten des Grundkörpers mit ZrN und / oder TaN sowie gegebenenfalls Wolfram über ein pulvermetallurgisches Verfahren, o Wärmebehandlung des beschichteten Grundkörpers in einer Stickstoffhaltigen und / oder Argon-haltigen Atmosphäre
  12. 12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Vergrößern der Oberfläche des Grundkörpers der Hochtemperaturkomponente (1) im Unterschritt i) über eine Slurry-Beschichtung des Grundkörpers erfolgt.
  13. 13/19
    AT15 991 U1 2018-10-15 österreichisches
    Patentamt
    13. Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Vergrößern der Oberfläche des Grundkörpers der Hochtemperaturkomponente (1) im Unterschritt i) über eine mechanische, chemische oder thermische Strukturierung des Grundkörpers erfolgt.
  14. 14. Verfahren nach Anspruch 11, wobei im Unterschritt ii) oder Unterschritt iii) die Beschichtung des Grundkörpers über ein Slurry-Verfahren erfolgt.
  15. 15. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 oder 14, wobei die Wärmebehandlung in den Unterschritten ii) oder iii) bei Temperaturen über 1400°C erfolgt.
    Hierzu 5 Blatt Zeichnungen
    14/19
    AT15 991 U1 2018-10-15 österreichisches patentamt
    15/19
    AT15 991 U1 2018-10-15 österreichisches
    Patentamt
  16. 16/19
    AT15 991 U1 2018-10-15 österreichisches patentamt
  17. 17/19
    AT15 991 U1 2018-10-15 österreichisches
    Patentamt
  18. 18/19
    AT15 991 U1 2018-10-15 österreichisches
    Patentamt
    W/ZrN/TaN
  19. 19/19
ATGM107/2017U 2017-05-12 2017-05-12 Hochtemperaturkomponente AT15991U1 (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
ATGM107/2017U AT15991U1 (de) 2017-05-12 2017-05-12 Hochtemperaturkomponente
JP2019562316A JP7093369B2 (ja) 2017-05-12 2018-04-19 高温部品
DE112018002438.5T DE112018002438A5 (de) 2017-05-12 2018-04-19 Hochtemperaturkomponente
CN201880031334.1A CN110612591B (zh) 2017-05-12 2018-04-19 高温组件
PCT/AT2018/000024 WO2018204943A2 (de) 2017-05-12 2018-04-19 Hochtemperaturkomponente
KR1020197036189A KR102574124B1 (ko) 2017-05-12 2018-04-19 고온 부품
US16/680,567 US11486032B2 (en) 2017-05-12 2019-11-12 High-temperature component and method for producing a high-temperature component
JP2022092979A JP7397913B2 (ja) 2017-05-12 2022-06-08 高温部品

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
ATGM107/2017U AT15991U1 (de) 2017-05-12 2017-05-12 Hochtemperaturkomponente

Publications (1)

Publication Number Publication Date
AT15991U1 true AT15991U1 (de) 2018-10-15

Family

ID=63787555

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ATGM107/2017U AT15991U1 (de) 2017-05-12 2017-05-12 Hochtemperaturkomponente

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11486032B2 (de)
JP (2) JP7093369B2 (de)
KR (1) KR102574124B1 (de)
CN (1) CN110612591B (de)
AT (1) AT15991U1 (de)
DE (1) DE112018002438A5 (de)
WO (1) WO2018204943A2 (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220054888A (ko) * 2020-04-30 2022-05-03 유멕스 인크. 쇼트 아크 방전 램프용 전극 및 그 생성 방법
AT17391U1 (de) 2020-07-31 2022-03-15 Plansee Se Hochtemperaturkomponente

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1696630A1 (de) * 1967-02-23 1971-11-04 Westinghouse Electric Corp Verfahren zur Herstellung einer zum Einsatz in eine geeignete elektrische Entladungsanordnung dienenden Elektrode mit elektronenemittierendem UEberzug
WO2000008672A1 (de) * 1998-08-06 2000-02-17 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Elektrode für eine hochdruckentladungslampe mit langer lebensdauer
US20010033950A1 (en) * 1996-03-29 2001-10-25 Billings Garth W. Refractory crucibles and molds for containing reactive molten metals and salts
DE60001741T2 (de) * 1999-04-16 2003-11-13 Moltech Invent S.A., Luxemburg/Luxembourg Schutzbeschichtung für komponenten, die durch erosion während des frischens von geschmolzenen metallen angegriffen werden
WO2008017156A1 (en) * 2006-08-07 2008-02-14 Cardarelli Francois Composite metallic materials, uses thereof and process for making same
US20140041589A1 (en) * 2012-08-07 2014-02-13 Veeco Instruments Inc. Heating element for a planar heater of a mocvd reactor

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2895849A (en) * 1950-04-12 1959-07-21 Morris L Perlman Method of preparing coated refractory ware
DE1182743B (de) 1961-11-10 1964-12-03 Patra Patent Treuhand Anode fuer eine Hochdruckentladungslampe, insbesondere fuer eine Edelgas-Hochdruckentladungslampe
JPS5337287B1 (de) * 1968-09-04 1978-10-07
JPS6019097B2 (ja) * 1977-09-30 1985-05-14 電気化学工業株式会社 熱電子放射材料の製造法
GB2124023B (en) * 1982-07-16 1985-08-29 Nii Ex I Avtomobil Elektroobor Method of manufacturing incandescent lamps
WO1990012125A1 (en) * 1989-04-06 1990-10-18 Institut Strukturnoi Makrokinetiki Akademii Nauk Sssr Method for obtaining a refractory inorganic coating on the surface of an article
US5148080A (en) * 1990-01-16 1992-09-15 Hilux Development Incandescent lamp filament incorporating hafnium
EP0704880A3 (de) 1994-09-28 1998-09-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Hochdruck-Entladungslampe, Herstellungsverfahren einer Entladungsröhre für Hochdruck-Entladungslampen und Herstellungsverfahren eines Hohlröhrenkörpers
JPH09231946A (ja) * 1996-02-23 1997-09-05 Ushio Inc ショートアーク型放電ランプ
US6025579A (en) * 1996-12-27 2000-02-15 Jidosha Kiki Co., Ltd. Ceramic heater and method of manufacturing the same
US20030224220A1 (en) 1999-04-16 2003-12-04 Nguyen Thinh T. Dense refractory material for use at high temperatures
US6835947B2 (en) * 2002-01-31 2004-12-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Emitter and method of making
EP1376239A3 (de) 2002-06-25 2005-06-29 Nikon Corporation Kühlvorrichtung für ein optisches Element
JP2004029314A (ja) * 2002-06-25 2004-01-29 Nikon Corp 光学素子冷却装置、光学素子冷却方法及び露光装置
US7903786B2 (en) * 2008-08-25 2011-03-08 General Electric Company Apparatus for increasing radiative heat transfer in an X-ray tube and method of making same
EP2414119A1 (de) * 2009-03-03 2012-02-08 Diamond Innovations, Inc. Dicke wärmesperrbeschichtung für ein superabrasives werkzeug
JP2013521134A (ja) 2009-03-03 2013-06-10 ダイヤモンド イノベイションズ インコーポレーテッド 超研磨工具用の厚い断熱層コーティング
DE202009013860U1 (de) * 2009-10-13 2010-11-25 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halogenglühlampe
CN201817573U (zh) * 2010-07-13 2011-05-04 王敬 一种用于单晶炉的保温筒以及具有其的单晶炉
US9177754B2 (en) * 2013-02-09 2015-11-03 Varian Medical Systems, Inc. X-ray tube cooling by emissive heat transfer
JP6165495B2 (ja) 2013-04-24 2017-07-19 スタンレー電気株式会社 フィラメントの製造方法
CN105695919B (zh) * 2014-11-28 2018-10-30 安泰科技股份有限公司 一种提高难熔金属制品发射率的处理方法
CN104611618A (zh) * 2015-01-03 2015-05-13 北京工业大学 一种耐高温钨合金材料

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1696630A1 (de) * 1967-02-23 1971-11-04 Westinghouse Electric Corp Verfahren zur Herstellung einer zum Einsatz in eine geeignete elektrische Entladungsanordnung dienenden Elektrode mit elektronenemittierendem UEberzug
US20010033950A1 (en) * 1996-03-29 2001-10-25 Billings Garth W. Refractory crucibles and molds for containing reactive molten metals and salts
WO2000008672A1 (de) * 1998-08-06 2000-02-17 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Elektrode für eine hochdruckentladungslampe mit langer lebensdauer
DE60001741T2 (de) * 1999-04-16 2003-11-13 Moltech Invent S.A., Luxemburg/Luxembourg Schutzbeschichtung für komponenten, die durch erosion während des frischens von geschmolzenen metallen angegriffen werden
WO2008017156A1 (en) * 2006-08-07 2008-02-14 Cardarelli Francois Composite metallic materials, uses thereof and process for making same
US20140041589A1 (en) * 2012-08-07 2014-02-13 Veeco Instruments Inc. Heating element for a planar heater of a mocvd reactor

Also Published As

Publication number Publication date
US20200095669A1 (en) 2020-03-26
JP2022126705A (ja) 2022-08-30
CN110612591A (zh) 2019-12-24
JP7093369B2 (ja) 2022-06-29
CN110612591B (zh) 2022-12-20
WO2018204943A2 (de) 2018-11-15
JP7397913B2 (ja) 2023-12-14
WO2018204943A3 (de) 2019-04-25
US11486032B2 (en) 2022-11-01
DE112018002438A5 (de) 2020-04-16
KR102574124B1 (ko) 2023-09-01
JP2020519763A (ja) 2020-07-02
KR20200007861A (ko) 2020-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3531085C2 (de)
DE60226169T2 (de) Pulver für die interne elektrode eines laminierten keramikkondensators
WO2015089533A1 (de) W-ni-sputtertarget
Szaraniec et al. Structure and properties of Ti-Ag alloys produced by powder metallurgy
EP2326742B1 (de) Verwendung eines targets für das funkenverdampfen und verfahren zum herstellen eines für diese verwendung geeigneten targets
JP7397913B2 (ja) 高温部品
DE112017004063B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Dickbeschichtung mit schichtweisem Aufbau
JP2022126705A5 (de)
EP0812930B1 (de) Keramische Verdampfermaterialien
AT9340U1 (de) Verfahren zur herstellung eines hochdichten halbzeugs oder bauteils
DE102016103015A1 (de) Wärmeisolierendes Material
EP3411516B1 (de) Tiegel
AT517717B1 (de) Verfahren zur Abscheidung einer Schicht auf einem Gleitlagerelementrohling
DE10110448A1 (de) Beschichtungspulver auf der Basis von chemisch modifizierten Titansuboxiden
WO2022020869A1 (de) Hochtemperaturkomponente
AT502394B1 (de) Verfahren zur herstellung eines keramischen werkstoffes und keramischer werkstoff
DE2320553C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines plasmagespritzten Berylliumgegenstandes
EP1464716B1 (de) Quasikristalline Ti-Cr-Al-Si-O Legierung und deren Verwendung als Beschichtungen
EP0315122A2 (de) Verwendung von Nickel enthaltenden Legierungen und ihre Herstellung
WO2017059467A1 (de) Komponente einer metallverarbeitungsmaschine
DE2248129C3 (de) Dispersionsverfestigter Sinterkörper sowie Verfahren zu dessen Herstellung
WO2015036223A1 (de) Verdampferkörper für eine pvd-beschichtungsanlage sowie verfahren zum bereitstellen eines derartigen verdampferkörpers
WO2022117220A1 (de) Al-Si KORROSIONSSCHUTZSCHICHTEN
DE3033877A1 (de) Legierter zuleitungsdraht und verfahren zu seiner herstellung
DE2248129B2 (de) Dispersionsverfestigter Sinterkörper sowie Verfahren zu dessen Herstellung